JPS58208728A - 液晶カラ−表示体 - Google Patents
液晶カラ−表示体Info
- Publication number
- JPS58208728A JPS58208728A JP57091741A JP9174182A JPS58208728A JP S58208728 A JPS58208728 A JP S58208728A JP 57091741 A JP57091741 A JP 57091741A JP 9174182 A JP9174182 A JP 9174182A JP S58208728 A JPS58208728 A JP S58208728A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- silica film
- borosilicate glass
- film
- substrates
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
- H01L21/02126—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
- H01L21/02129—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC the material being boron or phosphorus doped silicon oxides, e.g. BPSG, BSG or PSG
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133345—Insulating layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
- H01L21/02164—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon oxide, e.g. SiO2
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
- H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02282—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、一対の基板間にネマチック液晶と、二色性色
素とからなる液晶組成物あるいは、前記液晶組成物にコ
レステリック液晶を、加えた液晶組成物を封入したゲス
ト・ホスト効果型液晶カラー表示体に関するものである
。
素とからなる液晶組成物あるいは、前記液晶組成物にコ
レステリック液晶を、加えた液晶組成物を封入したゲス
ト・ホスト効果型液晶カラー表示体に関するものである
。
従来のシリカ膜を施したソーダガラスを基板として用い
たゲスト・ホスト効果型液晶カラー表示体は、ガラス基
板の都成においてNa、0、K、0で示されるアルカリ
成分が多く、それの液晶への劣化作用の為に、ホスト液
晶として使用できない液晶があった。また、アルカリ成
分の少ないホウケイ酸ガラスを用いても、そのままでは
、アルカリの液晶への劣化作用を充分に抑えることがで
きず、ホスト液晶として使用することに不安がある液晶
があった。特に、ポジ型表示用として、現在最も特・注
が良いとされるN型ネマチック混き液晶であるチッソ(
株)MOEN系液晶はアルカリ(で弱く、シリカ膜を施
したソーダガラスや預処恒里のホウケイ酸ガラスを基板
として用いた場計には、実用化に際しての充分な信頼性
が得られなかった。
たゲスト・ホスト効果型液晶カラー表示体は、ガラス基
板の都成においてNa、0、K、0で示されるアルカリ
成分が多く、それの液晶への劣化作用の為に、ホスト液
晶として使用できない液晶があった。また、アルカリ成
分の少ないホウケイ酸ガラスを用いても、そのままでは
、アルカリの液晶への劣化作用を充分に抑えることがで
きず、ホスト液晶として使用することに不安がある液晶
があった。特に、ポジ型表示用として、現在最も特・注
が良いとされるN型ネマチック混き液晶であるチッソ(
株)MOEN系液晶はアルカリ(で弱く、シリカ膜を施
したソーダガラスや預処恒里のホウケイ酸ガラスを基板
として用いた場計には、実用化に際しての充分な信頼性
が得られなかった。
本弁明は、アルカリに弱いホスト液晶を用いても充分な
信頼性が得られるゲスト・ホスト効果型液晶カラー表示
体を提供することを目的としている。
信頼性が得られるゲスト・ホスト効果型液晶カラー表示
体を提供することを目的としている。
上記の目的を達成するための、この発明の要旨とすると
ころは、前掲の特許請求の範囲に記載した通りである。
ころは、前掲の特許請求の範囲に記載した通りである。
本発明の実施例のひとつを、図面に基づいて説明する。
第1図において、シリカ膜1をホウケイ酸ガラスの基板
2と透明導電膜3の間に施す。シリカ膜にはSQL/G
EL法にょるPEGシリカ膜蒸着シリカ膜、CVDシリ
カ膜等を用いる。垂直配向処理膜4はSiO回転回転釦
よるもので、シール5はフリットシールである。こりよ
5 ccボウケイ酸ガラスにシリカ膜を施したものを基
板としり (用いること、(より、ガ中ス中のアルカリ成分1cよ
る液晶への劣化作用ははともと起きず、アルカ17 +
C弱い液晶をホスト液晶に用いても、実用化に十分な信
頼性が得られる。
2と透明導電膜3の間に施す。シリカ膜にはSQL/G
EL法にょるPEGシリカ膜蒸着シリカ膜、CVDシリ
カ膜等を用いる。垂直配向処理膜4はSiO回転回転釦
よるもので、シール5はフリットシールである。こりよ
5 ccボウケイ酸ガラスにシリカ膜を施したものを基
板としり (用いること、(より、ガ中ス中のアルカリ成分1cよ
る液晶への劣化作用ははともと起きず、アルカ17 +
C弱い液晶をホスト液晶に用いても、実用化に十分な信
頼性が得られる。
第2図は、ホウケイ酸ガラス2にシリカ膜1を施した場
合の他の実施例を示すもので、シリカ膜1を透明導電膜
