JP3049796B2 - 絶縁膜の形成方法 - Google Patents
絶縁膜の形成方法Info
- Publication number
- JP3049796B2 JP3049796B2 JP3050012A JP5001291A JP3049796B2 JP 3049796 B2 JP3049796 B2 JP 3049796B2 JP 3050012 A JP3050012 A JP 3050012A JP 5001291 A JP5001291 A JP 5001291A JP 3049796 B2 JP3049796 B2 JP 3049796B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon oxide
- oxide film
- insulating film
- microwave power
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は絶縁膜の形成方法に関す
る。半導体装置の微細化に伴い，配線パターンも微細化
され，ストレスマイグレーションによる配線の断線がま
すます大きな問題となってきている。
る。半導体装置の微細化に伴い，配線パターンも微細化
され，ストレスマイグレーションによる配線の断線がま
すます大きな問題となってきている。
【０００２】したがって，半導体装置を高集積化するた
めには，ストレスマイグレーションに対処するプロセス
の開発が必要となる。
めには，ストレスマイグレーションに対処するプロセス
の開発が必要となる。
【０００３】
【従来の技術】従来，半導体基板上に形成さた配線パタ
ーンを覆う絶縁膜としては，プラズマＣＶＤ法によるシ
リコン酸化膜が広く採用されている。配線パターンを覆
う絶縁膜の形成は配線パターンの内部応力に影響を与
え，プロセスによってはストレスマイグレーションによ
る配線の断線を助長することがある。ところが，プラズ
マＣＶＤ法によるシリコン酸化膜が配線パターンの内部
応力に与える影響については，従来十分には検討されて
おらず，詳細な検討が必要とされている。
ーンを覆う絶縁膜としては，プラズマＣＶＤ法によるシ
リコン酸化膜が広く採用されている。配線パターンを覆
う絶縁膜の形成は配線パターンの内部応力に影響を与
え，プロセスによってはストレスマイグレーションによ
る配線の断線を助長することがある。ところが，プラズ
マＣＶＤ法によるシリコン酸化膜が配線パターンの内部
応力に与える影響については，従来十分には検討されて
おらず，詳細な検討が必要とされている。
【０００４】また，シリコン酸化膜の堆積時にデバイス
にダメージを与えることを避けるため，電子サイクロト
ロン共鳴（ＥＣＲ）プラズマＣＶＤ法により室温で成膜
することが行われている。
にダメージを与えることを避けるため，電子サイクロト
ロン共鳴（ＥＣＲ）プラズマＣＶＤ法により室温で成膜
することが行われている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の問題に
鑑み，ＥＣＲプラズマＣＶＤ法によるシリコン酸化膜の
形成プロセスが配線パターン及び下地基板の内部応力に
与える影響を詳細に検討し，配線パターンにおけるスト
レスマイグレーションを抑制する絶縁膜の形成方法を提
供することを目的とする。
鑑み，ＥＣＲプラズマＣＶＤ法によるシリコン酸化膜の
形成プロセスが配線パターン及び下地基板の内部応力に
与える影響を詳細に検討し，配線パターンにおけるスト
レスマイグレーションを抑制する絶縁膜の形成方法を提
供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】図１は実施例を説明する
ための概念図で，ＥＣＲプラズマＣＶＤ装置を用いて半
導体基板上にシリコン酸化膜を形成する方法を説明する
ための図であり，図２は配線パターンを覆う絶縁膜を含
む基板の断面図である。
ための概念図で，ＥＣＲプラズマＣＶＤ装置を用いて半
導体基板上にシリコン酸化膜を形成する方法を説明する
ための図であり，図２は配線パターンを覆う絶縁膜を含
む基板の断面図である。
【０００７】上記課題は，半導体基板１を電子サイクロ
トロン共鳴プラズマＣＶＤ装置のチャンバ５内に配置し
て，Ｓｉを含む原料ガス3aと酸素を含むガス3b及びマイ
クロ波パワー４を該チャンバ５内に導入して，該半導体
基板１上にシリコン酸化膜２を堆積するに際し, 堆積し
たシリコン酸化膜２の内部応力が堆積後のアニールによ
り符号を変化しないように該Ｓｉを含む原料ガス3aと該
酸素を含むガス3bの供給比を制御する絶縁膜の形成方法
によって解決される。
トロン共鳴プラズマＣＶＤ装置のチャンバ５内に配置し
て，Ｓｉを含む原料ガス3aと酸素を含むガス3b及びマイ
クロ波パワー４を該チャンバ５内に導入して，該半導体
基板１上にシリコン酸化膜２を堆積するに際し, 堆積し
