KR20010094513A - 선택 영역 성장법을 이용한 도파로형 광 수신 소자의 제작방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 선택 영역 성장법을 이용한 도파로형 광 수신 소자의 제작 방법{Method for fabricating waveguide photodetectors based on selective area growth technology}을 기재한다. 본 발명에 따른 선택 영역 성장법을 이용한 도파로형 광 수신 소자의 제작 방법은 메사 구조를 마스크를 이용한 선택 영역 성장법으로 직접 형성함으로써 메사 에칭 공정과 같은 화학적 에칭 공정 없이 바로 Zn을 확산시켜 광 수신 소자를 제작한다.
Description
본 발명은 선택 영역 성장법을 이용한 도파로형 광 수신 소자의 제작 방법(Method for fabricating waveguide photodetectors based on selective area growth technology)에 관한 것이다.
도파로형 광수신 소자(WGPD; waveguide photodetector)는 PIN PD에 비해 반응감도(responsivity)와 주행시간(통과시간)(transit time)의 트레이드 오프(trade off)를 해결하고 있고, 에피택시 구조(epi-structure)와 메사 치수(mesa dimension)에 따라 여러 가지 통신 채널에 맞추어 수신소자로 사용할 수 있는 장점이 있다. 대개는 베이스 구조(base structure)를 성장시키고, p-type층 형성 및 메사 에칭(mesa etching), 전극형성(metallization) 등의 공정을 통해 광수신 소자를 만들게 된다.
도 1a 내지 도 1d는 종래의 도파로형 광 수신 소자의 제작 방법을 공정 단계별로 설명하기 위한 도면들이다. 이를 참조하여 종래의 도파로형 광수신 소자의 제작 방법을 공정 단계별로 설명하면 다음과 같다.
먼저, 도 1a에 도시된 바와 같이, n+-InP 기판/버퍼층(1) 위에 n+-InGaAsP 하부 크래드층(2), undoped-InGaAs 하부 광도파층(3), undoped-InGaAsP 활성층(4) 및 undoped-InP 상부 광 도파층(5)을 순차로 성장시킨다.
다음에, 도 1b에 도시된 바와 같이, Zn을 undoped-InGaAsP 활성층(4) 깊숙이 까지 확산시켜 Zn 확산 영역(diffused region)(6)을 만든다.
다음에, 도 1c에 도시된 바와 같이, Zn 확산 영역(6)의 양쪽 외측을 식각하여 메사 구조를 만든다.
다음에, 도 1d에 도시된 바와 같이, 메사 구조 측면에 BCB(bisbenzocyclobutene)(9)을 도포하고, Zn 확산 영역(6)의 상면과 기판(1)의 저면에 각각 p-metal 전극(7)과 n-metal 전극(8)을 형성하여 광 수신 소자를 완성한다.
이와 같이 기존의 도파로형 광수신 소자(WGPD)는 전체 에피택시 구조를 성장시킨 후에 화학적 식각 공정을 통해 메사 구조를 만들기 때문에, 메사 측면이 거칠게 형성된다. 이러한 거칠기는 누설 전류의 통로 구실을 하므로 전기적 절연 효과를 저감하는 요인이 된다. 또한 식각 공정이 있으므로 해서 비용이 더 소요되고, 균일성과 반복성에서 불안정한 공정이 되기 쉽다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 개선하고자 창안한 것으로, 반복성이나 균일성이 좋고 메사 에칭(mesa etching) 공정이 필요없는 선택 영역 성장(selective area growth)법을 이용한 도파로형 광 수신 소자의 제작 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
도 1a 내지 도 1d는 종래의 도파로형 광 수신 소자의 제작 방법을 공정 단계별로 설명하기 위한 도면들,
도 2a 내지 도 2c는 본 발명에 따른 선택영역 성장법을 이용한 도파로형 광 수신 소자의 제작 방법을 공정 단계별로 설명하기 위한 도면들,
도 3a 및 도 3b는 각각 도 2a의 선택 영역 성장 후 마스크가 제거된 상태 및 도 3c의 패시베이션 공정과 전극형성 공정이 끝난 후의 소자 단면을 확대하여 보여주는 수직 단면도,
도 4a 및 도 4b는 각각 도 2a 내지 도 2c의 선택영역 성장법에 사용되는 SiO2마스크의 실시예들을 보여주는 평면도,
그리고 도 5는 도 2a 내지 도 2c는의 선택영역 성장법을 이용한 도파로형 광 수신 소자의 제작 방법에 의해 제작된 도파로형 광 수신 소자의 개략적 사시도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
1. n+-InP 기판/버퍼층 2. n+-InGaAsP층
3. undoped-InGaAs층 4. undoped-InGaAsP층
