JP2835338B2 - エピタキシアル成長反応器 - Google Patents
エピタキシアル成長反応器Info
- Publication number
- JP2835338B2 JP2835338B2 JP1067763A JP6776389A JP2835338B2 JP 2835338 B2 JP2835338 B2 JP 2835338B2 JP 1067763 A JP1067763 A JP 1067763A JP 6776389 A JP6776389 A JP 6776389A JP 2835338 B2 JP2835338 B2 JP 2835338B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- growth reactor
- epitaxial growth
- lid
- reactor according
- cylindrical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/12—Substrate holders or susceptors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/14—Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the reactive gases
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
応ガス流にさらすことによりこれらウェファを処理する
エピタキシアル成長反応器であって、遊星支持体、すな
わち複数のディスクを軸線を中心に公転させるとともに
自転させる手段を有する支持体を具え、各ディスクは成
長処理中ウェファを載置するようになっているエピタキ
シアル成長反応器に関するものである。
支持体はフランス国特許第FR−A−2596070号明細書に
開示されており、このフランス国特許明細書には支持体
と、ディスクと、これらディスクを回転せしめる手段と
が詳細に説明されている。
寸法は大きく、反応器の容器がこれに対応した寸法を必
要とするという問題を取扱っていない。通常、石英より
成る円筒状或いは方形の管をエピタキシアル反応器とし
て用いており、この反応器は、その軸線が水平となるよ
う配置され、これに反応ガス流が導入され、このガスが
管の壁部に平行に伝播する。このようにすることによ
り、均質な反応ガス層流が得られ、これにより均一幅の
堆積体を得ることができるという利点が生じる。
体の場合、装置を収容するのに適切な寸法の石英管は極
めて高価となる。更に、石英管の端部を経てウェファを
ローディング(装填)したりアンローディングしたりす
るのが容易でなく、封止部材を除去するのに機械的手段
を必要とする。
層廉価な容器を有する反応器を提供するものである。ま
た本発明は、容器を開放することなく数個のウェファを
同時に処理するとともに、堆積体の幅を適切に均一にす
るものである。
応ガス流にさらすことによりこれらウェファを処理する
エピタキシアル成長反応器であって、遊星支持体、すな
わち複数のディスクを軸線を中心に公転させるとともに
自転させる手段を有する支持体を具え、各ディスクは成
長処理中ウェファを載置するようになっているエピタキ
シアル成長反応容器において、成長処理中反応ガスがウ
ェファと接触するようにする容器が、前記遊星支持体を
殆ど囲み垂直軸線を有する円筒状部材を以って構成さ
れ、プレートより成る底部と、中央部分を除いて平坦な
蓋とが前記円筒状部材の上側区分と、下側区分とに封着
されるようになっていることを特徴とする。
おり、この反応器は多数のウェファを同時に処理する遊
星支持体を有していないが、容器を開放することなく且
つ極めて高価な石英管を用いることなく複数のウェファ
を処理することができる。この反応器では、主ディスク
のみを用いてウェファを保持しており、この主ディスク
はエピタキシアル成長中静止しており、ウェファを反応
ガス流に当てる空間に運んだりウェファをこの空間から
取出したりする際にこの主ディスクが移動せしめられ
る。ウェファを順次に処理される為、処理サイクルは長
くなる。更に上記の米国特許明細書には得られる堆積体
の幅をできるだけ良好に均一にする(このことは本発明
により解決する技術的問題の1つである)手段は極めて
不充分にしか開示されていない。本発明によれば、反応
ガスの為の孔が主ディスクの中央に対向して蓋の中央に
位置しているようにすることよりウェファの表面の全幅
に亘る堆積幅を極めて均一にすることができる。
やすい数種類のガスを導入する必要がある。この場合は
例えばアルシンとトリエチルインジウムとを導入する場
合である。これらは予め混合してはならず、容器内に同
時にしかし別々に導入する必要がある。この目的の為
に、前記の孔は反応ガスを導入する為のものである、フ
レア部分が下方に向いた複数の同心状のファンネル部を
介して前記の容器内に入り込んでいるようにする。
部に向って径方向に移動する際に著しく急速に混合しな
いようにする。この著しい急速な混合はウェファを自転
させるにもかかわらず容器の中心に粒状で多量の有害な
堆積体を生ぜしめる。更に、最大のファンネル部が容器
内に入り込んでいる環状空間中に円筒状のグリッドを配
置するのが有利である。このグリッドには例えばこのグ
リッドの円筒状の横断面で接線方向に延在するリブが形
成されているようにする。更に側方に位置し2つの環状
のガス入口空間を互いに分離する円錐壁の下側部分をほ
ぼ平坦で水平なリングまで延在させるのが有利である。
これらのすべての素子が協同してウェファ表面全体に亘
る堆積体の均一性を更に改善する。更に、反応器をいわ
ゆるIII−V族化合物を堆積するのに用いる場合、中央
のファンネル部がV族化合物を導入するのに用いられ、
