KR910017632A - 다결정 실리콘을 이용한 로코스공정 - Google Patents
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- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1도는 본 발명의 로코스 공정도.
Claims (1)
- 기판(1)에 산화막(2), 다결정 실리콘(3), 질화막(4)을 차례로 성장시키고 불필요한 질화막(4)을 포토 에칭으로 제거한 후 다결정 실리콘(3)을 일정 두께로 남도록 포토에칭하고 필드산화막(5)을 성장시켜 다결정 실리콘(3)에 의해 필드산화막(5)의 새부리 형상의 상장을 억제하게 함을 특징으로 하는 다결정 실리콘을 이용한 로코스 공정.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900004330A KR0142866B1 (ko) | 1990-03-30 | 1990-03-30 | 다결정 실리콘을 이용한 로코스공정 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900004330A KR0142866B1 (ko) | 1990-03-30 | 1990-03-30 | 다결정 실리콘을 이용한 로코스공정 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR910017632A true KR910017632A (ko) | 1991-11-05 |
| KR0142866B1 KR0142866B1 (ko) | 1998-07-15 |
Family
ID=19297517
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019900004330A KR0142866B1 (ko) | 1990-03-30 | 1990-03-30 | 다결정 실리콘을 이용한 로코스공정 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR0142866B1 (ko) |
-
1990
- 1990-03-30 KR KR1019900004330A patent/KR0142866B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0142866B1 (ko) | 1998-07-15 |
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