KR900016811A - 감광성 조성물 - Google Patents

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KR900016811A KR1019900004688A KR900004688A KR900016811A KR 900016811 A KR900016811 A KR 900016811A KR 1019900004688 A KR1019900004688 A KR 1019900004688A KR 900004688 A KR900004688 A KR 900004688A KR 900016811 A KR900016811 A KR 900016811A
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요시히또 고바야시
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고우찌 도루 우시로
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아오이 죠이찌
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Abstract

내용 없음.

Description

감광성 조성물
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (57)

  1. 페놀골격을 가진 알칼리 가용성 중합체와 후술하는 일반식(Ⅰ)(Ⅱ)또는 (Ⅲ)으로 표시되는 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 감광성 조성물.
    R1및 R2는 동일하거나 다를수 있으며 각각 수소원자, 탄소수 1-10의 비치환 혹은 치환된 알킬기를 나타내고, R3및 R4는 동일하거나 다를수 있으며, 각각 수소원자, 탄소수 1-10의 비치환 혹은 치환된 알킬기, 비치환 혹은 치환된 아릴기, 퓨릴기, 피리딜기 또는 2-스티릴기를 나타내거나 또는 R3및 R4가 같이 -(CH2)n-(여기서 n은 4 내지 8의 양의 정수)로 표시되는 고리구조를 형성한다.
    R5및 R6는 동일하거나 다를수 있으며 각각 수소원자, 탄소수 1-10의 비치환 혹은 치환된 알킬기, 비치환 혹은 치환된 아릴기, 퓨릴기, 피리딜기 또는 2-스티릴기를 나타내거나 또는 R5및 R6가 같이 -(CH2)n-(여기서 n은 4내지 8의 양의 정수)로 표시되는 고리구조를 형성한다.
    R7,R8,R9,R10,R11및 R12는 동일하거나 다를수 있으며 각각 수소원자, 탄소수 1-10의 비치환 혹은 치환된 알킬기를 나타내고, R13및 R14는 동일하거나 다를수 있으며 각각 수소원자, 탄소수 1-10의 비치환 혹은 치환된 알킬기, 비치환 혹은 치환된 아릴기, 퓨릴기, 피리딜기, 2-스티릴기를 나타내거나 또는 R13및 R14가 같이 -(CH2)n-(여기서 n은 4 내지 8의 양의 정수)로 표시되는 고리구조를 형성한다.
  2. 제1항에서 있어서, 페놀골격을 가진 알칼리 가용성 중합체가 규소를 함유하는 중합체인 것을 특징으로 하는 감광성 조성물.
  3. 제1항에 또는 제2항에 있어서, 전술한 일반식(Ⅰ),(Ⅱ) 또는 (Ⅲ)으로 표시되는 화합물의 배합비율이 전술한 알칼리 가용성 중합체 100중량부에 대해서 1-500중량부인 것을 특징으로 하는 감광성 조성물.
  4. 제1항에 있어서, 전술한 일반식(Ⅰ)의 R3, (Ⅱ)의 R5및 (Ⅲ)의 R13이 규소함유 알킬기 혹은 규소함유 아릴기이고, 또 전술한 일반식(Ⅰ)의 R4, (Ⅱ)의 R6및 (Ⅲ)의 R14가 수소원자인 것을 특징으로 하는 감광성 조성물.
  5. 제4항에 있어서, 전술한 일반식(Ⅰ), (Ⅱ) 또는 (Ⅲ)으로 나타낸 화합물의 배합비율이 전술한 알칼리 가용성 중합체 100중량부에 대해서 1-200중량부인 것을 특징으로 하는 감광성 조성물.
  6. 페놀골격을 가진 알칼리 가용성 중합체와 후술하는 일반식(Ⅳ)로 표시되는 화합물과 염기성화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 감광성 조성물.