5. undoped-InP층 6. Zn 확산 영역(diffused region)
7. p-metal 8. n-metal
9. BCB층 10. SiO2마스크
11. InP 웨이퍼
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 선택 영역 성장(selective area growth)법을 이용한 도파로형 광 수신 소자의 제작 방법은, 기판 상에 도파로형 광 수신 소자를 제작하는 방법에 있어서, (가) 상기 기판 상에 선택 영역 성장법으로 메사 구조의 적층들을 순차적으로 성장시키는 단계; (나) 상기 메사 구조의 적층들 상부에 Zn을 확산시켜 Zn 확산 영역을 만드는 단계; 및 (다) 상기 메사 구조의 양측면에 절연물질을 도포하고, 상기 Zn 확산 영역 상면과 상기 기판 저면에 금속 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 (가) 단계에서 상기 메사 구조의 적층들은 InP/InGaAsP/InGaAs 이중이종접합구조의 도파로형으로 적층하고, 상기 선택 영역 성장법에 사용되는 Si02마스크의 패턴은 그 폭을 소정값 이하로 좁게하여 성장률 증가 목적이 아닌 상기 메사 구조 형성을 위한 isolation 목적으로 하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에 있어서, 상기 (가) 단계에서 상기 선택 영역 성장법에 사용되는 Si02마스크는 양쪽 가장자리의 폭은 상대적으로 넓고 그 가운데에는 3개의 윈도우 구조가 형성되도록 2개의 Si02마스크 패턴이 형성된 구조를 갖되, 상기 3개의 윈도우 중 가장자리의 두 버퍼 윈도우 및 상기 두 마스크 패턴은 그 폭이 상기 가운데 윈도우의 폭 보다 상대적으로 좁게 형성된 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에 있어서, 상기 (가) 단계에서 상기 메사 구조 적층의 측면은 (111)B 면으로 형성되고, 상기 (다) 단계에서 상기 메사 구조 적층의 (111)B 측면에 bisbenzocyclobutene을 도포하여 패시베이션 하는 것이 바람직하다.
이하 도면을 참조하면서 본 발명에 따른 선택 영역 성장(selective area growth)법을 이용한 도파로형 광 수신 소자의 제작 방법을 상세하게 설명한다.
본 발명에 따른 광수신 소자 제작 방법에서는 선택영역 성장법을 통해서 광도파로형 수신소자를 성장하고 이로부터 자연스럽게 형성된 메사 구조에 Zn 를 확산시켜 주입하고 그대로 BCB 를 사용하여 전기적 절연층을 도포하는 것을 특징으로 한다. 이러한 일련의 제작 공정들이 도 2a 내지 도 2c에 전반적으로 묘사되어 있다.
본 발명에 따른 선택 영역 성장법을 이용한 도파로형 광 수신 소자의 제작 방법은 먼저, 도 2a에 도시된 바와 같이, SiO2마스크(20)를 사용한 선택 영역 성장법으로 n+-InP 기판/버퍼층(11) 위에 n+-InGaAsP 하부 크래드층(12), undoped-InGaAs 하부 광도파층(13), undoped-InGaAsP 활성층(14) 및 undoped-InP 상부 광 도파층(15)을 순차로 성장시켜 직접 광 수신 소자의 기본 구조가 되는 메사 구조를 형성한다.
다음에, SiO2마스크(20)를 제거한 다음, 도 2b에 도시된 바와 같이, Zn을 undoped-InGaAsP 활성층(14) 깊숙이 까지 확산시켜 Zn 확산 영역(diffused region)(16)을 만든다.
다음에, 도 2c에 도시된 바와 같이, 메사 구조 측면에 BCB(bisbenzocyclobutene)(19)을 도포하여 절연층(passivation)(19)을 형성하고, Zn 확산 영역(16)의 상면과 기판(11)의 저면에 각각 p-metal 전극(17)과 n-metal 전극(18)을 형성(metallization)하여 광 수신 소자를 완성한다.
이러한 광 수신 소자의 제작 공정들에서 도 2a에 도시된 바와 같이 선택영역 성장한 다음 SiO2마스크(20)를 제거한 에피택시층은 도 3a에 도시된 바와 같은 단면 구조를 갖게 되고, 패시베이션(passivation) 공정과 금속화(metallization) 공정을 마친 후에는 도 3b에 도시된 바와 같은 단면을 보이게 된다. 완성된 광 수신 소자의 입체적 구조는 도 5에 도시된 바와 같다.
특히, 도 2a에 도시된 바와 같은 선택 영역 성장 공정에서 SiO2마스크(20)의 폭에 따라 윈도우 영역 가장자리에서 성장률이 증가되는 현상이 나타나게 되는데, 그 것을 최소화 할 수 있도록 마스크 규격(dimension)이 설정되며, 어느 정도의 마스크 효과는 수신소자 특성에 불리하게 작용하지 않으므로 큰 문제가 되지 않는다. 이러한 SiO2마스크(20)의 상세한 규격이 도 4a 및 도 4b에 도시된다.