ろと回転蒸着にょる配向処理膜40間に施したものであ
る。
合の他の実施例を示すもので、シリカ膜1を透明導電膜
ろと回転蒸着にょる配向処理膜40間に施したものであ
る。
第3図も、ホウケイ酸ガラス2にシリカ膜1を施した場
合の他の実施例を示すもので、シリカ膜1を、透明導電
膜乙の上下に施したものである。
合の他の実施例を示すもので、シリカ膜1を、透明導電
膜乙の上下に施したものである。
第4図は、横軸に時間、縦軸に消費電流値をとり、11
0°C高温保存試験における液晶表示体の消費電流値の
経時変化な現わしたものである。ホスト液晶はチッソ(
株)のBN−24、ゲストとしての二色性色素は日本感
光色素研究新製のG−202を用いており、色素濃度は
l wt %である。図中(a ’)で示す曲線はS
O”L / G E L法によるPSGシリカ膜をホウ
ケイ酸ガラス基板と透明導電膜の間に施した、第1図で
説明した実施例の液晶表示体のものである。(b)で示
す曲線は、基板にシリカ膜を施さないホウケイ酸ガラス
を用いた液晶表示体のものである。(C)で示す曲線は
、SQL/GEL法によるPEGシリカ膜をソーダガラ
ス基板と透明導電膜の間に施した液晶表示体のものであ
る。第4図から明らかな様に、基板にシリカ膜を施した
ホウケイ酸ガラスを用いた場合には、シリカ膜を施した
ソーダガラスやシリカ膜を施さないホウケイ酸ガラスの
基板として比較して、ガラス中のアルカリ成分の液晶へ
の劣化作用かはと(ど起きないために消費電流値の増加
の抑制が可能となり、実用化に十分な信頼性が得られる
。
0°C高温保存試験における液晶表示体の消費電流値の
経時変化な現わしたものである。ホスト液晶はチッソ(
株)のBN−24、ゲストとしての二色性色素は日本感
光色素研究新製のG−202を用いており、色素濃度は
l wt %である。図中(a ’)で示す曲線はS
O”L / G E L法によるPSGシリカ膜をホウ
ケイ酸ガラス基板と透明導電膜の間に施した、第1図で
説明した実施例の液晶表示体のものである。(b)で示
す曲線は、基板にシリカ膜を施さないホウケイ酸ガラス
を用いた液晶表示体のものである。(C)で示す曲線は
、SQL/GEL法によるPEGシリカ膜をソーダガラ
ス基板と透明導電膜の間に施した液晶表示体のものであ
る。第4図から明らかな様に、基板にシリカ膜を施した
ホウケイ酸ガラスを用いた場合には、シリカ膜を施した
ソーダガラスやシリカ膜を施さないホウケイ酸ガラスの
基板として比較して、ガラス中のアルカリ成分の液晶へ
の劣化作用かはと(ど起きないために消費電流値の増加
の抑制が可能となり、実用化に十分な信頼性が得られる
。
本発明は、以上説明した様に、ゲスト・ホスト効果型液
晶カラー表示体に基板としてシリカ膜を施したホウケイ
酸ガラスを用いることによって、従来NaあO,i(,
0で示されるガラス中のアルカリ成分の液晶への劣化作
用の為にホスト液晶として使用できなかった種類の液晶
ICついてもホスト液晶として使用を可能にした点で、
ウォッチ、クロック、電卓、各種計器類等の表示体に広
く利用され得るものと確信する。
晶カラー表示体に基板としてシリカ膜を施したホウケイ
酸ガラスを用いることによって、従来NaあO,i(,
0で示されるガラス中のアルカリ成分の液晶への劣化作
用の為にホスト液晶として使用できなかった種類の液晶
ICついてもホスト液晶として使用を可能にした点で、
ウォッチ、クロック、電卓、各種計器類等の表示体に広
く利用され得るものと確信する。
第1図は、ポジ表示を行うゲスト・ホスト効果型液晶カ
ラー表示体の構造を示す断面図である。 第2図、第6図はポジ表示を行うゲス・ト・ホスト効果
型液晶カラー表示体の基板の断面図である。 第4図は、ホストとしてE N−24、ゲストとしてa
−202を用いた際のゲスト・ホスト効果型液晶カラ
ー表示体の高温保存試験の時間と消費電流値の関係を示
す図である。 1・・・SQL/GEL法によるI) S Gシリカ膜
、2・・・ガラス基板、ろ・・・透明導電膜、4・・・
回転蒸着による垂直配向膜、5・・書フリット・シール
、6・・・N型ネマチック液晶分子、7・・・二色性色
素分子、(a)・・・ガラス基板に、シリカ膜を施した
ホウケイ酸ガラスを用いた液晶表示体の曲線、(b)・
・・ガラス基板に、無処理のホウケイ酸ガラスを用いた
液晶表示体の曲線、(C)・・・ガラス基板に、シリカ
膜を施したソーダガラスを用いた液晶表示体の曲線。
ラー表示体の構造を示す断面図である。 第2図、第6図はポジ表示を行うゲス・ト・ホスト効果
型液晶カラー表示体の基板の断面図である。 第4図は、ホストとしてE N−24、ゲストとしてa
−202を用いた際のゲスト・ホスト効果型液晶カラ
ー表示体の高温保存試験の時間と消費電流値の関係を示
す図である。 1・・・SQL/GEL法によるI) S Gシリカ膜
、2・・・ガラス基板、ろ・・・透明導電膜、4・・・
回転蒸着による垂直配向膜、5・・書フリット・シール
、6・・・N型ネマチック液晶分子、7・・・二色性色
素分子、(a)・・・ガラス基板に、シリカ膜を施した
ホウケイ酸ガラスを用いた液晶表示体の曲線、(b)・
・・ガラス基板に、無処理のホウケイ酸ガラスを用いた
液晶表示体の曲線、(C)・・・ガラス基板に、シリカ
膜を施したソーダガラスを用いた液晶表示体の曲線。
Claims (2)
- (1)一対の基板間にネマチック液晶と、二色性色素と
からなるカラー液晶組成物を封入した液晶表示体におい
て、前記基板にシリカ膜を施したホウケイ酸ガラスを用
いたことを特徴とする液晶表示体0 - (2)一対の基板間にネマチック液晶と、二色性色素と
、コレステリック液晶とからなるカラー液晶組成物を封
入した液晶表示体において、前記基板にシリカ膜を施し
たホウケイ酸ガラスを用いたことを特徴とする液晶表示
