KR910020876A - 반도체장치의 금속배선 제조방법 - Google Patents
반도체장치의 금속배선 제조방법 Download PDFInfo
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내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 이 발명에 따른 반도체장치의 금속배선 공정을 설명하기 위한 도면이다.
Claims (8)
- (ㄱ)실리콘 기판(1)상에 절연산화막(2)을 도포하고, 스퍼터링에 의하여 타이타늄 금속층(3), 타이타툼 나이트라이드 금속층(4), 알루미늄 금속층(5)을 차례로 증착하고, 포토리소그래피 및 식각에 의하여 금속배선막(3, 4, 5)을 패턴화하는 공정과, (ㄴ)금속막(6)을 소정 두께로 침적한 후, 상기 금속배선막(3, 4, 5)의 양측에만 소정 두께의 금속막(6)을 남기고 에칭하는 공정과, (ㄷ)오믹 콘택을 위하여 인규산 유리 보호막(7) 및 실리콘 나이트라이드 보호막(8)을 형성하는 공정과, 로 이루어진 반도체장치의 금속배선 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 금속막(6)은 타이타늄막으로 구성되는 반도체장치의 금속배선 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 금속막(6)은 타이타늄나이트라이드막으로 되는 반도체 장치의 금속배선 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 금속막(6)은 (500∼1500Å)의 두께로 침적되는 반도체장치의 금속배선 제조방법.
- 제2항 또는 제4항에 있어서, 상기 타이타늄막은 스퍼터링에 의하여 200℃의 Ar가스 분위기에서 500∼1500Å의 두께로 침적되는 반도체장치의 금속배선 제조방법.
- 제3항 또는 제4항에 있어서, 상기 타이타늄나이트라이드막은 리액티브 스퍼터링에 의하여 200℃의 Ar과 N2가스 분위기에서 500∼1500Å의 두께로 침적되는 반도체장치의 금속배선 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 금속배선막(3, 4, 5)의 양측에 남아있는 상기 금속막(6)의 두께는 상기 타이타늄 금속층(3)의 두께와 상기 타이타늄나이트라이드 금속층(4)의 두께중의 하나와 동일하게 형성되는 반도체 장치의 금속배선 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 금속막(6)의 에칭은 BCl3와 Cl2가스를 사용하는 반응성 이온에칭으로 되는 반도체장치의 금속배선 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900008058A KR910020876A (ko) | 1990-05-31 | 1990-05-31 | 반도체장치의 금속배선 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900008058A KR910020876A (ko) | 1990-05-31 | 1990-05-31 | 반도체장치의 금속배선 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR910020876A true KR910020876A (ko) | 1991-12-20 |
Family
ID=67482555
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019900008058A KR910020876A (ko) | 1990-05-31 | 1990-05-31 | 반도체장치의 금속배선 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR910020876A (ko) |
-
1990
- 1990-05-31 KR KR1019900008058A patent/KR910020876A/ko not_active Application Discontinuation
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