KR910014941A - 반도체 기억장치 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 실시예를 표시하는 반도체 기억장치의 요부회로도.
Claims (1)
- 복수의 센스앰프와, 복수의 데이터버스와 복수의 컬럼라인의 신호에 의해 각각 온, 오프동작하여 상기 센스앰프노드에 접속되는 비트선과 상기 데이터버스와의 사이를 접속, 차단하는 복수의 스위치수단을 구비한 반도체 기억장치에 있어서, 2개의 인접하는 상기 각 비트선을 서로다른 상기 컬럼라인의 신호를 입력하는 상기 스위치수단을 통하여 동일비트선으로 상기 데이타버스에의 접속, 차단을 하는 구조로 한것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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