体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57091741A JPS58208728A (ja) | 1982-05-28 | 1982-05-28 | 液晶カラ−表示体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57091741A JPS58208728A (ja) | 1982-05-28 | 1982-05-28 | 液晶カラ−表示体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58208728A true JPS58208728A (ja) | 1983-12-05 |
Family
ID=14034945
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57091741A Pending JPS58208728A (ja) | 1982-05-28 | 1982-05-28 | 液晶カラ−表示体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58208728A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0396307A2 (en) * | 1989-05-01 | 1990-11-07 | AT&T Corp. | Fabrication of semiconductor devices using phosphosilicate glasses |
EP0838723A1 (en) * | 1996-10-24 | 1998-04-29 | Agfa-Gevaert N.V. | A material comprising a layer on a glass support |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS50120848A (ja) * | 1974-03-09 | 1975-09-22 | ||
JPS5114038A (ja) * | 1974-07-24 | 1976-02-04 | Suwa Seikosha Kk | Ekishohyojisochi |
JPS5282442A (en) * | 1975-12-29 | 1977-07-09 | Seiko Epson Corp | Glass electode substrate for liquid crystal display unit |
-
1982
- 1982-05-28 JP JP57091741A patent/JPS58208728A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS50120848A (ja) * | 1974-03-09 | 1975-09-22 | ||
JPS5114038A (ja) * | 1974-07-24 | 1976-02-04 | Suwa Seikosha Kk | Ekishohyojisochi |
JPS5282442A (en) * | 1975-12-29 | 1977-07-09 | Seiko Epson Corp | Glass electode substrate for liquid crystal display unit |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0396307A2 (en) * | 1989-05-01 | 1990-11-07 | AT&T Corp. | Fabrication of semiconductor devices using phosphosilicate glasses |
EP0838723A1 (en) * | 1996-10-24 | 1998-04-29 | Agfa-Gevaert N.V. | A material comprising a layer on a glass support |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS6313018A (ja) | 液晶表示装置 | |
JPS58208728A (ja) | 液晶カラ−表示体 | |
JPS5588027A (en) | Positive type guest-host type liquid crystal display element | |
JPS58184120A (ja) | 液晶カラ−表示体 | |
JPS5872923A (ja) | 液晶表示素子 | |
JPS56138712A (en) | Color liquid crystal display device | |
JPS5799616A (en) | Liquid crystal display panel | |
JPS5570819A (en) | Liquid crystal display device | |
JPS6280624A (ja) | 液晶表示装置 | |
JPS62146121U (ja) | ||
JPS6069636A (ja) | 液晶表示装置 | |
US4543201A (en) | Liquid crystal mixture | |
JPS5876483A (ja) | 液晶混合物 | |
JPS5829876A (ja) | 液晶組成物 | |
JPS61145282A (ja) | 液晶組成物 | |
JPS59221377A (ja) | 液晶組成物 | |
JPS6280621A (ja) | 液晶表示装置 | |
JPS58109578A (ja) | カラ−液晶表示素子 | |
JP3006083B2 (ja) | 液晶表示素子 | |
JPS60159729A (ja) | 液晶表示装置 | |
JPS58173720A (ja) | 液晶カラ−表示体 | |
JPS632020A (ja) | 液晶表示素子 | |
JPS6253809B2 (ja) | ||
JPH11190861A (ja) | 液晶表示装置 | |
JPS62163015A (ja) | 液晶表示素子 |