KR910019296A - 매립형 이종구조 반도체 레이저 제조방법 - Google Patents
매립형 이종구조 반도체 레이저 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR910019296A KR910019296A KR1019900005911A KR900005911A KR910019296A KR 910019296 A KR910019296 A KR 910019296A KR 1019900005911 A KR1019900005911 A KR 1019900005911A KR 900005911 A KR900005911 A KR 900005911A KR 910019296 A KR910019296 A KR 910019296A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- hydrogen
- manufacturing
- layer
- laser chip
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 일반적인 매립형 이종구조 레이저 다이오드의 단면도, 제 2 도는 본 발명에 의한 반도체 레이저 제조방법의 공정 순서를 나타낸 흐름도.
Claims (4)
- 기판상에 활성층(3), 클래드층(4), 및 캡층(5)을 역매사(inverse mesa)구조로 형성하고 그 측면에 전류차단층(6,7)을 형성하고 그 위에 전극을 형성한 구조로 된 매립형 이종구조 반도체 레이저의 제조방법에 있어서, 기판상에 활성층(3), 클래드층(4), 및 캡층(5)으로 형성된 이종접합 구조 웨이퍼를 성장시킨 후 활성층(3), 클래드층(4), 및 캡층(5)을 역메사 구조로 에칭하고 그 측면에 전류차단층(6,7)을 형성하는 공정을 마친 반도체 레이저 칩을 플라즈마(plasma)발생장치에 넣어 수소분자를 원자 상태로 분리시키는 제 1 공정, 상기 원자상태의 수소를 분산시켜 반도체 레이저 칩에 침투하도록 하는 제 2 공정에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 매립형 이종구조 반도체 레이저 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 플라즈마 발생장치내의 반도체 레이저칩의 온도는 250℃로 유지하는 것을 특징으로 하는 매립형 이종구조 반도체 레이저 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 플라즈마 발생장치내의 수소의 압력은 0.1 내지 0.3torr로 하는 것을 특징으로 하는 매립형 이종구조 반도체 레이저 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 플라즈마 발생장치를 이용하여 반도체 칩에 수소를 첨가하는 방법은 수소빔을 이용하여 상기 반도체 레이저 칩에 수소를 첨가하는 방법으로 데체될 수 있는 것을 특징으로 하는 매립형 이종구조 반도체 레이저 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900005911A KR930000916B1 (ko) | 1990-04-26 | 1990-04-26 | 매립형 이종구조 반도체 레이저 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900005911A KR930000916B1 (ko) | 1990-04-26 | 1990-04-26 | 매립형 이종구조 반도체 레이저 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR910019296A true KR910019296A (ko) | 1991-11-30 |
| KR930000916B1 KR930000916B1 (ko) | 1993-02-11 |
Family
ID=19298413
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019900005911A KR930000916B1 (ko) | 1990-04-26 | 1990-04-26 | 매립형 이종구조 반도체 레이저 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR930000916B1 (ko) |
-
1990
- 1990-04-26 KR KR1019900005911A patent/KR930000916B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR930000916B1 (ko) | 1993-02-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR970054585A (ko) | 질화물계 iii-v족 화합물 반도체 소자 및 그의 제조 방법 | |
| KR910007153A (ko) | 메사형으로 이루어진 반도체 보디의 제조방법 | |
| KR970030899A (ko) | 반도체 장치 | |
| KR910019296A (ko) | 매립형 이종구조 반도체 레이저 제조방법 | |
| JPH0474488A (ja) | 半導体レーザ装置およびその製造方法 | |
| JPS6174386A (ja) | 半導体素子 | |
| KR890017834A (ko) | 반도체 레이저 및 그 제조방법 | |
| KR880008479A (ko) | 반도체레이저장치의 제조방법 | |
| KR920013824A (ko) | 레이저 다이오드 제조방법 | |
| JPH04504187A (ja) | 半導体発光装置 | |
| KR940016958A (ko) | 계면 상층 재성장을 통한 다이오드 제조방법 | |
| JPS57172790A (en) | Semiconductor laser device | |
| KR960026252A (ko) | 오믹전극을 가지는 반도체장치와 제법 | |
| KR920013796A (ko) | 화합물 반도체소자 및 그 제조방법 | |
| KR930003446A (ko) | 반도체 발광소자 제조방법 | |
| KR960043386A (ko) | 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법 | |
| KR970004104A (ko) | 미세 실리콘 브리지구조 제조방법 | |
| KR950012902A (ko) | 반도체 레이저 다이오드 및 그의 제조 방법 | |
| KR930017248A (ko) | 반도체 레이저의 구조 및 제조방법 | |
| KR940022959A (ko) | 반도체 레이저 다이오드 제조방법 | |
| KR920022608A (ko) | 레이저 다이오드의 제조방법 | |
| KR930015222A (ko) | 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법 | |
| KR920013822A (ko) | 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법 | |
| KR930022647A (ko) | 레이저다이오드의 제조방법 | |
| KR930020785A (ko) | 반도체 레이저 다이오드 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| G160 | Decision to publish patent application | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 19990201 Year of fee payment: 7 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |