KR900006925A - 광메모리소자 - Google Patents

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KR900006925A
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도시오 이시까와
히로유끼 가다야마
가주오 반
도모유끼 미야께
주니찌로 나까야마
겐지 오다
히데요시 야마오까
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쓰지 하루오
샤프 가부시끼가이샤
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Abstract

내용 없음.

Description

광메모리소자
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 내지 제3도는, 본 발명의 한 실시예를 표시하는 것이다.
제1도는 본 발명에 관한 광메모리 소자의 요부를 표시하는 단면도.
제2도는 투명유전체 얇은막 적층체가 2층으로 이루어지는 경우 및 4층으로 이루어지는 경우의 각각에 관하여 광메모리소자 표면에서의 반사율의 파장 의존성을 표시하는 도면.
제3도는 저굴절을 유전체 얇은막의 막의 두께만을 (1)식에서 얻어지는 막의 두께로부터 어느정도 빗나가게한 경우에 있어서 투명유전체 얇은막 적층체가 4층으로 이루어지는 경우의 광메모리소자 표면에서의 반사율의 파장 의존도를 표시하는 도면.

Claims (13)

  1. 광메모리소자는 빛을 통과시키는 투명기판과, 투명기판의 광빔의 입사측에 형성되어 있음과 아울러 소자의 표면에 정전기에 의하여 먼지등이 부착하지 않는 정도의 체적고유 전기 저항을 가지는 투명 저저항층과, 기록·소거 및 재생시에 사용되는 빛은 투과하는 한편 기록·소거 및 재생시에 사용되는 이외의 파장의 빛중 가시광영역에 있는 빛의 일부는 반사하도록 상기 투명기판의 다른쪽의 면상에 적어도 한층의 광학얇은막과를 포함하는 구성으로 이루어지는 광메모리소자.
  2. 광메모리소자는 빛을 통과시키는 투명기판과, 상기 투명기판의 한쪽의 면에 형성된 기록매체와, 기록·소거 및 재생시에 사용되는 빛은 투과하는 힌편, 기록·소거 및 재생시에 사용되는 이외의 파장의 빛중 가시광영역에 있는 빛의 일부는 반사하도록 상기 투명기판의 다른쪽의 면상에 형성된 적어도 한층의 광학얇은막과를 포함하는 구성으로 이루어져 있는 광메모리소자.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서 상기 광학 얇은막은 상기 투명기판 보다 높은 굴절율을 가지는 제1얇은막과, 상기 투명기판보다 낮은 굴절율을 가지는 제2얇은막이 순차적으로 서로 교차하여 적층되어 형성되어 있는 광메모리소자.
  4. 제3항에 있어서 상기 제1얇은막 및 제2얇은막은 투명유전체 얇은막으로 이루어져 있는 광메모리소자.
  5. 제3항에 있어서, 상기 제1얇은막 및 제2얇은막은 각각 얇은막의 굴절율과 막의 두께와의 곱하기가 광빔의 반파장의 정수배(整數倍)가 되도록 형성되어 있는 광메모리소자.
  6. 제3항에 있어서 상기 제l얇은막은 ZnS로서 형성되고 상기 제2얇은막은 MgF2로서 형성되어 있는 광메모리소자.
  7. 제3항에 있어서, 상기 제1얇은막 및 제2얇은막은 Sb2, S3CdS 등의 유화물(硫化物)이나, TiO2, CeO2, WO3, SiO, Al2, O3, SiO2등의 산화물이나, CaF2, LiF, NaF 등의 불화물(弗化物)이나, SiN, AlN등의 질화물이나, PbCl2등의 염화물등의 무기계의 투명유전체중에서 상기 소정의 굴절율의 대소관계를 만족하도록 형성되어 있는 광메모리소자.
  8. 제2항에 있어서 기록·소거 및 재생시에 사용되는 빛은 투과하는 한편 기록·소거 및 재생시에 사용되는 이외의 파장의 빛중 가시광영역에 있는 빛의 일부는 반사하도록 적어도 한층의 광학 얇은막이 상부 투명기판과 상기 기록매체와의 사이에 형성되어 있는 광메모리소자.
  9. 광메모리소자는 표면의 체적고유 전기저항이 0Ω·㎝ 보다 크고 또한 1×106Ω·㎝ 이하의 투명 저저항기판과, 상기의 투명 저저항기판의 광빔의 입사측과 반대측의 면상에 형성된 기록매체와, 상기 투명 저저항기판이 형성된 기록매체의 면과 반대측의 면상에 형성된 보호층과를 포함하는 구성으로 이루어져 있는 광메모리소자.
  10. 제9항에 있어서 상기 투명 저저항기판은 투명기판과 코팅층으로 구성되어 있는 광메모리소자.
  11. 제9항에 있어서 상기 코팅층은 SnO2, In2. O3, CdO 등의 천이원소산화물로서 이루어지는 투명성 전도피막에 의하여 형성되고 그 막의 두께는 50mm∼600mm인 광메모리소자.
  12. 제9항에 있어서 상기 투명 저저항기판은 V2O3, WO3, MoO3, TiO2및 Fe2O3등의 산화물을 포함하는 전도성 유리에 의하여 형성되어 있는 광메모리소자.
  13. 제1항, 제2항 또는 제9항에 있어서 상기 기판은 폴리카보네이트 수지등의 플라수틱이나 유리등의 재질로서 형성되어 있는 광메모리소자.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019890015062A 1988-10-21 1989-10-19 광메모리소자 KR920007318B1 (ko)

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JP63-266427 1988-10-21
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JP1988157133U JPH0749626Y2 (ja) 1988-11-30 1988-11-30 光メモリ素子
JP88-157133 1988-11-30
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