外側のファンネル部がIII族化合物を導入するのに用い
られるようにする。この特徴は前述した特徴と相俟っ
て、V族化合物を含有するガスの量をフェファの表面上
の他の組成よりも常に多くするようにすることができ
る。
は、前記の遊星支持体は円筒状の容器の内側で石英リン
グで囲まれており、このリングにはその周辺に沿って均
一に分布されている孔があけられており、このリングの
外側に環状のガス循環空間が形成されるようにする。
べき半導体ウェファのローディング及びアンローディン
グが容易になることである。反応器は下から開けること
ができ、従ってウェファ支持体に直接アクセスすること
ができる。この利点は最大限に利用し、容器の開放を更
に迅速にする為には、蓋を周辺のボルトの組により固着
させずに、反応器にウェファをローディングしたりアン
ローディングしたりする為に蓋を除去しうるようにする
ジャッキシステムにより円筒状部材上に配置する。
反応器のほぼ半分のみを示してある。図示していない部
分は第2図に示してある構成素子から容易に理解しうる
であろう。
るグラファイト固定支持ディスク5より成っており、そ
の上側部分はくぼんでキュベットを形成している。直径
が約25cmでガスベット(ガス床)上で浮動しつつ回転す
る主ディスク4がこのキュベット内に配置され、この主
ディスクは複数個の副ディスク3を有し、これら副ディ
スクもガスベット上で浮動しつつ回転する。これら副デ
ィスクの各々の上には半導体ウェファ或いは半導体スラ
イス1が載せられる。第1図の断面には含まれていない
為に端部のみを13で示しているガス送給管は浮動用のガ
ス(水素より成る)を主ディスク4の下側に送給する。
他のガス送給管16は、回転する主ディスク4の内側に位
置するパイプ15の一端に向って固定支持ディスク5の中
央で終端し、このパイプ15は副ディスク3の下側で終端
している。
設けられ、これら溝によりガスの回転力を生ぜしめ、こ
れにより支持されたディスクを回転せしめる。各回転デ
ィスクの下側には、ガスを集めて下側のディスク5の方
向に送給する溝(図示せず)が設けられている。この点
は前述したフランス国特許第A−2596070号明細書に詳
細に説明されている。
配置し各副ディスクが7.62cmの直径の半導体ウェファ1
を載置しうるような寸法とするか、或いは7個の副ディ
スクを配置し各副ディスクが5.08cmの直径を有する半導
体ウェファを載置しうるような寸法とする。副ディスク
の厚さは約5mmとし、主ディスクの厚さは約12mmとし、
これらディスクが固定支持ディスク5と相俟った全体の
厚さが約28mmとなるようにする。これらすべてのディス
ク3,4,5はグラファイトから造る。
筒状部材19と、後に説明するようにこれにハーメチック
封止される蓋8及び底部7とを以って構成されている。
この円筒状部材19は、加熱される空間や反応ガスの必要
容積を最大限に制御する程度にすきまなくディスク4及
び5を包囲する。この円筒状部材19の高さはグラファイ
トより成るウェファ支持システム3,4,5の上側に反応ガ
スを通過させるのに適した高さの空間2を残すように選
択する。この空間ではウェファが反応ガスと接触する。
管12より成るコイルに水を循環させることにより冷却さ
れる。この円筒状部材はステンレス鋼から造る。この円
筒状部材19にはその内周に沿って内側溝42を形成し、こ
の内側溝はこの円筒状部材の内面全体を覆う円筒状石英
壁18によって封止する。この内側溝42内には管41(第2
図)を経て水素を送給する。この水素は円筒状部材19と
円筒状石英壁18との間の空隙を通って漏れ出て容器内に
入り込み、これにより反応生成物がこの空隙に入り込む
のを阻止し、これにより円筒状部材19を汚染するのを阻
止する。ウェファ支持システムに対する浮動用ガスは、
円筒状部材19及び円筒状石英壁18を貫通して固定支持デ
ィスク5内に入り込んでいる管21を経て送給する。
英板を以って構成する。ハーメチック封止は2つのOリ
ング44によって達成するものであり、これらOリング間
に溝43を形成し、この溝を排気する。
7上に配置し、これらグラファイト片により浮動用ガス
を排気する空間を形成する。更に、孔が固定支持ディス
ク5の下側面の方向で下方に向き14で終端している管に
より水素を上記の空間に注入し、反応ガスがこの固定支
持ディスクに達しないようにするとともに堆積体がこの
固定支持ディスクに形成されないようにする。
ンプ38′が配置されており、これらランプにより赤外線
放射を放出せしめ、この赤外線放射が底部7を通過し、
ウェファ支持システムを加熱する。複数個のランプを用
いることにより、ディスク5の中央から側部に熱が完全
に均一に得られるようにする為にこれらランプの相対エ
ネルギーを調節しうるようにする。
ており、このディスクはOリング20上に配置され、これ
らOリング間には下側の部分における溝43に類似するよ
うに溝33が形成されている。このディスク8はほぼ平坦
である。すなわちこのディスクはファンネル部28を成形
するために立上った中間点を除いて平坦である。このフ
ァンネル部内には管38を経てガスを送給しうる。ファン
ネル部28内には2つの他の同心的な空間26及び27が設け
られており、これらの下部はフレヤ端が下方に向いたフ
ァンネル形状をしている。これら空間26及び27は管36及
び37をそれぞれ経てガス源と連結される。3つの同心フ
ァンネル部のこの組は石英から成っており、外側のファ
ンネル部は蓋8と一体を成している。空間26及び27の下
側部は主ディスク4の上側ほぼ2mmに位置する。内側の
管36は例えば水素に予め希釈した砒素AsH3を送給し、外
側の管38は水素に希釈した有機−金属物質の混合体を送
給しうる。
でないということを無くす為に、ファンネル部28が容器
内に入り込んでいる環状空間内に円筒状グリッド48を配
置する。この円筒状グリッドを別に第3図に平面図に示
