JPS62257646A - 光記録媒体の製造方法 - Google Patents
光記録媒体の製造方法Info
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- JPS62257646A JPS62257646A JP9808186A JP9808186A JPS62257646A JP S62257646 A JPS62257646 A JP S62257646A JP 9808186 A JP9808186 A JP 9808186A JP 9808186 A JP9808186 A JP 9808186A JP S62257646 A JPS62257646 A JP S62257646A
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Landscapes
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
光学的双安定状態を示す光記録媒体の記録および消去速
度を高めるために下地膜を熱処理する。
度を高めるために下地膜を熱処理する。
本発明は光記録媒体の製造方法に係り、より詳しく述べ
ると下地膜を熱処理して記録、消去の速度を高める方法
に関する。光記録媒体はこれからのコンピューター用大
容量外部メモリーとして期待されているが、高速度での
使用を可能とするためには高い記録（消去）感度、特に
記録（消去）速度が要求される。
ると下地膜を熱処理して記録、消去の速度を高める方法
に関する。光記録媒体はこれからのコンピューター用大
容量外部メモリーとして期待されているが、高速度での
使用を可能とするためには高い記録（消去）感度、特に
記録（消去）速度が要求される。
出願人は、パワーおよび照射時間の異なる光パルスを照
射して結晶相関で光学的に異なる安定状態を示す光記録
媒体を先に出願した（特願昭５９−２５５６７３号他）
。また、これらの光記録媒体の下地膜として特定の酸化
物や硫化物などが優れていることについても先に出願し
た。
射して結晶相関で光学的に異なる安定状態を示す光記録
媒体を先に出願した（特願昭５９−２５５６７３号他）
。また、これらの光記録媒体の下地膜として特定の酸化
物や硫化物などが優れていることについても先に出願し
た。
このような光記録媒体を製造するに当っては、真空成膜
装置内で基板上に下地膜、記録膜、保護膜の順に成膜し
ていたが、その際、下地膜と記録膜の界面に関して特別
の処理は行なっていなかった。
装置内で基板上に下地膜、記録膜、保護膜の順に成膜し
ていたが、その際、下地膜と記録膜の界面に関して特別
の処理は行なっていなかった。
上記のようにして作成した光記録媒体は、下地膜と記録
膜の界面の微妙な凹凸や不純物、被膜などの影響により
、記録膜中の原子の移動に抑制がかかり、記録（消去）
の速度を低下する原因になっていた。
膜の界面の微妙な凹凸や不純物、被膜などの影響により
、記録膜中の原子の移動に抑制がかかり、記録（消去）
の速度を低下する原因になっていた。
本発明は、上記問題点を解決するために、条件の異なる
光パルスを照射することにより光学的に異なる安定状態
を示す光記録媒体の製造において、基板上に透明誘電体
からなる下地膜を形成した後、下地膜を６０〜２００℃
の範囲内の温度で５〜２００分間熱処理し、然る後下地
膜上に光記録膜を形成することを特徴とする光記録媒体
の製造方法を提供する。
光パルスを照射することにより光学的に異なる安定状態
を示す光記録媒体の製造において、基板上に透明誘電体
からなる下地膜を形成した後、下地膜を６０〜２００℃
の範囲内の温度で５〜２００分間熱処理し、然る後下地
膜上に光記録膜を形成することを特徴とする光記録媒体
の製造方法を提供する。
条件の異なる光パルスを照射することにより光学的に異
なる安定状態を示す光記録媒体の記録材料としては、Ｉ
ｎ＋−ｘ ５ｂＸ（０，５−≦−ｘ＜０．８） 、Ｉｎ
、−８Ｂｉｘ（０，１−≦−ｘ ＜ ０．７ ） 、Ｉ
ｎ１−、 Ａｓ、 （０，２＜ ｘ−≦−０，８）、Ｇ
ａｐ−、ＳｂＸ （０，４＜ ｘ ＜ ０．９）、Ｇａ
、−、Ｂｉ。
なる安定状態を示す光記録媒体の記録材料としては、Ｉ
ｎ＋−ｘ ５ｂＸ（０，５−≦−ｘ＜０．８） 、Ｉｎ
、−８Ｂｉｘ（０，１−≦−ｘ ＜ ０．７ ） 、Ｉ
ｎ１−、 Ａｓ、 （０，２＜ ｘ−≦−０，８）、Ｇ
ａｐ−、ＳｂＸ （０，４＜ ｘ ＜ ０．９）、Ｇａ
、−、Ｂｉ。
（０，４＜ ｘ ＜０．９）、あるいはこれらにＳｅ、
Ｇｅ、 Ｓｉ。
Ｇｅ、 Ｓｉ。
Ａ７！、 Ｓ、 Ａｇ、 Ｐ、 Ｓｎ、 Ｚｎ、 Ｐｂ
、 Ｔｅのうちの１種類または２種以上を０〜２０原子
％添加した合金を例示することができる。
、 Ｔｅのうちの１種類または２種以上を０〜２０原子
％添加した合金を例示することができる。
基板上に形成する記録膜の下地膜の材料は透明誘電体が
用いられ、高屈折率の材料が好ましいが、そのような材
料としてＣｅ０ｚ 、 Ｓｎｕｇ 、 ＴｉＯ２、Ｚｎ
Ｓ 。
用いられ、高屈折率の材料が好ましいが、そのような材
料としてＣｅ０ｚ 、 Ｓｎｕｇ 、 ＴｉＯ２、Ｚｎ
Ｓ 。
ＩｎＯ２、Ｔｈ０２ 、 ＭｇＯ、Ｇｅ０ｚを例示する
ことができる。
ことができる。
このような高屈折率透明誘電体材料は一般にスパッタ法
あるいは蒸着法などの真空成脱法で成膜される。
あるいは蒸着法などの真空成脱法で成膜される。
本発明に従えば、こうして下地膜が成膜された後、記録
膜が形成される前に、下地膜を６０〜２００℃の範囲内
の温度で５〜２００分間加熱処理する。
膜が形成される前に、下地膜を６０〜２００℃の範囲内
の温度で５〜２００分間加熱処理する。
この加熱処理は真空中あるいは不活性雰囲気中で行なう
ことが望ましい。
ことが望ましい。
こうして下地膜を加熱処理した後、下地膜上に記録膜を
成膜し、さらにその上に保護膜を形成する。
成膜し、さらにその上に保護膜を形成する。
このように、本発明の方法に従って、記録膜を成膜する
に先立って下地膜を熱処理すると、記録膜の記録（消去
）の速度が改良される。その理由は、必ずしも明らかで
はないが、下地膜を加熱処理することによって下地膜の
表面から下地膜を構成する物質が揮散して、表面の凹凸
が平滑化し、また表面被膜が除去され、膜中の不純物が
除去されて、記録膜中の原子あるいは分子の移動を限外
する要因が減少し、その結果記録（消去）の速度が改善
されるものと考えられる。というのは、相変態により光
記録を行なう光記録材料、特に先に例示した記録材料で
は記録膜を構成する原子あるいは分子が膜中を移動して
相変化を生じ、情報を記録するからである。
に先立って下地膜を熱処理すると、記録膜の記録（消去
）の速度が改良される。その理由は、必ずしも明らかで
はないが、下地膜を加熱処理することによって下地膜の
表面から下地膜を構成する物質が揮散して、表面の凹凸
が平滑化し、また表面被膜が除去され、膜中の不純物が
除去されて、記録膜中の原子あるいは分子の移動を限外
する要因が減少し、その結果記録（消去）の速度が改善
されるものと考えられる。というのは、相変態により光
記録を行なう光記録材料、特に先に例示した記録材料で
は記録膜を構成する原子あるいは分子が膜中を移動して
相変化を生じ、情報を記録するからである。
第１図に本発明の実施例の光ディスクを示す。
同図中、１はガラス基板、２はＺｎＳ下地膜、３はＴｎ
ｏ、 ？旧。、３記録膜、４はＺｎＳ保護膜である。本
発明ではＺｎＳ下地膜２を成膜後加熱処理する。
ｏ、 ？旧。、３記録膜、４はＺｎＳ保護膜である。本
発明ではＺｎＳ下地膜２を成膜後加熱処理する。
第２図は本発明を実施するための蒸着装置である。同図
中、１１はペルジャー、１２は基板、１３はＩｎｏ、
、Ｂｉｏ、 ３蒸着源、１４はＺｎＳ蒸着源、１５は赤
外線ヒーターである。ペルジャー１１内は真空排気され
、基板１２は回転する。基板１２に先ずＺｎＳ下地膜を
例えば８０ｎｍ蒸着した後、赤外線ヒーター１５でＺｎ
５Ｔ地膜を１４０℃に３０分間加熱する。その後、Ｉｎ
６．７Ｂｉｏ、３記録膜を３０ｎｍ、次にＺｎＯ保護膜
を５０ｎｍ蒸着する。
中、１１はペルジャー、１２は基板、１３はＩｎｏ、
、Ｂｉｏ、 ３蒸着源、１４はＺｎＳ蒸着源、１５は赤
外線ヒーターである。ペルジャー１１内は真空排気され
、基板１２は回転する。基板１２に先ずＺｎＳ下地膜を
例えば８０ｎｍ蒸着した後、赤外線ヒーター１５でＺｎ
５Ｔ地膜を１４０℃に３０分間加熱する。その後、Ｉｎ
６．７Ｂｉｏ、３記録膜を３０ｎｍ、次にＺｎＯ保護膜
を５０ｎｍ蒸着する。
この光ディスクにレーザー光（λ＝ ８３０ｎｍ ）を
用い、記録パワーを１０１とし照射時間を変えて記録を
行ない、そして反射率変化を測定し、その結果から照射
時間に関して反射率変化が飽和したときのレーザー光照
射時間をもって記録感度（記録速度）とし、光ディスク
の感度を測定した。また、消去は５ｍＷのパワーで行な
った。その結果をＺｎＳ下地膜の変化に関してまとめた
グラフを第３図に示す。なお、第３図には、比較のため
に、実施例と同じであるが下地膜の加熱処理をしなかっ
た光ディスクの記録感度をあわせて示した。
用い、記録パワーを１０１とし照射時間を変えて記録を
行ない、そして反射率変化を測定し、その結果から照射
時間に関して反射率変化が飽和したときのレーザー光照
射時間をもって記録感度（記録速度）とし、光ディスク
の感度を測定した。また、消去は５ｍＷのパワーで行な
った。その結果をＺｎＳ下地膜の変化に関してまとめた
グラフを第３図に示す。なお、第３図には、比較のため
に、実施例と同じであるが下地膜の加熱処理をしなかっ
た光ディスクの記録感度をあわせて示した。
