JPS6311674A - プラズマｃｖｄ用チヤンバの洗浄方法 - Google Patents
プラズマｃｖｄ用チヤンバの洗浄方法Info
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- JPS6311674A JPS6311674A JP15293786A JP15293786A JPS6311674A JP S6311674 A JPS6311674 A JP S6311674A JP 15293786 A JP15293786 A JP 15293786A JP 15293786 A JP15293786 A JP 15293786A JP S6311674 A JPS6311674 A JP S6311674A
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- gas
- chamber
- cleaning
- plasma cvd
- plasma
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明はプラズマＣＶＤ用チャンバの洗浄方法において
、 一般に高価な三フフ化窒素（ＮＦ３）ガスを多量に用い
ることによって安価に洗浄し得す、しかも、洗浄効率が
比較的悪い問題点を解決するため、ＮＦ３ガスとアルゴ
ン（Ａｒ ）ガスとを混合したガスで洗浄することによ
り、 安価に、しかも、比較的洗浄効率高く洗浄し得るように
したものである。
、 一般に高価な三フフ化窒素（ＮＦ３）ガスを多量に用い
ることによって安価に洗浄し得す、しかも、洗浄効率が
比較的悪い問題点を解決するため、ＮＦ３ガスとアルゴ
ン（Ａｒ ）ガスとを混合したガスで洗浄することによ
り、 安価に、しかも、比較的洗浄効率高く洗浄し得るように
したものである。
本発明はプラズマＣＶＤ用チャンバの洗浄方法に関する
。プラズマエツチングした後のチャンバ内には例えばＳ
ｉＮ等の膜が付着しているので、これを極力安価なガス
を用いて洗浄する必要がある。
。プラズマエツチングした後のチャンバ内には例えばＳ
ｉＮ等の膜が付着しているので、これを極力安価なガス
を用いて洗浄する必要がある。
第４図は一般のプラズマデポジション方法を示す図であ
る。同図において、チャンバ１内に設けられた電極２ａ
、２ｂのうちの電極２ｂ上にプラズマデボすべきウェハ
３を載置し、適当な反応ガスを導入して電極２ａ、２ｂ
間に高周波発生器４により高周波（ＲＦ）をかける。こ
れにより、電極２ａ、２ｂ間においてプラズマ放電を生
じ、反応ガスが分解され、ウェハ３上にＣＶＤ膜が成長
する。
る。同図において、チャンバ１内に設けられた電極２ａ
、２ｂのうちの電極２ｂ上にプラズマデボすべきウェハ
３を載置し、適当な反応ガスを導入して電極２ａ、２ｂ
間に高周波発生器４により高周波（ＲＦ）をかける。こ
れにより、電極２ａ、２ｂ間においてプラズマ放電を生
じ、反応ガスが分解され、ウェハ３上にＣＶＤ膜が成長
する。
このとき、チャンバ１内には反応生成物として例えばＳ
ｉＮ等の膜５が付着する。そこで、従来、ＳｉＮのエツ
チングレートが良好なことがらＮＦ３ガスをチャンバ１
内に導入し、電極２ａ。
ｉＮ等の膜５が付着する。そこで、従来、ＳｉＮのエツ
チングレートが良好なことがらＮＦ３ガスをチャンバ１
内に導入し、電極２ａ。
２ｂ間でプラズマ放電させ、これにより、ｌｌｌ５を除
去（エツチング）するようにしていた。
去（エツチング）するようにしていた。
然るに、一般に、ＮＦｚガスは非常に高価であり、又、
ＮＦ３ガスは自己分解するのであまり高圧に充填できず
、このため、ボンベ交換の頻度が高くなる。これらの理
由から、従来では手軽にチャンバ洗浄を行ない得ない問
題点があった。更に、ＮＦｚガスのみではあまりプラズ
マ領域が広がらず、チャンバ１内の膜５の洗浄効率が比
較的悪い問題点があった。
ＮＦ３ガスは自己分解するのであまり高圧に充填できず
、このため、ボンベ交換の頻度が高くなる。これらの理
由から、従来では手軽にチャンバ洗浄を行ない得ない問
題点があった。更に、ＮＦｚガスのみではあまりプラズ
マ領域が広がらず、チャンバ１内の膜５の洗浄効率が比
較的悪い問題点があった。
本発明になるプラズマＣＶＤ用チャンバは、ＮＦｚガス
とＡｒガスとを混合したガスによってチャンバを洗浄す
る。
とＡｒガスとを混合したガスによってチャンバを洗浄す
る。
ＮＦ３ガスとＡｒガスとを混合したガスを用いたために
ＮＦ３ガスのみを用いた従来の方法に比してＮＦ３ガス