してある。この第3図の右側にはグリッドの一片を側面
図で示してある。このグリッド48は、平坦なモリブデン
細条にU字状の切口をレーザにより形成し、その各々が
舌片47を形成したものから構成する。この細条材料を丸
めて円筒体を形成すると、舌片は49で示すように平坦な
ままに保たれ、得られた円筒体の断面で接線方向に延在
する。これら舌片は円筒体に対しほぼ接線方向の流出方
向をガスに与えるリブ49を構成する。各リブはその前の
リブから流出する新たなガスにより内側で洗われるとい
う事実の為に、汚れのある堆積が生じない。
する円錐壁の下側部分は、ほぼ平坦で水平なリム45,56
(第3図をも参照のこと)まで延在している。このリム
はモリブデンより成っており、装着を容易にする為に2
部分45及び46より成っている。このリムは例えば既知の
いかなる手段によってもグリッド48に固着することがで
きる。第1図のこのリム45,46を見た際に注意すべきこ
とは、空間28を出るガス流と空間26,27を出るガス流と
をこのリムにより分離し、こられの互いの混合を遅延さ
せ、それらの流出方向を水平にし、乱流を無くすように
することである。
ル壁部の石英縁部より成る平坦な部分を以って構成する
こともできる。
品9により抑える。この金属部品と蓋8との間には空間
34を形成し、この空間には蓋の温度を制御する為に管1
0,11を介してガスを充填しうるようにし、そのハーメチ
ック封止はOリング22,23,24を用いて行なう。金属部品
9に対して幾分摺動しうる環状片25の目的は、石英蓋が
装着中に破壊するのを防止することにある。金属部品9
は、例えば管12に類似する水パイプとするか或いは金属
部品に形成され水が充填される中空路とすることのでき
る手段(図示せず)により冷却させる。
クセスする為に持上げ得るようにする。このアセンブリ
を円筒状部材19上に載せたりこの円筒状部材から持上げ
たりする為のシステムを設けるも、図面を簡単とする為
にこのシステムは図示していない。このシステムは既知
のいかなる機械的手段を以っても容易に実現しうる。ま
た金属部品9には、垂直の管を囲んで摺動し従って垂直
方向に移動運動するボールスリーブを設けることができ
る。この運動は1つ或いは複数個の水圧ジャッキにより
制御する。
ウェファ支持体を石英リング17で囲み、この石英リング
にはこの場合垂直スリット40の形態の孔をこの石英リン
グの周囲に沿って等間隔にあける。このリング17とリン
グ(円筒状石英壁)18との間には環状空間があり、この
空間内で2つの直径的に対向する管29が終端しており
(第2図参照)、これらの管を経て反応ガスを流出せし
めることができる。
を貫通する種々の管の配置を示している。すなわち浮動
用のガスをグラファイトより成る固定支持ディスク5中
に送給する管21と、14で終端しウェファ支持アセンブリ
の下方にガスを送給する管31と、13で終端し主ディスク
の浮動用ガスを送給する管30と、ウェファ支持体の固定
部分中に設けられ副ディスクに対するガスを送給する中
空のガス送給管16と、環状の内側溝42内にガスを送給す
る管41と、反応ガス流出管29と、端部が封止されてお
り、ウェファ支持体の固定部分内に侵入しており、温度
を測定する熱電対を挿入する管37′とがある。第2図に
示す主ディスクは、直径が7.62mmの5つの副ディスク3
を有する。
えば正方形にすることもでき、このようにしても外側の
リング(円筒状石英壁)18が設けられていればガス流の
性質は変化しない。
線上を断面として示す縦断面図、 第2図は、第1図の反応器を、蓋を取外した状態で第1
図の約半分の大きさに縮小して示す平面図、 第3図は、第1図の反応器の一部を示す平面図てある。 3……副ディスク 4……主ディスク 5……固定支持ディスク 6……グラファイト片 7……底部 8……蓋 9……金属部品 10,11,12,21,29,30,31,36,37,37′,38,41……管 13,14,16……ガス送給路(ガス送給管) 17……石英リング 18……円筒状石英壁 19……円筒状部材 20,22,23,24,44……Oリング 25……環状片 26,27,34……空間 28……ファンネル部 33,43……溝 40……垂直スリット 42……内側溝 45……リム 47……舌片 48……円筒状グリッド
Claims (11)
- 【請求項1】半導体材料より成る複数個のウェファを反
応ガス流にさらすことによりこれらウェファを処理する
エピタキシアル成長反応器であって、遊星支持体、すな
わち複数のディスクを軸線を中心に公転させるとともに
自転させる手段を有する支持体を具え、各ディスクは成
長処理中ウェファを載置するようになっているエピタキ
シアル成長反応器において、成長処理中反応ガスがウェ
ファと接触するようにする容器が、前記遊星支持体を殆
ど囲み垂直軸線を有する円筒状部材を以って構成され、
プレートより成る底部と、中央部分を除いて平坦な蓋と
が前記円筒状部材の上側区分と、下側区分とに封着され
るようになっていることを特徴とするエピタキシアル成
長反応器。 - 【請求項2】請求項1に記載のエピタキシアル成長反応
器において、反応ガスの為の孔が前記遊星支持体の中央
に対向して蓋の中央に位置しており、この遊星支持体が
その中央を取囲む前記複数のディスクを支持するように
なっていることを特徴とするエピタキシアル成長反応
器。 - 【請求項3】請求項2に記載のエピタキシアル成長反応
器において、前記孔は反応ガスを導入する為のものであ
り、フレア部分が下方に向いた複数の同心状のファンネ
ル部を介して前記の容器内に入り込んでいることを特徴
とするエピタキシアル成長反応器。 - 【請求項4】請求項3に記載のエピタキシアル成長反応
器において、最大のファンネル部が容器内に入り込んで
いる環状空間内に円筒状グリッドが設けられていること
を特徴とするエピタキシアル成長反応器。 - 【請求項5】請求項4に記載のエピタキシアル成長反応