    R15및 R16은 동일하거나 다를수 있으며, 각각 수소원자, 탄소수 1-10의 비치환 혹은 치환된 알킬기를 나타내거나 또는 R15와 R16가 같이 -(CH2)n-(여기서 n은 3이상의 양의 정수)로 표시되는 고리구조, 혹을 그 수소원자가 알킬기에 의해서 치환된 고리구조를 형성하고, R17은 수소원자, 탄소수 1-10의 비치환 혹은 치환된 알킬기, 비치환 혹은 치환된 아릴기, 퓨릴기, 피리딜기, 또는 2-스티릴기를 나타내고, R18은 수소원자를 나타낸다.
  7. 제6항에 있어서, 전술한 일반식(Ⅳ)으로 표시되는 화합물의 배합비율이 전술한 알칼리 가용성 중합체 100중량부에 대해서 1-500중량부이고, 전술한 염기성물질의 배합비율이 전술한 알칼리 가용성 중합체 100중량부에 대해서 0.1-500중량부인 것을 특징으로 하는 감광성 조성물.
  8. 제6항에 있어서, 전술한 일반식Ⅳ)으로 표시되는 화합물이 하기 일반식(Ⅴ)으로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 감광성 조성물.
    R19및 R20은 동일하거나 다를수 있으며 각각 수소원자 또는 탄소수 1-10의 비치환 혹은 치환된 알킬기를 나타내거나 또는 R19와 R20이 같이 -(CH2)n-(여기서 n은 3이상의 양의 정수)로 표시되는 고리구조 혹은 그 수소원자가 알킬기로 치환된 고리구조를 나타내고, R21는 규소함유 알킬기 혹은 규소함유 아릴기를 나타내고, R22는 수소원자를 나타낸다.
  9. 제8항에 있어서, 전술한 일반식(Ⅳ)로 표시되는 화합물의 배합비율이 전술한 알칼리 가용성 중합체 100중량부에 대해서 1-200중량부이고, 전술한 염기성물질의 배합비율이 전술한 알칼리 가용성 중합체 100중량부에 대해서 0.1-200중량부인 것을 특징으로 하는 감광성 조성물.
  10. 제6항에 있어서, 페놀골격을 가진 알칼리 가용성 중합체가 규소를 함유하는 중합체인 것을 특징으로 하는 감광성 조성물.
  11. 제10항에 있어서, 전술한 일반식(Ⅳ)으로 표시되는 화합물의 배합비율이 전술한 알칼리 가용성 중합체 100중량부에 대해서 1-200중량부이고, 전술한 염기성물질의 배합비율이 전술한 알칼리 가용성 중합체 100중량부에 대해서 0.1-200중량부인 것을 특징으로 하는 감광성 조성물.
  12. 페놀골격을 가진 알칼리 가용성 중합체와 하기 일반식(Ⅵ)으로 표시되는 화합물과 광조사에 의해 산을 발생하는 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 감광성 조성물.
    R23및 R24는 동일하거나 다를수 있으며, 각각 수소원자 또는 탄소수 1-10의 비치환 혹은 치환된 알킬기를 나타내거나 또는 R23과 R24가 같이 -(CH2)n-(여기서 n은 3이상의 양의 정수)로 표시되는 고리구조, 또는 그 수소원자가 알킬기에 의해서 치환된 고리구조를 형성하고, R25및 R26은 동일하거나 다를수 있으며, 각각 수소원자, 탄소수 1-10의 비치환 혹은 치환된 알킬기, 비치환 혹은 치한된 아릴기, 퓨릴기, 피리딜기 또는 2-스틸릴기를 나타내거나 그리고 R25및 R26이 같이 -(CH2)n-(여기서 n은 4이상의 양의 정수)으로 표시되는 고리구조를 형성한다.
  13. 제12항에 있어서, 전술한 일반식(Ⅵ)로 표시되는 화합물의 배합비율이 전술한 알칼리 가용성 중합체 100중량부에 대해서 1-500중량부이고, 또 전술한 광조사로 산을 발생하는 화합물의 배합비율이 함유된 고형분의 전중량에 대해서 약 0.01-약 10중량부인 것을 특징으로 하는 감광성 조성물.
