JPH04286122A - 絶縁膜の形成方法 - Google Patents
絶縁膜の形成方法Info
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- JPH04286122A JPH04286122A JP5001291A JP5001291A JPH04286122A JP H04286122 A JPH04286122 A JP H04286122A JP 5001291 A JP5001291 A JP 5001291A JP 5001291 A JP5001291 A JP 5001291A JP H04286122 A JPH04286122 A JP H04286122A
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Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は絶縁膜の形成方法に関す
る。半導体装置の微細化に伴い，配線パターンも微細化
され，ストレスマイグレーションによる配線の断線がま
すます大きな問題となってきている。
る。半導体装置の微細化に伴い，配線パターンも微細化
され，ストレスマイグレーションによる配線の断線がま
すます大きな問題となってきている。
【０００２】したがって，半導体装置を高集積化するた
めには，ストレスマイグレーションに対処するプロセス
の開発が必要となる。
めには，ストレスマイグレーションに対処するプロセス
の開発が必要となる。
【０００３】
【従来の技術】従来，半導体基板上に形成さた配線パタ
ーンを覆う絶縁膜としては，プラズマＣＶＤ法によるシ
リコン酸化膜が広く採用されている。配線パターンを覆
う絶縁膜の形成は配線パターンの内部応力に影響を与え
，プロセスによってはストレスマイグレーションによる
配線の断線を助長することがある。ところが，プラズマ
ＣＶＤ法によるシリコン酸化膜が配線パターンの内部応
力に与える影響については，従来十分には検討されてお
らず，詳細な検討が必要とされている。
ーンを覆う絶縁膜としては，プラズマＣＶＤ法によるシ
リコン酸化膜が広く採用されている。配線パターンを覆
う絶縁膜の形成は配線パターンの内部応力に影響を与え
，プロセスによってはストレスマイグレーションによる
配線の断線を助長することがある。ところが，プラズマ
ＣＶＤ法によるシリコン酸化膜が配線パターンの内部応
力に与える影響については，従来十分には検討されてお
らず，詳細な検討が必要とされている。
【０００４】また，シリコン酸化膜の堆積時にデバイス
にダメージを与えることを避けるため，電子サイクロト
ロン共鳴（ＥＣＲ）プラズマＣＶＤ法により室温で成膜
することが行われている。
にダメージを与えることを避けるため，電子サイクロト
ロン共鳴（ＥＣＲ）プラズマＣＶＤ法により室温で成膜
することが行われている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の問題に
鑑み，ＥＣＲプラズマＣＶＤ法によるシリコン酸化膜の
形成プロセスが配線パターン及び下地基板の内部応力に
与える影響を詳細に検討し，配線パターンにおけるスト
レスマイグレーションを抑制する絶縁膜の形成方法を提
供することを目的とする。
鑑み，ＥＣＲプラズマＣＶＤ法によるシリコン酸化膜の
形成プロセスが配線パターン及び下地基板の内部応力に
与える影響を詳細に検討し，配線パターンにおけるスト
レスマイグレーションを抑制する絶縁膜の形成方法を提
供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】図１は実施例を説明する
ための概念図で，ＥＣＲプラズマＣＶＤ装置を用いて半
導体基板上にシリコン酸化膜を形成する方法を説明する
ための図であり，図２は配線パターンを覆う絶縁膜を含
む基板の断面図である。
ための概念図で，ＥＣＲプラズマＣＶＤ装置を用いて半
導体基板上にシリコン酸化膜を形成する方法を説明する
ための図であり，図２は配線パターンを覆う絶縁膜を含
む基板の断面図である。
【０００７】上記課題は，半導体基板１を電子サイクロ
トロン共鳴プラズマＣＶＤ装置のチャンバ５内に配置し
て，Ｓｉを含む原料ガス３ａと酸素を含むガス３ｂ及び
マイクロ波パワー４を該チャンバ５内に導入して，該半
導体基板１上にシリコン酸化膜２を堆積するに際し，
堆積したシリコン酸化膜２の内部応力が堆積後のアニー
ルにより符号を変化しないように該Ｓｉを含む原料ガス
３ａと該酸素を含むガス３ｂの供給比を制御する絶縁膜
の形成方法によって解決される。
トロン共鳴プラズマＣＶＤ装置のチャンバ５内に配置し
て，Ｓｉを含む原料ガス３ａと酸素を含むガス３ｂ及び
マイクロ波パワー４を該チャンバ５内に導入して，該半
導体基板１上にシリコン酸化膜２を堆積するに際し，
堆積したシリコン酸化膜２の内部応力が堆積後のアニー
ルにより符号を変化しないように該Ｓｉを含む原料ガス
３ａと該酸素を含むガス３ｂの供給比を制御する絶縁膜
の形成方法によって解決される。
【０００８】また，該Ｓｉを含む原料ガス３ａと該酸素
を含むガス３ｂの供給比を制御することに加えて，該マ
イクロ波パワー４を制御する絶縁膜の形成方法によって
解決される。
を含むガス３ｂの供給比を制御することに加えて，該マ
イクロ波パワー４を制御する絶縁膜の形成方法によって
解決される。
【０００９】また，該マイクロ波パワー４を周期的に間
欠的に供給する絶縁膜の形成方法によって解決される。 また，該シリコン酸化膜２を該半導体基板１上に形成さ
れた配線パターン９を覆うように形成する絶縁膜の形成
方法によって解決される。
欠的に供給する絶縁膜の形成方法によって解決される。 また，該シリコン酸化膜２を該半導体基板１上に形成さ
れた配線パターン９を覆うように形成する絶縁膜の形成
方法によって解決される。
【００１０】
【作用】実験結果によれば，ＥＣＲプラズマＣＶＤ法に
より堆積したシリコン酸化膜２はその成膜条件により，
下地となる半導体基板１あるいは配線パターン９の内部
応力に大きな影響を与え，また，堆積後半導体基板１を
アニールする時の内部応力変化に大きな影響を与える。
より堆積したシリコン酸化膜２はその成膜条件により，
下地となる半導体基板１あるいは配線パターン９の内部
応力に大きな影響を与え，また，堆積後半導体基板１を
アニールする時の内部応力変化に大きな影響を与える。
【００１１】そこで，Ｓｉを含む原料ガス３ａと酸素を
含むガス３ｂの供給比を制御することにより，堆積した
シリコン酸化膜２の内部応力が堆積後のアニールにより
符号を変化しないようにすることができる。
含むガス３ｂの供給比を制御することにより，堆積した
シリコン酸化膜２の内部応力が堆積後のアニールにより
符号を変化しないようにすることができる。
【００１２】また，マイクロ波パワー４を制御すること
によっても，堆積したシリコン酸化膜２の内部応力が堆
積後のアニールにより符号を変化しないようにすること
ができる。これはマイクロ波パワー４の大きさにより原
料ガスの解離度が変化し，シリコン酸化膜の成長時にＯ
Ｈ基の量が膜質に大きな影響を及ぼすからであると推定
される。
によっても，堆積したシリコン酸化膜２の内部応力が堆
積後のアニールにより符号を変化しないようにすること
ができる。これはマイクロ波パワー４の大きさにより原
料ガスの解離度が変化し，シリコン酸化膜の成長時にＯ
Ｈ基の量が膜質に大きな影響を及ぼすからであると推定
される。
【００１３】また，マイクロ波パワー４を周期的に間欠
的に供給するようにすれば，堆積したシリコン酸化膜２
の内部応力が堆積後のアニールにより符号を変化しない
ようにすることができる。これは過渡的なプラズマ状態
が膜質に影響を及ぼすからと推定される。マイクロ波パ
ワー４を周期的に間欠的に供給するようにすれば，デバ
イスにダメージを与える影響も少なくできる。
的に供給するようにすれば，堆積したシリコン酸化膜２
の内部応力が堆積後のアニールにより符号を変化しない
ようにすることができる。これは過渡的なプラズマ状態
が膜質に影響を及ぼすからと推定される。マイクロ波パ
ワー４を周期的に間欠的に供給するようにすれば，デバ
イスにダメージを与える影響も少なくできる。
【００１４】また，上記の方法を半導体基板１上に形成
された配線パターン９を覆うシリコン酸化膜２の形成に
適用すれば，ストレスマイグレーションによる配線の断
線の防止に効果的である。
された配線パターン９を覆うシリコン酸化膜２の形成に
適用すれば，ストレスマイグレーションによる配線の断
線の防止に効果的である。
【００１５】
【実施例】図１は実施例を説明するための概念図で，Ｅ
ＣＲプラズマＣＶＤ装置を用いて半導体基板上にシリコ
ン酸化膜を形成する方法を説明するものであり，１は半
導体基板，２はシリコン酸化膜，３は原料ガス導入管，
３ａは原料ガスでＳｉＨ４，３ｂは酸素をふくむガスで
Ｏ２ ，４はマイクロ波パワー，５は真空チャンバ，６
はＲＦ電源，７は電極兼ステージ，８は磁界コイルを表
す。
ＣＲプラズマＣＶＤ装置を用いて半導体基板上にシリコ
ン酸化膜を形成する方法を説明するものであり，１は半
導体基板，２はシリコン酸化膜，３は原料ガス導入管，
３ａは原料ガスでＳｉＨ４，３ｂは酸素をふくむガスで
Ｏ２ ，４はマイクロ波パワー，５は真空チャンバ，６
はＲＦ電源，７は電極兼ステージ，８は磁界コイルを表
す。
【００１６】図２は図１に示したＥＣＲプラズマＣＶＤ
装置により形成した絶縁膜を含む基板の断面図であり，
１はＳｉ基板，１ａはＢＰＳＧ膜，２はシリコン酸化膜
，９はＡｌ配線パターンを表す。
装置により形成した絶縁膜を含む基板の断面図であり，
１はＳｉ基板，１ａはＢＰＳＧ膜，２はシリコン酸化膜
，９はＡｌ配線パターンを表す。
【００１７】素子の形成されたＳｉ基板１上に，常圧Ｃ
ＶＤ法により厚さ４０００Å程度のＢＰＳＧ膜１ａを成
長する。その上に５０００Åの厚さにＡｌをスパッタし
，マスクを用いてそれをエッチングし，Ａｌ配線パター
ン９を形成する。
ＶＤ法により厚さ４０００Å程度のＢＰＳＧ膜１ａを成
長する。その上に５０００Åの厚さにＡｌをスパッタし
，マスクを用いてそれをエッチングし，Ａｌ配線パター
ン９を形成する。
【００１８】この基板を図１に示したＥＣＲプラズマＣ
ＶＤ装置の電極兼ステージ７上に配置して，室温でシリ
コン酸化膜２の堆積を行う。堆積の条件は次の如くであ
る。 ＲＦバイアスパワー １０
００Ｗ，デューティ ８０％ マ
イクロ波パワー ４００Ｗ，デューティ
８０％ パルス時間
８ｍｓ（ＲＦ，マイクロ波）
原料ガス供給 ＳｉＨ４
２０ｓｃｃｍ
Ｏ２
２０ｓｃｃｍ 膜厚
約３８００Å
Ｓｉ基板の直径 １５０ ｍ
ｍ 共振器の直径
２００ ｍｍ 磁界
８７５ ＧＲＦバイアスパ
ワーとマイクロ波パワーは８ｍｓの周期で間欠的に供給
する。
ＶＤ装置の電極兼ステージ７上に配置して，室温でシリ
コン酸化膜２の堆積を行う。堆積の条件は次の如くであ
る。 ＲＦバイアスパワー １０
００Ｗ，デューティ ８０％ マ
イクロ波パワー ４００Ｗ，デューティ
８０％ パルス時間
８ｍｓ（ＲＦ，マイクロ波）
原料ガス供給 ＳｉＨ４
２０ｓｃｃｍ
Ｏ２
２０ｓｃｃｍ 膜厚
約３８００Å
Ｓｉ基板の直径 １５０ ｍ
ｍ 共振器の直径
２００ ｍｍ 磁界
８７５ ＧＲＦバイアスパ
ワーとマイクロ波パワーは８ｍｓの周期で間欠的に供給
する。
【００１９】シリコン酸化膜２の堆積後，窒素と水素の
混合ガス中で４５０ ℃， ３０分のアニールを行った
。シリコン酸化膜２の堆積後及びアニール後の内部応力
の符号を基板の反りから判定した。その結果は次の如く
であった。
混合ガス中で４５０ ℃， ３０分のアニールを行った
。シリコン酸化膜２の堆積後及びアニール後の内部応力
の符号を基板の反りから判定した。その結果は次の如く
であった。
【００２０】
堆積後 シリコン酸化
膜２を上にして凹アニール後
シリコン酸化膜２を上にして凹シリコン酸化膜２を上に
して凹の状態はシリコン酸化膜２に圧縮応力が存在して
いることを示している。したがって，堆積後，アニール
後ともにシリコン酸化膜２の内部応力は圧縮応力である
。
膜２を上にして凹アニール後
シリコン酸化膜２を上にして凹シリコン酸化膜２を上に
して凹の状態はシリコン酸化膜２に圧縮応力が存在して
いることを示している。したがって，堆積後，アニール
後ともにシリコン酸化膜２の内部応力は圧縮応力である
。
【００２１】シリコン酸化膜２に密着しているＡｌ配線
パターン９の内部応力変化も同様の傾向となる。アニー
ルにより内部応力の符号が変化する場合はＡｌ配線パタ
ーン９において，ストレスマイグレーションが助長され
る。したがって，上記の成膜条件はストレスマイグレー
ションの抑制に効果的である。
パターン９の内部応力変化も同様の傾向となる。アニー
ルにより内部応力の符号が変化する場合はＡｌ配線パタ
ーン９において，ストレスマイグレーションが助長され
る。したがって，上記の成膜条件はストレスマイグレー
ションの抑制に効果的である。
【００２２】次に，マイクロ波パワー及び原料ガスＳｉ
Ｈ４ とＯ２ の供給流量比を種々変えて，Ｓｉ基板１
