RU98115928A - Способ изготовления полупроводникового прибора - Google Patents
Способ изготовления полупроводникового прибораInfo
- Publication number
- RU98115928A RU98115928A RU98115928/28A RU98115928A RU98115928A RU 98115928 A RU98115928 A RU 98115928A RU 98115928/28 A RU98115928/28 A RU 98115928/28A RU 98115928 A RU98115928 A RU 98115928A RU 98115928 A RU98115928 A RU 98115928A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- carried out
- metal
- group
- heat treatment
- components
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 11
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 10
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims 8
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims 8
- REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N aluminium(3+) Chemical class [Al+3] REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 7
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims 5
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims 4
- 210000002381 Plasma Anatomy 0.000 claims 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims 2
- 230000000873 masking Effects 0.000 claims 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N oxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N HCl Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 claims 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton(0) Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
- 230000000737 periodic Effects 0.000 claims 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 claims 1
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 claims 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims 1
Claims (1)
1. Способ изготовления полупроводникового прибора, включающий формирование на кремниевой подложке активных областей, маскирование, вскрытие контактных окон к активным областям, химическую обработку, нанесение пленки сплава, один из компонентов которого является металлом VIII группы периодической системы элементов (ПСЭ), второй компонент - металл IV-VI группы и третий - или бор, или углерод, или азот, одновременное формирование в области контактного окна контактного силицидного споя и диффузионно-барьерного слоя с помощью термообработки и травления, формирование токоведущей разводки, отличающийся тем, что после нанесения пленки сплава проводят термообработку и селективное травление материала пленки, расположенного на маскирующем диэлектрике, минимально затрагивая материал пленки в области контактного окна.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что нанесение производят в устройствах с дополнительной ионизацией пленкообразующих компонентов и подачей высокочастотного смещения на подложку.
3. Способ по пп. 1 и 2, отличающийся тем, что нанесение пленки сплава проводят при температуре подложки в диапазоне 20-500oС.
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что нанесение пленки сплава производят методом физического осаждения из газовой фазы с предварительной плазменной зачисткой Si в контактном окне в режиме удаления SiO2 с селективностью по отношению к Si ≥ 50.
5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что нанесение пленки сплава осуществляют в плазме инертного газа (аргона, криптона) путем распыления мишени, содержащей металл VIII группы, металл IV-VI группы и элемент из группы бор, углерод, азот.
6. Способ по п. 1, отличающийся тем, что нанесение пленки сплава осуществляют из мишени, содержащей металл VIII группы и металл IV-VI группы, с использованием плазмообразующей среды, содержащей пленкообразующие компоненты из группы бор, углерод, азот.
7. Способ по п. 1, отличающийся тем, что соотношение компонентов сплава варьируют в пределах
y = (0,1 - 1)x
z = (0,4 - 1,5)x,
где x - количество металла IV-VI группы;
y - количество металла VIII группы;
z - количество или бора, или углерода, или азота.
y = (0,1 - 1)x
z = (0,4 - 1,5)x,
где x - количество металла IV-VI группы;
y - количество металла VIII группы;
z - количество или бора, или углерода, или азота.
8. Способ по пп. 1, 5 - 7, отличающийся тем, что пленка сплава помимо указанных компонентов содержит кислород в количестве
w = (0,01 - 0,1)x,
где x - количество металла IV-VI группы;
w - количество кислорода.
w = (0,01 - 0,1)x,
где x - количество металла IV-VI группы;
w - количество кислорода.
9. Способ по п. 1, отличающийся тем, что термообработку проводят в вакууме при температуре 500 - 1000oC в течение 1 - 30 мин.
10. Способ по п. 1, отличающийся тем, что термообработку проводят в едином вакуумном цикле с процессом нанесения.
11. Способ по п. 1, 9, отличающийся тем, что термообработку проводят методом быстрого термического отжига при Т = 500 - 1200°С в течение 1 - 60 с.
12. Способ по пп. 1 и 11, отличающийся тем, что термообработку осуществляют при атмосферном давлении в атмосфере либо азота, либо инертного газа, либо водорода, либо аммиака.
13. Способ по пп. 1, 9, 11, отличающийся тем, что термообработку осуществляют в две стадии: 1 стадия - низкотемпературная при 250 - 500°С, 2 стадия - высокотемпературная при 500 - 1200°С.
14. Способ по п. 1, отличающийся тем, что селективное травление осуществляют в жидкостном травитепе, который содержит компонент (или комплекс компонентов), травящий металл VIII группы ПСЭ.
15. Способ по п. 1, 14, отличающийся тем, что травитель содержит, об.ч.:
HCl - 1 - 3
H2O2 - 10 - 15
H2O - 5
16. Способ по пп. 1, 14, 15, отличающийся тем, что селективное травление проводят при температуре травитепя 50 - 100oC.
HCl - 1 - 3
H2O2 - 10 - 15
H2O - 5
16. Способ по пп. 1, 14, 15, отличающийся тем, что селективное травление проводят при температуре травитепя 50 - 100oC.