도 4a에는 플리칩 본딩(flip-chip bonding)을 위한 소자 제작에 맞는 SiO2마스크의 모습을 개략적으로 나타냈다. w0 영역은 대개 수십 ㎛ 수준이고, w1 영역은 수 ㎛ 수준으로 제작된다. w0 영역은 활성층으로 사용되고, w1 영역은 결합 패드(bonding pad)를 올리기 위한 영역으로 사용된다.
도 4b는 활성층에서 성장률을 전체적으로 높게 만들어준 SiO2마스크를 보여준다. 이 때 w2 영역은 w3 영역에서 이동(migration)되는 원료를 잡아주는 버퍼 역할을 하고, 소자는 와이어 본딩(wire bonding) 형태로 제작된다.
이러한 선택 영역 성장법에 의한 광 수신 소자의 구체적 제작 원리는 다음과 같다.
선택 영역 성장을 통해 형성된 에피택시 구조를 보면 측면에 (111)B 면을 노출하고 있다. (111)B 면에서는 대체로 성장이 이루어지기 어렵다고 알려져 있고, 이것은 도 3a 및 도 3b에 도시된 바와 같이 적층 구조를 그대로 보존하고 있는 형태로 나타난다. 이 결정면은 화학적 식각 공정에 비해 훨씬 느리고 안정적인 에피택시 성장 공정(process)에 의해 만들어지므로, 표면 상태(states) 농도를 낮춘다. 이는 결국 산화막 형성을 통한 전기적 누전 요인으로 작용할 가능성을 낮추게 되는 것이다. 여기에 평탄화(planarization) 특성과 절연(passivation) 특성이 좋은 BCB라는 화합물을 이용해 절연층으로 도포하게 되면 도 5에 도시된 바와 같은 좋은 전기적 특성을 갖는 광 수신 소자를 제작할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 선택 영역 성장법을 이용한 도파로형 광 수신 소자의 제작 방법은 메사 구조를 마스크를 이용한 선택 영역 성장법으로 직접 형성함으로써 메사 에칭 공정과 같은 화학적 에칭 공정 없이 바로 Zn을 확산시켜 광 수신 소자를 제작할 수 있다. 따라서, 선택영역 성장법에서 사용되는 마스크 레이아웃은 그대로 후속 공정에서 왜곡 없이 유지되므로, 반복성과 균일성에서 좋은 특성을 얻을 수 있고, 이는 곧 수율 증가로 나타난다.
또한, 식각 공정이 필요하지 않게 되어 경비 절감 효과도 얻을 수 있다. 즉, 기존의 메사 에칭 공정과 같은 화학적 에칭(Chemical etching) 공정은 반복성이나 균일성에서 취약한 공정이기 때문에 이러한 공정 없이 소자를 제작하는 것은 수율 향상에 있어서 큰 의미를 갖는다. 특히 WDM 용 광수신 모듈에서 어레이(array) 형태로 WGPD 를 제작하는 경우 더욱 용이한 방법이 된다. 그리고, 특성 면에서도 좋은 전기 절연 특성을 보여, 장시간 신뢰성을 확보할 수 있다.
Claims (8)
- 기판 상에 도파로형 광 수신 소자를 제작하는 방법에 있어서,(가) 상기 기판 상에 선택 영역 성장법으로 메사 구조의 적층들을 순차적으로 성장시키는 단계;(나) 상기 메사 구조의 적층들 상부에 Zn을 확산시켜 Zn 확산 영역을 만드는 단계; 및(다) 상기 메사 구조의 양측면에 절연물질을 도포하고, 상기 Zn 확산 영역 상면과 상기 기판 저면에 금속 전극을 형성하는 단계;를포함하는 것을 특징으로 하는 선택 영역 성장법을 이용한 도파로형 광 수신 소자의 제작 방법.
- 제1항에 있어서,상기 (가) 단계에서 상기 메사 구조의 적층들은 InP/InGaAsP/InGaAs 이중이종접합구조의 도파로형으로 적층하는 것을 특징으로 하는 선택 영역 성장법을 이용한 도파로형 광 수신 소자의 제작 방법.
- 제1항에 있어서,상기 (가) 단계에서 상기 선택 영역 성장법에 사용되는 Si02마스크의 패턴은 그 폭을 소정값 이하로 좁게하여 성장률 증가 목적이 아닌 상기 메사 구조 형성을 위한 isolation 목적으로 하는 것을 특징으로 하는 선택 영역 성장법을 이용한 도파로형 광 수신 소자의 제작 방법.