器において、前記円筒状グリッドにはその円筒横断面に
対し接線的に延在するリブが形成されていることを特徴
とするエピタキシアル成長反応器。 - 【請求項6】請求項3〜5のいずれか一項に記載のエピ
タキシアル成長反応器において、最も外側に位置する2
つの環状のガス入口空間を互いに分離する円錐壁の下側
部分が、ほぼ平坦で水平のリムまで延在していることを
特徴とするエピタキシアル成長反応器。 - 【請求項7】III−V族化合物をエピタキシアル成長さ
せる為の請求項3〜6のいずれか一項に記載のエピタキ
シアル成長反応器において、中央のファンネル部がV族
化合物を導入するのに用いられ、外側のファンネル部が
III族化合物を導入するのに用いられるようになってい
ることを特徴とするエピタキシアル成長反応器。 - 【請求項8】請求項3〜7のいずれか一項に記載のエピ
タキシアル成長反応器において、前記蓋が石英ディスク
であり、この石英ディスクが最も外側に位置しているフ
ァンネル部と一体を成していることを特徴とするエピタ
キシアル成長反応器。 - 【請求項9】請求項1〜8のいずれか一項に記載のエピ
タキシアル成長反応器において、前記遊星支持体は円筒
状の容器の内側で石英リングで囲まれており、この石英
リングにはその周辺に沿って均一に分布されている孔が
あけられており、この石英リングの外側に環状のガス循
環空間が形成されていることを特徴とするエピタキシア
ル成長反応器。 - 【請求項10】請求項1〜9のいずれか一項に記載のエ
ピタキシアル成長反応器において、前記蓋は、これを持
ち上げて反応器のローディング及びアンローディングを
行ないうるようにするジャッキシステムにより円筒状部
材上に配置されるようになっていることを特徴とするエ
ピタキシアル成長反応器。 - 【請求項11】請求項1〜10のいずれか一項に記載のエ
ピタキシアル成長反応器において、前記底部のプレート
を石英を以って構成し、このプレートの下側に赤外線放
射源が配置されていることを特徴とするエピタキシアル
成長反応器。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR8803688 | 1988-03-22 | ||
FR8803688A FR2628984B1 (fr) | 1988-03-22 | 1988-03-22 | Reacteur d'epitaxie a planetaire |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01278497A JPH01278497A (ja) | 1989-11-08 |
JP2835338B2 true JP2835338B2 (ja) | 1998-12-14 |
Family
ID=9364491
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1067763A Expired - Lifetime JP2835338B2 (ja) | 1988-03-22 | 1989-03-22 | エピタキシアル成長反応器 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4961399A (ja) |
EP (1) | EP0334433B1 (ja) |
JP (1) | JP2835338B2 (ja) |
KR (1) | KR0137876B1 (ja) |
DE (1) | DE68908927T2 (ja) |
FR (1) | FR2628984B1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10930492B2 (en) | 2015-09-11 | 2021-02-23 | Showa Denko K.K. | Method for producing SiC epitaxial wafer and apparatus for producing SiC epitaxial wafer |
Families Citing this family (52)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5106453A (en) * | 1990-01-29 | 1992-04-21 | At&T Bell Laboratories | MOCVD method and apparatus |
US5275686A (en) * | 1991-09-25 | 1994-01-04 | University Of New Mexico | Radial epitaxial reactor for multiple wafer growth |
US5226383A (en) * | 1992-03-12 | 1993-07-13 | Bell Communications Research, Inc. | Gas foil rotating substrate holder |
JPH06310438A (ja) * | 1993-04-22 | 1994-11-04 | Mitsubishi Electric Corp | 化合物半導体気相成長用基板ホルダおよび化合物半導体気相成長装置 |
US6090211A (en) * | 1996-03-27 | 2000-07-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Apparatus and method for forming semiconductor thin layer |
US5866204A (en) | 1996-07-23 | 1999-02-02 | The Governors Of The University Of Alberta | Method of depositing shadow sculpted thin films |
