KR900019174A - 반도체 소자 제조공정 - Google Patents

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Abstract

내용 없음

Description

반도체 소자 제조공정
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3A내지 3D도는 상이한 처리 상태로 소결된 SiO2 가 도핑된 P2O5의 샘플의회학적 표현을 비교하는 도시도.

Claims (19)

  1. 반도체 표면의 적어도 일부분상에 입자 빔 침착에 의해 포스포실리게이트 유리 목표 물질을 침착하며 따라서, 상기 표면의 적어도 일부분이 1에서 15몰퍼센트 P2O5를 포함하는 접촉 포스포실리케이트 유리 영역으로 커버되는 반도체 소자를 제조하는 공정에 있어서, 상기 유리 물질이, a) 50에서 400㎡/g의 범위내에 표면 영역을 가지며 25에서 55의 중량퍼센트 실리카를 포함하는 졸을 형성하기에 충분한 량이 부가되는 증발된 실리카와, 시제등급 인산의 수성액 및 졸을 함께 혼합하고 상기 졸을 겔화하는 것을 허용하는 겔을 형성하는 단계와, b) 14일 까지의 기간동안 순환 공기 및 온도상태에서 상기 겔을 건조하는 단계와, c) 시간당 250에서 350℃의 비율로 500에서 700℃의 범위내의 온도까지 가열하므로 상기 건조된 겔을 탈수하고 10분에서 3시간의 기간동안 상기 온도에서 유지하는 단계와, d) 상기 탈수 온도에서 600에서 1200℃의 범위내의 희망 피크 온도까지 시간당 100에서180℃의 비율로 상기 겔을 가열하므로 상기 탈수된 겔을 유리로 소결하는 단계 및 e) 주로 상기 피크 온도에 도달하여, 상기 소결된 유리를 냉각하는 단계를 포함하는 절차에 의해 제조되는데, 상기 탈수 및 소결 단계가 불활성 가스를 포함한 흐르는 공기중에서 관리되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조공정.
  2. 제1항에 있어서, 상기 유리 물질 영역이 특허 2내지 10몰퍼센트P2O5와 나머지의 SiO2를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 공정.
  3. 제1또는 제2항에 있어서, 상기 실리카가 150에서 250㎡/g주로, 대략200㎡/g의 범위내의 표면 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 공정.
  4. 제1, 제2 또는 제3항에 있어서, 상기 실리카가, 30에서 50중량퍼센트 실리카를 포함하는 졸을 형성하기위해, 부가되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 공정.
  5. 제1내지 제4항중 어느 한 항에 있어서, 상기 겔의 상기 건조가 3일동안 실행되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 공정.
  6. 제1내지 제5항중의 어느 한항에 있어서, 상기 건조된 겔이 상기 탈수 온도까지 약 300℃/hr의 비율로 가열되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 공정.
  7. 제1내지 제6항중 어느 한항에 있어서, 상기 탈수가 2시간동안 약 650℃의 온도에서 상기 건조된 겔을 가열하므로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 공정.
  8. 제1내지 제7항중 어느 한항에 있어서, 상기 탈수 온도에서 피크 소결 온도까지의 상기 가열이 시간당 140에서 150℃, 주로 시간당 약 145℃의 비율로 실행되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 공정.
  9. 제1내지 제8항중 어느 한항에 있어서, 상기 피크 소결 온도가 1000에서 1200℃의 범위, 주로, 약 1125℃의 범위내에 있는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 공정.
  10. 제1내지 제9항중 어느 한항에 있어서, 상기 불활성 가스가 헬륨을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 공정.
  11. 제1내지 제10항중 어느 한항에 있어서, 상기 탈수가 적어도 하나의 cl2, SiF4, 플루오로카본, 클로로플루오로카본 및 ccl4가스가 불활성 가스에 포함된 공기에서 실행되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 오정.
  12. 제1내지 제11항중의 어느 한항에 있어서, 상기 탈수가 볼륨으로 약8.5% cl2, 25% SiF4, 및 89% He를 포함하는 공기에서 실행되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 공정.
  13. 제1내지 제12항중 어느 한항에 있어서, 입지 빔 절차가 e-빔 침착인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 공정.
  14. 제1내지 제13항중 어느 한항에 있어서, 상기 반도체가 lmP와 GaAs로 구성된 그룹에서 선택된 Ⅲ-Ⅴ화합물 반도체와 InP 및 GaAs에 매칭된 화합물 입자를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 공정.
  15. 제1내지 제14항중 어느 한항에 있어서, 상기 포스포실리게이트 유리 영역이 이온 주입 표면과 접촉하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 공정.
  16. 제1내지 제15항중 어느 한항에 있어서, 유리 물질과 접촉한 상기 이온 주입 표면이 이온 주입을 활성화하기 위해 어닐되며, 반도체 물질이 이고 상기 어닐이 10초에서 10분까지의 기간동안 750에서 1000℃의 범위내의 온도에서 실행된 급속한 열절 어닐이며, 온도가 낮으면 낮을수록 시간이 더 걸리는 것을 특징으로하는 반도체 소자 제조 공정.
  17. 제16항에 있어서, 상기 급속한 열적 어닐이 약 10초동안 800에서 1000℃의 범위내의 온도에서 실행되고 약 10분동안 750에서 850℃의 범위내의 온도에서 실행되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 공정.
  18. 제1내지 제17항중 어느 한항에 있어서, 상기 포스포실리케이트 유리가 1에서 12몰퍼센트 P2O5와 나머지 SiO2를 포함하며, 상기 실리카가 약 200m2/g의 표면 영역을 갖고, 30에서 50중량퍼센트 실리카를 포함하는 졸을 형성하기 위해 물과 인산을 결합시키며, 상기 인산이 유리에 희망 함유량의 P2O5를 얻기 위해서 통틀어 부가되며, 상기 겔이 3일동안 건조되며, 상기 건조된 겔이 2시간동안 유지되는 약 650℃의 비율로 가열되므로 탈수되며, 상기 탈수가 헬륨, cl2, SiF4를 포함한 흐르는 공기에서 실행되며, 상기 탈수된 겔이 시간당 140에서 150℃의 비율로 1000에서 1175℃의 피크 온도까지 가열되고 그후 냉각로에서 냉각되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 공정.
  19. 제1내지 제18항중 어느 한항에 있어서, 상기 반도체 표면이 InP 및 GaAs로부터 선택된 화합물 반도체의 표면이고, 상기 소자가 에벌런쉬 포토다이오드인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 공정.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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