たシリコン酸化膜２の内部応力が堆積後のアニールによ
り符号を変化しないように該Ｓｉを含む原料ガス3aと該
酸素を含むガス3bの供給比を制御する絶縁膜の形成方法
によって解決される。
【０００８】また，該Ｓｉを含む原料ガス3aと該酸素を
含むガス3bの供給比を制御することに加えて，該マイク
ロ波パワー４を制御する絶縁膜の形成方法によって解決
される。
含むガス3bの供給比を制御することに加えて，該マイク
ロ波パワー４を制御する絶縁膜の形成方法によって解決
される。
【０００９】また，該マイクロ波パワー４を周期的に間
欠的に供給する絶縁膜の形成方法によって解決される。
また，該シリコン酸化膜２を該半導体基板１上に形成さ
れた配線パターン９を覆うように形成する絶縁膜の形成
方法によって解決される。
欠的に供給する絶縁膜の形成方法によって解決される。
また，該シリコン酸化膜２を該半導体基板１上に形成さ
れた配線パターン９を覆うように形成する絶縁膜の形成
方法によって解決される。
【００１０】
【作用】実験結果によれば，ＥＣＲプラズマＣＶＤ法に
より堆積したシリコン酸化膜２はその成膜条件により，
下地となる半導体基板１あるいは配線パターン９の内部
応力に大きな影響を与え，また，堆積後半導体基板１を
アニールする時の内部応力変化に大きな影響を与える。
より堆積したシリコン酸化膜２はその成膜条件により，
下地となる半導体基板１あるいは配線パターン９の内部
応力に大きな影響を与え，また，堆積後半導体基板１を
アニールする時の内部応力変化に大きな影響を与える。
【００１１】そこで，Ｓｉを含む原料ガス3aと酸素を含
むガス3bの供給比を制御することにより，堆積したシリ
コン酸化膜２の内部応力が堆積後のアニールにより符号
を変化しないようにすることができる。
むガス3bの供給比を制御することにより，堆積したシリ
コン酸化膜２の内部応力が堆積後のアニールにより符号
を変化しないようにすることができる。
【００１２】また，マイクロ波パワー４を制御すること
によっても，堆積したシリコン酸化膜２の内部応力が堆
積後のアニールにより符号を変化しないようにすること
ができる。これはマイクロ波パワー４の大きさにより原
料ガスの解離度が変化し，シリコン酸化膜の成長時にＯ
Ｈ基の量が膜質に大きな影響を及ぼすからであると推定
される。
によっても，堆積したシリコン酸化膜２の内部応力が堆
積後のアニールにより符号を変化しないようにすること
ができる。これはマイクロ波パワー４の大きさにより原
料ガスの解離度が変化し，シリコン酸化膜の成長時にＯ
Ｈ基の量が膜質に大きな影響を及ぼすからであると推定
される。
【００１３】また，マイクロ波パワー４を周期的に間欠
的に供給するようにすれば，堆積したシリコン酸化膜２
の内部応力が堆積後のアニールにより符号を変化しない
ようにすることができる。これは過渡的なプラズマ状態
が膜質に影響を及ぼすからと推定される。マイクロ波パ
ワー４を周期的に間欠的に供給するようにすれば，デバ
イスにダメージを与える影響も少なくできる。
的に供給するようにすれば，堆積したシリコン酸化膜２
の内部応力が堆積後のアニールにより符号を変化しない
ようにすることができる。これは過渡的なプラズマ状態
が膜質に影響を及ぼすからと推定される。マイクロ波パ
ワー４を周期的に間欠的に供給するようにすれば，デバ
イスにダメージを与える影響も少なくできる。
【００１４】また，上記の方法を半導体基板１上に形成
された配線パターン９を覆うシリコン酸化膜２の形成に
適用すれば，ストレスマイグレーションによる配線の断
線の防止に効果的である。
された配線パターン９を覆うシリコン酸化膜２の形成に
適用すれば，ストレスマイグレーションによる配線の断
線の防止に効果的である。
【００１５】
【実施例】図１は実施例を説明するための概念図で，Ｅ
ＣＲプラズマＣＶＤ装置を用いて半導体基板上にシリコ
ン酸化膜を形成する方法を説明するものであり，１は半
導体基板，２はシリコン酸化膜，３は原料ガス導入管，
3aは原料ガスでＳｉＨ4,3bは酸素をふくむガスでＯ2 ，
４はマイクロ波パワー，５は真空チャンバ，６はＲＦ電
源，７は電極兼ステージ，８は磁界コイルを表す。
ＣＲプラズマＣＶＤ装置を用いて半導体基板上にシリコ
ン酸化膜を形成する方法を説明するものであり，１は半
導体基板，２はシリコン酸化膜，３は原料ガス導入管，
3aは原料ガスでＳｉＨ4,3bは酸素をふくむガスでＯ2 ，
４はマイクロ波パワー，５は真空チャンバ，６はＲＦ電
源，７は電極兼ステージ，８は磁界コイルを表す。
【００１６】図２は図１に示したＥＣＲプラズマＣＶＤ
装置により形成した絶縁膜を含む基板の断面図であり，
１はＳｉ基板，1aはＢＰＳＧ膜，２はシリコン酸化膜，
９はＡｌ配線パターンを表す。
装置により形成した絶縁膜を含む基板の断面図であり，
１はＳｉ基板，1aはＢＰＳＧ膜，２はシリコン酸化膜，
９はＡｌ配線パターンを表す。
【００１７】素子の形成されたＳｉ基板１上に，常圧Ｃ
