KR890002286A - 플라즈마 향상된 산화규소 부착방법 및 진공시스템 - Google Patents

플라즈마 향상된 산화규소 부착방법 및 진공시스템 Download PDF

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Abstract

내용 없음

Description

플라즈마 향상된 산화규소 부착방법 및 진공시스템
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 여러 양상을 이용한 플라즈마 시스템을 설명하는 일반적인 개략도이다.
제2도는 플라즈마 부착실(chamber) 및 그와 연관된 장치의 단면도를 도식적으로 설명하고 있다.
제3A도 및 제3B도는 제2도의 시스템내 균형을 이룬 마그네트론(magnetron)의 사용을 설명하고 있다.

Claims (32)

  1. 휘발된 유기 규소 화합물, 산소 및 불활성 기체를 포함하는 기체 스트림을 제공하고 ; 플라즈마에서 제거가능하게 배치될 수 있는 기판을 포함하는 미리 배기된 실(chamber)so 스트림으로부터 유도된 글로우방전(glow discharge)플라즈마를 만들고 ; 플라즈마안에 배치될 때 기판상에 산화 규소를 부착시키기 위해서 플라즈마내로 기체 스트림을 흘려보내는 것을 포함하는 것으로, 이때 부착된 산화 규소가 기체 스트림의 반응 생성물이며, 부착하는 동안 실이 약 100μ보다 작은 압력에서 유지되는 부착성 산화 규소 기재필름을 부착시키는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 이온 플럭스(flux)를 증가시키기 위해 부착하는 동안 기판에 인접한 플랄즈마의 적어도 일부분을 자기적으로 제한하는 것이 포함된 방법.
  3. 제1항에 있어서, 플라즈마내로 흐르는 유기규소 화합물이 조정 가능하게 조절된 양인 방법.
  4. 제3항에 있어서, 플라즈마내로 흐르는 기체 스트림의 유기 규소 화합물 및 산소가 약 1.2:1-약1:1.8의 흐름 속도 비율내에 있고 플라즈마내로 흐르는 기체 스트림의 불활성 기체가 부착속도 및 부착된 산화규소의 경도를 증가시키기에 유효량의 헬륨 또는 아르곤인 방법.
  5. 제1항에 있어서, 불활성 기체가 헬륨이고, 플라즈마내로 흐르는 기체 스트림이 약 1.2 : 1-약 1 : 1.8 범위 비율의 유기 규소 화합물과 산소, 및 약 1 : 1.5-1 : 2.3 범위 비율의 유기 규소 화합물과 헬륨을 포함하는 방법.
  6. 제1항 또는 제5항에 있어서, 유기 규소 화합물이 1,1,3,3-테트라메틸디실록산, 헥사메틸디실록산, 비닐 트리메틸실란, 메틸트리 메톡시실란, 비닐트리메톡시실란 또는 헥사메틸디실라잔인 방법.
  7. 제1항에 있어서, 부착된 산화규소가 본질적으로 무기물인 방법.
  8. 제1항에 있어서, 분활성 기체가 헬륨이고, 기체 스트림이 소량의 프로필렌을 포함하고 있으며, 부착된 산화규소가 탄소부분을 포함하는 방법.
  9. 제1항에 있어서, 기체 스트림이 소량의 질소 또는 아산화 질소를 포함하고, 부착된 산화규소가 질소부분을 포함하는 방법.
  10. 제1항에 있어서, 부착시키는 동안 실이 약 20-약100μ의 압력에서 유지되는 방법.
  11. 제10항에 있어서, 부착시키는 동안 실이 약 43-약49μ의 압력에서 유지되는 방법.
  12. 제1항에 있어서, 부착시키는 동안 기판이 플라즈마 안팎으로 이동되는 방법.
  13. 유기 규소성분을 증발시키고 휘발된 유기 규소성분을 산소성분 및 불활성 기체성분과 혼합시켜 실 외부에 기체 스트림을 형성하고 ; 하나 또는 그 이상의 기체 스트림 성분으로부터 실안에 글로우방전 플라즈마를 만들고 ; 플라즈마의 적어도 일부분을 제한하면서 플라즈마내로 기체스트림을 조절 가능하게 흘려보내고 ; 제한된 플라즈마네 인접한 플라즈마 안팎으로 기판을 이동시키는 것을 포함하는, 글로우 방전에 의해 미리 배기된 실에서 경질의, 본질적으로 무기 산화 규소 기체 필름을 부착시키는 방법.
  14. 제13항에 있어서, 유기 규소성분이 1,1,3,3-테트라메틸디실록산, 헥사메틸디실록산, 비닐트리메틸실란, 메틸트리메톡시실란, 비닐트리메톡시실란 또는 헥사메틸디실라잔인 방법.
  15. 제13항에 있어서, 불활성 기체성분이 헬륨이고, 기체 스트림으 유기 규소성분 및 산호사 약 1.2 : 1- 1: 1.8의 기체 흐름 비율로 있고, 유기 규소성분 및 헬륨이 약 1 : 1.5-1: 2.3의 기체 흐름 비율로 있는 방법.
  16. 제13항에 있어서, 흘려 보내는 동안 실이 약 20 - 약100μ의 압력에 있는 방법.