- 제1항에 있어서,상기 (가) 단계에서 상기 메사 구조의 적층들은 상기 선택 영역 성장법에 사용되는 Si02마스크를 사용하여 플립칩 본딩용으로 제작되는 것을 특징으로 하는 선택 영역 성장법을 이용한 도파로형 광 수신 소자의 제작 방법.
- 제1항에 있어서,상기 (가) 단계에서 상기 선택 영역 성장법에 사용되는 Si02마스크는 양쪽가장자리의 폭은 상대적으로 넓고 그 가운데에는 3개의 윈도우 구조가 형성되도록 2개의 Si02마스크 패턴이 형성된 구조를 갖되, 상기 3개의 윈도우 중 가장자리의 두 버퍼 윈도우 및 상기 두 마스크 패턴은 그 폭이 상기 가운데 윈도우의 폭 보다 상대적으로 좁게 형성된 것을 특징으로 하는 선택 영역 성장법을 이용한 도파로형 광 수신 소자의 제작 방법.
- 제1항에 있어서,상기 (가) 단계에서 상기 메사 구조가 어레이 형태로 제작될 수 있도록 상기 선택 영역 성장법에 사용되는 Si02마스크가 어레이 형태로 제작되는 것을 특징으로 하는 선택 영역 성장법을 이용한 도파로형 광 수신 소자의 제작 방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 (가)단계에서 상기 메사 구조 적층의 측면은 (111)B면으로 형성되는 것을 특징으로 하는 선택 영역 성장법을 이용한 도파로형 광 수신 소자의 제작 방법.
- 제7항에 있어서,상기 (다) 단계에서 상기 메사 구조 적층의 (111)B 측면에 bisbenzocyclobutene을 도포하여 패시베이션 하는 것을 특징으로 하는 선택 영역 성장법을 이용한 도파로형 광 수신 소자의 제작 방법.
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| KR (1) | KR20010094513A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7060517B2 (en) | 2002-03-08 | 2006-06-13 | Infinera Corporation | Method of reducing insertion loss in a transition region between a plurality of input or output waveguides to a free space coupler region |
| US8242571B2 (en) | 2009-08-31 | 2012-08-14 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Waveguide photo-detector |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01239973A (ja) * | 1988-03-22 | 1989-09-25 | Nec Corp | 半導体受光素子 |
| KR910019265A (ko) * | 1990-04-26 | 1991-11-30 | 경상현 | 광통신용 포토 다이오드 제조방법 |
| JPH0690016A (ja) * | 1992-09-07 | 1994-03-29 | Nec Corp | 導波路構造半導体受光素子 |
| JPH0832097A (ja) * | 1994-07-11 | 1996-02-02 | Hitachi Ltd | 受光素子の製造方法 |
| KR970063798A (ko) * | 1996-02-26 | 1997-09-12 | 김광호 | 포토다이오드 및 그 제조방법 |
-
2000
- 2000-03-31 KR KR1020000016857A patent/KR20010094513A/ko not_active Application Discontinuation
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01239973A (ja) * | 1988-03-22 | 1989-09-25 | Nec Corp | 半導体受光素子 |
| KR910019265A (ko) * | 1990-04-26 | 1991-11-30 | 경상현 | 광통신용 포토 다이오드 제조방법 |
| JPH0690016A (ja) * | 1992-09-07 | 1994-03-29 | Nec Corp | 導波路構造半導体受光素子 |
| JPH0832097A (ja) * | 1994-07-11 | 1996-02-02 | Hitachi Ltd | 受光素子の製造方法 |
| KR970063798A (ko) * | 1996-02-26 | 1997-09-12 | 김광호 | 포토다이오드 및 그 제조방법 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7060517B2 (en) | 2002-03-08 | 2006-06-13 | Infinera Corporation | Method of reducing insertion loss in a transition region between a plurality of input or output waveguides to a free space coupler region |
| US7065266B2 (en) | 2002-03-08 | 2006-06-20 | Infinera Corporation | Benzocyclobutene polymer (BCB) as a passivation layer for optical passive elements |
| US7076126B2 (en) * | 2002-03-08 | 2006-07-11 | Infinera Corporation | Passivation of photonic integrated circuits (PICs) |
| US7280715B2 (en) | 2002-03-08 | 2007-10-09 | Infinera Corporation | Formation of cleaved grooves in a passivation layer formed over a surface of a wafer prior to wafer singulation |
| US7529436B2 (en) | 2002-03-08 | 2009-05-05 | Infinera Corporation | Optical combiner/decombiner with reduced insertion loss |
| US7625771B2 (en) | 2002-03-08 | 2009-12-01 | Infinera Corporation | Method of reducing insertion loss in a transition region between a plurality of input or output waveguides to a free space coupler region |
| US8242571B2 (en) | 2009-08-31 | 2012-08-14 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Waveguide photo-detector |
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