JPS59124046A - 高密度情報記憶デイスク製盤用圧鋳型 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は耐傷性に優れた高密度情報記憶ディスク製盤
用圧鋳型に関する。

〔発明の技術的背景とその問題点〕

静電容量方式ビデオディスク等の高密度情報記憶ディス
クを製造するには、まず、フォトレジストを塗布したガ
ラス原盤（ニレーザービームを照射して記録信号、（ラ
ンキング信号を凹凸形状で記録し原盤を形成する。

この原盤からニッケルメッキまたは銅メッキによってマ
スター、マザー、スタツフ＜−１１１１ｆｉ次作成する
。そしてスタンパ−を圧鋳型として塩化ビニール系適材
に導電性カーボンブラック粒子を分散させた媒体を加圧
成形して静電容量方式ビデオディスク等の高密度情報記
憶ディスクを製造するようにしている。

ところで、１記導電性力−ボンブラツク粒子には研磨性
粒子が含有されているため、前記スタンパ・−を用いて
加圧成形を行なうと、該研磨性粒子によりスタンパ−表
面に恒久的な傷が生じ、この傷が次の高密度情報記憶デ
ィスクＬに転写され、再生中に不都合な電子的欠陥を生
ずるという問題がある。この問題を解決するために通常
は、スタンパ−表面に０．１〔μｍ　３　ＪＵ下の厚さ
の硬質クロムメッキを施し、該表面の硬度を１昇させる
ようにしている。しかしながら金属クロムは通常の腐食
作用を有する試薬に対して強い抵抗力を示す一方、Ｈ（
、＃あるいは希Ｈ２ＳＯ４のような非酸化性の酸には容
易に溶解するという性質を有する。を記のような化学的
性質を持つ金属クロムを表面層に設けたスタンパ−で塩
化ビニールを基材とする媒体を加圧成形する際には、成
形時１′−発生するガス；二より金属クロムが汚染され
るという危険性がある。また硬質クロムメッキを０．１
〔μｍ〕程度の厚さでスタンパ−表面に被着させると、
部分的にシミ状のメツキネ阜箇所が現われるという問題
がある。

〔発明の目的〕

この発明は、を記欠点を解決もしくは改良するために成
されたもので、高密度情報記憶ディスク製造に用いる圧
鋳型表面の凹凸形状が、母型表面の凹凸形状な著しく崩
すことなく転写し、しかもその表面硬度が大な高密度情
報記憶ディスク製盤用圧鋳型を提供することを目的とす
るものである。

〔発明の概要〕 この発明は、転写により圧鋳型を製造するに際し、王鋳
型表面を金属酸化物薄膜にて被覆したものである。

〔発明の効果〕

本発明によれば、表面硬度の低いニッケルもしくは銅の
田鋳型表面に均一に硬質膜を形成することができるため
、表面硬度を大きくした王鋳型を製造できる。このため
静電容量方式ビデオディスクのスタンパ−の製造に本発
明な応用した場合、成形用組成物中に含有される研磨性
粒子による掻傷の発生な低下させることが可能となる。

またＳｎＯ，、ＴＩＯ，、ＺｒＯ，いずれも酸、アルカ
リ、成形用組成物中の安定剤等の添加剤に対する抵抗力
が大きいため、これらによる汚染を受けにくい、さらに
８ｎＯ，。

Ｔ　ｉ　Ｏ，、Ｚ　ｒ　Ｏ，いずれも湿式メッキよりも
膜厚制御の行ないやすい、真空蒸着法、スパッタリング
法、あるいはＣＶＤ法により形成することができるため
、膜厚分布を均一にし、しがも湿式メッキの場合よりも
ゴミ等の異物の混入を抑えることができ、極めて実用性
が高い。加えて８ｎＯ，、Ｔｉｅ、、ＺｒＯ，と０１＝
、電導性薄膜であるため、加圧成形時に静電気の影響に
よる空気中に存在するチリ、ゴミの田鋳型表面への付着
を防ぐことも容易である。

〔発明の実施例〕

以下、本発明な実施例により詳細に説明する。

〈実施例１＞ ニッケルメッキ層から成るスタンパ−の表面を電解脱脂
、水洗、イソプロピルアルコールによる水置換、フロン
超音波洗浄、フロン蒸気洗浄を順次行なうことにより前
洗浄した。次いで上記前洗浄を経たニッケルスタンパ−
を、８　ｎ　Ｏ，ターゲットに対して自公転する基板保
持治具を備えた２極ＲＦスパツタリング装置の基板保持
治具に装着した後、脱ガスおよび表面汚染除去のため数
分間イオンボンバード馨行なった。前記イオンボンバー
ド終了後、２００〜２５０〔＾／ｍ１ｎ）ノ、ｉ１度で
Ｓ　ｎ　Ｏ，を第１表の条件下でスパッタリングしてニ
ッケルスタンパ−表面に被着させた。