  17. 제13항에 있어서, 플라즈마가 불균형 마그네트론에 의해 제한되는 방법.
  18. 제17항에 있어서, 진공 펌프가 실과 통하는 유체안에 있고, 마그네트론으로부터 일정한 거리에 있으며, 기처 스트림이 플라즈마내로 진공 펌프 상류 및 마그네트론 하류로 흐르는 방법.
  19. 제13항에 있어서, 기판이 이동하는 동안 약 80℃이하의 온도에 있는 방법.
  20. 제13항에 있어서, 제한된 플라즈마와 접촉시키는 것을 제외하곤 기판을 실로부터 전기적으로 분리시키는 방법.
  21. 제13항에 있어서, 기판이 유리, 플라스틱 미네랄 또는 금속인 방법.
  22. 휘발된 유기 규소 화합물을 포함하는 기체 스트림을 제공하고 ; 플라즈마내에 제거 가능하게 배치된 기판을 포함하는, 약 10-6토르로 미리 배기된 실내 기체 스트림으로부터 유도된 글로우 방전 플라즈마를 만들고 ; 약 25-약 100μ의 실내 압력을 만들기 위해서 충분한 기체 스트림을 흘려보내고 플라즈마안에 배치되었을 때 기판상에 산화 규소 필름을 부착시키고 그 동안 이곳에 이온 플럭스를 증가시키기 위해 부착시키는 동안 기판에 인접한 플라즈마의 적어도 일부분을 자기적으로 제한하는 것을 포함하는 플라즈마 향상된 얇은 필름 부착방법.
  23. 하기 기판위에 부착되는 원하는 물질의 급원을 포함하는 기체 스트림을 하기실에 제공하고, 높은 전기 장강도의 영역에서 상기 스트림의 기체로부터 유도된 글로우 방전 플라즈마를 상기 실안에 만들어 놓고, 어떠한 전기적 연결없이 상기 플라즈마내에 기판을 제거가능하게 배치하고, 상기 기판으로 향한 충분한 자속(magnetic flux)을 갖는 자기장을 상기 플라즈마내에 발생시키는 단계를 포함하는 배기된 실안에서 플라즈마 공정에 의해 기판상에 얇은 필름을 부착시키는 방법.
  24. 제23항에 있어서, 자기력을 발생시키는 단계가 상기 실안에 불균형 마그네트론을 배치하는 것을 포함하는 방법.
  25. 제23항에 있어서, 본질적으로 약 43-약49μ범위의 압력으로 실을 배기시키는 단계를 포함하는 방법.
  26. 제23항에 있어서, 자속을 발생시키는 단계가 상기 실안에 두 자기극 쌍을 배치시키는 것을 포함하고, 각 쌍의 첫 번째 자기극이 상기 플라즈마를 향해 배향되고, 각 쌍의 두 번째 자기극이 상기 플라즈마로부터 떨어진 면을 향해 배향되는 방법.
  27. 제23항에 있어서, 자속을 발생시키는 단계가 또 다른 극성의 보다 작은 자기 강도에 의해 분리된 한 극성의 최대 자기 강도로부터 변화하는, 플라즈마에 걸쳐 본질적으로 모든 방향에서의 자속 분포기능을 특징으로 하는 플라즈마에 인접한 표면을 갖는 자기구조를 상기 실안에 배치하는 것을 포함하는 방법.
  28. 글로우 방전에 의해 미리 배기된 실안에 배치된 기판상에 물질의 얇은 필름을 배치시키는 진공시스템에 있어서 주위 온도 이상의 끊는 점을 갖는 액체를 증발시키고, 미리 배기된 실 안으로 증기의 조절된 흐름을 전달시키기에 충분한 구조를 가진 증발기 ; 증기로부터 실안에 글로우 방전 플라즈마를 만들기 위한 전기적 수단 ; 실안에 배치된 기판 ; 및, 기판으로 향한 충분한 자속을 갖는 플랍즈마안에 자기장을 발생시키기 위한 자기 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 진공시스템.
  29. 제28항에 있어서, 기체 스트림으로서 실안에 증기와 함께 적어도 하나으 l부가적인 기체를 도입시키기에 적합한 적어도 하나의 부가적인 기체 공급원이 포함된 것으로, 글로우 방전 플라즈마의 상기 기체 스트림으로부터 형성되는 진공시스템.
  30. 제28항 또는 제29항에 있어서, 자기수단이 실안에 배치된 불균형 마그네트론을 포함하는 진공시스템.
  31. 제28항 또는 제29항에 있어서, 자기수단이 실안에 배치된 두 자기극 쌍을 포함하며, 이때 각 쌍의 첫 번째 자기극이 플라즈마을 향해 배향되어 있고 각 쌍의 두 번째 자기극이 플라즈마에서 떨어진 면을 향해 배향되어 있는 진공시스템.
  32. 제28항 또는 제29항에 있어서, 자기수단이 또 다른 극성의 보다 작은 자기강도에 의해 분리된 한 극성의 최대 자기강도로부터 변화하는, 플라즈마에 걸쳐, 본질적으로 모든 방향으로 자속분포기능을 특징으로 하는 플라즈마에 인접한 표면을 갖는 실안에 배치된 자기구조를 포함하는 진공시스템.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101434584B1 (ko) * 2005-05-12 2014-08-28 다우 코닝 아일랜드 리미티드 프라이머를 통한 접착제의 기판에의 결합방법