に直接シリコン酸化膜２を約３８００Åの厚さに堆積し
，堆積後の内部応力及びアニール後の内部応力を測定し
た。マイクロ波パワーは３００ 〜８００ Ｗと変化さ
せ，原料ガスＳｉＨ４ ／Ｏ２ の供給流量（ｓｃｃｍ
）比も１４／２０〜２４／２０と変化させた。それ以外
の条件は前述の堆積条件と同じである。
Ｈ４ とＯ２ の供給流量比を種々変えて，Ｓｉ基板１
に直接シリコン酸化膜２を約３８００Åの厚さに堆積し
，堆積後の内部応力及びアニール後の内部応力を測定し
た。マイクロ波パワーは３００ 〜８００ Ｗと変化さ
せ，原料ガスＳｉＨ４ ／Ｏ２ の供給流量（ｓｃｃｍ
）比も１４／２０〜２４／２０と変化させた。それ以外
の条件は前述の堆積条件と同じである。
【００２３】下表はシリコン酸化膜２の堆積後の内部応
力，膜厚分布，アニール後の内部応力の測定結果を示す
。内部応力の単位は１０９ ｄｙｎｅ／ｃｍ２である。 マイクロ波パワー ＳｉＨ４／Ｏ２ 比
堆積後 膜厚分布 アニール後
８００ Ｗ １４／２０
−０．８６４ １０．９％
２．０７９
１６／２０ −１．１
２９ １１．１％ １．５５１
１８
／２０ −１．１８１ ９．３
％ ０．３１５
２０／２０ 測
定不能 ８．３％ −０．１４１
２２／
２０ 測定不能 １０．０％
測定不能
２４／２０ 測定不能 １
６．８％ 測定不能 ６００ Ｗ
１４／２０ −１．
３２４ ９．８％ ２．０１８
１
６／２０ −０．９８５ ７．
７％ １．３６６
１８／２０
−１．２５３ ８．９％ −０．２８
３
２０／２０ −１．０７９
６．９％ −０．２３３
２２／２０
−０．９５４ ７．１％ ０．
６３６
２４／２０ 測定不能 ８
．２％ １．４７４ ４００ Ｗ
１４／２０
−１．２５９ ４．１％ １．７
０１
１６／２０ −１．３２０
６．８％ １．１５０
１８／２０
−１．１５２ １０．２％ −０
．３５３
２０／２０ −１．１６５
７．６％ −０．４７５
２２／２０
−０．９１１ ８．０％
０．４６２
２４／２０ −０．６９０
８．３％ １．１８９
３００ Ｗ １８／２０
−１．１９３ １０．２％
−０．５９５
２０／２０ 測定不能
７．１％ −０．７６３
２２／２０
−１．０７７ ８．４％
０．３０５ 内部応力の符号の正は引張応力，負は圧
縮応力を表す。 上表で測定不能と表示したのは，基板の反りの測定にお
いて，シリコン酸化膜２表面から反射するレーザ光と裏
面から反射するレーザ光が干渉して，正確な値が測定で
きなかったものである。
力，膜厚分布，アニール後の内部応力の測定結果を示す
。内部応力の単位は１０９ ｄｙｎｅ／ｃｍ２である。 マイクロ波パワー ＳｉＨ４／Ｏ２ 比
堆積後 膜厚分布 アニール後
８００ Ｗ １４／２０
−０．８６４ １０．９％
２．０７９
１６／２０ −１．１
２９ １１．１％ １．５５１
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／２０ −１．１８１ ９．３
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２０／２０ 測
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測定不能
２４／２０ 測定不能 １
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７％ １．３６６
１８／２０
−１．２５３ ８．９％ −０．２８
３
２０／２０ −１．０７９
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−０．９５４ ７．１％ ０．
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−１．２５９ ４．１％ １．７
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６．８％ １．１５０
１８／２０
−１．１５２ １０．２％ −０
．３５３
２０／２０ −１．１６５
７．６％ −０．４７５
２２／２０
−０．９１１ ８．０％
０．４６２
２４／２０ −０．６９０
８．３％ １．１８９
３００ Ｗ １８／２０
−１．１９３ １０．２％
−０．５９５
２０／２０ 測定不能
７．１％ −０．７６３
２２／２０
−１．０７７ ８．４％
０．３０５ 内部応力の符号の正は引張応力，負は圧
