KR890013707A - 선택적 에피탁시를 이용한 표면반사 거울면의 제조방법 - Google Patents

선택적 에피탁시를 이용한 표면반사 거울면의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR890013707A
KR890013707A KR1019880001420A KR880001420A KR890013707A KR 890013707 A KR890013707 A KR 890013707A KR 1019880001420 A KR1019880001420 A KR 1019880001420A KR 880001420 A KR880001420 A KR 880001420A KR 890013707 A KR890013707 A KR 890013707A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
mask
stripe
width
selective epitaxy
length
Prior art date
Application number
KR1019880001420A
Other languages
English (en)
Other versions
KR910004055B1 (ko
Inventor
송재경
Original Assignee
강진구
삼성반도체통신 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 강진구, 삼성반도체통신 주식회사 filed Critical 강진구
Priority to KR1019880001420A priority Critical patent/KR910004055B1/ko
Publication of KR890013707A publication Critical patent/KR890013707A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR910004055B1 publication Critical patent/KR910004055B1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/20Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

선택적 에피탁시르 이용한 표면반사 거울면의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도의 (가) 및 (나)도는 마스크 패턴의 일예도,
제2도는 성장된 에피탁시의 단면도.

Claims (2)

  1. 길이(L1), 너비(W1)의 스트라입과 각(θi)을 갖고 길이(L2) 및 너비(W2)인 스트라입과 길이(L3), 너비(W2)인 스트라입을 갖는 마스크(1)를 사용하여 선택적 에피탁시 마스크 막(3)이 증착된 기판(2) 위에 포토리소그라피 공정에 의하여 패턴을 형성한 후 마스크 막(3)을 식각하고 마스크 창(10)을 하며, 이를 에피탁시 공정에 의한 선택적 에피탁시의 성장 면적에 따른 성장 속도차를 이용하여 에피탁시층(5)을 성장함으로써 거울면을 얻음을 특징으로 하는 선택적 에피탁시를 이용한 표면반사 거울면의 제조방법.
  2. 1항에 있어서 마스크(1)를 길이(L1), 너비(W1)의 스트라입과 길이(L2) 및 너비(W2)인 계단형 스트라입과 길이(L3), 너비(W3)인 스트라입을 갖는 마스크(1')로 사용함을 특징으로 한 선택적 에피탁시를 이용한 표면 반사 거울면의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019880001420A 1988-02-13 1988-02-13 선택적 에피탁시를 이용한 표면 반사거울면의 제조방법 KR910004055B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019880001420A KR910004055B1 (ko) 1988-02-13 1988-02-13 선택적 에피탁시를 이용한 표면 반사거울면의 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019880001420A KR910004055B1 (ko) 1988-02-13 1988-02-13 선택적 에피탁시를 이용한 표면 반사거울면의 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR890013707A true KR890013707A (ko) 1989-09-25
KR910004055B1 KR910004055B1 (ko) 1991-06-22

Family

ID=19272166

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019880001420A KR910004055B1 (ko) 1988-02-13 1988-02-13 선택적 에피탁시를 이용한 표면 반사거울면의 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR910004055B1 (ko)

Also Published As

Publication number Publication date
KR910004055B1 (ko) 1991-06-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0352471A3 (en) Method of planarising semiconductor devices
EP0385388A3 (en) Ridge-waveguide semiconductor laser
KR890013707A (ko) 선택적 에피탁시를 이용한 표면반사 거울면의 제조방법
JPS5493378A (en) Manufacture for semiconductor device
KR950010206A (ko) 레이저 다이오드의 제조방법
KR910020949A (ko) 표면 발광 엘이디의 제조방법
KR880008479A (ko) 반도체레이저장치의 제조방법
KR970022176A (ko) CBr₄개스를 이용한 반도체 패턴 측면의 에피성장율 조절방법
JPS54107354A (en) Semiconductor multilayer thin film optical guide and production of the same
KR930005162A (ko) 반도체 장치의 패턴형성 공정
JPS5636182A (en) Light emission semiconductor device
KR930003473A (ko) 반도체 레이저의 제조방법
KR930003474A (ko) 반도체 레이저의 제조방법
KR910019298A (ko) 매립형 이종구조(buried heterostructure) 레이저 다이오드 제조방법
KR920020799A (ko) 반도체 레이저 다이오드의 제조방법
JPS6449216A (en) Semiconductor crystal growth
KR880005294A (ko) 갈륨비소 단결정층 성장방법
JPH0264605A (ja) 光導波路の製造方法
KR940008176A (ko) 분포 귀환형 레이저 다이오드의 제조방법 및 구조
KR910010784A (ko) Btrs 레이저 제조방법
KR910007077A (ko) 실리콘 마스크를 이용한 성장층 구조가 다른 에피층의 제조방법
JPS6482525A (en) Manufacture of semiconductor device
KR970017974A (ko) 화합물 반도체의 결정 성장방법
JPS57160186A (en) Manufacture of semiconductor laser
JPS6419731A (en) Manufacture of semiconductor device

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
N231 Notification of change of applicant
E902 Notification of reason for refusal
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20020507

Year of fee payment: 12

LAPS Lapse due to unpaid annual fee