ＶＤ法により厚さ4000Å程度のＢＰＳＧ膜1aを成長す
る。その上に5000Åの厚さにＡｌをスパッタし，マスク
を用いてそれをエッチングし，Ａｌ配線パターン９を形
成する。
ＶＤ法により厚さ4000Å程度のＢＰＳＧ膜1aを成長す
る。その上に5000Åの厚さにＡｌをスパッタし，マスク
を用いてそれをエッチングし，Ａｌ配線パターン９を形
成する。
【００１８】この基板を図１に示したＥＣＲプラズマＣ
ＶＤ装置の電極兼ステージ７上に配置して，室温でシリ
コン酸化膜２の堆積を行う。堆積の条件は次の如くであ
る。 ＲＦバイアスパワー 1000Ｗ，デューティ ８０％ マイクロ波パワー 400Ｗ，デューティ ８０％ パルス時間 ８ｍｓ（ＲＦ，マイクロ波） 原料ガス供給 ＳｉＨ4 ２０sccm Ｏ2 ２０sccm 膜厚 約3800Å Ｓｉ基板の直径 150 mm 共振器の直径 200 mm 磁界 875 Ｇ ＲＦバイアスパワーとマイクロ波パワーは８ｍｓの周期
で間欠的に供給する。
ＶＤ装置の電極兼ステージ７上に配置して，室温でシリ
コン酸化膜２の堆積を行う。堆積の条件は次の如くであ
る。 ＲＦバイアスパワー 1000Ｗ，デューティ ８０％ マイクロ波パワー 400Ｗ，デューティ ８０％ パルス時間 ８ｍｓ（ＲＦ，マイクロ波） 原料ガス供給 ＳｉＨ4 ２０sccm Ｏ2 ２０sccm 膜厚 約3800Å Ｓｉ基板の直径 150 mm 共振器の直径 200 mm 磁界 875 Ｇ ＲＦバイアスパワーとマイクロ波パワーは８ｍｓの周期
で間欠的に供給する。
【００１９】シリコン酸化膜２の堆積後，窒素と水素の
混合ガス中で450 ℃, ３０分のアニールを行った。シリ
コン酸化膜２の堆積後及びアニール後の内部応力の符号
を基板の反りから判定した。その結果は次の如くであっ
た。
混合ガス中で450 ℃, ３０分のアニールを行った。シリ
コン酸化膜２の堆積後及びアニール後の内部応力の符号
を基板の反りから判定した。その結果は次の如くであっ
た。
【００２０】 堆積後 シリコン酸化膜２を上にして凹 アニール後 シリコン酸化膜２を上にして凹 シリコン酸化膜２を上にして凹の状態はシリコン酸化膜
２に圧縮応力が存在していることを示している。したが
って，堆積後，アニール後ともにシリコン酸化膜２の内
部応力は圧縮応力である。
２に圧縮応力が存在していることを示している。したが
って，堆積後，アニール後ともにシリコン酸化膜２の内
部応力は圧縮応力である。
【００２１】シリコン酸化膜２に密着しているＡｌ配線
パターン９の内部応力変化も同様の傾向となる。アニー
ルにより内部応力の符号が変化する場合はＡｌ配線パタ
ーン９において，ストレスマイグレーションが助長され
る。したがって，上記の成膜条件はストレスマイグレー
ションの抑制に効果的である。
パターン９の内部応力変化も同様の傾向となる。アニー
ルにより内部応力の符号が変化する場合はＡｌ配線パタ
ーン９において，ストレスマイグレーションが助長され
る。したがって，上記の成膜条件はストレスマイグレー
ションの抑制に効果的である。
【００２２】次に，マイクロ波パワー及び原料ガスＳｉ
Ｈ4 とＯ2 の供給流量比を種々変えて，Ｓｉ基板１に直
接シリコン酸化膜２を約3800Åの厚さに堆積し，堆積後
の内部応力及びアニール後の内部応力を測定した。マイ
クロ波パワーは300 〜800 Ｗと変化させ，原料ガスＳｉ
Ｈ4 ／Ｏ2 の供給流量（sccm）比も１４／２０〜２４／
２０と変化させた。それ以外の条件は前述の堆積条件と
同じである。
Ｈ4 とＯ2 の供給流量比を種々変えて，Ｓｉ基板１に直
接シリコン酸化膜２を約3800Åの厚さに堆積し，堆積後
の内部応力及びアニール後の内部応力を測定した。マイ
クロ波パワーは300 〜800 Ｗと変化させ，原料ガスＳｉ
Ｈ4 ／Ｏ2 の供給流量（sccm）比も１４／２０〜２４／
２０と変化させた。それ以外の条件は前述の堆積条件と
同じである。
【００２３】下表はシリコン酸化膜２の堆積後の内部応
力，膜厚分布，アニール後の内部応力の測定結果を示
す。内部応力の単位は１０9 dyne/cm2である。 マイクロ波パワー SiH4/O2 比 堆積後 膜厚分布 アニール後 800 Ｗ 14/20 −0.864 10.9％ 2.079 16/20 −1.129 11.1％ 1.551 18/20 −1.181 9.3％ 0.315 20/20 測定不能 8.3％ −0.141 22/20 測定不能 10.0％ 測定不能 24/20 測定不能 16.8％ 測定不能 600 Ｗ 14/20 −1.324 9.8％ 2.018 16/20 −0.985 7.7％ 1.366 18/20 −1.253 8.9％ −0.283 20/20 −1.079 6.9％ −0.233 22/20 −0.954 7.1％ 0.636 24/20 測定不能 8.2％ 1.474 400 Ｗ 14/20 −1.259 4.1％ 1.701 16/20 −1.320 6.8％ 1.150 18/20 −1.152 10.2％ −0.353 20/20 −1.165 7.6％ −0.475 22/20 −0.911 8.0％ 0.462 24/20 −0.690 8.3％ 1.189 300 Ｗ 18/20 −1.193 10.2％ −0.595 20/20 測定不能 7.1％ −0.763 22/20 −1.077 8.4％ 0.305 内部応力の符号の正は引張応力，負は圧縮応力を表す。