縮応力を表す。 上表で測定不能と表示したのは，基板の反りの測定にお
いて，シリコン酸化膜２表面から反射するレーザ光と裏
面から反射するレーザ光が干渉して，正確な値が測定で
きなかったものである。
【００２４】上表を見ると，堆積後の内部応力はすべて
負符号，即ち圧縮応力であり，アニールによりそれが正
符号，即ち引張応力に変わる条件範囲と，そのまま負符
号，即ち圧縮応力のままである条件範囲があることがわ
かる。
負符号，即ち圧縮応力であり，アニールによりそれが正
符号，即ち引張応力に変わる条件範囲と，そのまま負符
号，即ち圧縮応力のままである条件範囲があることがわ
かる。
【００２５】図３はアニールによる内部応力変化を示す
図で，上表からマイクロ波パワーを縦軸，ＳｉＨ４／Ｏ
２ 比を横軸にとり，アニールにより内部応力が負から
正に変化する範囲，負から負に変化する範囲を示したも
のである。
図で，上表からマイクロ波パワーを縦軸，ＳｉＨ４／Ｏ
２ 比を横軸にとり，アニールにより内部応力が負から
正に変化する範囲，負から負に変化する範囲を示したも
のである。
【００２６】図３に見るようにマイクロ波パワーが３０
０ 〜８００ Ｗ，ＳｉＨ４／Ｏ２ 比が０．９ 〜１
．０を含む条件範囲に，アニールにより内部応力の符号
の変わらない範囲がある。この範囲は配線のストレスマ
イグレーションを抑制する観点から望ましい範囲である
。配線パターン９を覆うシリコン酸化膜２の形成はこの
条件範囲で行うことが望ましい。
０ 〜８００ Ｗ，ＳｉＨ４／Ｏ２ 比が０．９ 〜１
．０を含む条件範囲に，アニールにより内部応力の符号
の変わらない範囲がある。この範囲は配線のストレスマ
イグレーションを抑制する観点から望ましい範囲である
。配線パターン９を覆うシリコン酸化膜２の形成はこの
条件範囲で行うことが望ましい。
【００２７】マイクロ波パワーが１０００Ｗ以上になる
と内部応力の符号が負から正に反転しやすくなり，かつ
デバイスへのダメージが大きくなるから望ましくない。 また，マイクロ波パワーが２００ Ｗ以下ではプラズマ
が立ちにくく，不安定になる。
と内部応力の符号が負から正に反転しやすくなり，かつ
デバイスへのダメージが大きくなるから望ましくない。 また，マイクロ波パワーが２００ Ｗ以下ではプラズマ
が立ちにくく，不安定になる。
【００２８】また，マイクロ波パワーを周期的に間欠的
に供給することは，内部応力の符号が負から正に反転し
にくくなり，かつデバイスへのダメージを小さくする効
果もあるから望ましい。
に供給することは，内部応力の符号が負から正に反転し
にくくなり，かつデバイスへのダメージを小さくする効
果もあるから望ましい。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように，本発明によれば，
ＥＣＲプラズマＣＶＤ法によるシリコン酸化膜を堆積し
た後，アニールにより内部応力がその符号を変えないよ
うに形成することができる。
ＥＣＲプラズマＣＶＤ法によるシリコン酸化膜を堆積し
た後，アニールにより内部応力がその符号を変えないよ
うに形成することができる。
【００３０】本発明は半導体装置の配線の断線の原因と
なるストレスマイグレーションを抑制する効果を奏し，
半導体装置の微細化に寄与するものである。
なるストレスマイグレーションを抑制する効果を奏し，
半導体装置の微細化に寄与するものである。
【図１】実施例を説明するための概念図である。
【図２】配線パターンを覆う絶縁膜を含む基板の断面図
である。
である。
【図３】アニールによる内部応力変化を示す図である。
１は半導体基板であってＳｉ基板
１ａはＢＰＳＧ膜
２は絶縁膜であってシリコン酸化膜
３は原料ガス導入管
３ａは原料ガスであってＳｉＨ４
３ｂは酸素を含むガスであってＯ２
４はマイクロ波パワー
５はチャンバであって真空チャンバ
６はＲＦ電源
７は電極兼ステージ
８は磁界コイル
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体基板（１） を電子サイクロト
ロン共鳴プラズマＣＶＤ装置のチャンバ（５） 内に配
置して，Ｓｉを含む原料ガス（３ａ）と酸素を含むガス
（３ｂ）及びマイクロ波パワー（４） を該チャンバ（
５） 内に導入して，該半導体基板（１） 上にシリコ
ン酸化膜（２） を堆積するに際し，堆積したシリコン
