KR890010917A - 낮은 첨두전류로 작동하는 반도체 메모리 - Google Patents

낮은 첨두전류로 작동하는 반도체 메모리 Download PDF

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KR890010917A
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KR1019880017631A
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히로노리 아까마스
쓰요시 사라가사와
쥰꼬 마쓰마시
Original Assignee
다니이 아끼오
마쓰시다 덴끼 산교오 가부시기가이샤
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Abstract

내용 없음

Description

낮은 첨두전류로 작동하는 반도체 메모리
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 제1실시예의 반도체 메모리를 도시한 블록도.
제2도는 제1도중 센스증폭기(senes amplifier)에 대한 회로도.
제3A도는 제1도중 센스증폭기 제어회로와 컬럼디코더(column decoder)에
대한 회로도.

Claims (8)

  1. 세로 어드레스신호를 선택하기 위해서 제1조의 라인중 하나와 가로 어드레스신호를 선택하기 위해서 제2조의 라인중 하나에 접속되는 각각의 메모리셀들과; 어드레스 신호들과 하나의 스위칭신호에 응답하여 세로어드레스 선택신호와 스위칭제어신호를 발생시키는 디코더와; 상기 세러어드레스 선택신호에 응답하여 센스증폭기 구동신호들을 발생시키는 센스증폭기 구동제어회로 수단들과; 센스 증폭기 구동신호와 세로 어드레스신호에 응답하여 센스증폭기 구동신호에 따라서 세로 어드레스신호를 증폭시키는 센스증폭기회로 수단들과; 증폭된 센스증폭기 구동신호와 상기 스위칭 제어신호에 응답하여 증폭된 센스증폭기 구동신호를 데이터라인에 출력하는 스위칭 소자들로 구성되는 것을 특징으로 하는 낮은 첨두 전류로 작동하는 반도체 메모리.
  2. 제1항에 있어서, 디코더는 각각 세로어드레스 선택신호와 NAND 게이트를 구비하는 다수의 세로어드레스제어회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 낮은 첨두 전류로 작동하는 반도체 메모리.
  3. 제1항에 있어서, 센스증폭기 구동제어 회로수단들은 센스 증폭기 구동신호는 센스증폭기회로 수단에 인가하기 의한 2개의 MOS 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 낮은 첨두 전류로 작동하는 반도체 메모리.
  4. 제1항에 있어서, 센스증폭기 회로수단들은 센스증폭시 구동신호에 응답하여 세로 어드레스신호를 증폭시키려는 목적으로 4개의 MOS트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 낮은 첨두 전류로 작동하는 반도체 메모리.
  5. 제1항에 있어서, 센스증폭기 구동신호들은 센스증폭기 구동제어회로수단들로부터 제1조의 라인들에 병렬로 설치된 센스증폭기 구동신호 라인들을 경유하여 센스증폭기 회로 수단들에 보내지는 것을 특징으로 하는 낮은 첨두전류로 작동하는 반도체 메모리.
  6. 각각 세로어드레스신호를 선택하기 위해 제1조 라인들 중 하나와 가로 어드레신호를 선택하기 위해 제2조의 라인들 중 하나에 접속되는 메모리셀들과; 어드레스 신호들과 스위칭신호에 응답하여 세로어드레스 선택신호와 스위칭 제어신호를 발생시키는 디코더 수단들과; 상기 세로어드레스 선택신호에 응답하여 센스증폭기 구동신호들을 발생시키는 센스 증폭기 구동제어회로 수단들과; 센스증폭기 구동제어회로 수단들로부터 상기 제1조의 라인들과 병렬로 설치된 센스증폭기 구동신호라인을 경유하여 보내진 센스증폭기 구동신호들과 세로어드레신호에 응답하여 센서증폭기 구동신호에 따라 세로어드레스신호를 증폭시키는 센스 증폭기 회로수단과; 증폭된 센스 구동신호들과 스위칭제어신호에 응답하여 증폭된 센스증폭기 구동신호들을 데이터라인들로 출력하는 스위칭소자로 구성되는 것을 특징으로 하는 낮은 첨두전류로 작동하는 반도체 메모리.
  7. 각각 세로 어드레스신호를 선택하기 위해 제1조의 라인 들중 하나와 가로 어드레스 신호를 선택하기 위해 제2조의 리인들중 하나에 접속되는 메모셀들과; 어드레스신호들과 스위칭신호에 응답하여 세로어드레스 선택신호와 스위칭 제어신호를 발생시키는 디코더와; 상기 세로 어드레스 선택신호에 응답하여 센스 증폭기 구동신호를 출력하고 센스 증폭기 제어신호에 응답하여 센스증폭기 구동제어신호를 출력함으로서 상기 메모리셀내의 데이터를 안정시키는 센스증폭기 구동제어회로수단과; 센스증폭기 구동신호와, 세로어드레스신호에 응답하여 센스증폭기 구동신호에 따라 세로 어드레스신호를 증폭시키는 센스증폭기 회로수단들과; 증폭된 센스증폭기 구동신호들과 스위칭제어신호에 응답하여 증폭된 센스증폭기 구동신호들을 데이터 라인들로 출력하는 스위칭소자들로 구성되는 것을 특징으로 하는 낮은 첨두전류로 작동하는 반도체 메모리.
  8. 세로 어드레스신호를 선택하기 위해 제1조의 라인들중 하나와 가로 어드레스 신호를 선택하기 위해 제2조의 라인들중 하나에 각각 접속되는 메모리 셀들과, 어드레스신호들과 스위칭신호에 응답하여 세로어드레스 선택신호와 스위칭 제어신호를 발생시키는 디코더들과, 세로어드레스선택신호에 응답하여 센스증폭기 구동신호들을 출력하고 센스 증폭기 제어신호에 응답하여 센스증폭기 구동제어신호를 출력함으로서 메모리셀내의 데이터를 안정시키는 센스증폭기 구동제어회로수단들과 , 센스증폭기 구동신호들과 세로어드레신호에 응답하여 센스증폭구동신호들에 따라 세로어드레스 신호를 증폭 시키는 센스증폭기 회로수단들과, 증폭된 센스증폭기 구동신호들과 스위칭 제어신호에 응답하여 증폭된 센스 증폭기 구동신호들을 데이터라인들에 출력하는 스위칭소자들을 포함하는 다수의 메모리 블록들과; 가로 어드레스 신호에 응답하여 어드레스 신호들과 블록선택신호를 출력하는 가로 프리디코더와; 블록선택신호에 응답하여 상기 메모리블록들중 하나를 결정하는 블록선택 회로수단으로 구성되는 것을 특징으로 하는 낮은 첨두 전류로 작동하는 반도체 메모리.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019880017631A 1987-12-28 1988-12-28 낮은 첨두전류로 작동하는 반도체 메모리 KR890010917A (ko)

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JP33201187 1987-12-28

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