Families Citing this family (83)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4783374A (en) * 1987-11-16 1988-11-08 Ovonic Synthetic Materials Company Coated article and method of manufacturing the article
US4981713A (en) * 1990-02-14 1991-01-01 E. I. Du Pont De Nemours And Company Low temperature plasma technology for corrosion protection of steel
CA2048168A1 (en) * 1990-08-03 1992-02-04 John T. Felts Silicon oxide based thin film vapour barriers
EP0470777A3 (en) * 1990-08-07 1993-06-02 The Boc Group, Inc. Thin gas barrier films and rapid deposition method therefor
EP0533044B1 (de) * 1991-09-20 1999-12-29 Balzers Aktiengesellschaft Verfahren zur Schutzbeschichtung von Substraten sowie Beschichtungsanlage
US5224441A (en) * 1991-09-27 1993-07-06 The Boc Group, Inc. Apparatus for rapid plasma treatments and method
DE69208793T2 (de) * 1991-10-03 1996-09-19 Becton Dickinson Co Blutentnahmeröhrchen
MX9303141A (es) * 1992-05-28 1994-04-29 Polar Materials Inc Metodos y aparatos para depositar recubrimientos de barrera.
DE4225106C2 (de) * 1992-07-30 1995-10-05 Heraeus Kulzer Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines Metall-Kunststoff-Verbundes
DE4232390A1 (de) * 1992-09-26 1994-03-31 Roehm Gmbh Verfahren zum Erzeugen von siliciumoxidischen kratzfesten Schichten auf Kunststoffen durch Plasmabeschichtung
FR2703073B1 (fr) * 1993-03-26 1995-05-05 Lorraine Laminage Procédé et dispositif pour le revêtement en continu d'un matériau métallique en défilement par un dépôt de polymère à gradient de composition, et produit obtenu par ce procédé.
ES2068133B1 (es) * 1993-04-27 1995-11-01 Univ Vigo Recubrimientos de oxido de silicio producidos mediante lampara excimera de descarga silenciosa para la proteccion de elementos metalicos
US5364666A (en) * 1993-09-23 1994-11-15 Becton, Dickinson And Company Process for barrier coating of plastic objects
JPH07211711A (ja) * 1994-01-25 1995-08-11 Sumitomo Electric Ind Ltd 絶縁基板及びその製造方法
JP2899600B2 (ja) * 1994-01-25 1999-06-02 キヤノン販売 株式会社 成膜方法
US5846649A (en) * 1994-03-03 1998-12-08 Monsanto Company Highly durable and abrasion-resistant dielectric coatings for lenses
US5618619A (en) * 1994-03-03 1997-04-08 Monsanto Company Highly abrasion-resistant, flexible coatings for soft substrates
DE69519228T2 (de) * 1994-05-13 2001-02-22 Novex San Diego Vorrichtung mit einer beschichteten Kunststoffgiessform für elektroforetisches Gel
US5464667A (en) * 1994-08-16 1995-11-07 Minnesota Mining And Manufacturing Company Jet plasma process and apparatus
AU3512695A (en) * 1994-09-19 1996-04-09 Novel Experimental Technology Plastic mold for electrophoresis gel
EP0870737B1 (en) * 1997-04-08 2002-07-24 Shin-Etsu Quartz Products Co., Ltd. Optical synthetic quartz glass, production method thereof, and optical member for excimer laser using the synthetic quartz glass
US6110544A (en) * 1997-06-26 2000-08-29 General Electric Company Protective coating by high rate arc plasma deposition
US6203898B1 (en) 1997-08-29 2001-03-20 3M Innovatave Properties Company Article comprising a substrate having a silicone coating
JP2001518565A (ja) 1997-09-30 2001-10-16 テトラ ラヴァル ホールディングズ アンド ファイナンス エス．アー． プラズマ強化プロセスにおける小口径開口部付きプラスチック製容器の内面処理装置および方法
US6340435B1 (en) 1998-02-11 2002-01-22 Applied Materials, Inc. Integrated low K dielectrics and etch stops
US6112696A (en) * 1998-02-17 2000-09-05 Dry Plasma Systems, Inc. Downstream plasma using oxygen gas mixture
US7077159B1 (en) 1998-12-23 2006-07-18 Applied Materials, Inc. Processing apparatus having integrated pumping system
