KR930005162A - 반도체 장치의 패턴형성 공정 - Google Patents
반도체 장치의 패턴형성 공정 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 (a)-(i)는 본 발명의 1실시예에 따른 반도체 장치의 제조공정도이다.
Claims (3)
- GaAs기판상에 제1에피텍셜층을 성장시킨 후 액티브 영역의 상기 제1에피택셜층 상에 마스크를 형성하는 공정과, 노출된 부분의 상기 제1에피택셜층상에 제2에피택셜층을 상기 마스크의 양쪽 가장자리에서 부터 점점 가까워지게 하여 소정의 간격이 되도록 성장시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 패넌 형성 공정.
- 제1항에 있어서, 상기 제2에피택셜 성장은 역메사 형상으로 성장됨을 특징으로 하는 반도체장치의 패넌 형성 공정.
- 제1항에 있어서, 상기 소정의 간격이 H일때 상기 마스크의 간격을 D, 상기 마스크와 상기 제2에피텍셜층이 이루는 각도를 θ라고 하면 H=D-2T cosθ가 되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 패턴 형성 공정.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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| KR1019910014347A KR0179015B1 (ko) | 1991-08-20 | 1991-08-20 | 반도체 장치의 패턴형성 공정 |
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| KR0179015B1 KR0179015B1 (ko) | 1999-04-15 |
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1991
- 1991-08-20 KR KR1019910014347A patent/KR0179015B1/ko not_active IP Right Cessation
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| KR0179015B1 (ko) | 1999-04-15 |
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