JPH01100925A - プラズマ処理装置 - Google Patents

プラズマ処理装置

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JPH01100925A
JPH01100925A JP25716587A JP25716587A JPH01100925A JP H01100925 A JPH01100925 A JP H01100925A JP 25716587 A JP25716587 A JP 25716587A JP 25716587 A JP25716587 A JP 25716587A JP H01100925 A JPH01100925 A JP H01100925A
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JP
Japan
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counter electrode
electrode
matching circuit
plasma
cleaning
Prior art date
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Pending
Application number
JP25716587A
Other languages
English (en)
Inventor
Takashi Kamimura
隆 上村
Toru Otsubo
徹 大坪
Mitsuo Tokuda
徳田 光雄
Seiichi Kato
誠一 加藤
Kazutsuna Nakajiyou
中條 和維
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP25716587A priority Critical patent/JPH01100925A/ja
Publication of JPH01100925A publication Critical patent/JPH01100925A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はLSI量産用のプラズマ処理装置に係ゎ。
−リ、fFVc処理室内壁の付着物を効率よく除去でき
るようにしたクリーニング方法及び該クリーニング方法
を実施するのに好適なプラズマ処理装置に関するもので
ある。
〔従来の技術〕
先ず、従来の平行平板電極を有するプラズマ処理装置の
構成を説明し、続いてそのクリーニング方法の間層点に
ついて述べる。
第4図は従来の゛平行平板電極を有するプラズマ処理装
置の構成図である。処理室1内には被処理物5を載置す
る載置電4ii2とこれに対向する対向電極4が設けら
れている。載置電極2は処理室1と絶縁材5vcより絶
縁され、整合回路6を介して高周波電源7vc接続され
ている。対向電極4及び処理室1は接地されている。処
理室1内はガス供−給口8より処理用のガスが供給され
、排気口9より排気されている。
この装置によるプラズマ処理に際しては、載置電極2に
高周波電源7より高周波゛電圧を印加し、プラズマ領域
10に示すように電極間にプラズマな発生させて行うた
め、プラズマにさらされない処理室1の内壁や対向電極
4の裏面に処理ガスの分解物や反応酸生物が付着する。
従来、これら付着異物の除去は、処理室内の圧力を低く
し、プラズマ領域を拡大させ、プラズマが処理室内壁に
接するようにして行っていた。しかしながら、このよう
な方法では発生するプラズマの主な部分が、先に示した
プラズマ領域10と同じ2つの両電極間であり、処理室
内壁の付着異物を十分除去することはできなかった。そ
のため、最終的に処理室を大気に開放し、人手により掃
除を定期的にする8聚があり、掃除自体に多大の時間を
要すると共に、処理室を大気に開放によって、処理室内
壁に大気中の水分が吸着され、壁面の腐食や異物の増大
、更には真空排気時間の延長、プラズマ処理自体の不安
定要因増加につながった。故に装置の安定稼動や稼動率
向上、製品歩留向上を因る上で問題ζなり実際の製造工
程に導入するのは極めて困難であった。
これに対し、処理室内のクリ〒ユング作業を、処理室の
大気開放を行わずに実施することを狙った特開昭57−
42151号、特開昭58−46659号、特開昭61
−10259号等の公報に記載のクリーニング方法及び
装置がある。すなわち、載置電極を処理時と反対に接地
し、対向電極を処理室全体と電気的に絶縁して高周波電
源と接続するようスイッチで切り替え、処理室全体を接
地し、排気口より排気しながらガス供給口よりクリーニ
ングガスを送給し、前記対向電極に高周波電圧を印加し
てクリーニングを行う方法及びその装置が開示された。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかしながら上記構成においてもガスの供給が十分でな
かつたり対向電極と処理室内壁との放電インピーダンス
が高いため、対向電極の裏面のプラズマ発生が弱(、特
定条件でないと、プラズマは十分に広がらないという問