上表で測定不能と表示したのは，基板の反りの測定にお
いて，シリコン酸化膜２表面から反射するレーザ光と裏
面から反射するレーザ光が干渉して，正確な値が測定で
きなかったものである。
力，膜厚分布，アニール後の内部応力の測定結果を示
す。内部応力の単位は１０9 dyne/cm2である。 マイクロ波パワー SiH4/O2 比 堆積後 膜厚分布 アニール後 800 Ｗ 14/20 −0.864 10.9％ 2.079 16/20 −1.129 11.1％ 1.551 18/20 −1.181 9.3％ 0.315 20/20 測定不能 8.3％ −0.141 22/20 測定不能 10.0％ 測定不能 24/20 測定不能 16.8％ 測定不能 600 Ｗ 14/20 −1.324 9.8％ 2.018 16/20 −0.985 7.7％ 1.366 18/20 −1.253 8.9％ −0.283 20/20 −1.079 6.9％ −0.233 22/20 −0.954 7.1％ 0.636 24/20 測定不能 8.2％ 1.474 400 Ｗ 14/20 −1.259 4.1％ 1.701 16/20 −1.320 6.8％ 1.150 18/20 −1.152 10.2％ −0.353 20/20 −1.165 7.6％ −0.475 22/20 −0.911 8.0％ 0.462 24/20 −0.690 8.3％ 1.189 300 Ｗ 18/20 −1.193 10.2％ −0.595 20/20 測定不能 7.1％ −0.763 22/20 −1.077 8.4％ 0.305 内部応力の符号の正は引張応力，負は圧縮応力を表す。
上表で測定不能と表示したのは，基板の反りの測定にお
いて，シリコン酸化膜２表面から反射するレーザ光と裏
面から反射するレーザ光が干渉して，正確な値が測定で
きなかったものである。
【００２４】上表を見ると，堆積後の内部応力はすべて
負符号，即ち圧縮応力であり，アニールによりそれが正
符号，即ち引張応力に変わる条件範囲と，そのまま負符
号，即ち圧縮応力のままである条件範囲があることがわ
かる。
負符号，即ち圧縮応力であり，アニールによりそれが正
符号，即ち引張応力に変わる条件範囲と，そのまま負符
号，即ち圧縮応力のままである条件範囲があることがわ
かる。
【００２５】図３はアニールによる内部応力変化を示す
図で，上表からマイクロ波パワーを縦軸，SiH4/O2 比を
横軸にとり，アニールにより内部応力が負から正に変化
する範囲，負から負に変化する範囲を示したものであ
る。
図で，上表からマイクロ波パワーを縦軸，SiH4/O2 比を
横軸にとり，アニールにより内部応力が負から正に変化
する範囲，負から負に変化する範囲を示したものであ
る。
【００２６】図３に見るようにマイクロ波パワーが300
〜800 Ｗ，SiH4/O2 比が0.9 〜1.0を含む条件範囲に，
アニールにより内部応力の符号の変わらない範囲があ
る。この範囲は配線のストレスマイグレーションを抑制
する観点から望ましい範囲である。配線パターン９を覆
うシリコン酸化膜２の形成はこの条件範囲で行うことが
望ましい。
〜800 Ｗ，SiH4/O2 比が0.9 〜1.0を含む条件範囲に，
アニールにより内部応力の符号の変わらない範囲があ
る。この範囲は配線のストレスマイグレーションを抑制
する観点から望ましい範囲である。配線パターン９を覆
うシリコン酸化膜２の形成はこの条件範囲で行うことが
望ましい。
【００２７】マイクロ波パワーが1000Ｗ以上になると内
部応力の符号が負から正に反転しやすくなり，かつデバ
イスへのダメージが大きくなるから望ましくない。ま
た，マイクロ波パワーが200 Ｗ以下ではプラズマが立ち
にくく，不安定になる。
部応力の符号が負から正に反転しやすくなり，かつデバ
イスへのダメージが大きくなるから望ましくない。ま
た，マイクロ波パワーが200 Ｗ以下ではプラズマが立ち
にくく，不安定になる。
【００２８】また，マイクロ波パワーを周期的に間欠的
に供給することは，内部応力の符号が負から正に反転し
にくくなり，かつデバイスへのダメージを小さくする効
果もあるから望ましい。
に供給することは，内部応力の符号が負から正に反転し
にくくなり，かつデバイスへのダメージを小さくする効
果もあるから望ましい。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように，本発明によれば，