US5747113A (en) * | 1996-07-29 | 1998-05-05 | Tsai; Charles Su-Chang | Method of chemical vapor deposition for producing layer variation by planetary susceptor rotation |
US5788777A (en) * | 1997-03-06 | 1998-08-04 | Burk, Jr.; Albert A. | Susceptor for an epitaxial growth factor |
US5888303A (en) * | 1997-04-07 | 1999-03-30 | R.E. Dixon Inc. | Gas inlet apparatus and method for chemical vapor deposition reactors |
US6206065B1 (en) | 1997-07-30 | 2001-03-27 | The Governors Of The University Of Alberta | Glancing angle deposition of thin films |
US6080241A (en) * | 1998-09-02 | 2000-06-27 | Emcore Corporation | Chemical vapor deposition chamber having an adjustable flow flange |
IT1312150B1 (it) * | 1999-03-25 | 2002-04-09 | Lpe Spa | Perfezionata camera di reazione per reattore epitassiale |
DE60013838T2 (de) | 1999-07-13 | 2005-02-10 | Aixtron Ag | Abdichtungsmittel und dessen verwendung in abscheidungsreaktor |
DE60003850T2 (de) * | 1999-12-22 | 2004-03-11 | Aixtron Ag | Cvd reaktor und prozesskammer dafür |
US6325855B1 (en) | 2000-08-09 | 2001-12-04 | Itt Manufacturing Enterprises, Inc. | Gas collector for epitaxial reactors |
US6666920B1 (en) * | 2000-08-09 | 2003-12-23 | Itt Manufacturing Enterprises, Inc. | Gas collector for providing an even flow of gasses through a reaction chamber of an epitaxial reactor |
DE10043601A1 (de) * | 2000-09-01 | 2002-03-14 | Aixtron Ag | Vorrichtung und Verfahren zum Abscheiden insbesondere kristalliner Schichten auf insbesondere kristallinen Substraten |
DE10043599A1 (de) * | 2000-09-01 | 2002-03-14 | Aixtron Ag | Vorrichtung zum Abscheiden insbesondere kristalliner Schichten auf einem oder mehreren insbesondere ebenfalls kristalliner Substraten |
DE10064944A1 (de) * | 2000-09-22 | 2002-04-11 | Aixtron Ag | Verfahren zum Abscheiden von insbesondere kristallinen Schichten, Gaseinlassorgan sowie Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
AU2001283944A1 (en) | 2000-09-22 | 2002-04-02 | Aixtron Ag | Gas inlet mechanism for cvd-method and device |
DE10064941A1 (de) * | 2000-09-22 | 2002-04-11 | Aixtron Ag | Gaseinlassorgan |
US7797966B2 (en) * | 2000-12-29 | 2010-09-21 | Single Crystal Technologies, Inc. | Hot substrate deposition of fused silica |
US6569250B2 (en) | 2001-01-08 | 2003-05-27 | Cree, Inc. | Gas-driven rotation apparatus and method for forming silicon carbide layers |
CN1271678C (zh) * | 2001-05-18 | 2006-08-23 | 马特森热力产品有限责任公司 | 搬运装置 |
DE10156441A1 (de) * | 2001-05-18 | 2002-11-21 | Mattson Thermal Products Gmbh | Vorrichtung zur Aufnahme von scheibenförmigen Objekten und Vorrichtung zur Handhabung von Objekten |
