KR920022397A - 반도체 장치의 ldd 구조 형성 방법 - Google Patents
반도체 장치의 ldd 구조 형성 방법 Download PDFInfo
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- structure formation
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- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도 (a), (b)는 본 발명의 1실시예에 따른 제조공정도이다.
Claims (1)
- 반도체 기판상에 게이트 산화막, 게이트를 형성하고 빔을 0°-90°의 범위로 경사지게 하여 저농동 불순물을 상기 게이트 산화막의 하부기판의 양측의 원하는 폭으로 침투시키는 공정과, 상기 반도체 기판면에 수직으로 고농도 불순물을 이온 주입하는 공정으로 이루어진 반도체 장치의 LDD 구조 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910007703A KR920022397A (ko) | 1991-05-13 | 1991-05-13 | 반도체 장치의 ldd 구조 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910007703A KR920022397A (ko) | 1991-05-13 | 1991-05-13 | 반도체 장치의 ldd 구조 형성 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR920022397A true KR920022397A (ko) | 1992-12-19 |
Family
ID=67433049
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019910007703A KR920022397A (ko) | 1991-05-13 | 1991-05-13 | 반도체 장치의 ldd 구조 형성 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR920022397A (ko) |
-
1991
- 1991-05-13 KR KR1019910007703A patent/KR920022397A/ko not_active Application Discontinuation
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