KR910003778A

KR910003778A - 실리콘 결정 평가 방법과 반도체 장치 제조방법

Info

Publication number: KR910003778A
Application number: KR1019900011507A
Authority: KR
Inventors: 히로시 가네따; 스이찌 무라이시
Original assignee: 야마모또 다꾸마; 후지쓰 가부시끼가이샤; 다끼우찌 다까시; 닛뽄 덴시 가부시끼가이샤
Priority date: 1989-07-27
Filing date: 1990-07-27
Publication date: 1991-02-28
Also published as: US5066599A; JPH03129748A; EP0410737A2; DE69025438D1; JPH0732186B2; EP0410737A3; KR930011457B1; EP0410737B1

Abstract

내용 없음.

Description

실리콘 결정 평가 방법과 반도체 장치 제조방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제1도는 갈라진 틈의 산소 불순물을 함유하는 성장 실리콘 결정에 대한 실온 적외선 흡수 스펙트라를 예시하는 그래프,

제2도는 열처리 하기 쉬운 갈라진 틈의 산소 불순물을 함유하는 실리콘 결정에 대한 실온 적외선 흡수 스펙트라를 예시하는 그래프,

제3도는 산소 불순물을 함유하는 성장 실리콘 결정(시료S1)의 실온 적외선 흡수 스펙트럼을 예시하는 그래프.

Claims

a)실온에서 산소불순물을 함유하는 상기 실리콘 결정, 알려지지 않은 열적 히스토리를 가지는 평가된 실리콘 결정을 함유하는 상기 실리콘 결정을 함유하는 상기 실리콘 결정과 각각 알려진 열적 히스토리를 가지는 관계 실리콘 결정의 각각 파수 1107±3㎝^-1에서 실리콘 결정의 대다수의 각 산소 불순물 적외선 흡수피크의 세기를 측정하는 단계, b)10K와 같거나 10K보다 적은 온도에서 예정된 파수에서 상기 실리콘의 각 산소 불순물 적외선 흡수 피크의 세기를 측정하는 단계, C)1107±3㎝^-1에서 실리콘 결정의 각 산소 불순물 적외선 흡수 피크와 상기 예정된 파수에서 산소 불순물을 적외선 피크 사이의 첫 번째 피크세기 비의 계산단계, d)상기 평가된 실리콘 결정의 각 상기 피크세기비와 대응하는 모든 산소불순물이 점격자 결여로 고립되어 있을 때 얻어진 두 번째 피크세비 사이의 첫 번째 차를 계산하는 단계, e)상기 관련된 실리콘 결정의 각 상기 첫 피크 세기비와 두 번째 피크세기비 사이의 두 번째 차를 계산하는 단계. f)상기 두 번째차와 상기 알려진 열적 히스토리 사이의 관계를 규정하는 관계 데이타로부터 상기 평가된 실리콘 결정의 알려지지 않은 열적 히스토리의 평가단계로, 이루어진 실리콘 결정 평가방법.
청구범위 제1항에 있어서, 상기 10K와 같거나 보다 작은 온도에서, 1206±3㎝^-1의 파수에서 상기 실리콘 결정의 각 산소 불순물 적외선 흡수 피크의 세기를 측정하는 단계로 이루어진 상기 단계 b)를 특징으로 하는 실리콘 결정 평가방법.
청구범위 제1항에 있어서, 상기 10K와 같거나 작은 온도에서, 파수 1749±3㎝^-1의 파수에서 상기 실리콘 결정의 각 산소 불순물 적외선 흡수 피크의 세기를 측정하는 단계로 이루어진 상기 단계 b)로 특징지어진 실리콘 결정 평가방법.
청구범위 제1항에 있어서, 상기 10K와 같거나 보다 작고, 1206±3㎝^-1의 파수에서 상기 실리콘 결정의 각 산소 불순물 적외선 흡수 피크의 세기를 측정하고, 상기 온도가 10K와 같거나 보다 작고 1749±3㎝^-1의 파수에서 상기 실리콘 결정의 각 산소 불순물 적외선 흡수 피크의 세기를 측정하는 단계로 이루어진 상기 단계 b)로 특징지어진 실리콘 결정 평가방법.
청구범위 제1항 내지 제5항중 어느 한 항에 있어서, 개별적으로 열처리를 다르게 하기 쉬운 실리콘 결정으로 이루어진 실리콘 결정과 비교한 상기 관계 실리콘 결정을 특징으로 하는 실리콘 결정 평가방법.
청구범위 제1항 내지 제5항중 어느 한 항에 있어서,10K와 같거나 보다 낮은 온도에서 1128㎝^-1에서 적외선 흡수 피크세기를 측정하는 단계로 이루어짐을 특징으로 하는 실리콘 결정 평가방법.
청구범위 제6항에 있어서, 1128㎝^-1에서 적외선 흡수 피크를 기초로 10K와 같거나 보다 낮은 온도에서, 측정온도를 규정하는 단계로 이루어진 상기 단계 b)로 특징지어진 실리콘 결정 평가방법.
a)상기 실리콘 결정 평가방법이 이루어진 것에서 특징으로 하는 900㎝^-1과 1300㎝^-1사이의 파수범위에 결정결여 적외선 흡수 스펙트럼을 측정, b)산소 불순물이 고립된 점격자 결여일 때 예상 된 파수에서 나타나는 적외선 흡수 피크의 세기측정, c)상기 결정결여 적외선 흡수 피크의 세기와 상기 단계 b)에 의하여 측정된 상기 적외선 흡수 피크의 세기로부터 고립된 갈라진 틈의 산소 불순물의 농도계산 단계를 함유하는 실리콘 결정 평가방법.
청구범위 제8항에 있어서, 산소 불순물이 고립된 점격자 결여일 때 1206±2㎝^-1의 파수에서 나타나는 적외선 흡수 피크의 세기를 측정으로 이루어진 상기 단계 b)를 특징으로 하는 실리콘 결정 평가방법.
청구범위 제8항에 있어서, 산소 불순물이 고립된 점격자 결여일 때 1749±2㎝^-1의 파수에서 나타나는 적외선 흡수 피크의 세기를 측정으로 이루어진 상기 단계 b)를 특징으로 하는 실리콘 결정 평가방법.
청구범위 제8항 내지 제10항중 어느 한 항에 있어서, 상기 단계 a)에 의하여 얻어진 상기 적외선 흡수피크의 세기로부터 상기 단계 b)에 의하여 측정된 상기 적외선 흡수피크의 세기를 빼므로 침전물 결여를 평가하는 단계로 이루어지므로 특징되는 실리콘 결정 평가방법.
청구범위 제8항 내지 제11항중 어느 한 항에 있어서, 상기 단계 b)에 의하여 측정된 상기 적외선 흡수피크의 세기에 대한 예정된 계수를 곱하는 단계로 이루어진 단계 c)로 특징지어진 실리콘 결정 평가방법.
청구범위 제8항 내지 제11항중 어느 한 항에 있어서, 실온에서 900㎝^-1과 1300㎝^-1의 파수범위에서 결정결여 적외선 흡수 스펙트럼을 측정하는 상기 단계 a)와 10K와 같거나 낮은 온도에서 산소 불순물이 고립된 점격자 결여일 때 예상한 파수에 나타나는 적외선 흡수 피크의 세기는 측정하는 상기 단계 b)로 특징지어진 실리콘 결정 평가방법.
a)실리콘 웨이퍼의 열적 히스토리를 평가하는 단계, b)상기 단계 a)에 의하여 평가된 상기 열적 히스토리를 기초로 상기 실리콘 웨이퍼를 가열하는 단계, c)상기 단계 a)을 이루며 PN-형 접합이 상기 실리콘 웨이퍼를 형성하도록 상기 실리콘 웨이퍼로 상기 실리콘 웨이퍼의 것에 반대되는 전도형을 가지는 분순물을 도입하는 단계로 이루어진 반도체 장치 제조방법에 있어서 상기 단계는 a-1)실온에서 산소불순물을 함유하는 상기 실리콘 결정, 알려지지 않은 열적 히스토리를 가지는 상기 실리콘 웨이퍼인 평가된 실리콘 결정을 함유하는 상기 실리콘 결정과 각각 알려진 열적 히스토리를 가지는 관계 실리콘 결정의 각각이 파수 1107±3㎝^-1에서 대다수의 실리콘 결정의 각 산소 불순물 적외선 흡수 피크의 세기를 측정, a-2) 10K와 같거나 보다 낮은 온도에서 예정한 파수에서 상기 실리콘 결정의 각 산소 불순물 적외선 흡수 피크의 세기를 측정, a-3)1107±3㎝^-1에서 상기 실리콘 결정의 각 산소 불순물 적외선 흡수 피크와 상기 예정한 파수에서 산소 불순물 적외선 흡수 피크 세기 사이의 첫 번째 피크 세기비의 계산, a-4)상기 평가된 실리콘 결정의 각 피크 세기비와 대응하는 모든 산소불순물이 고립된 점격자 결여일 때 얻어진 두 번째 피크 세기비 사이의 첫 번째 차의 계산, a-5)상기 관계된 실리콘 결정의 첫 번째 피크 세기비와 상기 두 번째 피크 세기비 사이의 두 번째 차, a-6)상기 두 번째 차와 상기 알려진 열적 히스토리 사이의 관계를 규정하는 관계 데이타로부터 상기 평가된 실리콘 결정의 알려지지 않은 열적 히스토리를 평가로 이루어지는 반도체 장치 제조방법.
청구범위 제14항에 있어서, 상기 단계 a-7)900㎝^-1과 1300㎝^-1사이의 파수범위 에서 결정결여 적외선 스펙트럼 측정, a-8)산소불순물은 고립된 점격자 결여가 있을 때 예정된 파수에서 나타나는 적외선 흡수 피크의 세기를 측정, a-9)상기 결정결여 적외선 흡수 스펙트럼의 세기와 상기 단계 a-8)에 의해 측정된 상기 적외선 흡수 피크의 세기로부터 고립된 갈라진틈의 산소 분순물의 농도 계산, a-10)상기 단계 a-7)에 의해 얻어진 상기 적외선 흡수피크의 세기로부터 상기 단계 a-8)에 의해 측정된 상기 적외선 흡수피크의 세기를 빼므로 침전물결여를 평가하는 단계로 이루어진 반도체 장치 제조방법.
청구범위 제15항에 있어서, 상기 단계 a-10)에 의하여 평가된 상기 침전물 결여를 기초로 가열조건을 조절하는 단계를 이루는 상기 단계 b)인 반도체 장치 제조방법.
청구범위 제15항에 있어서, 상기 단계 a-7), a-8), a-9)와 a-10)이 상기 단계 b)와 c)사이에 수행된 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조방법.
청구범위 제14항 내지 제17항중 어느 한 항에 있어서, 상기 단계 a-2)가 10K와 같거나 보다 낮은 온도에서 파수 1206±3㎝^-1에서 상기 실리콘 결정의 각 산소 불순물 적외선 흡수 피크의 세기를 측정하는 단계로 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 장치 제조방법.
청구범위 제14항 내지 제18항중 어느 한 항에 있어서, 상기 단계 a-2)가 10K와 같거나 보다 적은 온도에서 파수 1749±3㎝^-1에서 상기 실리콘 결정의 각 산소 불순물 적외선 흡수 피크의 세기를 측정하는 단계로 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 장치 제조방법.
청구범위 제14항 내지 제18항중 어느 한 항에 있어서, 상기 단계 a-2)는 다음 단계로 이루어저 있는데 있어서, 10K와 같거나 보다 적은 온도에서 파수 1206±3㎝^-1에서 상기 실리콘의 각 산소 불순물 적외선 흡수 피크의 세기를 측정, 10K와 같거나 보다 낮은 온도에서 파수 1749±3㎝^-1에서 상기 실리콘의 각 산소 불순물 적외선 흡수 피크의 세기를 측정하는 단계로 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 장치 제조방법.
청구범위 제14항 내지 제20항중 어느 한 항에 있어서, 개별적으로 다른 열처리를 하기 쉬운 실리콘 결정을 이루는 상기 관계 실리콘 결정을 특징으로 하는 반도체 장치 제조방법.
청구범위 제15항 내지 제21항중 어느 한 항에 있어서, 상기 단계 a-8)은 산소 불순물이 고립된 점격자일 때 파수 1206±2㎝^-1에서 나타나는 적외선 흡수 피크의 세기의 측정으로 이루어진 반도체 장치 제조방법.
청구범위 제15항 내지 제21항중 어느 한 항에 있어서, 상기 단계 a-8)은 산소 불순물이 고립된 점격자일때 파수 1749±2㎝^-1에서 나타나는 적외선 흡수 피크의 세기를 측정하는 것으로서 이루어진 반도체 장치 제조방법.
청구범위 제14항 내지 제23항중 어느 한 항에 있어서, 상기 단계 a-9)는 상기 단계 a-8)에 의하여 측정된 상기 적외선 흡수 피크의 세기에 대한 예정된 계수를 곱하는 단계로 이루어진 반도체 장치 제조방법.
청구범위 제14항 내지 제24항중 어느 한 항에 있어서, 상기 단계 a-7)는 실온에서 900㎝^-1과 1300㎝^-1사이의 파수범위에서 결정 결여 적외선 스펙트럼 측정하고, a-8)은 10K와 같거나 보다 낮은 온도에서 산소 불순물이 고립된 점격자 결여일 때 예정된 파수에서 나타나는 적외선 흡수피크의 세기를 측정하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조방법.

※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.