の使用量が少なくて済み、もって、安価に洗浄し得、し
かも、プラズマ領域が広がるので効率よくチャンバを洗
浄し得る。
ＮＦ３ガスのみを用いた従来の方法に比してＮＦ３ガス
の使用量が少なくて済み、もって、安価に洗浄し得、し
かも、プラズマ領域が広がるので効率よくチャンバを洗
浄し得る。
第１図は本発明になるプラズマＣＶＤ用チャンバの洗浄
方法の一実施例を示す図である。同図中、６は洗浄用ガ
スで、ＮＦ３ガスにＡ「ガスを混合してＮＦ３ガスを希
釈したものであり、本発明の要部をなす。ＮＦ３ガスに
Ａ「ガスを混合した洗浄用ガス６をチャンバ１内に導入
し、電極２ａ。
方法の一実施例を示す図である。同図中、６は洗浄用ガ
スで、ＮＦ３ガスにＡ「ガスを混合してＮＦ３ガスを希
釈したものであり、本発明の要部をなす。ＮＦ３ガスに
Ａ「ガスを混合した洗浄用ガス６をチャンバ１内に導入
し、電極２ａ。
２ｂ間にプラズマ放電を起す。これにより、チャンバ１
内に付着したＳｉＮ膜５は除去（エツチング）される。
内に付着したＳｉＮ膜５は除去（エツチング）される。
この場合、第２図に示す如く、例えば希釈率（−一へ’
ｘｌＯＯ）５Ｑ％におけるｓｉＮ膜ＮＦ３ ＋Ａ
ｒ ５のエツチングレートは希釈率Ｏ％（即ち、Ａｒガスを
混合せずＮＦｚガスのみ）におけるそれよりも低いが、
第３図（第２図の場合と同じ値の高周波を用いる）に示
す如く、希釈率５０％において洗浄用ガス６の減圧度を
例えば０．１３ （Ｔｏｒｒ）程度に選べば、ＳｉＮ膜
５のエツチングレートはｙｏｏｏ （入／１ｎ）と比較
的高くなり、第２図に示すＮＦ３ガスのみの場合と殆ど
同程度のエツチングレートを得ることができ、ＮＦ３ガ
スのみの場合と同程度にＳｉＮ膜５を除去し得る。なお
、ＮＦ３ガスのみの場合に減圧度を例えば０．６Ｔｏｒ
ｒに高くするのはＲＦｆＨ源に対する負荷の点から困難
である。
ｘｌＯＯ）５Ｑ％におけるｓｉＮ膜ＮＦ３ ＋Ａ
ｒ ５のエツチングレートは希釈率Ｏ％（即ち、Ａｒガスを
混合せずＮＦｚガスのみ）におけるそれよりも低いが、
第３図（第２図の場合と同じ値の高周波を用いる）に示
す如く、希釈率５０％において洗浄用ガス６の減圧度を
例えば０．１３ （Ｔｏｒｒ）程度に選べば、ＳｉＮ膜
５のエツチングレートはｙｏｏｏ （入／１ｎ）と比較
的高くなり、第２図に示すＮＦ３ガスのみの場合と殆ど
同程度のエツチングレートを得ることができ、ＮＦ３ガ
スのみの場合と同程度にＳｉＮ膜５を除去し得る。なお
、ＮＦ３ガスのみの場合に減圧度を例えば０．６Ｔｏｒ
ｒに高くするのはＲＦｆＨ源に対する負荷の点から困難
である。
又、ＮＦ３ガスにＡ「ガスを混合して希釈した洗浄用ガ
ス６を用いると、ＮＦ３ガスのみの場合よりもプラズマ
領域が広がることが確められ、ＮＦ３ガスのみの場合よ
りも洗浄効率よ＜５ｉＮ１１５を除去し得る。
ス６を用いると、ＮＦ３ガスのみの場合よりもプラズマ
領域が広がることが確められ、ＮＦ３ガスのみの場合よ
りも洗浄効率よ＜５ｉＮ１１５を除去し得る。
本発明によれば、ＮＦ３ガスとＡｒガスとを混合したガ
スを用いたため、ＮＦ３ガスのみを用いた従来の方法に
比してＮＦ３ガスの使用量が少なくて済み、従って、従
来の方法に比して安価に洗浄し得、又、ＮＦ３ガスのみ
を用いた従来の方法に比してプラズマ領域が広がり、従
って、従来の方法に比して効率よく洗浄し得る等の特長
を有する。
スを用いたため、ＮＦ３ガスのみを用いた従来の方法に
比してＮＦ３ガスの使用量が少なくて済み、従って、従
来の方法に比して安価に洗浄し得、又、ＮＦ３ガスのみ
を用いた従来の方法に比してプラズマ領域が広がり、従
って、従来の方法に比して効率よく洗浄し得る等の特長
を有する。
第１図は本発明の洗浄方法の一実施例を示す図、第２図
は希釈率対ＳｉＮのエツチングレート特性図、 第３図は減圧度対ＳｉＮのエツチングレート特性図、 第４図は一般のプラズマデポジションの方法を示す図で
ある。 図中において、 １はチャンバ、 ２ａ、２ｂは電極、 ３はウェハ、 ４は高周波発生器、 ５はＳ ｉ ＮＩ［！Ｉ。 ６は洗浄用ガスである。
は希釈率対ＳｉＮのエツチングレート特性図、 第３図は減圧度対ＳｉＮのエツチングレート特性図、 第４図は一般のプラズマデポジションの方法を示す図で
ある。 図中において、 １はチャンバ、 ２ａ、２ｂは電極、 ３はウェハ、 ４は高周波発生器、 ５はＳ ｉ ＮＩ［！Ｉ。 ６は洗浄用ガスである。
Claims (1)
- 三フッ化窒素（ＮＦ＿３）ガスとアルゴン（Ａｒ）ガス
