KR900005615A - 보톰콜렉터를 이용한 바이폴러 반도체소자 및 그 제조방법 - Google Patents

보톰콜렉터를 이용한 바이폴러 반도체소자 및 그 제조방법

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KR900005615A
KR900005615A KR1019880012278A KR880012278A KR900005615A KR 900005615 A KR900005615 A KR 900005615A KR 1019880012278 A KR1019880012278 A KR 1019880012278A KR 880012278 A KR880012278 A KR 880012278A KR 900005615 A KR900005615 A KR 900005615A
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KR
South Korea
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collector
semiconductor device
bipolar semiconductor
bottom collector
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KR1019880012278A
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Inventor
박철홍
Original Assignee
최근선
주식회사 금성사
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내용 없음

Description

보톰콜렉터를 이용한 바이폴러 반도체소자 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 일반적인 반도체소자의 일단면도.
제2도는 디프콜렉터를 이용한 종래의 반도체소자 제조공정도.
제3도는 본 발명의 반도체소자 제조공정도.

Claims (2)

  1. 기판(10)에 매몰층(15)을 형성하고, 에피택셜 성장시켜 분리영역(14)을 만든 후 에미터영역(11), 베이스영역(12) 및 콜렉터영역(13)을 만드는 바이폴러 반도체소자에 있어서, 상기 매몰층(15)의 일측에 보톰콜렉터(36)를 형성하여 이 보톰콜렉터(36)가 상기 콜렉터영역(13)과 접촉하게 제조한 것을 특징으로 하는 보톰콜렉터를 이용한 바이폴러 반도체 소자.
  2. 기판(10)에 매몰층(15)형성시 이 매몰층(15)일측에 보톰콜렉터(36)를 만든후 에피택셜 성장시켜 분리영역(14)을 만들며, 에미터영역(11), 베이스영역(12) 및 상기 보톰콜렉터(36)에 접촉되는 콜렉터영역(13)을 만드는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 한 보톰콜렉터를 이용한 바이폴러 반도체소자의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임
KR1019880012278A 1988-09-22 1988-09-22 보톰콜렉터를 이용한 바이폴러 반도체소자 및 그 제조방법 KR900005615A (ko)

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