KR920001645A - 반응관 챔버의 자기 세척(self-clening)방법 - Google Patents

반응관 챔버의 자기 세척(self-clening)방법 Download PDF

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Abstract

내용 없음

Description

반응관 챔버의 자기 세척(self-clening)방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 본 발명을 실시하는데 사용되는 복합 CVD/PECVD 반응기의 평면도.

Claims (12)

  1. 가스 유입 매니폴드 형태의 여러개의 적극들 및 이와 일정한 가변 간격을 둔 하나의 웨이퍼 지지적극들을 포함하고 잇는 진공 처리 반응관의 자기 세척방법으로서, 상기 반응관의 챔버 전체로 에칭 플라즈마를 발생시키도록 상기 전극들간에 인가되는 소정의 전력을 사용하여, 탄화 플루오르를 포함한 가스를 비교적 낮은 제 1 압력및 지교족 넓은 제 1 전극간격 하에서 상기 챔버 안으로 공급하는 광범위한 제 1 에칭단계와, 상기 전극들 사이에 국부적인 에칭 플라즈마를 발생시키도록 상기 전극들간에 인가되는 소정의 전력을 사용하여, 탄화 플루오르를 포함한 가스를 비교적 높은 제 2 압력 및 비교적 좁은 제 1 적극간격 하에 상기 챔버 안으로 공급하는 국부적인 제 2 에칭 단계와로 구성된 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제 1 에칭단계에서 C2F6:02유량비(0.75~1.30) : 1인 C2F6및 O2가스, 전극간격 750~1000mils, 압력 0.8~2torr, 및 전력밀도 2.7~5.6watt/㎠을 사용하는 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제 2 에칭단계에서 C2F6:02유량비(0.85~1) : 1인 C2F6및 02가스, 전극간격 180~350mils, 압력 6~13torr, 및 전력밀도 2.7~5.6wat/㎠을 사용하는 방법.
  4. 가스유입 매니폴드 형태의 여러개의 RF(radio frequency) 전극들 및 이와 일정한 가변 간격을 둔 하나의 웨이퍼 지지전극을 포함하고 있는 진공 처리 반응관의 자기 세척방법으로서, 상기 반응관의 챔버 전체로 에칭플라즈마를 방샐시키도록 상기 전극들간에 인가되는 약2.7~5.6watt/㎠의 RF전력밀도를 사용하여 C2F6및 O2가스를 C2F6:02유량비 약 0.75~130:1및 챔버약력 약 0.8~2torr, 하에서 상기 챔버 안으로 공급하는 광범위한 제 1에칭단계와, 상기전극들 사이에 국부적인 에칭 플라즈마를 발생시키도록 상기 전극들 간에 인가되는 약 2.7~5.6watt/㎠의 RF전력밀도를 사용하여, 상기 챔버 압력을 약 6~13torr로 증가시키고 상기 전극 간격을 약 180~350mills로 감소시키면서 C2F6:02유량비 약(0.85~1):1로 유지시키는 국부적인 제 2에칭단계와로 구성된 방법
  5. 제1항에 있어서, 상기 제 1 에칭단계에서 C2F6유량 약 300~600sccm, 02유량 약 400~800sccm, 압력 약 0.8~2torr, 전극간격 약 1mils 및 RF 전력밀도 약 500~750watt/㎠을 사용하는 방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 C2F6:02유량비가 0.75~1이고 상기 RF전력밀도가 3.8 ~3.9watt인 방법
  7. 제1항에 있어서, 상기 제 2에칭단계에서 C2F6유량 약 600~800sccm, 02유량 약 700~900sccm, 압력 약 6~13toor, 적극간격 약 180~3001mils 및 RF 전력밀도 약 500~750watt/㎠을 사용하는 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 C2F6:02유량비가 0.85~1이고 상기 RF전력밀도가 3.8 ~3.9watt/㎠인 방법.
  9. 가스유입 매니폴드 형태인 여러개의 RF전극들 및 이와 일정한 가변 간격을 둔 하나의 웨이퍼 지지전극을 포함하고 있는 진공처리 반응관의 자기 세척 방법으로서, 상기 반응관의 챔버 전체로 에칭 플라즈마를 발생시키도록 상기 전극들 간에 인가되는 약2.7~5.6watt/㎠의 RF 전력밀도를 사용하여, C2F6및 02가스를 각각의 유량 300~600sccm 및 400~800sccm,챔버 압력 약 0.8~2torr, 전극간격 1000mils 하에 상기 챔버 안으로 공급하는 광범위한 제 1 에칭단계와, 상기 전극들 간에 국부적인 에칭 플라즈마를 발생시키도록 상기 전극들간에 인가되는 약 2.7~5.6watt/㎠의 RF전력밀도를 사용하여, 상기 챔버 압력을 약 6~13toor로 증가시키고 상기 전극 간격을 약 80~300mills로 감소시키면서 C2F6및 02유량을 각각 600~800sccm 및 700~900sccm으로 유지시키는 국부적인 제 2 에칭단계와로 구성된 방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 제 1 에칭단계에서 상기 C2F6:02유량비가 0.75:1이고, 상기 제 2 에칭단계에서 상기 C2F6:02유량비가 0.85:1이며, 상기 제 1 및 제 2 에칭단계에서 상기 RF전력밀도가 약 3.8~3.9watt/㎠인 방법.
  11. 가스유입 매니폴드 및 이와 일정한 가변 간격을 둔 하나의 웨이퍼 지지전극을 가지는 전공 반응관 내에서 반도체 웨이퍼 상에 코팅을 증착시키고 상기 반응관을 자기세척하는 방법으로서, 상기 반응관의 챔버 내에서 하나 이상의 웨이퍼 상에 코팅을 증착시키는 단계, 및 상기 반응관의 내부표면을 자기 세척하는 단계로 이루어지며, 상기 자기세척 단계가, 상기 챔버 전체로 에칭 플라즈마를 발생시키도록 상기 전극들 간에 인가되는 소정의 RF전력을 사용하여, 탄화플루오르를 포함한 가스를 비교적 낮은 제1 챔버압력 및 비교적 높은 제 2 압력으로 증가 시키고 상기 전극 간격을 비교적 좁은 제 2 적극간격으로 감소시키는 국부적인 제 2에칭단계와로 구성되어 있는방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 제 1에칭단계에서 C2F6:02의 유량비 약(0.75~1.30):1 ,전극간격750~1000mils, 압력 0,8~2torr를 사용하고, 상기 제2 에칭단계에서 C2F6:02의 유량비 약 (0.85~1), 적극간격 180~350mill, 압력 6~13torr를 사용하며, 상기 제 1 및 제 2 에칭단계에서전력밀도는 모두 약 2.5~5.6watt/㎠인 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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