US6336347B1 (en) * 1998-12-28 2002-01-08 Pirelli Cavi E Sistemi S.P.A. Process for producing silica by decomposition of an organosilane
DE19956733A1 (de) 1999-11-25 2001-06-28 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zur Regelung von Sputterprozessen
US20010030876A1 (en) 1999-12-03 2001-10-18 Ing-Feng Hu Self-cleaning automotive head lamp
JP3348084B2 (ja) * 1999-12-28 2002-11-20 キヤノン販売株式会社 成膜方法及び半導体装置
US6674140B2 (en) 2000-02-01 2004-01-06 Analog Devices, Inc. Process for wafer level treatment to reduce stiction and passivate micromachined surfaces and compounds used therefor
JP3600507B2 (ja) * 2000-05-18 2004-12-15 キヤノン販売株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP2002009069A (ja) * 2000-06-22 2002-01-11 Canon Sales Co Inc 成膜方法
WO2002044032A2 (en) * 2000-11-29 2002-06-06 American Aerogel Corporation Insulated barriers and methods for producing same
US6570256B2 (en) * 2001-07-20 2003-05-27 International Business Machines Corporation Carbon-graded layer for improved adhesion of low-k dielectrics to silicon substrates
US6736948B2 (en) * 2002-01-18 2004-05-18 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Cylindrical AC/DC magnetron with compliant drive system and improved electrical and thermal isolation
US6818570B2 (en) * 2002-03-04 2004-11-16 Asm Japan K.K. Method of forming silicon-containing insulation film having low dielectric constant and high mechanical strength
AU2003299015A1 (en) * 2002-09-19 2004-04-08 Applied Process Technologies, Inc. Beam plasma source
US7411352B2 (en) * 2002-09-19 2008-08-12 Applied Process Technologies, Inc. Dual plasma beam sources and method
CN100445423C (zh) 2002-09-30 2008-12-24 凸版印刷株式会社 薄膜成膜方法、薄膜成膜装置和薄膜成膜过程的监视方法
CH707466B1 (de) * 2002-10-03 2014-07-15 Tetra Laval Holdings & Finance Vorrichtung zur Durchführung eines Plasma-unterstützten Prozesses.
US6905773B2 (en) 2002-10-22 2005-06-14 Schlage Lock Company Corrosion-resistant coatings and methods of manufacturing the same
US20040129561A1 (en) * 2003-01-07 2004-07-08 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Cylindrical magnetron magnetic array mid span support
US20050051422A1 (en) * 2003-02-21 2005-03-10 Rietzel James G. Cylindrical magnetron with self cleaning target
US7014741B2 (en) * 2003-02-21 2006-03-21 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Cylindrical magnetron with self cleaning target
US7031600B2 (en) * 2003-04-07 2006-04-18 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for silicon oxide deposition on large area substrates
US20050202263A1 (en) * 2004-03-09 2005-09-15 Jonathan Sargent Barrier layer to prevent the loss of additives in an underlying layer
US20060278519A1 (en) * 2005-06-10 2006-12-14 Leszek Malaszewski Adaptable fixation for cylindrical magnetrons
WO2007102378A1 (ja) * 2006-02-28 2007-09-13 Toppan Printing Co., Ltd. 電気泳動用カセットおよびその製造方法
KR20080082775A (ko) * 2007-03-09 2008-09-12 삼성전자주식회사 액정표시장치와 그 제조방법
EP2183407A1 (en) * 2007-07-30 2010-05-12 Dow Global Technologies Inc. Atmospheric pressure plasma enhanced chemical vapor deposition process
US20090130362A1 (en) * 2007-11-21 2009-05-21 Egan Visual Inc. Multiuse dry erase writing and projection surface
US7985188B2 (en) 2009-05-13 2011-07-26 Cv Holdings Llc Vessel, coating, inspection and processing apparatus
PT2251453E (pt) 2009-05-13 2014-03-13 Sio2 Medical Products Inc Retentor de vaso
WO2013170052A1 (en) 2012-05-09 2013-11-14 Sio2 Medical Products, Inc. Saccharide protective coating for pharmaceutical package
