KR910019265A - 광통신용 포토 다이오드 제조방법 - Google Patents

광통신용 포토 다이오드 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR910019265A
KR910019265A KR1019900005907A KR900005907A KR910019265A KR 910019265 A KR910019265 A KR 910019265A KR 1019900005907 A KR1019900005907 A KR 1019900005907A KR 900005907 A KR900005907 A KR 900005907A KR 910019265 A KR910019265 A KR 910019265A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
sio
oxide film
polyimide
layer
junction
Prior art date
Application number
KR1019900005907A
Other languages
English (en)
Other versions
KR930001904B1 (ko
Inventor
박찬용
한정희
박경현
이용탁
Original Assignee
경상현
재단법인 한국전자통신연구소
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 경상현, 재단법인 한국전자통신연구소 filed Critical 경상현
Priority to KR1019900005907A priority Critical patent/KR930001904B1/ko
Publication of KR910019265A publication Critical patent/KR910019265A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR930001904B1 publication Critical patent/KR930001904B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
    • H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
    • H01L31/107—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier working in avalanche mode, e.g. avalanche photodiodes
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

광통신용 포토 다이오드 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 의한 포토 다이오드의 단면 구조도, 제2도는 본 발명에 의한 포토 다이오드의 제조공정을 나타낸 단면도.

Claims (5)

  1. n-형 InP 기판(1)상에 i-GaInAs층(2) 및 p-GaInAas층(3)을 성장시켜 pn접합을 형성하도록 하는 pn 접합 형성 공정(제2도의 A), 리쏘그라피(lithography)를 1회 실시한 후 메사 에칭(mesa etching)을 수행하는 메시에칭 공정(제2도의 B), 표면 노출된 pn 접합부의 표면안정화(passivation)을 위해 전면에 폴리아미드(4)를 코팅하는 폴리이미드 코팅 공정. 상기 폴리이디드층(4) 상에 SiO2산화막(5)을 증착하는 산화막 코팅고정(제2도의 C), 리쏘그라피(lithography)를 1회 실시하고 상기 SiO2산화막(5)을 에칭하여 패턴화 한후, 폴리아미드(4)를 상기 SiO2패턴과 같이 패턴화하는 마스크 오프닝(mask opening)공정 및 플라즈마 에싱(plasma ashing)공정,SiO2산화막을 BOE를 제거하는 산화막 제조공정, 및 리쏘그라피(lithography)를 1회 실시하고 p-면 금속을 증착한 다음 리프트-오프 방법으로 폴리아미드(4) 상에 전극 패드(6)를 형성하는 전극 패드 형성 공정을 포함하여 소자의 암전류(dack current)를 저감시킴을 특징으로 하는 광통신용 포토 다이오드 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,상기 pn 접합 형성 공정은 n-형 InP기판(1) 상에 i-GaInAs층(2)을 격자정합이 형성되도록 성장한 후 Zn 확산으로 p-형 GaInAs층(3)을 형성하여 수행함을 특징으로 하는 광통신용 포토 다이오드 제조방법.
  3. 제1항에 있어서,상기 pn 접합 형성 공정은 n-형 InP기판(1) 상에 i-GaInAs층(2) 및 P-GaInAs층(3)을 차례로 성장시켜 수행함을 특징으로 하는 광통신용 포토 다이오드 제조방법.
  4. 제1항에 있어서,상기 폴리이미드 코팅 공정후에 수행되며 폴리이미드(polyimide)의 에칭 공정을 간단하게 하기 위한 폴리이미드의 이미다이즈(imidize) 공정을 더 포함함을 특징으로 하는 광통신용 포토 다이오드 제조방법.
  5. n-형 InP기판(1) 상에 i-GaInAs층(2) 및 p-GaInAs층(3)을 성장시켜 pn 접합을 형성하도록 하는 pn 접합 형성 공정(제2도의 A), 리쏘글라피(lithography)를 1회 실시한 후 메사 에칭(mesa etching)을 수행하는 메사에칭 공정(제2도의 B), 표면에 노출된 pn 접합부의 표면안정화(passivation)를 위해 전면에 폴리이미드(4)를 코팅하는 폴리아미드 코팅 공정, 상기 폴리이미층(4)상에 SiO2산화막(5)을 증착하는 산화막 코팅 공정(제2도의 C), 리쏘그라피(lithography)를 1회 실시하고 상기 SiO2산화막(5)을 에칭하여 패턴화 한후, 폴리아미드(4)를 상기 SiO2패턴과 같이 패턴화하는 마스크 오프닝(mask opening)공정 및 플라즈마 에싱(plasma ashing)공정, 및 폴리이미드층(4) 상의 SiO2산화막(5)을 제거하지 않은채 그 상부에 직접 전극 패드(6)를 형성하는 전극 패드형성 공정(제2도의 D)를 포함하여 소자의 암전류(dack current)를 저감시킴을 특징으로 하는 광통신용 포토 다이오드 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900005907A 1990-04-26 1990-04-26 광통신용 포토 다이오드 제조방법 KR930001904B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019900005907A KR930001904B1 (ko) 1990-04-26 1990-04-26 광통신용 포토 다이오드 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019900005907A KR930001904B1 (ko) 1990-04-26 1990-04-26 광통신용 포토 다이오드 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR910019265A true KR910019265A (ko) 1991-11-30
KR930001904B1 KR930001904B1 (ko) 1993-03-19

