KR880008457A - 보충 실리콘-온-절연기 측면 절연 게이트 정류기 - Google Patents

보충 실리콘-온-절연기 측면 절연 게이트 정류기 Download PDF

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이반 밀러 레르너
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Abstract

내용 없음.

Description

보충 실리콘-온-절연기 측면 절연 게이트 정류기
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 SOI LIGR의 횡단면도.
제2도는 제1도의 Ⅱ-Ⅱ, Ⅲ-Ⅲ 및 Ⅳ-Ⅳ선을 따라 취한 제1도 장치의 평면도.

Claims (2)

  1. 보충 실리콘-온-절연기(SOI) 측면 절연 게이트 정류기(LIGR)에 있어서, 주표면을 갖는 절연기판과, 상기 주표면상에서, 불순물의 첨가된 층부에서 복수의 인접 공동 평면을 포함하는 단결정 실리콘층과 제1영역 및 그와 반대의 전도형인 제2영역을 갖으며 상기 보충 LIGR의 제 1드레인 영역을 형성하는 제1층부와 상기 제1층부와 접속하며 상기 보충 LIGR의 제1드리프트 영역을 포함하는 상기 제1전도형의 제2층부와, 상기 제2층부와 접촉하며 상기 보충 LIGR의 제1채널 영역을 포함하는 상기 제2전도형의 제3층부와, 제1 및 제2전도형 영역을 갖으며, 상기 제3층부와 접촉하며 상기 보충 LIGR의 공통 소스 영역을 형성하는 제4층부와, 제4층부와 접촉하며 상기 보충 LIGR의 제2채널 영역을 포함하는 상기 제1전도형의 제5층부와, 상기 제5층부에 접촉하며 상기 보충 LIGR의 제2드리프트 영역을 포함하는 상기 제2전도형의 제6층부와, 상기 제1 및 제2전도형의 영역을 갖으며 상기 제6층부와 접촉하며 상기 보충 LIGR의 제2드레인 영역을 형성하는 제7층부와, 상기 단결정 실리콘층부상에 있으며, 상기 제3 및 제5층부를 덮는 절연층과, 상기 절연층상에 있으며 상기 제3 및 제5층부위에 있는 제1 및 제2게이트 전극과, 상기 제4층부로 접속된 소스 전극과 상기 제1 및 제7층부에 접속된 제1 및 제2드레인 전극을 특징으로 하는 보충 실리콘-온-절연기 측면 절연 게이트 정류기.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1층부는 상기 제1전도형의 적어도 한 영역을 포함하는데, 양 측면상의 상기 제2전도형 영역을 갖으며, 각각의 상기 제1층부 영역은 상기 제2층부에 접촉시키기 위해 측면 방향으로 확장되며, 상기 제7층부는 상기 제2전도형의 적어도 한 영역을 포함하는데, 양 측면상에 상기 제1전도형의 영역을 갖으며, 각각의 상기 제7층부 영역은 상기 제6층과 접촉시키기 위해 측면 방향으로 확장되며, 상기 제4층부는 상기 제1전도형의 적어도 한 영역 및 상기 제2전도형의 한 영역을 포함하며, 각각의 상기 제4층부 영역은 상기 제3층부로 부터 상기 제5층부로 측면 방향으로 확장되는 것을 특징으로 하는 보충 실리콘-온-절연기 측면 절연 게이트 정류기.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019870014664A 1986-12-22 1987-12-22 절연기판상에 실리콘이 있는 상보형 래터럴 절연게이트 정류기 KR960015794B1 (ko)

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KR960015794B1 (ko) 1996-11-21
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