17. Способ по п. 1, отличающийся тем, что селективное травление проводят плазмохимическим методом с использованием плазменной среды, которая содержит компонент (или комплекс компонентов), травящий металл VIII группы ПСЭ.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU98115928/28A RU2152108C1 (ru) | 1998-08-20 | 1998-08-20 | Способ изготовления полупроводникового прибора |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU98115928/28A RU2152108C1 (ru) | 1998-08-20 | 1998-08-20 | Способ изготовления полупроводникового прибора |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU98115928A true RU98115928A (ru) | 2000-06-10 |
| RU2152108C1 RU2152108C1 (ru) | 2000-06-27 |
Family
ID=20209806
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU98115928/28A RU2152108C1 (ru) | 1998-08-20 | 1998-08-20 | Способ изготовления полупроводникового прибора |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2152108C1 (ru) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2240280C1 (ru) | 2003-10-10 | 2004-11-20 | Ворлд Бизнес Ассошиэйтс Лимитед | Способ формирования упорядоченных волнообразных наноструктур (варианты) |
| WO2013006077A1 (en) * | 2011-07-06 | 2013-01-10 | Wostec, Inc. | Solar cell with nanostructured layer and methods of making and using |
| WO2013022365A1 (en) | 2011-08-05 | 2013-02-14 | Wostec, Inc. | Light emitting diode with nanostructured layer and methods of making and using |
| US9057704B2 (en) | 2011-12-12 | 2015-06-16 | Wostec, Inc. | SERS-sensor with nanostructured surface and methods of making and using |
| US9653627B2 (en) | 2012-01-18 | 2017-05-16 | Wostec, Inc. | Arrangements with pyramidal features having at least one nanostructured surface and methods of making and using |
| US9134250B2 (en) | 2012-03-23 | 2015-09-15 | Wostec, Inc. | SERS-sensor with nanostructured layer and methods of making and using |
| US9500789B2 (en) | 2013-03-13 | 2016-11-22 | Wostec, Inc. | Polarizer based on a nanowire grid |
| WO2015199573A1 (en) | 2014-06-26 | 2015-12-30 | Wostec, Inc. | Wavelike hard nanomask on a topographic feature and methods of making and using |
| US10672427B2 (en) | 2016-11-18 | 2020-06-02 | Wostec, Inc. | Optical memory devices using a silicon wire grid polarizer and methods of making and using |
| WO2018156042A1 (en) | 2017-02-27 | 2018-08-30 | Wostec, Inc. | Nanowire grid polarizer on a curved surface and methods of making and using |
| RU2698540C1 (ru) * | 2018-10-17 | 2019-08-28 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ) | Способ изготовления контактно-барьерной металлизации |
-
1998
- 1998-08-20 RU RU98115928/28A patent/RU2152108C1/ru not_active IP Right Cessation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4617087A (en) | Method for differential selective deposition of metal for fabricating metal contacts in integrated semiconductor circuits | |
| US7211506B2 (en) | Methods of forming cobalt layers for semiconductor devices | |
| KR910019113A (ko) | 집적 공정 시스템에서 티타늄과 질소함유 가스의 반응에 의해 반도체 웨이퍼상에 질화티타늄을 형성시키는 방법 | |
| KR20010052609A (ko) | 저항율 감소를 위한 증착막 처리 방법 | |
| RU98115928A (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| JPS63275114A (ja) | 基板上に低応力耐火金属層を形成する方法 | |
| JPH0347575B2 (ru) | ||
| JP2814445B2 (ja) | 選択的な金の低温化学蒸着 | |
| Uchida et al. | Novel chamber cleaning method using atomic hydrogen generated by hot catalyzer | |
| RU2152108C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| GB1410728A (en) | Etching methods to their application and to devices produced thereby | |
| JPH11145279A (ja) | 窒化シリコン保護膜のピンホール除去方法 | |
| JP2002151693A (ja) | ボトムゲート薄膜トランジスタとその製造方法およびエッチング装置と窒化装置 | |
| JP3449736B2 (ja) | メタルプラグの形成方法 | |
| KR19980073847A (ko) | 반도체 웨이퍼 세정방법 및 산화막형성방법 | |
| JPH07177761A (ja) | マイクロマシンの製造方法 | |
| JPH01234578A (ja) | 銅薄膜のドライエツチング方法 | |
| JPH0661222A (ja) | 絶縁膜形成方法 | |
| KR950007671B1 (ko) | 텅스텐 박막의 증착방법 | |
| EP0349695A1 (en) | Method of depositing metal on a silicon substrate | |
| JP3235095B2 (ja) | シリコン酸化膜の成膜方法 | |
| KR100431306B1 (ko) | 알루미늄산화막과 이트륨질산화막의 이중막으로 이루어진게이트산화막을 이용한 반도체 소자의 게이트 형성방법 | |
| KR100522434B1 (ko) | 유기 반도체의 선택적 증착 방법 | |
| RU1389603C (ru) | Способ создани металлизации интегральных схем | |
| JP3060677B2 (ja) | 反応性ドライエッチング法 |