ＥＣＲプラズマＣＶＤ法によるシリコン酸化膜を堆積し
た後，アニールにより内部応力がその符号を変えないよ
うに形成することができる。
ＥＣＲプラズマＣＶＤ法によるシリコン酸化膜を堆積し
た後，アニールにより内部応力がその符号を変えないよ
うに形成することができる。
【００３０】本発明は半導体装置の配線の断線の原因と
なるストレスマイグレーションを抑制する効果を奏し，
半導体装置の微細化に寄与するものである。
なるストレスマイグレーションを抑制する効果を奏し，
半導体装置の微細化に寄与するものである。
【図１】実施例を説明するための概念図である。
【図２】配線パターンを覆う絶縁膜を含む基板の断面図
である。
である。
【図３】アニールによる内部応力変化を示す図である。
１は半導体基板であってＳｉ基板 1aはＢＰＳＧ膜 ２は絶縁膜であってシリコン酸化膜 ３は原料ガス導入管 3aは原料ガスであってＳｉＨ4 3bは酸素を含むガスであってＯ2 ４はマイクロ波パワー ５はチャンバであって真空チャンバ ６はＲＦ電源 ７は電極兼ステージ ８は磁界コイル ９は配線パターンであってＡｌ配線パターン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−173137（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−24268（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−196321（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/316
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体基板(1) を電子サイクロトロン共
鳴プラズマＣＶＤ装置のチャンバ(5) 内に配置して，Ｓ
ｉを含む原料ガス(3a)と酸素を含むガス(3b)及びマイク
ロ波パワー(4) を該チャンバ(5) 内に導入して，該半導
体基板(1) 上にシリコン酸化膜(2) を堆積するに際し,
堆積したシリコン酸化膜(2) の内部応力が堆積後のアニ
ールにより符号を変化しないように該Ｓｉを含む原料ガ
ス(3a)と該酸素を含むガス(3b)の供給比を制御すること
を特徴とする絶縁膜の形成方法。 - 【請求項２】 該Ｓｉを含む原料ガス(3a)と該酸素を含
むガス(3b)の供給比を制御することに加えて，該マイク
ロ波パワー(4) を制御することを特徴とする請求項１記
載の絶縁膜の形成方法。 - 【請求項３】 該マイクロ波パワー(4) を周期的に間欠
的に供給することを特徴とする請求項１又は２記載の絶
縁膜の形成方法。 - 【請求項４】 該シリコン酸化膜(2) を該半導体基板
(1) 上に形成された配線パターン(9) を覆うように形成
することを特徴とする請求項１又は２又は３記載の絶縁
膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3050012A JP3049796B2 (ja) | 1991-03-15 | 1991-03-15 | 絶縁膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3050012A JP3049796B2 (ja) | 1991-03-15 | 1991-03-15 | 絶縁膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04286122A JPH04286122A (ja) | 1992-10-12 |
| JP3049796B2 true JP3049796B2 (ja) | 2000-06-05 |
Family
ID=12847088
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3050012A Expired - Fee Related JP3049796B2 (ja) | 1991-03-15 | 1991-03-15 | 絶縁膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3049796B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2985789B2 (ja) * | 1996-08-30 | 1999-12-06 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| WO2007114191A1 (ja) | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | メンブレン構造素子及びその製造方法 |
