KR890004883B1 - 반도체 장치의 폴리사이드 구조 제조방법 - Google Patents
반도체 장치의 폴리사이드 구조 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
내용없음.
Description
제1도는 종래 폴리사이드 구조형성의 실시예.
제2도는 본 발명에 따른 폴리사이드 구조형성의 실시예.
본 발명의 반도체 장치의 폴리사이드 구조 제조방법에 관한것으로, 특히, 초고주파 스퍼터 에칭을 이용하여 안정된 폴리사이드를 제조하는 반도체 장치의 폴리사이드 구조 제조방법에 관한 것이다.
내화성금속과 실리콘이 결합되어 있는 실리사이드막은 전기전돋도가 좋고 온도에 대한 내열성이 우수하며 미세패던가공에도 유리한 점이 있어서 고집적 반도체 소자에 적용될때 뛰어난 특성을 나타내다. 그러나 산화막과의 접착력이 나쁘기때문에 산화막상에 폴리실리콘을 한층 형성하고 다시 실리사이드막을 형성시키는 폴리사이드 구조가 더 널리 이용되고 있다.
제1도는 종래의 폴리사이드 구조형성의 실시예로서 실리콘 기판(1)상에 절연막(2), 폴리실리콘(3), 얇은 자연 산화막(4), 실리사이드(5)가 순차적으로 형성되어 있다. 상기 폴리실리콘 상부에 자라나는 얇은 자연 산화막(4)은 그 두께가 20∼30℃정도이며 폴리실리콘이 형성된후 공기 중에 노출되는 즉시 성장한 것이다.
상기와 같이 폴리실리콘과 실리사이드막의 경계면에 산화막이 형성되거나 또는 미세한 불순물이 존재하거나 하여 폴리실리콘과 실리사이드막의 접착력이 나쁜 폴리사이드 구조에 있어서는 이후 열처리 공정 또는 열산화를 실시하면 폴리실리콘과 실리사이드의 접착이 파괴되거나, 폴리실리콘과 실리사이드막의 경계면에서 구멍이 발생하는 문제점이 있었다. 따라서 본 발명의 목적은 폴리사이드 구조의 폴리실리콘과 실리사이드막이 이후 열처리 공정이나 열산화 공정시에도 접착에 영향을 받지 않는 안정된 접착을 갖는 폴리사이드 구조 형성방법을 제공함에 있다.
상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명은 소성 절연막상에 폴리실리콘을 형성하는 제1공정과, 상기 폴리실리콘의 표면을 초고주파 스퍼터 법으로 에칭을 실시하는 제2공정과, 상기 폴리실리콘 상부에 실리사이드막을 도포하는 제3공정으로 이루어짐을 특징으로 한다.
이한 본 발명을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 제2도는 본 발명에 따른 폴리사이드 구조형성의 실시예이다.
먼저 P형 실리콘 웨이퍼(6)를 기판으로 사용하여 절연막으로 열산화법으로 1000Å의 열산화막(7)을 형성한다. 그후 상기 절연막(7)상에 감아 화학증착법을 사용하여 620℃의 온도에서 2000Å의 폴리실리콘(8)을 도포한후 반응관 밖으로 노출시키면 공기와 접촉하는 순간 자연 산화막이 형성된다. 다음으로 실리사이드막을 도포하기 위한 반응챔버(Chamber)내에서 실리사이드막을 도포하기전 초고주파 스퍼터 에칭(Radio Freguency Sputter Etching)을 실시한다. 초고주파 스퍼터 에칭을 실시할 때 사용 개스는 화학반응을 일으키지 않는 아르곤(Ar)이나 헬륨(He) 또는 수소(H2)개스를 사용하고 사용유량은 250∼5000SCCM(Standard Cubic Centimeter)이며 에칭시간은 1분이고 초고주파 파워(RF-PoWer)는 800W이다.
상기 에칭 공정은 불활성 개스를 사용하고 초고주파 파워가 낮기때문에 에칭속도가 느려서 실제로 밑에 있는 폴리실리콘에 손상을 입히거나 막질을 특상을 변화시키지 않고 자연산화막을 제거할 있다. 초고주파 스퍼터 에칭을 실시한 후에 챔버내를 충분히 진공상태로 유지하며 실리사이드막(9)을 도포하므로써 폴리사이드 구조가 형성된다.
상술한 바와같은 본 발명은 절연막상부에 형성된 폴리실리콘 표면을 초고주파 스퍼터 에칭방법으로 에칭을 실시한 후 실리사이드막을 도포하므로써, 폴리실리콘 형성이후 외부공기와 접촉으로 인하여 생기 자연산화막을 제거함과 동시에 폴리실리콘 표면에 미세한 요철을 형성하여 폴리실리콘과 실리사이드의 접착력을 좋게한다.
또한 본 발명을 실시함으로써 폴리실리콘 표면에 존재하는 불순물이나 먼지를 클리닝(Cleaning)하는 효과를 얻을 수 있다.
Claims (1)
- 반도체 장치에서 실리콘 산화막상에 폴리실리콘과 실리사이드막의 이층구조로 폴리사이드를 제조하는 방법에 있어서, 실리콘 반도체 기판(6)상에 형성된 소정의 절연막(7)상부에 폴리실리콘(8)을 형성하는 제1공정과, 초고주파 스퍼터 에칭방법으로 폴리실리콘(8) 표면에 소정의 에칭을 실시하는 제2공정고, 상기 표면에 에칭된 포리실리콘(8) 상부에 실리사이드(9)를 형성하는 제3공정을 구비하여 이들공정의 연속으로 폴리상이드 구조를 형성함을 특징으로 하는 반도체 장지의 폴리사이드 구조 제조방법.
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