KR930020718A - 액정표시용 박막트랜지스터 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 액정표시용 박막트랜지스터 제조방법에 관한 것으로, 종래에는 오믹층 위의 투명전도막을 ITO(Indium Tin Oxide)를 사용하여 드레인, 소스전극 형성을 위한 에칭시 손상되어 제품의 성능을 저하시키는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 감안하여 투명전도막을 산화아연을 주성분으로 하여 산화알루미늄, 산화망간, 산화크롬등 산화물을 사용하여 디스플레이 판넬의 수율향상 및 높은 투과율로 제품의 성능 및 신뢰성을 향상하는 효과가 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도의 (a) 내지 (f)는 본 발명의 액정표시용 박막트랜지스터 제조공정도이다.
Claims (1)
- 기판(1)위에 선택적으로 게이트전극(2)을 형성한 후 게이트절연층(3), 반도체층(4) 및 오믹층(5)을 연속증착하고, 상기 반도체층(4)과, 오믹층(5)을 선택식각하고 투명전도막(6)을 증착한 후 소스(7), 드레인(8) 전극을 증착하여 제조하는 액정표시용 박막트랜지스터 제조방법 중 상기 투명전도막(6)은 산화아연(ZnO)을 주성분으로 하여 산화물(산화알루미늄, 산화망간, 산화크롬)을 첨가하여 제조하는 액정표시용 박막트랜지스터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Applications Claiming Priority (1)
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KR100202537B1 KR100202537B1 (ko) | 1999-06-15 |
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KR1019920004284A KR100202537B1 (ko) | 1992-03-16 | 1992-03-16 | 액정표시용 박막트랜지스터 제조방법 |
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KR (1) | KR100202537B1 (ko) |
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1992
- 1992-03-16 KR KR1019920004284A patent/KR100202537B1/ko not_active IP Right Cessation
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Publication number | Publication date |
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KR100202537B1 (ko) | 1999-06-15 |
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