KR900015295A - 박막 트랜지스터와 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

내용 없음.

Description

박막 트랜지스터와 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 박막트랜지스터의 일례를 도시한 단면도이다.

Claims (5)

  1. 액정표시 소자의 화소(pixel)를 구동시키기 위해 구동부인 소오스전극(10), 게이트전극(4), 드레인 전극(11)과 표시부인 화소전극(6)과 표시신호의 충,방전을 위한 캐패시터 전극(3) 등으로 이루어진 박막 트랜지스터에 있어서, 표시부인 상기 화소전극(6)이 Al로 이루어진 드레인 전극(11)과의 접촉성을 증대하기 위하여 고전도율의 ZnO:Al로 이루어짐을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
  2. 액정표시소자의 화소(pixel)를 구동시키기 위해 구동부인 소오스전극(10), 게이트 전극(4), 드레인 전극(11)과 표시부인 화소전극(6)과 표시신호의 충, 방전을 위한 캐패시터 전극(3)등으로 이루어진 박막 트랜지스터의 제조방법에 있어서, 상기한 화소전극(6)은 스퍼터 장치를 이용하여 소정비율의 Ar/O2분위기 하에서, ZnO에 Al물질이 미리 결정된 비율로 포함된 타겟을 스퍼터하여 형성됨을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기한 스퍼터에 의해 형성된 ZnO:Al의 화소전극(6)을 산소분위기에서 250℃~300℃의 온도로 20~50분간 열처리함을 특징으로 하는 박막트랜지스터.
  4. 제2항에 있어서, 상기한 타켓의 조정비가 ZnO:Al=99wt%:1wt% 인것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기한 ZnO:Al의 화소전극(6)이 1.2×10+3Ω.cm이하의 비저항과, 90%이상의 투과율을 가진 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조방법.
    ※참고사항:최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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