Family

ID=19298409

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019900005907A KR930001904B1 (ko) 1990-04-26 1990-04-26 광통신용 포토 다이오드 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR930001904B1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010094513A (ko) * 2000-03-31 2001-11-01 윤종용 선택 영역 성장법을 이용한 도파로형 광 수신 소자의 제작방법
WO2023159500A1 (zh) * 2022-02-25 2023-08-31 京东方科技集团股份有限公司 发光基板及其制备方法、背光模组及显示装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010094513A (ko) * 2000-03-31 2001-11-01 윤종용 선택 영역 성장법을 이용한 도파로형 광 수신 소자의 제작방법
WO2023159500A1 (zh) * 2022-02-25 2023-08-31 京东方科技集团股份有限公司 发光基板及其制备方法、背光模组及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR930001904B1 (ko) 1993-03-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101738939B1 (ko) 감광성 반도체 소자 및 그 제조방법
KR910013515A (ko) 수신용 광전 집적회로 및 그 제조방법
KR950021084A (ko) 금속선과 콘택 플러그의 동시 형성방법
KR910019265A (ko) 광통신용 포토 다이오드 제조방법
JPS6058686A (ja) 光検出器及びその製造方法
KR100254715B1 (ko) 매우높은 이득의 헤테로 접합 바이폴라 트랜지스터 제조 방법
KR930001905B1 (ko) 개선된 광통신용 포토 다이오드 제조방법
JPH0332070A (ja) 光電変換半導体装置の電極形成方法
CN117012860A (zh) 光电二极管的制备方法及光电二极管
KR100202665B1 (ko) 로커스 제조공정
JPH0951119A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH0316275A (ja) 半導体受光素子の製造方法
KR930008082B1 (ko) 라이트 실딩용 메탈 형성방법
KR970008265A (ko) 금속이 코팅된 3극 필드 에미터 제조방법
KR100289145B1 (ko) Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ 코팅을 이용해 매몰 헤테로구조체의 레이저 다이오드를 제조하는 방법
JPS6360562A (ja) 光半導体装置の製造方法
JPS60213067A (ja) 半導体装置の製造方法
KR100192377B1 (ko) 포토 다이오드 제조방법
JP2773425B2 (ja) 電界効果トランジスタの製造方法
JPH04186847A (ja) 電界効果トランジスタの製造方法
JPH01115156A (ja) 光電子集積回路の製造方法
KR960027101A (ko) 매립형 반도체 레이저의 제조방법
JPS6370461A (ja) 半導体装置
JP3877823B2 (ja) 半導体レーザ装置
KR940001498A (ko) 반도체 레이저 다이오드의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 19971211

Year of fee payment: 6

LAPS Lapse due to unpaid annual fee