| JP4780671B2 (ja) * | 2006-03-28 | 2011-09-28 | 株式会社神戸製鋼所 | メンブレン構造素子及びその製造方法 |
-
1991
- 1991-03-15 JP JP3050012A patent/JP3049796B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04286122A (ja) | 1992-10-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3283477B2 (ja) | ドライエッチング方法および半導体装置の製造方法 | |
| US6365519B2 (en) | Batch processing for semiconductor wafers to form aluminum nitride and titanium aluminum nitride | |
| CN112242300A (zh) | 自由基辅助点火等离子体系统和方法 | |
| EP0202907B1 (en) | In-situ photoresist capping process for plasma etching | |
| KR19980041821A (ko) | 내화성 금속의 선택적 침착 방법 및 그에 의해 형성된 실리콘기판과 그를 포함하는 집적 회로 | |
| JPH07161703A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US6475918B1 (en) | Plasma treatment apparatus and plasma treatment method | |
| JPH0766186A (ja) | 誘電体の異方性堆積法 | |
| JP3049796B2 (ja) | 絶縁膜の形成方法 | |
| KR20030056828A (ko) | 절연막 형성방법 및 이를 이용한 폴리실리콘박막트랜지스터의 형성방법 | |
| EP0310839B1 (en) | A method of manufacturing monolithic integrated circuits | |
| US20040084411A1 (en) | Method of etching a silicon-containing dielectric material | |
| US7615251B2 (en) | Processing device using shower head structure and processing method | |
| JPH05144779A (ja) | シリコン酸化膜のドライエツチング方法 | |
| KR100780686B1 (ko) | 반도체소자의 제조방법 | |
| JP3380922B2 (ja) | シリコン酸化膜の形成方法 | |
| WO2007035041A1 (en) | Method of and apparatus for fabricating thermal oxide film using single chamber-type cvd apparatus | |
| JP3522738B2 (ja) | 化学気相成長による金属薄膜形成方法 | |
| KR100444611B1 (ko) | 반도체 소자의 제조 방법 | |
| JPS6258663A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR930008862B1 (ko) | 금속층의 힐록성장 억제를 위한 반도체소자 제조방법 | |
| KR100533880B1 (ko) | 고밀도 플라즈마 화학기상증착 방법 | |
| JPH0774148A (ja) | ドライエッチング方法 | |
| KR960036155A (ko) | 피.엘.티. 박막 제조방법 | |
| JP2001274053A (ja) | 半導体製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20000229 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080331 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090331 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090331 Year of fee payment: 9 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090331 Year of fee payment: 9 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |