KR910008490A - 방사선 민감성 포지티브 레지스트 조성물 - Google Patents

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KR910008490A
KR910008490A KR1019900016201A KR900016201A KR910008490A KR 910008490 A KR910008490 A KR 910008490A KR 1019900016201 A KR1019900016201 A KR 1019900016201A KR 900016201 A KR900016201 A KR 900016201A KR 910008490 A KR910008490 A KR 910008490A
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KR
South Korea
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positive resist
solvent
sulfonic acid
radiation sensitive
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Application number
KR1019900016201A
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English (en)
Inventor
겐지 다까하시
유끼오 하나모또
하루요시 오사끼
Original Assignee
모리 히데오
스미또모 가가꾸고오교 가부시끼가이샤
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    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/22—Exposing sequentially with the same light pattern different positions of the same surface
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    • G03F7/022—Quinonediazides
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

방사선 민감성 포지티브 레지스트 조성물
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (6)

  1. 알칼리 가용성 수지, 퀴논디아지드 화합물 및 3-메록시부틸 아세테이트를 함유하는 용매를 포함하는 포지티브 레지스트 조성물
  2. 제1항에 있어서, 퀴논디아지드 화합물이 1,2-벤조퀴논 디아지드-4-술폰산 에스테르 및 1,2-나프토퀴논 디아지드-4-술폰산 에스테르 및 1,2-나프토퀴논 디아지드-5-술폰산 에스테르로 구성된 군으로 부터 선택한 한 이상인 포지티브 레짓트 조성물
  3. 제1항에 있어서, 알칼리 가용성 수지에 대한 증감제의 중량비가 1:1 내지 1:7인 포지티브 레지스트 조성물
  4. 제1항에 있어서, 용매가 3-메톡시부틸 아세테이트와 톨루엔, 크실렌, 에틸아세테이트 및 부틸아세테이트로 구성된 군으로 부터 선택한 하나 이상의 다른 용매를 포함하는 포지티브 레지스트 조성물
  5. 제1항에 있어서, 용매내의 3-메톡시부틸 아세테이트의 양이 용매의 전중량에 대하여 30내지 100중량%인 포지티브 레지스트 조성물
  6. 제1항에 있어서, 고형분의 함량이 3 내지 50중량%인 포지티브 레지스트 조성물
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900016201A 1989-10-13 1990-10-12 방사선 민감성 포지티브 레지스트 조성물 KR910008490A (ko)

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DE3523176A1 (de) * 1985-06-28 1987-01-08 Hoechst Ag Strahlungsempfindliche beschichtungsloesung und verfahren zur herstellung einer strahlungsempfindlichen schicht auf einem schichttraeger
JPS62123444A (ja) * 1985-08-07 1987-06-04 Japan Synthetic Rubber Co Ltd ポジ型感放射線性樹脂組成物

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