JPS5850744A - シリコンウエハ−の評価方法 - Google Patents
シリコンウエハ−の評価方法Info
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- JPS5850744A JPS5850744A JP14700081A JP14700081A JPS5850744A JP S5850744 A JPS5850744 A JP S5850744A JP 14700081 A JP14700081 A JP 14700081A JP 14700081 A JP14700081 A JP 14700081A JP S5850744 A JPS5850744 A JP S5850744A
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- JP
- Japan
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- oxygen
- resistivity
- wafer
- sample
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はシリコンウエノ・−の評価方法、さらに特定す
れば二酸化けい素として析出した酸素Ｏ量を簡便に一定
する方法である。
れば二酸化けい素として析出した酸素Ｏ量を簡便に一定
する方法である。
シリコンウェハーの内部に酸素を二酸化けい素として析
出させ、これをｒツタ−源とすることがら）、また二酸
化けい素が結晶欠陥となっていることがある。仁のよう
なシリコンウェハーに析出し九二酸化けい素となってい
る欠陥の数、または酸素の量を一定するには、通常ウェ
ハーを割シエッチングを行なった断面を１！察する方法
、または初期と加熱処Ｉｌｌとにおいて一定した酸素の
量の差から二酸化けい素として析出した酸素の量を求め
る方法が行なわれている。
出させ、これをｒツタ−源とすることがら）、また二酸
化けい素が結晶欠陥となっていることがある。仁のよう
なシリコンウェハーに析出し九二酸化けい素となってい
る欠陥の数、または酸素の量を一定するには、通常ウェ
ハーを割シエッチングを行なった断面を１！察する方法
、または初期と加熱処Ｉｌｌとにおいて一定した酸素の
量の差から二酸化けい素として析出した酸素の量を求め
る方法が行なわれている。
一般に、酸素の量を一定するＫは、赤外吸収を利用する
。通常の赤外吸収装置では試料の厚みを２ｓｍとする必
要があるので、ｌ！ＩＩＯウェハーでは測定が困難であ
〕、また７−り菰披変換赤外吸収装置を使用すれば、比
軟的容易に一定することができるが、装置が非常に高価
であるので・すべてのウェハーについて一定すること紘
経済的でない０本発明の目的は上記欠点を解消すること
であるｅ本発明の上記目的は、格子間酸素が部分的に二
酸化けい素として析出しているシリコンウエノ・−試料
を４００〜５００℃に加熱して、残シの格子間酸素をド
ナー型に変換した後に、このシリコンウェハーの抵抗率
を測定し、他方とのシリコ、ンウエハの初期抵抗率と同
一〇初期抵抗率を有する照合用シリコンウェハーを８０
０〜１！Ｇｏ℃に加熱して格子間酸素を二酸化けい素と
して析出させ、次に前記一定試料と同様に４００〜ｂ゛
に加熱した後に、析出酸素量および比抵抗率を測定し、
さきに一定した試料ウェハーの抵−率をこれと対比させ
て、析出酸素量を検量によって求める、シリコンウェハ
ーの評価方法によって達成することができる。
。通常の赤外吸収装置では試料の厚みを２ｓｍとする必
要があるので、ｌ！ＩＩＯウェハーでは測定が困難であ
〕、また７−り菰披変換赤外吸収装置を使用すれば、比
軟的容易に一定することができるが、装置が非常に高価
であるので・すべてのウェハーについて一定すること紘
経済的でない０本発明の目的は上記欠点を解消すること
であるｅ本発明の上記目的は、格子間酸素が部分的に二
酸化けい素として析出しているシリコンウエノ・−試料
を４００〜５００℃に加熱して、残シの格子間酸素をド
ナー型に変換した後に、このシリコンウェハーの抵抗率
を測定し、他方とのシリコ、ンウエハの初期抵抗率と同
一〇初期抵抗率を有する照合用シリコンウェハーを８０
０〜１！Ｇｏ℃に加熱して格子間酸素を二酸化けい素と
して析出させ、次に前記一定試料と同様に４００〜ｂ゛
に加熱した後に、析出酸素量および比抵抗率を測定し、
さきに一定した試料ウェハーの抵−率をこれと対比させ
て、析出酸素量を検量によって求める、シリコンウェハ
ーの評価方法によって達成することができる。
本発ＷＡは、シリコンウェハーの格子間酸素Ｏ状態が温
度によって変化し、５００℃以下では主としてドナー型
、５００〜８００℃では主として析出核として、８００
〜１２００℃では主として二酸化けい素として析出する
平衡状態を有することにもとづく・を九赤外欄定によっ
て定量される酸素紘格子間に存在する酸素の状態であ）
、抵抗率が依存する酸素は、ドナー蓋である。本発明の
方法においては、二酸化けい素として析出している酸素
の量を求める。
度によって変化し、５００℃以下では主としてドナー型
、５００〜８００℃では主として析出核として、８００