題があった。従って対向電極裏面や処理室内壁の付着異
物はほとんど取れず1回/週の頻度で処理室を大気開放
し、人手により掃除する必要があり、先に述べた装置の
安定稼動や稼動率向上、製品歩留向上を図る上での問題
点を十分解決するには至らなかった。
本発明の目的は処理室の大気開放クリーニング作業の頻
度を低減し、且つ簡便にできるクリーニング方法及びこ
の方法を実施するに好適なプラズマ処理装置を提供する
にある。
〔問題点を解決するための手段〕
上記目的を達成するために、本発明のクリーニング方法
及び装置においては、全体を接地した処理室と、載置電
極、対向電極とは電気的に絶縁する構成とし、載置電極
と対向電極の双方に高周波電圧供給のための整合回路を
設け、高周波電源と前記2つの整合回路との電気的接続
状態を、プラズマ処理とクリーニング時において切り替
える一方、グツズ!処理時に対向電極を接地するよう切
り替えるスイッチを備える構成としている。またクリー
ニング時においてクリーニングガスを対向電極裏面へ十
分供給するガス供給するガス供給系も備える構成として
−・る。更に、載置電極と対向電極の電極間隔を可変と
する電極駆動機構も備える構成もしくは、対向電極にス
ペーサを入れた鼻造とし、載置電極と対向電極との電極
間隔を等制約に変える構成としている。
〔作用〕
上記の手段によれば、被処理物のグツズ!処理時には、
前記切り替えスイッチによりで高周波電圧な載置電極側
の整合回路を介して載置電極に供給し、対向電極をアー
スに接続して所望のプラズマ処理を行う。一方りリーエ
ッグ時には、前記切り替えスイッチによ?て高周波電圧
を対向電極側の整合回路を介して対向電極に供給し、載
置電極は前記載置電極側の整合回路を接続したままとす
ることにより、電極間の放電インピーダンスよりも対向
電極と処理室内壁との放電インピーダンスが低くなるよ
う、にコントロールできる。その結果プラズマが処理室
内壁や対向電極裏面に広がり、こうした場所に付着した
異物を効率よ(除去することができる。更にクリーニン
グガスを対向電、極の裏面から送給することや、対向電
極−載置電極の電極間隔を変えることにより対向電極裏
面と処理室内壁との放電インピーダンスが下がって対陣
電極より上側にプラズマが広がり、処理室内壁、の付着
異物低減に一層の効果を生み出す。
〔実施例〕
以下本発明の実施例を第1図乃至第5図に示し、詳細に
説明する。第1図は本発明の一実施例を示す構成図、第
2図はクリーニング時のプラズマ領域を比較した図で(
−)は従来、(b)は本発明を示している。また第5図
は本発明の他の実施例を示す構成図である。
第1図、第5図において次の点を除いては第4図と同様
であり対応部分には同一参照符号を付してその説明を省
略する。第4図と相違する点は以下の5点である。第1
点は処理室1と対向電極4とを絶縁物15を介して電気
的に絶縁し、対向電極4に整合回路6とは別に第2の整
合回路16を接続したことである。第2点は高周波電源
7と前記2つの整合回路6,16間の接!5!に切り替
えスイッチ20を設けた点である。なお、このスイッチ
20は、高周波電源7の出力を整合回路d、16に切り
替える部分6aと、対向電極のプラズマ処理時における
接地とクリーニング時における′lF1周波電圧印加を
切り替える部分6bの連動スイッチで構成されている。
また第5点はクリーニング時におけるクリーニングガス
を対向電極4の裏面へ供給するガス供給018を設けた
ことである。更に第4点は、載置電極2と対向電極4と
の電極間隔を可変とする電極駆動機$1114を設けた
点である。第5点は第5図に示すように、対向電極4の
裏面にスペーサ15を入れた構造とし、対向電極裏面と
、処理室内壁との間隔を等測的に変える構成とした点で
ある。
上記構成において、プラズマ処理時は載量電極21C高
周波電圧を印加し、対向電極4を接地するようにスイッ
チ20を操作することで従来と全く同じ処理を行うこと
ができる、 次にクリーニング時において、前記スイッチ2Gを切り
替え、対向電極4に高周波電圧を印加する。
このとき載置電極2は、整合回路6と接続したままでそ
の入力端Aを高周波電源7と遮断する。こうすることに
よって載置電極2は整合回路6内のキャパシタンス6t
x、6eインダクタンス6hを介シテ接地状態となる。
このクリーニング時におけるプラズマの広がりを放電イ
ンピーダンスの観点から説明すると次のようになる。通
常のプラズマ処理装置における処理時の放電インピーダ
ンスは100〜IKOである。放電安定時はこの放電イ
ンピーダンスが高周波電源7の出力インピーダンス(例
工ば50Ω)とインピーダンス整合するように整合回路
6が作用し、例えばキャパシタンス6aが4507F6
Cが57opF 、インダクタンス6bが2μHといり
た値になっている。クリーニング時においては、整合回
路6の入力端Aは開放となるため、載置電極2と接地間
でこれら5素子が直列接続の形となり、その合成インピ
ーダンスは2000にもなる。従って第2図(りに示す
ように対向電極4と載置電極2の電極間よりも、対向電
極−処理室内壁間に放電プラズマ10A  が広がりや
すくなり、処理室内壁や対向電極4の裏面を十分クリー