US9458536B2 (en) 2009-07-02 2016-10-04 Sio2 Medical Products, Inc. PECVD coating methods for capped syringes, cartridges and other articles
JP2011186149A (ja) * 2010-03-08 2011-09-22 Olympus Corp 光学部品及びその製造方法
US11624115B2 (en) 2010-05-12 2023-04-11 Sio2 Medical Products, Inc. Syringe with PECVD lubrication
WO2011143509A1 (en) 2010-05-12 2011-11-17 Cv Holdings, Llc Vessel outgassing inspection methods
US9878101B2 (en) 2010-11-12 2018-01-30 Sio2 Medical Products, Inc. Cyclic olefin polymer vessels and vessel coating methods
DE102010063887B4 (de) * 2010-12-22 2012-07-19 BSH Bosch und Siemens Hausgeräte GmbH Verfahren zum Herstellen eines pyrolysetauglichen Bauteils eines Gargeräts sowie pyrolysetaugliches Bauteil für ein Gargerät
US9272095B2 (en) 2011-04-01 2016-03-01 Sio2 Medical Products, Inc. Vessels, contact surfaces, and coating and inspection apparatus and methods
US20120312233A1 (en) * 2011-06-10 2012-12-13 Ge Yi Magnetically Enhanced Thin Film Coating Method and Apparatus
US8728239B2 (en) * 2011-07-29 2014-05-20 Asm America, Inc. Methods and apparatus for a gas panel with constant gas flow
US11116695B2 (en) 2011-11-11 2021-09-14 Sio2 Medical Products, Inc. Blood sample collection tube
EP2776603B1 (en) 2011-11-11 2019-03-06 SiO2 Medical Products, Inc. PASSIVATION, pH PROTECTIVE OR LUBRICITY COATING FOR PHARMACEUTICAL PACKAGE, COATING PROCESS AND APPARATUS
RU2529865C2 (ru) * 2012-10-23 2014-10-10 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук (ФИАН) Устройство для нанесения однородных гладких тонких пленок различных материалов на твердые подложки
WO2014071061A1 (en) 2012-11-01 2014-05-08 Sio2 Medical Products, Inc. Coating inspection method
WO2014078666A1 (en) 2012-11-16 2014-05-22 Sio2 Medical Products, Inc. Method and apparatus for detecting rapid barrier coating integrity characteristics
US9764093B2 (en) 2012-11-30 2017-09-19 Sio2 Medical Products, Inc. Controlling the uniformity of PECVD deposition
WO2014085346A1 (en) 2012-11-30 2014-06-05 Sio2 Medical Products, Inc. Hollow body with inside coating
US9662450B2 (en) 2013-03-01 2017-05-30 Sio2 Medical Products, Inc. Plasma or CVD pre-treatment for lubricated pharmaceutical package, coating process and apparatus
CN105392916B (zh) 2013-03-11 2019-03-08 Sio2医药产品公司 涂布包装材料
US9937099B2 (en) 2013-03-11 2018-04-10 Sio2 Medical Products, Inc. Trilayer coated pharmaceutical packaging with low oxygen transmission rate
EP2971227B1 (en) 2013-03-15 2017-11-15 Si02 Medical Products, Inc. Coating method.
JP6279222B2 (ja) * 2013-03-25 2018-02-14 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 摩擦係数の低い表面を有するポリマーを含む物品及びその製造方法
GB2521137A (en) * 2013-12-10 2015-06-17 Europlasma Nv Surface Coatings
EP3693493A1 (en) 2014-03-28 2020-08-12 SiO2 Medical Products, Inc. Antistatic coatings for plastic vessels
RU2584205C2 (ru) * 2014-06-10 2016-05-20 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина" МАТЕРИАЛ ДЛЯ КОНВЕРСИИ ВАКУУМНОГО УЛЬТРАФИОЛЕТОВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ В ИЗЛУЧЕНИЕ ВИДИМОГО ДИАПАЗОНА В ВИДЕ АМОРФНОЙ ПЛЕНКИ ОКСИДА КРЕМНИЯ SiO2Sx НА КРЕМНИЕВОЙ ПОДЛОЖКЕ
EP3337915B1 (en) 2015-08-18 2021-11-03 SiO2 Medical Products, Inc. Pharmaceutical and other packaging with low oxygen transmission rate
WO2019020481A1 (de) * 2017-07-26 2019-01-31 Saint-Gobain Glass France Beschichtung mit diamantähnlichem kohlenstoff über ein pecvd-magnetron-verfahren
CN114622183A (zh) * 2020-12-11 2022-06-14 湖南红太阳光电科技有限公司 一种制备氧化硅薄膜的方法