とを混合したガスによつてプラズマＣＶＤ用チャンバ（
１）を洗浄することを特徴とするプラズマＣＶＤ用チャ
ンバの洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15293786A JPS6311674A (ja) | 1986-06-30 | 1986-06-30 | プラズマｃｖｄ用チヤンバの洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15293786A JPS6311674A (ja) | 1986-06-30 | 1986-06-30 | プラズマｃｖｄ用チヤンバの洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6311674A true JPS6311674A (ja) | 1988-01-19 |
Family
ID=15551408
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15293786A Pending JPS6311674A (ja) | 1986-06-30 | 1986-06-30 | プラズマｃｖｄ用チヤンバの洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6311674A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5413670A (en) * | 1993-07-08 | 1995-05-09 | Air Products And Chemicals, Inc. | Method for plasma etching or cleaning with diluted NF3 |
| US5454903A (en) * | 1993-10-29 | 1995-10-03 | Applied Materials, Inc. | Plasma cleaning of a CVD or etch reactor using helium for plasma stabilization |
| US5632821A (en) * | 1995-03-03 | 1997-05-27 | Anelva Corporation | Post treatment method for in-situ cleaning |
| JP2011142362A (ja) * | 2011-04-22 | 2011-07-21 | Sharp Corp | 成膜装置のクリーニング方法および成膜方法 |
| JP2011142363A (ja) * | 2011-04-22 | 2011-07-21 | Sharp Corp | 成膜装置のクリーニング方法および成膜方法 |
-
1986
- 1986-06-30 JP JP15293786A patent/JPS6311674A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5413670A (en) * | 1993-07-08 | 1995-05-09 | Air Products And Chemicals, Inc. | Method for plasma etching or cleaning with diluted NF3 |
| US5454903A (en) * | 1993-10-29 | 1995-10-03 | Applied Materials, Inc. | Plasma cleaning of a CVD or etch reactor using helium for plasma stabilization |
| US5632821A (en) * | 1995-03-03 | 1997-05-27 | Anelva Corporation | Post treatment method for in-situ cleaning |
| JP2011142362A (ja) * | 2011-04-22 | 2011-07-21 | Sharp Corp | 成膜装置のクリーニング方法および成膜方法 |
| JP2011142363A (ja) * | 2011-04-22 | 2011-07-21 | Sharp Corp | 成膜装置のクリーニング方法および成膜方法 |
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