KR910017683A - 고압 계수 특성을 갖는 콘덴서 제조방법 - Google Patents
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 2도는 본 발명에 의한 폴리 레이 아웃 단면도. 제 3도는 제 2도에서의폴리를 이용한 고압계수 특성을 갖는 콘덴서의 구조도.
Claims (1)
- 망사 모양의 단면으로 폴리⑸를 변형 레이아웃(Layout)하고, 게이트 산화막⑵의 전면에 형성하여 COMS의 확산영역⑹으로 사이드 확산(Side Diffusion)이 이루어지도록 구성된 것을 특징으로 하는 고압 계수 특성을 갖는 콘덴서 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900003166A KR0148789B1 (ko) | 1990-03-09 | 1990-03-09 | 캐패시터의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900003166A KR0148789B1 (ko) | 1990-03-09 | 1990-03-09 | 캐패시터의 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR910017683A true KR910017683A (ko) | 1991-11-05 |
| KR0148789B1 KR0148789B1 (ko) | 1998-10-01 |
Family
ID=19296844
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019900003166A KR0148789B1 (ko) | 1990-03-09 | 1990-03-09 | 캐패시터의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR0148789B1 (ko) |
-
1990
- 1990-03-09 KR KR1019900003166A patent/KR0148789B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
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|---|---|
| KR0148789B1 (ko) | 1998-10-01 |
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