第　　　１　　　表 〈実施例２〉 上記実施例１と全く同じ前挽浄を施したニッケルスタン
パ−を真空蒸着装置内の自公転治具に装着し、数分間イ
オンボンバード処理を行なった後、第２表の条件の下で
６０〔＾／　ｓｅｃ　）の速度でチタンを該ニッケルス
タンパ−表面へ真空蒸着により被着させた。

第　　　２　　　表 以りの処理でチタンを被着したスタンパ−を１０　〜１
０　　（’ｌ’ｏｒｒ）の空気中に設＆した後、この状
態でａ、ｃ１２（ＫＶ）、２０分間の条件下グロー放電
を起こさせ、チタンを強制酸化させて゛ｒｉｏ、組成な
有する被膜をニッケルスタンパ−表面に形成させた。

〈実施例３＞ 実施例１，２と同じ方法で前洗浄したニッケルスタンパ
−を数分間イオンボンバードした後、ヌタンパーをジル
コニウム蒸発源に対して自公転させながら第３表の条件
の下で、ジルコニウムをニッケルスタンパ−表面へエレ
クトロンビーム真空蒸着法により被着させた。

第　　　３　　　表 このようにして被着したジルコニウムな、実施例２と同
条件で強制酸化させてＺｒ（Ｊ！組成の導電性被覆とし
た。

く比較例１〉 マザーの転写面に重クロム酸カリウム０．１〔チ〕浴液
による剥離皮膜処理？施し、この面に対してスルファミ
ン酸ニッケル４５０Ｃ／−／Ｉ　）、臭化ニッケル６Ｃ
！？／Ａ〕、ホウ酸３０Ｃ／−／Ａ、］、界面活性剤０
．５〔）／！〕の組成からなるニッケルメッキ浴中でニ
ッケルメッキを行ない′電録層を形成した後、これをマ
ザーより剥離してスタンパ−とした。

く比較例２＞ 比較例１で得たスタンパ−を下記組成のメッキ浴中で温
度５０（’Ｃ’）、電流密度３０（Ａ／ｄｍ）の条件で
、クロムメッキを行ない圧鋳型な得た。

クロムメッキ浴組成 実施例１，２，３、比較例１．２で街られた田鋳型を用
いて、塩ビ酢ビ共重合体１００重量部、ジブチルスズラ
ウレート４重量部およびカーボンブラック２０ｆｔｉｔ
部より成る記録媒体を加印成形して静電容量型のビデオ
ディスクを得た。

そのときのスタンパ−ライフ及び、このようにして得た
静電容量型ビデオディスクの水平同期信号ＣＮＲ，ドロ
ップアウトｔトータルタイムを、硬質膜の厚さと併せて
第４表に示す。

第４表 第４表よりスタンパ−表面に！ｌｉｌ！負膜を設けた場
合には、スタンパ−ライフが硬質膜な形成しないものよ
りも２倍以１にのびることが認められる。また永゛平同
期信号ＣＮＲは母型の凹凸形状を正確に転写している比
較例１が最高の値を示しているが、同じよう喀二硬質膜
を形成していても１本発明（＝よる実施例七二沿つ”（
１＋１！質膜を形成した場合の方が、硬質クロムメッキ
；二よって硬質膜を形成したときよりも水平開３υｊ信
号ＣＮＲは低下しない。この現象は、本発明者が考える
に真空蒸着やスパッタリングでは、湿式クロムメッキの
ようにスタンパ−表面の凹凸形状のエツジ部分へ集中的
に硬質膜が被着する傾向が小さいため、該凹凸形状を著
しく崩すことが少ないことによるものと思われる。さら
にドロップアウト、トータルタイムについては硬質クロ
ムメッキを施したスタンバ−で加圧成形したディスクの
場合に、極端に大きな値となっており、実施例１，２．
３は、いずれもニッケルメッキ層のみの場合と遜色ない
結果となっている。これは、硬質クロムメッキ時にはシ
ミが発生しドロップアウトの原因となるビットの欠落が
発生しやすいのに対し、本発明の実施例の方法では均一
（二膜形成ができるためである。

なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく種
々変形して、実施することが可能である。

例えば、金属酸化物薄膜の形成方法としては、真空蒸着
法、スパッタリング法以外にもＣＶＤ等の方法も適用で
きる。

また、金属酸化物薄膜の構成は本発明の実施例のよう４
ニ一層である必要はなく、８ｎＯ，。

ＴｉＯ，、ＺｒＯ，の群から選んだ多層構造でも良い。

第１頁の続き ０発　明　者　岸本泰− 川崎市幸区小向東芝町１番地東 京芝浦電気株式会社総合研究所

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）　　表面が金属酸化物薄膜にて、被覆されてなる
   ことを特徴とする高密度情報記憶ディスク製盤用圧鋳型
   。
2. （２）　　金属酸化物薄膜としてＳ　ｎ　Ｏ，、１’　
   ｉ０２゜Ｚ　ｒ　Ｏ，の群から選ばれた少なくとも一つ
   な用いることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
   高密度情報記１意デイスク製盤用ＦＥ鋳型。