US6896738B2 (en) * | 2001-10-30 | 2005-05-24 | Cree, Inc. | Induction heating devices and methods for controllably heating an article |
US6797069B2 (en) * | 2002-04-08 | 2004-09-28 | Cree, Inc. | Gas driven planetary rotation apparatus and methods for forming silicon carbide layers |
US7166168B1 (en) | 2002-10-18 | 2007-01-23 | Carl Zeiss Smt Ag | Substrate-coating system and an associated substrate-heating method |
US20050011459A1 (en) * | 2003-07-15 | 2005-01-20 | Heng Liu | Chemical vapor deposition reactor |
US20050178336A1 (en) * | 2003-07-15 | 2005-08-18 | Heng Liu | Chemical vapor deposition reactor having multiple inlets |
DE102004009130A1 (de) * | 2004-02-25 | 2005-09-15 | Aixtron Ag | Einlasssystem für einen MOCVD-Reaktor |
GB2469225B (en) * | 2005-02-23 | 2011-02-16 | Bridgelux Inc | Chemical vapor deposition reactor having multiple inlets |
US8628622B2 (en) * | 2005-09-12 | 2014-01-14 | Cree, Inc. | Gas driven rotation apparatus and method for forming crystalline layers |
US8052794B2 (en) * | 2005-09-12 | 2011-11-08 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Directed reagents to improve material uniformity |
US8004740B2 (en) * | 2006-11-09 | 2011-08-23 | International Business Machines Corporation | Device and system for reflective digital light processing (DLP) |
US8216419B2 (en) * | 2008-03-28 | 2012-07-10 | Bridgelux, Inc. | Drilled CVD shower head |
US20090096349A1 (en) * | 2007-04-26 | 2009-04-16 | Moshtagh Vahid S | Cross flow cvd reactor |
US8440259B2 (en) * | 2007-09-05 | 2013-05-14 | Intermolecular, Inc. | Vapor based combinatorial processing |
JP2011500961A (ja) | 2007-10-11 | 2011-01-06 | バレンス プロセス イクウィップメント,インコーポレイテッド | 化学気相成長反応器 |
US8668775B2 (en) * | 2007-10-31 | 2014-03-11 | Toshiba Techno Center Inc. | Machine CVD shower head |
KR101046068B1 (ko) * | 2008-11-27 | 2011-07-01 | 삼성엘이디 주식회사 | 화학 기상 증착 장치용 서셉터 및 이를 구비하는 화학 기상증착 장치 |
DE102010000554A1 (de) | 2009-03-16 | 2010-09-30 | Aixtron Ag | MOCVD-Reaktor mit einer örtlich verschieden an ein Wärmeableitorgan angekoppelten Deckenplatte |
DE102009025971A1 (de) * | 2009-06-15 | 2010-12-16 | Aixtron Ag | Verfahren zum Einrichten eines Epitaxie-Reaktors |
WO2011044412A1 (en) | 2009-10-09 | 2011-04-14 | Cree, Inc. | Multi-rotation epitaxial growth apparatus and reactors incorporating same |
JP2012080025A (ja) * | 2010-10-06 | 2012-04-19 | Toshiba Corp | 半導体成長装置 |
DE102011002145B4 (de) | 2011-04-18 | 2023-02-09 | Aixtron Se | Vorrichtung und Verfahren zum großflächigen Abscheiden von Halbleiterschichten mit gasgetrennter HCI-Einspeisung |
