KR910014952A - 셀프체크회로부착 패턴메모리회로 - Google Patents

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KR910014952A
KR910014952A KR1019910000319A KR910000319A KR910014952A KR 910014952 A KR910014952 A KR 910014952A KR 1019910000319 A KR1019910000319 A KR 1019910000319A KR 910000319 A KR910000319 A KR 910000319A KR 910014952 A KR910014952 A KR 910014952A
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KR
South Korea
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pattern memory
inspection
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circuit
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KR1019910000319A
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KR950006214B1 (ko
Inventor
케지 타나베
코이치 토사까
Original Assignee
나까누마 쇼
안도덴기 카부시키가이샤
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Publication date
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    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation

Landscapes

  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

셀프체크회로부착 패턴메모리회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 의한 셀프체크회로부재패턴메모리회로의 구성도, 제2도는 본 발명에 의한 다른 셀프체크회로부착패턴메모리회로의 구성도.

Claims (2)

  1. 패턴메모리(7)의 기록펄스를 발생하는 검사용타이밍발생기(2)와, 패턴메모리(7)의 어드레스를 발생하는 검사용 어드레스발생기(4)와, 패턴메모리(7)의 검사데이터를 발생하는 동시에 패턴메모리(7)의 기대치테이터를 발생하는 검사용 데이터발생기(6)와, 패턴메모리(7)의 데이터출력과 검사용 데이터발생기(6)로 부터의 기대치 데이터를 입력으로 하는 검사용 비교기(8)를 구비하고, 패턴메모리(7)에 착오가 발생했을때 검사용 어드레스발생기(4)의 카운터를 정지시키는 것을 특징으로 하는 셀프체크회로부착 패턴메모리회로.
  2. 패턴메모리(7)의 기록펄스를 발생하는 검사용타이밍발생기(2)와, 패턴메모리(7)의 어드레스를 발생하는 검사용 어드레스발생기(4)와, 패턴메모리(7)의 검사데이터를 발생하는 동시에, 패턴메모리(7)의 기대치데이터를 발생하는 검사용데이터발생기(6)와, 패턴메모리(7)의 데이커출력과 검사용데이터 발생기(6)로 부터의 기대치데이터를 입력으로 하는 검사용 비교기(8)와, 검사용 비교기(8)의 출력으로 부터 패턴메모리(7)의 착오를 기록하는 착오어드레스기록용메모리(10)를 구비하고, 패턴메모리(7)의 전체 어드레스를 검사한 후 메모리(10)를 다시 판독하는 것을 특징으로 하는 셀프체크회로부착패턴메모리회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910000319A 1990-01-11 1991-01-11 셀프체크회로부착 패턴메모리회로 KR950006214B1 (ko)

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JP2004331A JPH03209699A (ja) 1990-01-11 1990-01-11 セルフチェック回路つきパターンメモリ回路
JP90-4331 1990-01-11

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KR100297709B1 (ko) 1998-04-21 2001-08-07 윤종용 다수개의메모리뱅크를구비하는반도체메모리장치의테스트방법및반도체메모리테스트장비
JP2000156095A (ja) * 1998-11-19 2000-06-06 Asia Electronics Inc 半導体メモリ試験方法及びその装置

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