〜１２００℃では主として二酸化けい素として析出する
平衡状態を有することにもとづく・を九赤外欄定によっ
て定量される酸素紘格子間に存在する酸素の状態であ）
、抵抗率が依存する酸素は、ドナー蓋である。本発明の
方法においては、二酸化けい素として析出している酸素
の量を求める。
本発明によって、たとえばｐｍ！シリコンウェハーの二
酸化けい素として析出し九酸素の量を測定する場合は、
これと同一な初期抵抗率を有するｐ型シリコンを、８０
０〜１２００Ｃ１好ましくは９００〜１１００℃で、た
七えば５〜１０時間加熱して格子間Ｍ嵩を二酸化けい素
として析出させ、次に４００〜５００℃、好ましくは４
５０℃で、たとえば３時間加熱して格子間に残ったａ１
２素をト争ナー型に変え、仁のとき時間とともに変化す
る抵抗率を測定して検量線を描ぐ。仁の検量ｆｌ！は、
予め種々なｉ！！素析素置出量する照合試料について求
めておく。
酸化けい素として析出し九酸素の量を測定する場合は、
これと同一な初期抵抗率を有するｐ型シリコンを、８０
０〜１２００Ｃ１好ましくは９００〜１１００℃で、た
七えば５〜１０時間加熱して格子間Ｍ嵩を二酸化けい素
として析出させ、次に４００〜５００℃、好ましくは４
５０℃で、たとえば３時間加熱して格子間に残ったａ１
２素をト争ナー型に変え、仁のとき時間とともに変化す
る抵抗率を測定して検量線を描ぐ。仁の検量ｆｌ！は、
予め種々なｉ！！素析素置出量する照合試料について求
めておく。
測定すべき試料については、照合試料と同様にして、好
ましくは４５０℃で、たとえば３時間加熱して得られた
試料の抵抗率を測定する。この試料と同一の初期抵抗率
を有する照合試料についての検量線を利用して、同一時
間加熱処理して１ｌｌＩ］定し比抵抗率に対応する酸素
析出量を知るーことができるｅ ＃＋定後のウェハーは
約６５０℃で約３０分加熱処理すれば、さきに行なった
４００〜５δＯ℃の熱処理でドナー型に変化した酸素原
子は、再び格子間１１！素にもどり、ウエノ・−は本発
明の方法を実施する前の状態にもどる。 ゛・
次に図面を参照しながら、本発明の詳細な説明する。測
定すべきシリコンウェハー試料は初期抵抗率がｌＯΩ傭
のｐ型シリコンである場合において、検量線の作成を行
なう。まず辷れと同一〇初期抵抗率１０Ω傷を有するｐ
型シリコンを９００〜１１００℃で５〜ｌＯ時間加熱し
ζ格子間酸素を二ａｌ化けい素として析出させ、種々な
析出酸素量０．３ Ｘ ｌ ０１８〜１．ＯＸ １０１
８個／ｃｓａ’ の照合試料を作成し、次にこれらの
試料を４５０℃で３．ｌＯおよび２０時間加熱して・残
υの格子間酸素をドナー型に？える。これによってウェ
ハーの１型導電性が増加するので１、ｐ型シリコンの抵
抗率は１００国より高い糧々な値となる・ 測定すべきシリコンウェハーは、上記照合試料と同様に
４５０℃で３〜２０時間加熱し、ｐ型シリコンの抵抗率
を測定する・これと同一抵抗率を有する検量線から、こ
の加熱時開き等しい加熱時間を照合して析出した酸素量
を求めることができる。
ましくは４５０℃で、たとえば３時間加熱して得られた
試料の抵抗率を測定する。この試料と同一の初期抵抗率
を有する照合試料についての検量線を利用して、同一時
間加熱処理して１ｌｌＩ］定し比抵抗率に対応する酸素
析出量を知るーことができるｅ ＃＋定後のウェハーは
約６５０℃で約３０分加熱処理すれば、さきに行なった
４００〜５δＯ℃の熱処理でドナー型に変化した酸素原
子は、再び格子間１１！素にもどり、ウエノ・−は本発
明の方法を実施する前の状態にもどる。 ゛・
次に図面を参照しながら、本発明の詳細な説明する。測
定すべきシリコンウェハー試料は初期抵抗率がｌＯΩ傭
のｐ型シリコンである場合において、検量線の作成を行
なう。まず辷れと同一〇初期抵抗率１０Ω傷を有するｐ
型シリコンを９００〜１１００℃で５〜ｌＯ時間加熱し
ζ格子間酸素を二ａｌ化けい素として析出させ、種々な
析出酸素量０．３ Ｘ ｌ ０１８〜１．ＯＸ １０１
８個／ｃｓａ’ の照合試料を作成し、次にこれらの
試料を４５０℃で３．ｌＯおよび２０時間加熱して・残
υの格子間酸素をドナー型に？える。これによってウェ
ハーの１型導電性が増加するので１、ｐ型シリコンの抵
抗率は１００国より高い糧々な値となる・ 測定すべきシリコンウェハーは、上記照合試料と同様に
４５０℃で３〜２０時間加熱し、ｐ型シリコンの抵抗率
を測定する・これと同一抵抗率を有する検量線から、こ
の加熱時開き等しい加熱時間を照合して析出した酸素量
を求めることができる。
第１図は初期抵抗率が１００国のｐ型シリコンウェハー
から出発した種々な析出酸素量を有する照合試料の、４
５０℃における加熱処理時間と抵抗率との関係を示すグ
ラブであり、各曲線に付記した数字は析出酸素量（個／
傷５）を示す。 特許出願人 富士通−株式会社 特許出願代理人 ・ 弁理士 青 木 朗 弁理士西舘和之 弁理士 内 １）幸 男 弁理士 山 口 昭 之
から出発した種々な析出酸素量を有する照合試料の、４
５０℃における加熱処理時間と抵抗率との関係を示すグ
ラブであり、各曲線に付記した数字は析出酸素量（個／
傷５）を示す。 特許出願人 富士通−株式会社 特許出願代理人 ・ 弁理士 青 木 朗 弁理士西舘和之 弁理士 内 １）幸 男 弁理士 山 口 昭 之