酸化膜（２） の内部応力が堆積後のアニールにより符
号を変化しないように該Ｓｉを含む原料ガス（３ａ）と
該酸素を含むガス（３ｂ）の供給比を制御することを特
徴とする絶縁膜の形成方法。 - 【請求項２】 該Ｓｉを含む原料ガス（３ａ）と該酸
素を含むガス（３ｂ）の供給比を制御することに加えて
，該マイクロ波パワー（４） を制御することを特徴と
する請求項１記載の絶縁膜の形成方法。 - 【請求項３】 該マイクロ波パワー（４） を周期的
に間欠的に供給することを特徴とする請求項１又は２記
載の絶縁膜の形成方法。 - 【請求項４】 該シリコン酸化膜（２） を該半導体
基板（１） 上に形成された配線パターン（９） を覆
うように形成することを特徴とする請求項１又は２又は
３記載の絶縁膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3050012A JP3049796B2 (ja) | 1991-03-15 | 1991-03-15 | 絶縁膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3050012A JP3049796B2 (ja) | 1991-03-15 | 1991-03-15 | 絶縁膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04286122A true JPH04286122A (ja) | 1992-10-12 |
| JP3049796B2 JP3049796B2 (ja) | 2000-06-05 |
Family
ID=12847088
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3050012A Expired - Fee Related JP3049796B2 (ja) | 1991-03-15 | 1991-03-15 | 絶縁膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3049796B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6037278A (en) * | 1996-08-30 | 2000-03-14 | Nec Corporation | Method of manufacturing semiconductor devices having multi-level wiring structure |
| JP2007294889A (ja) * | 2006-03-28 | 2007-11-08 | Kobe Steel Ltd | メンブレン構造素子及びその製造方法 |
| US8057882B2 (en) | 2006-03-28 | 2011-11-15 | Kobe Steel, Ltd. | Membrane structure element and method for manufacturing same |
-
1991
- 1991-03-15 JP JP3050012A patent/JP3049796B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6037278A (en) * | 1996-08-30 | 2000-03-14 | Nec Corporation | Method of manufacturing semiconductor devices having multi-level wiring structure |
| JP2007294889A (ja) * | 2006-03-28 | 2007-11-08 | Kobe Steel Ltd | メンブレン構造素子及びその製造方法 |
| US8057882B2 (en) | 2006-03-28 | 2011-11-15 | Kobe Steel, Ltd. | Membrane structure element and method for manufacturing same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3049796B2 (ja) | 2000-06-05 |
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