DE102011002146B4 (de) | 2011-04-18 | 2023-03-09 | Aixtron Se | Vorrichtung und Verfahren zum Abscheiden von Halbleiterschichten mit HCI-Zugabe zur Unterdrückung parasitären Wachstums |
US20130171350A1 (en) * | 2011-12-29 | 2013-07-04 | Intermolecular Inc. | High Throughput Processing Using Metal Organic Chemical Vapor Deposition |
US9388494B2 (en) | 2012-06-25 | 2016-07-12 | Novellus Systems, Inc. | Suppression of parasitic deposition in a substrate processing system by suppressing precursor flow and plasma outside of substrate region |
JP5337902B2 (ja) * | 2012-09-14 | 2013-11-06 | 大陽日酸株式会社 | 気相成長装置及び方法 |
US9399228B2 (en) * | 2013-02-06 | 2016-07-26 | Novellus Systems, Inc. | Method and apparatus for purging and plasma suppression in a process chamber |
US9758868B1 (en) | 2016-03-10 | 2017-09-12 | Lam Research Corporation | Plasma suppression behind a showerhead through the use of increased pressure |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR1363449A (fr) * | 1962-05-17 | 1964-06-12 | Motorola Inc | Procédé pour former des pellicules minces d'oxyde |
US3721210A (en) * | 1971-04-19 | 1973-03-20 | Texas Instruments Inc | Low volume deposition reactor |
US4047496A (en) * | 1974-05-31 | 1977-09-13 | Applied Materials, Inc. | Epitaxial radiation heated reactor |
JPS5649518A (en) * | 1979-09-28 | 1981-05-06 | Hitachi Ltd | Wafer treating desk |
JPS6027691A (ja) * | 1983-07-25 | 1985-02-12 | Ulvac Corp | InPやInとPを含む化合物半導体の気相エピタキシャル成長用化学反応装置 |
JPS6074509A (ja) * | 1983-09-30 | 1985-04-26 | Hitachi Ltd | 常圧cvd装置 |
JPS6186498A (ja) * | 1984-10-05 | 1986-05-01 | Toshiba Mach Co Ltd | 気相成長装置 |
FR2596070A1 (fr) * | 1986-03-21 | 1987-09-25 | Labo Electronique Physique | Dispositif comprenant un suscepteur plan tournant parallelement a un plan de reference autour d'un axe perpendiculaire a ce plan |
JPS62228478A (ja) * | 1986-03-31 | 1987-10-07 | Canon Inc | 堆積膜形成装置 |
JPS62238365A (ja) * | 1986-04-08 | 1987-10-19 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | Cvd薄膜形成装置 |
-
1988
- 1988-03-22 FR FR8803688A patent/FR2628984B1/fr not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-03-14 US US07/323,468 patent/US4961399A/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-03-16 EP EP89200665A patent/EP0334433B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1989-03-16 DE DE89200665T patent/DE68908927T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-03-21 KR KR1019890003484A patent/KR0137876B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1989-03-22 JP JP1067763A patent/JP2835338B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10930492B2 (en) | 2015-09-11 | 2021-02-23 | Showa Denko K.K. | Method for producing SiC epitaxial wafer and apparatus for producing SiC epitaxial wafer |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0334433B1 (fr) | 1993-09-08 |
