KR890015356A - 반도체 물질 웨이퍼 처리 적층성장 반응로 - Google Patents

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Abstract

내용 없음

Description

반도체 물질 웨이퍼 처리 적층성장 반응로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 본 발명에 따른 반응로(제 2 도의 라인 AA를 따라 자른)의 1/2 측면도. 제 2 도는 대략 제 1 도의 1/2스케일로 감소시킨 오픈 카바를 가진 동일한 반응로의 평면도. 제 3 도는 반응로의 부분 평면도.

Claims (11)

  1. 다수의 디스크를 축둘레의 운동으로 회전시키고 부가로 이들을 이들 자체의 둘레로 회전시키기 위한 수단과 성장동안 웨이퍼를 이송하는 디스크를 포함하는 지지대와 함께 제공된, 이들을 반응로 가스 흐름에 노출시키므로서 다수의 반도체 물지의 웨이퍼를 처리하기 위한 적층 성장 반응로에 있어서, 성장동안 반응로 가스가 상기 웨이퍼와 접촉하는 용기가 상기 지지대를 거의 둘러싸는 수직축을 가진 원통형 부재에 의하여 형성되며, 평평한 카바 및 플레이트에 의하여 형성된 바닥이 이러한 원통형 지지대의 최하부 및 최상부 섹션으로 시일되는 것을 특징으로 하는 적층 성장 반응로.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 반응로 가스용 개구가, 주디스크 중앙에 대향되는 카바 중앙내에 위치되는 것을 특징으로 하는 적층 성장 반응로.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 중앙개구는, 상기 반응로 가스를 도입하고, 플레어 부가 하향으로 대면하는 다수의 동심 굴뚝을 경유하여 용기속으로 배출되는 것을 특징으로 하는 적층 성장 반응로.
  4. 제 3 항에 있어서, 원통형 그리드가 이것을 경유하여 대형 굴뚝이 용기속으로 발산되는 환형 스페이스내에 설치되는 것을 특징으로 하는 적층 성장 반응로.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 그리드는 이것의 원통형 단면에 접선방향으로 연장되는 리브에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 적층 성장 반응로.
  6. 제 3 항 내지 제 5 항중 어느 한 항에 있어서, 가장 외측으로 설치된 두개의 환형 가스 유입구 스페이스를 서로 분리시키는 원추형 벽의 하부가 평평하고 수평인 림에 의하여 연장되어 있는 것을 특징으로 하는 적층 성장 반응로.
  7. 제 3 항 내지 제 6 항중 어느 한 항에 있어서, 부품 Ⅲ-Ⅴ의 적층 성장을 위해서, 상기 챤넬 굴뚝이 부품 Ⅴ를 도입하는데 사용되며 또한 외부 굴뚝은 부품 Ⅲ을 도입하는데 사용되는 것을 특징으로 하는 적층 성장 반응로.
  8. 제 3 항 내지 제 7 항중 어느 한 항에 있어서, 상기 카바는 수정 디스크이며 또한 이것은 외측부와 가장 인접 설치된 굴뚝과 전체로서 일체로 형성되는 것을 특징으로 하는 적층 성장 반응로.
  9. 상술된 항중 어느 한 항에 있어서, 상기 지지대는, 원통형 용기 내측에서, 이것의 원주를 따라 균일하게 분포된 개구와 함께 제공된 수정링으로 제조된 림과 함께, 직접 둘러싸이며, 이것의 외측부에서 환형가스 순환 스페이스가 형성되는 것을 특징으로 하는 적층 성장 반응로.
  10. 상술된 항중 어느 한 항에 있어서, 상기 카바는, 반응로의 로딩/언로딩용 카바의 이송을 가능하게 하는 수단으로 잭크 시스템에 의하여 원통형 부재상에 위치되는 것을 특징으로 하는 적층 성장 반응로.
  11. 상술된 항중 어느 한 항에 있어서, 바닥 플레이트가 수정으로 제조되고 또한 하부-레드 방사원이 상기 바닥 플레이트 아래에 설치되는 것을 특징으로 하는 적층 성장 반응로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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