KR890008827A - 다이나믹 메모리 - Google Patents

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KR890008827A
KR890008827A KR1019880014069A KR880014069A KR890008827A KR 890008827 A KR890008827 A KR 890008827A KR 1019880014069 A KR1019880014069 A KR 1019880014069A KR 880014069 A KR880014069 A KR 880014069A KR 890008827 A KR890008827 A KR 890008827A
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KR
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bit
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line group
dynamic memory
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KR1019880014069A
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Inventor
마꼬또 와따나베
Original Assignee
오오가 노리오
소니 가부시끼 가이샤
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Publication date
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    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

다이나믹 메모리
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명 다이나믹 메모리의 제1의 실시예를 도시하는 회로 블록도면,
제2도는 본 발명 다니나믹 메모리의 제2의 실시예를 도시하는 회로 블록도면,
제3도는 제2도에 도시한 다이나믹 메모리의 에세스 순서의 바리에이션을 도시하는 회로 블록도면.

Claims (1)

  1. 복수의 비트선군으로 분할된 다이나믹 형인 메모리셀 어레이와, 상기 (1)의 비트선군의 비트선수와 동수의 비트를 가지며, 병렬 직렬 변환 또는 직렬 병렬 변환하는 레지스터와, 상기 메모리셀 어레이와 상기 레지스터와 새에 개재하며, 선택한 (1)개의 비트선군의 각 비트선과 레지스터의 각 비트와의 새에서 신호를 전송시키는 비트선군 셀렉터를 적어도 갖추고, 상기 비트선군 셀렉터는 워드선을 선택해서 리프레시하는 동작이 전 워드선에 걸쳐서 행해질때마다 선택하는 비트선군을 차례로 절환토록 되어 있는 것을 특징으로 하는 다이나믹 메모리.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019880014069A 1987-11-18 1988-10-28 다이나믹 메모리 KR0136610B1 (ko)

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KR100642639B1 (ko) * 2004-10-25 2006-11-10 삼성전자주식회사 반도체 메모리 장치

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