第３図から、下地膜を加熱処理することによって記録感
度が向上する（記録速度が速くなる）ことが認められる
。なお、第３図において感度曲線が波打っているのは膜
厚の変化に伴なう干渉効果のためである。
度が向上する（記録速度が速くなる）ことが認められる
。なお、第３図において感度曲線が波打っているのは膜
厚の変化に伴なう干渉効果のためである。
本発明によれば、下地膜と記録膜の界面が平滑化され、
記録膜中原子の移動の抑制が緩和されることから、記録
・消去の際の原子の移動速度が増し、光記録媒体の感度
（記録速度）が向上する。
記録膜中原子の移動の抑制が緩和されることから、記録
・消去の際の原子の移動速度が増し、光記録媒体の感度
（記録速度）が向上する。
第１図は本発明の実施例の光ディスクの側断面図、第２
図は蒸着装置の模式側断面図、第３図は光ディスクの感
度の下地膜厚に関するグラフ図である。 １・・・ガラス基板、 ２・・・ＺｎＳ下地膜
、３− Ｉｎｏ、 ？ Ｂｉｏ、 ｘ記録膜、４−Ｚｎ
Ｓ保護膜、１１・・・ペルジャー、 １２・・・
基板、１３−１ｎＢｉ蒸着源、 １４− ＺｎＳ
蒸着源、１５・・・赤外線ヒーター。 光ディスク 第１図 １・・一基板 ２・−・下地膜 ３−・記録膜 ４・・−保護膜 蒸着装置 第２図
図は蒸着装置の模式側断面図、第３図は光ディスクの感
度の下地膜厚に関するグラフ図である。 １・・・ガラス基板、 ２・・・ＺｎＳ下地膜
、３− Ｉｎｏ、 ？ Ｂｉｏ、 ｘ記録膜、４−Ｚｎ
Ｓ保護膜、１１・・・ペルジャー、 １２・・・
基板、１３−１ｎＢｉ蒸着源、 １４− ＺｎＳ
蒸着源、１５・・・赤外線ヒーター。 光ディスク 第１図 １・・一基板 ２・−・下地膜 ３−・記録膜 ４・・−保護膜 蒸着装置 第２図
Claims (1)
- １、条件の異なる光パルスを照射することにより光学的
に異なる安定状態を示す光記録媒体の製造において、基
板上に透明誘電体からなる下地膜を形成した後、該下地
膜を６０〜２００℃の範囲内の温度で５〜２００分間熱
処理し、然る後該下地膜上に光記録膜を形成することを
特徴とする光記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9808186A JPS62257646A (ja) | 1986-04-30 | 1986-04-30 | 光記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9808186A JPS62257646A (ja) | 1986-04-30 | 1986-04-30 | 光記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62257646A true JPS62257646A (ja) | 1987-11-10 |
Family
ID=14210394
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9808186A Pending JPS62257646A (ja) | 1986-04-30 | 1986-04-30 | 光記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62257646A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5214636A (en) * | 1988-10-21 | 1993-05-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical recording element having a plurality of thin film filtering layers and optical recording element having an electrically conductive layer |
-
1986
- 1986-04-30 JP JP9808186A patent/JPS62257646A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5214636A (en) * | 1988-10-21 | 1993-05-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical recording element having a plurality of thin film filtering layers and optical recording element having an electrically conductive layer |
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