ニングすることができる。なお、クリーニング時の整合
回路60回路定数は前述した値に限定されるものでなく
、この値を変えることによって放電プラズマ10bの広
がりを変えることも可能である。
また、このクリーニング時においてクリーニングガスを
対向電極裏面にガス供給口Bを通じて積極的に供給する
ことにより更にクリーニング効果を従来の5倍に高める
ことができる。
更に対向電極4の位置を駆動機$14を操作してエツチ
ング処理時とクリーニング時で2つの電極2.4間の間
隔を変える。これにより、対向電極裏面と処理室内壁と
の放電インピーダンスが下がってプラズマが広がり、ク
リーニング状態を変えることも可能である。
なお、電極間隔を変える手段は、駆動機#114を設置
、操作するのに限定されず、次のようにしても可能であ
る。それを第5図において説明する。
第5図は本発明の他の実施例を示し、第1図と同一部分
は同一参照符号を付しである。第5図で15はスペーサ
であり、これを対向電極4の裏面く備えである。そして
、スペーサ15は、2つの電極2.4間及び対向電極4
と処理室内壁との間隔を略画的に変える作用をする。す
なわち、プラズマ処瑠時においては前述と同様にスイッ
チ20を操作、して対向電極4はアース電位とするため
、スペーサ15の存在によりてプラズマ発生領域は変わ
らず、全く同じ処理を行うことができる。
次にクリーニング時において、スイッチ20を切り替え
、対向電極4に高周波が印加されていると、スペーサ1
5があることによって、対向電極4−処理室内壁の間隔
d、と、電極2,4の間隔d1とを、等測的vcd!≦
d、とすることができ、対向電極4と処理室内壁間の放
電インピーダンスが下がる。従り℃プラズマ発生領域が
、対向電極間のみならず第2図Cb) K示すように処
理室全体に広がり、処理室内壁の付着異物を低減できる
。ちなみに、従・来は第2図(−)に示すように載置電
極2と対向電極4の間でしかプラズマが発生しておらず
、処理室内壁や、対向電極4の裏面Bの付着異物が十分
除去できない状態であった。
〔発明の効果〕
以上詳述したように本発明によるプラズマ処理装置のク
リーニング方法は、容易に処理室内壁に広範囲のプラズ
マ領域を発生することができるので、処理ガスの分解生
成物や反応生成物による付着異物を十分除去でき、プラ
ズマ処理装置の稼動率向上及び安定稼動による製品歩留
向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す構成図、第2図はクリ
ーニング時のプラズマ領域を示した説明図、第5図は本
発明の他の一実施例を示す構成図、第4図は従来のプラ
ズマ処理装置の構成図である。 1・・・処理室、2・・・載置電極、5,13・・・絶
縁物、4・・・対向電極、6.16・・・整合回路、7
・・・高周波電源、8 、18−・・ガス供給口、14
・・・電極駆動機構、15・・・スペーサ、20・・・
切り替えスイッチ。 躬 2 口 Cb) 躬 30 躬 4 区

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、プラズマ処理装置の被処理物を載置する載置電極に
    接続された第一の整合回路と、該載置電極に対向する電
    極(対向電極という。以下同じ)に接続された第二の整
    合回路と、これら2つの整合回路への高周波電源の出力
    を切り替え、かつ対向電極における第二の整合回路と接
    地とを切り替えるスイッチを備え、プラスマ処理時にお
    いて、第一の整合回路に高周波電圧を印加し、対向電極
    を接地して処理を行うプラズマ処理装置において、クリ
    ーニング時に載置電極と第一の整合回路を接続したまま
    、第二の整合回路を介して対向電極に高周波電圧を供給
    することを特徴とするプラズマ処理装置。
JP25716587A 1987-10-14 1987-10-14 プラズマ処理装置 Pending JPH01100925A (ja)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1993023978A1 (en) * 1992-05-13 1993-11-25 Tadahiro Ohmi Process apparatus
JPH0697154A (ja) * 1990-06-29 1994-04-08 Applied Materials Inc 反応装置の自己洗浄方法
US5688330A (en) * 1992-05-13 1997-11-18 Ohmi; Tadahiro Process apparatus
KR100360854B1 (ko) * 1998-09-25 2003-01-15 주식회사 엘지이아이 플라즈마를이용한표면처리장치
US20100098882A1 (en) * 2008-10-21 2010-04-22 Applied Materials, Inc. Plasma source for chamber cleaning and process

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