  14. 제12항에 있어서, 전술한 일반식(Ⅵ)으로 표시되는 화합물의 하기 일반식(Ⅶ)으로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 감광성 조성물.
    R27및 R28은 동일하거나 다를수 있으며, 각각 수소원자 또는 탄소수 1-10의 비치환 혹은 치환된 알킬기를 나타내거나 또는 R27및 R28이 같이 -(CH2)n-(여기서 n은 3이상의 양의 정수)로 표시되는 고리구조, 또는 그 수소원자가 알킬기에 의해서 치환된 고리구조를 형성하고, R29는 규소함유 알킬기 혹은 규소함유 아릴기를 나타내고 R30은 수소원자를 나타낸다.
  15. 제14항에 있어서, 전술한 일반식(Ⅶ)로 표시되는 화합물의 배합비율이 전술한 알칼리 가용성 중합체 100중량부에 대해서 1-200중량부이고, 또 전술한 광조사로 산을 발생하는 화합물의 배합비율이 함유된 고형분의 전중량에 대해서 약 0.01-약 10중량부인 것을 특징으로 하는 감광성 조성물.
  16. 제12항에 있어서, 페놀골격을 가진 알칼리 가용성 중합체가 규소를 함유하는 중합체인 것을 특징으로 하는 감광성 조성물.
  17. 제16항에 있어서, 전수한 일반식(Ⅵ)로 표시되는 화합물의 배합비율이 전술한 알칼리 가용성 중합체 100중량부에 대해서 1-200중량부이고 또 전술한 광조사로 산을 발생하는 화합물의 배합비율이 함유된 고형분의 전중량에 대해서 약 0.01-약 10중량부인 것을 특징으로 하는 감광성 조성물.
  18. 제1, 2, 4, 6, 8, 10, 12, 14 또는 16항중 어느 한항에 따른 감광성 조성물을 유기용매에 용해하여 감광성 수지용액에 제제하는 공정과, 이 감광성 수지용액을 기판에 도포하여 기판상에 감광성 수지층을 형성하는 공정과, 감광성 수지층에 패턴노광을 행하는 공정과, 노광후의 수지층을 알칼리 수용액으로 현상하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  19. 제18항에 있어서, 전술한 패턴노광을 딮 UV광을 이용하여 행하는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  20. 기판상에 고분자 재료층을 형성하는 공정과, 제 2, 4, 8, 10, 14 또는 16항중 어느 한항에 따른 감광성 조성을 유기용매로 용해하여 감광성 수지용액을 제조하는 공정과, 이 감광성 수지용액을 전술한 고분자 재료층상에 도포하고 감광성 수지층을 형성하는 공정과, 감광성 수지층에 패턴노광을 행하는 공정과, 노광후의 수지층을 알칼리 수용액으로 현상하고, 감광성 수지패턴을 형성하는 공정과, 이 감광성 수지패턴을 마스크로 하고 노출된 고분자 재료층을 드라이에칭에 의해서 선택적으로 제거하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  21. 제20항에 있어서, 전술한 패턴노광을 딮 UV광을 행하는 것을 특징으로 하는 형성방법.
  22. 페놀골격을 가진 알칼리 가용성 중합체와, 하기 일반식(Ⅰ)(Ⅱ) 또는 (Ⅲ)으로 표시되는 화합물을 함유하는 것을 감광성 조성물을 유기용매로 용해해서 감광성 수지용액으로 제조하는 공정과,
    [R1및 R2는 동일하거나 다를수 있으며, 각각 수소원자, 탄소수1-10의 비치환 혹은 치환된 알킬기를 나타내고, R3및 R4는 동일하거나 다를수 있으며, 각각 수소원자, 탄소수 1-10의 비치환 혹은 치환된 알킬기, 비치환 혹은 치환된 아릴기, 퓨릴기, 피리딜기 또는 2-스티릴기를 나타내거나 또는 R3및 R4가 같이 -(CH2)n-(여기서 n은 4 내지 8의 양의 정수)로 표시되는 고리구조를 형성한다.
