JPS58208728A - 液晶カラ−表示体 - Google Patents

液晶カラ−表示体

Info

Publication number
JPS58208728A
JPS58208728A JP57091741A JP9174182A JPS58208728A JP S58208728 A JPS58208728 A JP S58208728A JP 57091741 A JP57091741 A JP 57091741A JP 9174182 A JP9174182 A JP 9174182A JP S58208728 A JPS58208728 A JP S58208728A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystal
silica film
borosilicate glass
film
substrates
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP57091741A
Other languages
English (en)
Inventor
Osamu Miyamoto
修 宮本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kawaguchiko Seimitsu KK
Original Assignee
Kawaguchiko Seimitsu KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kawaguchiko Seimitsu KK filed Critical Kawaguchiko Seimitsu KK
Priority to JP57091741A priority Critical patent/JPS58208728A/ja
Publication of JPS58208728A publication Critical patent/JPS58208728A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02126Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
    • H01L21/02129Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC the material being boron or phosphorus doped silicon oxides, e.g. BPSG, BSG or PSG
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133345Insulating layers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02164Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon oxide, e.g. SiO2
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02282Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、一対の基板間にネマチック液晶と、二色性色
素とからなる液晶組成物あるいは、前記液晶組成物にコ
レステリック液晶を、加えた液晶組成物を封入したゲス
ト・ホスト効果型液晶カラー表示体に関するものである
従来のシリカ膜を施したソーダガラスを基板として用い
たゲスト・ホスト効果型液晶カラー表示体は、ガラス基
板の都成においてNa、0、K、0で示されるアルカリ
成分が多く、それの液晶への劣化作用の為に、ホスト液
晶として使用できない液晶があった。また、アルカリ成
分の少ないホウケイ酸ガラスを用いても、そのままでは
、アルカリの液晶への劣化作用を充分に抑えることがで
きず、ホスト液晶として使用することに不安がある液晶
があった。特に、ポジ型表示用として、現在最も特・注
が良いとされるN型ネマチック混き液晶であるチッソ(
株)MOEN系液晶はアルカリ(で弱く、シリカ膜を施
したソーダガラスや預処恒里のホウケイ酸ガラスを基板
として用いた場計には、実用化に際しての充分な信頼性
が得られなかった。
本弁明は、アルカリに弱いホスト液晶を用いても充分な
信頼性が得られるゲスト・ホスト効果型液晶カラー表示
体を提供することを目的としている。
上記の目的を達成するための、この発明の要旨とすると
ころは、前掲の特許請求の範囲に記載した通りである。
本発明の実施例のひとつを、図面に基づいて説明する。
第1図において、シリカ膜1をホウケイ酸ガラスの基板
2と透明導電膜3の間に施す。シリカ膜にはSQL/G
EL法にょるPEGシリカ膜蒸着シリカ膜、CVDシリ
カ膜等を用いる。垂直配向処理膜4はSiO回転回転釦
よるもので、シール5はフリットシールである。こりよ
5 ccボウケイ酸ガラスにシリカ膜を施したものを基
板としり (用いること、(より、ガ中ス中のアルカリ成分1cよ
る液晶への劣化作用ははともと起きず、アルカ17 +
C弱い液晶をホスト液晶に用いても、実用化に十分な信
頼性が得られる。
第2図は、ホウケイ酸ガラス2にシリカ膜1を施した場
合の他の実施例を示すもので、シリカ膜1を透明導電膜
ろと回転蒸着にょる配向処理膜40間に施したものであ
る。
第3図も、ホウケイ酸ガラス2にシリカ膜1を施した場
合の他の実施例を示すもので、シリカ膜1を、透明導電
膜乙の上下に施したものである。
第4図は、横軸に時間、縦軸に消費電流値をとり、11
0°C高温保存試験における液晶表示体の消費電流値の
経時変化な現わしたものである。ホスト液晶はチッソ(
株)のBN−24、ゲストとしての二色性色素は日本感
光色素研究新製のG−202を用いており、色素濃度は
l wt %である。図中(a ’)で示す曲線はS 
O”L / G E L法によるPSGシリカ膜をホウ
ケイ酸ガラス基板と透明導電膜の間に施した、第1図で
説明した実施例の液晶表示体のものである。(b)で示
す曲線は、基板にシリカ膜を施さないホウケイ酸ガラス
を用いた液晶表示体のものである。(C)で示す曲線は
、SQL/GEL法によるPEGシリカ膜をソーダガラ
ス基板と透明導電膜の間に施した液晶表示体のものであ
る。第4図から明らかな様に、基板にシリカ膜を施した
ホウケイ酸ガラスを用いた場合には、シリカ膜を施した
ソーダガラスやシリカ膜を施さないホウケイ酸ガラスの
基板として比較して、ガラス中のアルカリ成分の液晶へ
の劣化作用かはと(ど起きないために消費電流値の増加
の抑制が可能となり、実用化に十分な信頼性が得られる
本発明は、以上説明した様に、ゲスト・ホスト効果型液
晶カラー表示体に基板としてシリカ膜を施したホウケイ
酸ガラスを用いることによって、従来NaあO,i(,
0で示されるガラス中のアルカリ成分の液晶への劣化作
用の為にホスト液晶として使用できなかった種類の液晶
ICついてもホスト液晶として使用を可能にした点で、
ウォッチ、クロック、電卓、各種計器類等の表示体に広
く利用され得るものと確信する。
【図面の簡単な説明】
第1図は、ポジ表示を行うゲスト・ホスト効果型液晶カ
ラー表示体の構造を示す断面図である。 第2図、第6図はポジ表示を行うゲス・ト・ホスト効果
型液晶カラー表示体の基板の断面図である。 第4図は、ホストとしてE N−24、ゲストとしてa
 −202を用いた際のゲスト・ホスト効果型液晶カラ
ー表示体の高温保存試験の時間と消費電流値の関係を示
す図である。 1・・・SQL/GEL法によるI) S Gシリカ膜
、2・・・ガラス基板、ろ・・・透明導電膜、4・・・
回転蒸着による垂直配向膜、5・・書フリット・シール
、6・・・N型ネマチック液晶分子、7・・・二色性色
素分子、(a)・・・ガラス基板に、シリカ膜を施した
ホウケイ酸ガラスを用いた液晶表示体の曲線、(b)・
・・ガラス基板に、無処理のホウケイ酸ガラスを用いた
液晶表示体の曲線、(C)・・・ガラス基板に、シリカ
膜を施したソーダガラスを用いた液晶表示体の曲線。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)一対の基板間にネマチック液晶と、二色性色素と
    からなるカラー液晶組成物を封入した液晶表示体におい
    て、前記基板にシリカ膜を施したホウケイ酸ガラスを用
    いたことを特徴とする液晶表示体0
  2. (2)一対の基板間にネマチック液晶と、二色性色素と
    、コレステリック液晶とからなるカラー液晶組成物を封
    入した液晶表示体において、前記基板にシリカ膜を施し
    たホウケイ酸ガラスを用いたことを特徴とする液晶表示
    体。
JP57091741A 1982-05-28 1982-05-28 液晶カラ−表示体 Pending JPS58208728A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57091741A JPS58208728A (ja) 1982-05-28 1982-05-28 液晶カラ−表示体