Family Cites Families (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3282815A (en) * 1963-07-01 1966-11-01 Ibm Magnetic control of film deposition
US3916034A (en) * 1971-05-21 1975-10-28 Hitachi Ltd Method of transporting substances in a plasma stream to and depositing it on a target
US3961103A (en) * 1972-07-12 1976-06-01 Space Sciences, Inc. Film deposition
US4015558A (en) * 1972-12-04 1977-04-05 Optical Coating Laboratory, Inc. Vapor deposition apparatus
JPS5142097A (ja) * 1974-10-09 1976-04-09 Shinetsu Chemical Co Bifunmatsujoshirikano seizohoho
US4013532A (en) * 1975-03-03 1977-03-22 Airco, Inc. Method for coating a substrate
US4282268A (en) * 1977-05-04 1981-08-04 Rca Corporation Method of depositing a silicon oxide dielectric layer
US4168330A (en) * 1977-10-13 1979-09-18 Rca Corporation Method of depositing a silicon oxide layer
JPS54135574A (en) * 1978-03-23 1979-10-20 Japan Synthetic Rubber Co Ltd Probe for measuring characteristics of plasma* and method and device employing said probe
US4268711A (en) * 1979-04-26 1981-05-19 Optical Coating Laboratory, Inc. Method and apparatus for forming films from vapors using a contained plasma source
US4487162A (en) * 1980-11-25 1984-12-11 Cann Gordon L Magnetoplasmadynamic apparatus for the separation and deposition of materials
US4512867A (en) * 1981-11-24 1985-04-23 Andreev Anatoly A Method and apparatus for controlling plasma generation in vapor deposition
JPS58145193A (ja) * 1982-02-23 1983-08-29 富士通株式会社 低温動作用回路基板実装構造
US4435476A (en) * 1982-08-18 1984-03-06 Foster Grant Corporation Method of making an abrasion resistant coating on a solid substrate and articles produced thereby
DE3241516A1 (de) * 1982-11-10 1984-05-10 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Mehrschichtsystem fuer waermeschutzanwendung
US4562091A (en) * 1982-12-23 1985-12-31 International Business Machines Corporation Use of plasma polymerized orgaosilicon films in fabrication of lift-off masks
JPS59128281A (ja) * 1982-12-29 1984-07-24 信越化学工業株式会社 炭化けい素被覆物の製造方法
US4557946A (en) * 1983-06-03 1985-12-10 Edward Sacher Moisture impermeability or organosilicone films
JPS6038727A (ja) * 1983-08-09 1985-02-28 Konishiroku Photo Ind Co Ltd 磁気記録媒体およびその製造方法
DE3413019A1 (de) * 1984-04-06 1985-10-17 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Verfahren zum aufbringen einer duennen, transparenten schicht auf der oberflaeche optischer elemente
JPS6113626A (ja) * 1984-06-29 1986-01-21 Hitachi Ltd プラズマ処理装置
US4668365A (en) * 1984-10-25 1987-05-26 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for magnetron-enhanced plasma-assisted chemical vapor deposition