    R5및 R6는 동일하거나 다를수 있으며 각각 수소원자, 탄소수 1-10의 비치환 혹은 치환된 알킬기, 비치환 혹은 치환된 아릴기, 퓨릴기, 피리딜기 또는 2-스티릴기를 나타내거나, 또는 R5및 R6이 같이 -(CH2)n-(여기서 n은 4 내지 8의 양의 정수)로 표시되는 고리구조를 형성한다.
    R7,R8,R9,R10,R11및 R12는 동일하거나 다를수 있으며, 각각 수소원자, 탄소수 1-10의 비치환 혹은 치환된 아킬기를 나타내고, R13및 R14는 동일하거나 다를수 있으며, 각각 수소원자, 탄소수 1-10의 비치환 혹은 치환된 알킬기, 비치환 혹은 치환된 아릴기, 퓨릴기, 피리딜기, 2-스티릴기를 나타내거나 또는 R13및 R14가 같이 -(CH2)n-(여기서 n은 4내지 8의 양의 정수)로 표시되는 고리구조를 형성한다.] 이 감광성 수지용액을 기판에 도포하여 기판상에 감광성 수지층을 형성하는 공정과, 감광성 수지층에 패턴노광을 행하는 공정과, 패턴 노광후의 수지층을 가열하는 공정과, 가열후의 수지층 전면에 걸쳐서 노광을 행하는 공정과, 전면노광후의 수지층을 알칼리 수용액으로 현상하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 패턴형성 방법.
  23. 제22항에 있어서, 전술한 일반식(Ⅰ)의 R3, (Ⅱ)의 R5및 (Ⅲ)의 R13이 규소함유 알킬기 혹은 규소함유 아릴기이고, 또 전술한 일반식(Ⅰ)의 R4, (Ⅱ)의 R6및 (Ⅲ)의 R14가 수소원자인 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  24. 제22항에 있어서, 페놀골격을 가진 알칼리 가용성 중합체가 규소를 함유하는 중합체인 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  25. 제22항 내지 제24항중 어느 한항에 있어서, 전술한 패턴노광을 딮 UV광을 이용해서 행하는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  26. 제22항 내지 제24항중 어느 한항에 있어서, 패턴노광후의 수지층 가열은 60-150℃의 온도로 행하는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  27. 제22항 내지 제24항중 어느 한항에 있어서, 수지층의 전면노광을 파장 450nm 이하의 광을 이용해서 행하는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  28. 페놀골격을 가진 알칼리 가용성 중합체와, 하기 일반식(Ⅳ)으로 표시되는 화합물과 염기성화합물을 함유하는 감광성 조성물을 유기용매로 용해하여 감광성 수지용액을 조제하는 공정과,
    [R15및 R16는 동일하거나 다를수 있으며, 각각 수소원자 또는 탄소수 1-10의 비치환 혹은 치환된 알킬기를 나타내거나, 또는 R15와 R16이 R16은 같이 -(CH2)n-(여기서 n은 3이상의 양의 정수)으로 표시되는 고리구조, 혹은 그 수소원자가 알킬기, 비치환 혹은 치환된 아릴기, 퓨릴기, 피리딜기, 또는 2-스티릴기를 나타내고, R18은 수소원자를 나타낸다.] 이 감광성 수지용액을 기판에 도포하여 기판상에 감광성 수지층을 형성하는 공정과, 감광성 수지층에 패턴노광을 행하는 공정과, 패턴 노광후의 수지층을 가열하는 공정과, 가열후의 수지층의 전면에 걸쳐서 노광을 행하는 공정과, 전면 노광후의 수지층을 알칼리 수용액으로 현상하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  29. 제28항에 있어서, 전술한 일반식(Ⅳ)으로 표시되는 화합물이 하기 일반식(Ⅴ)으로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
    R19및 R20은 동일하거나 다를수 있으며, 각각 수소원자 또는 탄소수 1-10의 비치환 혹은 치환된 알킬기를 나타내고 또는 R19와 R30은 같이 -(CH2)n-(여기서 n은 3이상의 양의 정수)로 표시되는 고리구조 혹은 그 수소원자가 알킬기로 치환된 고리구조를 나타내고, R21은 규소함유 알킬기 혹은 규소함유 아릴기를 나타내고, 그리고 R22는 수소원자를 나타낸다.
