KR910020726A - 어드레스 천이 검출회로(Address Transition Detector) - Google Patents

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KR910020726A KR1019900007168A KR900007168A KR910020726A KR 910020726 A KR910020726 A KR 910020726A KR 1019900007168 A KR1019900007168 A KR 1019900007168A KR 900007168 A KR900007168 A KR 900007168A KR 910020726 A KR910020726 A KR 910020726A
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Abstract

내용 없음

Description

어드레스 천이 검출회로(Address Transition Detector)
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명이 적용된 어드레스 천이 검출회로의 구성도.

Claims (5)

  1. 어드레스 신호가 입력되는 제1지연수단(1), 상기 제1지연수단(1)의 입출력단에 입력단이 연결된 제2지연수단(2), 상기 제1지연수단(1)의 다른 출력단 및 상기 제2지연수단(2)의 출력단에 연결된 풀업수단(3) 으로 구성되어 어드레스 신호의 변화에 따라 구형파를 발생시키는 것을 특징으로 하는 어드레스 천이 검출회로.
  2. 제1항에 있어서, 제1지연수단(1) 및 제2지연수단(2)은 입력되는 어드레스 신호의 변화에 따라 다른 지연시간을 갖는 것을 특징으로 하는 어드레스 천이 검출회로.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1지연수단(1)은 제1인버터(G11), 상기 제1인버터(G11)의 출력단에 연결된 제2인버터(G12), 상기 제2인버터(G12)의 출력단에 연결된 제3인버터(G13), 상기 제3인버터(G13)의 출력단에 연결된 제4인버터(G14)로 구성되는 것을 특징으로 하는 어드레스 천이 검출회로.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제2지연수단(2)은 제5인버터(G15), 상기 제5인버터(G15)의 출력단에 연결된 제6인버터(G16)로 구성되는 것을 특징으로 하는 어드레스 천이 검출회로.
  5. 제1항에 있어서, 상기 풀업수단(3)은 상기 제1지연수단(1)의 출력단에 게이트가 연결되고 소오스가 전원(Vdd)에 연결된 제2 p채널 MOSFET(P12), 상기 제2지연수단(2)의 출력단에 게이트가 연결되소오스가 전원(Vdd)에 연결된 제1 p채널 MOSFET(P11), 상기 제1지연수단(1)의 출력단에 게이트가 연결되고 상기 제1 p채널 MOSFET(P11)의 드레인에 소오스가 연결된 제3 p채널 MOSFET(P13), 상기 제2지연수단(2)의 출력단에 게이트가 연결되고 상기 제2p채널 MOSFET(P12)의 드레인에 소오스가 연결되고 제3 p채널 MOSFET(P13)의 드레인에 드레인이 연결된 제4 p체널 MOSFET(P14), 상기 제1지연수단(1)의 출력단에 게이트가 연결되고 상기 제3 p채널 MOSFET(P13)의 드레인에 드레인이 연결되고 소오스는 접지된 제1n 채널 MOSFET(N11), 상기 제2지연수단(2)의 출력단에 게이트가 연결되고 구형파가 출력되는 제4 p채널 MOSFET(P14)의 드레인에 드레인이 연결되고 소오스는 접지된 제2n 채널 MOSFET(N12)로 구성될 것을 특징으로 하는 어드레스 천이 검출회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900007168A 1990-05-18 1990-05-18 어드레스 천이 검출회로(Address Transition Detector) KR930002591B1 (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100472728B1 (ko) * 1997-05-08 2005-06-27 주식회사 하이닉스반도체 반도체장치의어드레스천이검출회로

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