DE3576802D1 (de) * 1984-12-30 1990-05-03 Ajinomoto Kk Transparente kunststoffmaterialbuechse.
US4599678A (en) * 1985-03-19 1986-07-08 Wertheimer Michael R Plasma-deposited capacitor dielectrics
US4759993A (en) * 1985-04-25 1988-07-26 Ovonic Synthetic Materials Co., Inc. Plasma chemical vapor deposition SiO2-x coated articles and plasma assisted chemical vapor deposition method of applying the coating
KR870000750A (ko) * 1985-06-14 1987-02-20 이마드 마하윌리 이산화실리콘 필름을 화학적으로 증기피복하는 방법
US4657619A (en) * 1985-11-29 1987-04-14 Donnell Kevin P O Diverter magnet arrangement for plasma processing system
US4728863A (en) * 1985-12-04 1988-03-01 Wertheimer Michael R Apparatus and method for plasma treatment of substrates
FR2591587A1 (fr) * 1985-12-17 1987-06-19 Saint Gobain Vitrage Film organo-mineral depose sur un substrat en verre eventuellement revetu d'une ou plusieurs couches metalliques minces.
US5000113A (en) * 1986-12-19 1991-03-19 Applied Materials, Inc. Thermal CVD/PECVD reactor and use for thermal chemical vapor deposition of silicon dioxide and in-situ multi-step planarized process
US4876983A (en) * 1987-01-19 1989-10-31 Hitachi, Ltd. Plasma operation apparatus
US4759199A (en) * 1987-09-21 1988-07-26 Tuftco Corporation Linear motion looper apparatus for tufting machine
US5100720A (en) * 1987-10-07 1992-03-31 Mitsubishi Monsanto Chemical Company Limited Laminated film having gas barrier properties
US4877641A (en) * 1988-05-31 1989-10-31 Olin Corporation Process for plasma depositing silicon nitride and silicon dioxide films onto a substrate
US4877651A (en) * 1988-05-31 1989-10-31 Olin Corporation Process for thermally depositing silicon nitride and silicon dioxide films onto a substrate
US4854054A (en) * 1988-06-27 1989-08-08 Maytag Corporation Fabric dryer airflow system

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101434584B1 (ko) * 2005-05-12 2014-08-28 다우 코닝 아일랜드 리미티드 프라이머를 통한 접착제의 기판에의 결합방법
US8859056B2 (en) 2005-05-12 2014-10-14 Dow Corning Ireland, Ltd. Bonding an adherent to a substrate via a primer

Also Published As

Publication number Publication date
EP0299754A3 (en) 1991-01-30
ES2043826T3 (es) 1994-01-01
UA12650A (uk) 1997-02-28
US5904952A (en) 1999-05-18
EP0299754A2 (en) 1989-01-18
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MX170794B (es) 1993-09-15
KR930011764B1 (ko) 1993-12-20
DE3884697T2 (de) 1994-01-27
JPS6487772A (en) 1989-03-31
CA1340053C (en) 1998-09-22
EP0299754B1 (en) 1993-10-06
AU606715B2 (en) 1991-02-14
ATE95574T1 (de) 1993-10-15
CN1030616A (zh) 1989-01-25
ZA884511B (en) 1989-03-29
RU2030483C1 (ru) 1995-03-10
JP2634637B2 (ja) 1997-07-30
DE3884697D1 (de) 1993-11-11

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