  30. 제28항 내지 제30항중 어느 한항에 있어서, 페놀골격을 가진 알칼리 가용성 중합체가 규소를 함유하는 중합체인 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  31. 제28항 내지 제30항중 어느 한항에 있어서, 전술한 패턴노광을 딮 UV광을 이용해서 행하는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  32. 제28항 내지 제30항중 어느 한항에 있어서, 패턴 노광후의 수지층 가열을 60-150℃의 온도로 행하는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  33. 제28항 내지 제30항중 어느 한항에 있어서, 수지층의 전면 노광을 파장 450nm 이하의 광을 이용하여 행하는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  34. 기판상에 고분자 재료층을 형성하는 공정과, 페놀골격을 가진 알칼리 가용성 중합체와, 하기 일반식(Ⅰ)(Ⅱ) 또는 (Ⅲ)으로 표시되는 화합물에 있어서 (Ⅰ)의 R3, (Ⅱ)의 R5및 (Ⅲ)의 R13이 규소함유 알킬기 혹은 규소함유 아릴기이고, 또 전술한 일반식(Ⅰ)의 R4, (Ⅱ)의 R6, 및 (Ⅲ)의 R14가 수소원자인 화합물을 함유하는 감광성 조성물을 유기용매로 용해하고 감광성 수지용액을 조제하는 공정과,
    [R1및 R2는 동일하거나 다를수 있으며, 각각 수소원자, 탄소수 1-10의 비치환 혹은 치환된 알킬기를 나타내고, R3및 R4는 동일하거나 다를수 있으며, 각각 수소원자, 탄소수 1-10의 비치환 혹은 치환된 알킬기, 비치환 혹은 치환된 아릴기, 퓨릴기, 피리딜기 또는 2-스티릴기를 나타내거나 또는 R3및 R4가 같이 -(CH2)n-(여기서 n은 4 내지 8의 양의 정수)로 표시되는 고리구조를 형성한다.
    R5및 R6은 동일하거나 다를수 있으며, 각각 수소원자, 탄소수 1-10의 비치환 혹은 치환된 알킬기, 비치환 혹은 치환된 아릴기, 퓨릴기, 피리딜기 또는 2-스티릴기를 나타내거나 또는 R5및 R6이 같이 -(CH2)n-(여기서 n은 4 내지 8의 양의 정수)로 표시되는 고리구조를 형성한다.
    R7, R8, R9, R10, R11및 R12는 동일하거나 다를수 있으며 각각 수소원자, 탄소수 1-10의 비치환 혹은 치환된 알킬기를 나타내고 R13및 R14는 동일 하거나 다를수 있으며, 각각 수소원자, 탄소수 1-10의 비치환 혹은 치환된 알킬기, 비치환 혹은 치환된 아릴기, 퓨릴기, 피리딜기, 2-스티릴기를 나타내거나 또는 R13및 R14가 같이 -(CH2)n-(여기서 n은 4 내지 8의 양의 정수)로 표시되는 고리구조를 형성한다.]이 감광성 수지용액을 전술한 고분자 재료층상에 도포하여 감광성 수지층을 형성하는 공정과, 감광성 수지층에 패턴노광을 행하는 공종과, 패턴 노광후의 수지층을 가열하는 공정과, 가열후의 수지층의 전면에 걸쳐서 노광을 행하는 공정과, 전면 노광후의 수지층을 알칼리 수용액으로 현상해서 감광성 수지패턴을 형성하는 공정과, 이 감광성 수지패턴을 마스크로 하여 노출된 고분자 재료층을 드라이에칭에 의해서 선택적으로 제거하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  35. 제34항에 있어서, 전술한 패턴노광을 딮 UV를 이용해서 행하는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  36. 제34항에 있어서, 패턴노광후의 수지층의 가열을 60-150℃의 온도로 행하는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  37. 제34항에 있어서, 수지층의 전면노광을 파장 450nm 이하의 광을 이용하여 행하는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  38. 기판상에 고분자 재료층을 형성하는 공정과, 페놀골격을 가지며 규소를 함유하는 알칼리 가용성 중합체와, 하기 일반식(Ⅰ)(Ⅱ) 또는 (Ⅲ)으로 표시되는 화합물을 함유하는 감광성 조성물을 유기용매로 용해하여 감광성 수지용액을 조제하는 공정과,
    [R1및 R2는 동일하거나 다를수 있으며, 각각 수소원자, 탄소수 1-10의 비치환 혹은 치환된 알킬기를 나타내고, R3및 R4는 동일하거나 다를수 있으며, 각각 수소원자, 탄소수 1-10의 비치환 혹은 치환된 알킬기, 비치환 혹은 치환된 아릴기, 퓨릴기, 피리딜기 또는 2-스티릴기를 나타내거나 또는 R3및 R4가 같이 -(CH2)n-(여기서 n은 4 내지 8의 양의 정수)로 표시되는 고리구조를 형성한다.