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57091741A JPS58208728A (ja) 1982-05-28 1982-05-28 液晶カラ−表示体

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS58208728A true JPS58208728A (ja) 1983-12-05

Family

ID=14034945

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP57091741A Pending JPS58208728A (ja) 1982-05-28 1982-05-28 液晶カラ−表示体

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS58208728A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0396307A2 (en) * 1989-05-01 1990-11-07 AT&T Corp. Fabrication of semiconductor devices using phosphosilicate glasses
EP0838723A1 (en) * 1996-10-24 1998-04-29 Agfa-Gevaert N.V. A material comprising a layer on a glass support

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS50120848A (ja) * 1974-03-09 1975-09-22
JPS5114038A (ja) * 1974-07-24 1976-02-04 Suwa Seikosha Kk Ekishohyojisochi
JPS5282442A (en) * 1975-12-29 1977-07-09 Seiko Epson Corp Glass electode substrate for liquid crystal display unit

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS50120848A (ja) * 1974-03-09 1975-09-22
JPS5114038A (ja) * 1974-07-24 1976-02-04 Suwa Seikosha Kk Ekishohyojisochi
JPS5282442A (en) * 1975-12-29 1977-07-09 Seiko Epson Corp Glass electode substrate for liquid crystal display unit

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0396307A2 (en) * 1989-05-01 1990-11-07 AT&T Corp. Fabrication of semiconductor devices using phosphosilicate glasses
EP0838723A1 (en) * 1996-10-24 1998-04-29 Agfa-Gevaert N.V. A material comprising a layer on a glass support

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS6313018A (ja) 液晶表示装置
JPS58208728A (ja) 液晶カラ−表示体
JPS5588027A (en) Positive type guest-host type liquid crystal display element
JPS58184120A (ja) 液晶カラ−表示体
JPS5872923A (ja) 液晶表示素子
JPS56138712A (en) Color liquid crystal display device
JPS5799616A (en) Liquid crystal display panel
JPS5570819A (en) Liquid crystal display device
JPS6280624A (ja) 液晶表示装置
JPS62146121U (ja)
JPS6069636A (ja) 液晶表示装置
US4543201A (en) Liquid crystal mixture
JPS5876483A (ja) 液晶混合物
JPS5829876A (ja) 液晶組成物
JPS61145282A (ja) 液晶組成物
JPS59221377A (ja) 液晶組成物
JPS6280621A (ja) 液晶表示装置
JPS58109578A (ja) カラ−液晶表示素子
JP3006083B2 (ja) 液晶表示素子
JPS60159729A (ja) 液晶表示装置
JPS58173720A (ja) 液晶カラ−表示体
JPS632020A (ja) 液晶表示素子
JPS6253809B2 (ja)
JPH11190861A (ja) 液晶表示装置
JPS62163015A (ja) 液晶表示素子