JPH01278497A (ja) | 1989-11-08 |
FR2628984A1 (fr) | 1989-09-29 |
EP0334433A1 (fr) | 1989-09-27 |
US4961399A (en) | 1990-10-09 |
KR890015356A (ko) | 1989-10-30 |
FR2628984B1 (fr) | 1990-12-28 |
KR0137876B1 (ko) | 1998-08-17 |
DE68908927D1 (de) | 1993-10-14 |
DE68908927T2 (de) | 1994-03-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2835338B2 (ja) | エピタキシアル成長反応器 | |
US8088225B2 (en) | Substrate support system for reduced autodoping and backside deposition | |
US4649859A (en) | Reactor design for uniform chemical vapor deposition-grown films without substrate rotation | |
KR100722592B1 (ko) | 화학 기상 증착 반응기 | |
JP7136945B2 (ja) | エピタキシャル成長装置用のチャンバ構成要素 | |
KR0137875B1 (ko) | 에피텍셜 성장반응로 | |
US4854266A (en) | Cross-flow diffusion furnace | |
KR101354107B1 (ko) | 서셉터 홀더가 부유식으로 장착된 cvd 반응기 | |
US5855687A (en) | Substrate support shield in wafer processing reactors | |
US4421786A (en) | Chemical vapor deposition reactor for silicon epitaxial processes | |
US3796182A (en) | Susceptor structure for chemical vapor deposition reactor | |
KR100216740B1 (ko) | 처리장치 | |
US20090280248A1 (en) | Porous substrate holder with thinned portions | |
WO1988007096A3 (fr) | Installation d'application de couches epitaxiales | |
JPH04505347A (ja) | 制御された放射エネルギによる加熱及び反応ガス流分布機能を備えた反応室 | |
GB2181458A (en) | Apparatus and method for an axially symmetric chemical vapor deposition reactor | |
JPS6256232B2 (ja) | ||
US3806360A (en) | Methods for heating and/or coating articles | |
US5044315A (en) | Apparatus for improving the reactant gas flow in a reaction chamber | |
US5054420A (en) | Use of a particulate packed bed at the inlet of a vertical tube MOCVD reactor to achieve desired gas flow characteristics | |
US3589953A (en) | Vapor diffusion system for semiconductors | |
US4348981A (en) | Vertical type vapor-phase growth apparatus | |
JP2537563Y2 (ja) | 縦型減圧気相成長装置 | |
JPS60113921A (ja) | 気相反応方法および装置 | |
JPH0794424A (ja) | 半導体製造装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081009 Year of fee payment: 10 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081009 Year of fee payment: 10 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091009 Year of fee payment: 11 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091009 Year of fee payment: 11 |