    R5및 R6는 동일하거나 다를수 있으며, 각각 수소원자, 탄소수 1-10의 비치환 혹은 치환된 알킬기, 비치환 혹은 치환된 아릴기, 퓨릴기, 피릴딜기, 또는 2-스티릴기를 나타내거나 또는 R5및 R6가 같이 -(CH2)n-(여기서 n은 4 내지 8의 양의 정수)로 표시되는 고리구조를 형성한다.
    R7,R8,R9,R10,R11및 R12는 동일하거나 다를수 있으며, 각각 수소원자, 탄소수 1-10의 비치환 혹은 치환된 알킬기를 나타내고, R13및 R14는 동일하거나 다를수 있으며, 각각 수소원자, 탄소수 1-10의 비치환 혹은 치환된 알킬기, 비치환 혹은 치환된 아릴기, 퓨릴기, 피리딜기, 2-스티릴기를 나타내거나 또는 R13및 R14가 같이 -(CH2)n-(여기서 n은 4 내지 8의 양의 정수)로 표시되는 고리구조를 형성한다.] 이 감광성 수지용액을 전술한 고분자 재료층상에 도포하여 감광성 수지층을 형성하는 공정과, 감광성 수지층에 패턴노광을 행하는 공정과, 패턴 노광후의 수지층을 가열하는 공정과, 가열후의 수지층 전면에 걸쳐서 노광을 행하는 공정과, 전면 노광후의 수지층을 알칼리 수용액으로 현상하여 감광성 수지패턴을 형성하는 공정과, 이 감광성 수지층 패턴을 마스크로하여 노출된 고분자 재료층을 드라이에칭에 의해서 선택적으로 제거하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  39. 제38항에 있어서, 전술한 패턴노광을 딮 UV노광을 이용해서 행하는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  40. 제38항에 있어서, 패턴 노광후의 수지층의 가열을 60-150℃의 온도로 행하는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  41. 제38항에 있어서, 수지층의 전면 노광을 파장 450nm 이하의 광을 이용해서 행하는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  42. 기판상에 고분자 재료층을 형성하는 공정과, 페놀골격을 가진 알칼리 가용성 중합체화 하기 일반식(Ⅴ)으로 표시되는 화합물과 염기성 화합물을 함유하는 감광성 조성물을 유기용매로 용해하여 감광성 수지용액을 조제하는 공정과,
    [R19및 R20은 동일하거나 다를수 있으며, 각각 수소원자 또는 탄소수 1-10의 비치환 혹은 치환된 알킬기를 나타내거나 또는 R19와 R20이 같이 -(CH2)n-(여기서 n은 3이상의 양의 정수)로 표시되는 고리구조 혹은 그 수소원자가 알킬기로 치환된 고리구조를 나타내고, R21은 규소함유알킬기 또는 규소함유 아릴기를 나타내고 R22는 수소원자를 나타낸다.] 이 감광성 수지용액을 전술한 고분자 재료층상에 도포하여 감광성 수지층을 형성하는 공정과, 감광성 수지층에 패턴노광을 행하는 공정과, 패턴 노광후의 수지층을 가열하는 공정과, 가열후의 수지층의 전면에 걸쳐서 노광을 행하는 공정과, 전면 노광후의 수지층을 알칼리 수용액으로 현상하여 감광성 수지패턴을 형성하는 공정과, 이 감광성 수지패턴을 마스크로 하여 노출된 고분자 재료층을 드라이에칭에 의해서 선택적으로 제거하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  43. 제42항에 있어서, 전술한 패턴노광을 딮 UV광을 이용해서 행하는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  44. 제42항에 있어서, 패턴 노광후 수지층의 가열을 60-150℃의 온도로 행하는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  45. 제42항에 있어서, 수지층의 전면노광을 파장 450nm 이하의 광을 이용하여 행하는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  46. 기판상에 고분자 재료층을 형성하는 공정과, 페놀골격을 가지며 규소를 함유하는 알칼리 가용성 중합체와 하기 일반식(Ⅳ)으로 표시되는 화합물과 염기성중합체를 함유하는 감광성 조성물을 유기용매로 용해하고 감광성 수지용액을 조제하는 공정과,