Claims (1)
- １、格子間酸素が部分的に二酸化けい素として析出して
いるシリコンウェハー試料を４００〜５００℃に加熱し
て、残シの格子間酸素をドナー型に狡換した後に、この
シリコンウェハーの抵抗率をＩｌｌ定し、他方このシリ
コンウェハーの初期抵抗率と同一の初期抵抗率を有する
照合用シリコンウェハーを８００〜１２００℃に加熱し
て格子間酸素を二酸化けい素として析出させ、次に前記
測定試料と同様に４００〜５００℃に加熱し大径に、析
出酸素量および比抵抗率を測定し、さきに一定した試料
ウェハーの抵抗率をこれと対比させて、析出酸素量を検
量によって求める、シリコンウェハーの評価方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14700081A JPS5850744A (ja) | 1981-09-19 | 1981-09-19 | シリコンウエハ−の評価方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14700081A JPS5850744A (ja) | 1981-09-19 | 1981-09-19 | シリコンウエハ−の評価方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5850744A true JPS5850744A (ja) | 1983-03-25 |
| JPH0472380B2 JPH0472380B2 (ja) | 1992-11-18 |
Family
ID=15420310
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14700081A Granted JPS5850744A (ja) | 1981-09-19 | 1981-09-19 | シリコンウエハ−の評価方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5850744A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6092782A (ja) * | 1983-10-24 | 1985-05-24 | アクシユネツト カンパニー | ゴルフボール |
| JPS60163674A (ja) * | 1984-02-07 | 1985-08-26 | 株式会社ブリヂストン | ゴルフボ−ル |
| JPS6156668A (ja) * | 1973-05-24 | 1986-03-22 | アクシユネツト・カンパニ− | 外周面にデインプルを有するゴルフボ−ルの製造方法 |
| JPS61284264A (ja) * | 1985-06-07 | 1986-12-15 | 住友ゴム工業株式会社 | ゴルフボ−ル |
| JPS63309282A (ja) * | 1987-04-27 | 1988-12-16 | アクシュネット カンパニー | 多数ディンプルゴルフボール |
| US5127655A (en) * | 1990-07-27 | 1992-07-07 | Sumitomo Rubber Industries, Ltd. | Golf ball |
-
1981
- 1981-09-19 JP JP14700081A patent/JPS5850744A/ja active Granted
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6156668A (ja) * | 1973-05-24 | 1986-03-22 | アクシユネツト・カンパニ− | 外周面にデインプルを有するゴルフボ−ルの製造方法 |
| JPS6092782A (ja) * | 1983-10-24 | 1985-05-24 | アクシユネツト カンパニー | ゴルフボール |
| JPS60163674A (ja) * | 1984-02-07 | 1985-08-26 | 株式会社ブリヂストン | ゴルフボ−ル |
| JPH0429398B2 (ja) * | 1984-02-07 | 1992-05-18 | ||
| JPS61284264A (ja) * | 1985-06-07 | 1986-12-15 | 住友ゴム工業株式会社 | ゴルフボ−ル |
| JPH067875B2 (ja) * | 1985-06-07 | 1994-02-02 | 住友ゴム工業株式会社 | ゴルフボ−ル |
| JPS63309282A (ja) * | 1987-04-27 | 1988-12-16 | アクシュネット カンパニー | 多数ディンプルゴルフボール |
| US5127655A (en) * | 1990-07-27 | 1992-07-07 | Sumitomo Rubber Industries, Ltd. | Golf ball |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0472380B2 (ja) | 1992-11-18 |
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