KR930020718A - 액정표시용 박막트랜지스터 제조방법 - Google Patents

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KR930020718A
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정인재
강경철
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이헌조
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01L29/00Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772Field effect transistors
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Abstract

본 발명은 액정표시용 박막트랜지스터 제조방법에 관한 것으로, 종래에는 오믹층 위의 투명전도막을 ITO(Indium Tin Oxide)를 사용하여 드레인, 소스전극 형성을 위한 에칭시 손상되어 제품의 성능을 저하시키는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 감안하여 투명전도막을 산화아연을 주성분으로 하여 산화알루미늄, 산화망간, 산화크롬등 산화물을 사용하여 디스플레이 판넬의 수율향상 및 높은 투과율로 제품의 성능 및 신뢰성을 향상하는 효과가 있다.

Description

액정표싱요 박막트랜지스터 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도의 (a) 내지 (f)는 본 발명의 액정표시용 박막트랜지스터 제조공정도이다.

Claims (1)

  1. 기판(1)위에 선택적으로 게이트전극(2)을 형성한 후 게이트절연층(3), 반도체층(4) 및 오믹층(5)을 연속증착하고, 상기 반도체층(4)과, 오믹층(5)을 선택식각하고 투명전도막(6)을 증착한 후 소스(7), 드레인(8) 전극을 증착하여 제조하는 액정표시용 박막트랜지스터 제조방법 중 상기 투명전도막(6)은 산화아연(ZnO)을 주성분으로 하여 산화물(산화알루미늄, 산화망간, 산화크롬)을 첨가하여 제조하는 액정표시용 박막트랜지스터 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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