    R15및 R16은 동일하거나 다를수 있으며, 각각 수소원자 또는 탄소수 1-10의 비치환 혹은 치환된 알킬기를 나타내거나 또는 R15및 R16이 -(CH2)n-(여기서 n은 3이상의 양의 정수)로 표시되는 고리구조, 혹은 수소원자가 알킬기에 의해서 치한된 고리구조를 형성하고, R17은 수소원자, 탄소수 1-10의 비치환 혹은 치환된 알킬기, 비치환 혹은 치환된 아릴기, 퓨릴기, 피리딜기, 또는 2-스티릴기를 나타내고, R18은 수소원자를 나타낸다.] 이 감광성 수지용액을 전술한 고분자 재료층상에 도포하여 감광성 수지층을 형성하는 공정과, 감광성 수지층에 패턴노광을 행하는 공정과, 패턴 노광후의 수지층을 가열하는 공정과, 가열후의 수지층의 전면에 걸쳐서 노광을 행하는 공정과, 전면 노광후의 수지층을 알칼리 수용액으로 현상하여 감광성 수지패턴을 형성하는 공정과, 이 감광성 수지패턴을 마스크하여 노출된 고분자 재료층을 드라이에칭에 의해서 선택적으로 제거하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  47. 제46항에 있어서, 전술한 패턴노광을 짚 UV광을 이용하여 행하는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  48. 제46항에 있어서, 패턴 노광후의 수지층의 가열을 60-150℃의 온도로 행하는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  49. 제46항에 있어서, 수지층의 전면노광을 파장 450nm 이하의 광을 이용해서 행하는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  50. 제1,2,4,6,8,10,12,14또는 16항중 어느 한항에 따른 감광성 조성물을 이용하여 제18항에 따른 방법에의해서 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  51. 제2,4,8,10,14또는 16항중 어느 한항에 따른 감광성 조성물을 이용하여 제20항에 따른 방법에 의해서 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  52. 제1항에 따른 감광성 조성물을 이용하여 제20항에 따른 방법에 의해서 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  53. 제 16항에 따른 감광성 조성물을 이용하여 제28항에 따른 방법에 의해서 패턴을 형성하는 것을 특지징으로 하는 반도체 장치.
  54. 제4항에 따른 감광성 조성물을 이용하여 제34항에 따른 방법에 의해서 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는반도체 장치.
  55. 제2항에 따른 감광성 조성물을 이용하여 제38항에 따른 방법에 의해서 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  56. 제8항에 따른 감광성 조성물을 이용하여 제 42항에 따른 방법에 의해서 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는반도체 장치.
  57. 제8항에 따른 감광성 조성물을 이용하여 제 46항에 따른 방법에 의해서 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는반도체 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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