KR870009589A - 전하전송장치 - Google Patents
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- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
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Abstract
내용없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 제1실시예에 따른 전하전송장치를 나타낸 회로도.
제4도는 제3도에 도시한 전하전송장치를 설명하기 위한 포텐셜프로필을 나타낸 도면.
제5도는 본 발명의 제2실시예에 따른 전하전송장치를 나타낸 회로도.
Claims (6)
- 복수의 전하전송소자(1,2,3,4,5)를 가지고, 상기 전하전송소자에 의하여 신호전하를 전송하는 전하전송부와 상기 전하전송부에 인접하여 형성되어 상기 전송소자에 의하여 전송된 신호전하를 축적하는 제1플로우팅확산영역(6), 제1리셋트, 펄스(Φa)에 의하여 구동되는 제1제어 스위치수단(8:17,19) 및 상기 제1플로우팅 확산영역에 상기 제1제어스위치수단을 통하여 접속된 제1리셋트전원(9) 등을 구비한 전하 전송장치에 있어서,제2의 플로우팅 확산영역과, 제2리셋트. 펄스(Φa)에 의하여 구동되는 제2제어스위치수단(1:18,20), 상기 제2플로우팅 확산영역에 상기 제2제어스위치수단을 통하여 접속된 제2리셋트전원(11), 상기 제1플로우팅확산영역과 상기 제2플로우팅확산영역을 결합하는 캐패시터(C1), 상기 제2플로우팅확산영역의 전위변화를 검출하여 상기 신호전하에 상응한 출력신호로서 출력하는 검출수단(16)등을 구비한 것을 특징으로 하는 전하전송장치.
- 제1항에 있어서, 제어스위치수단은 상기 제1리셋트전원에 접속된 제1불순물영역과, 상기 제1플로우팅영역이 접속된 제2불순물영역, 상기 제1불순물영역과 상기 제2불순물영역의 사이 챈널영역위에 형성되어 상기 제1리셋트펄스가 입력되는 제1제어전극 등을 가진 제1전계효과 트랜지스터(8)이고, 상기 제2제어 스위치수단은 상기 제2리셋트 전원에 접속된 제3불순물영역과, 상기 제2플로우팅영역이 접속된 제4불순물영역, 상기 제3불순물영역과 상기 제4불순물영역의 사이 챈널 영역위에 형성되어 상기 제2리셋트 펄스가 입력되는 제2제어전극등을 가진 제2전계효과 트랜지스터(10)인 것을 특징으로하는 전하전송장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제1제어스위치수단은 상기 제1리셋트전원에 접속된 제1불순물영역(19)과 상기 제1불순물영역과 상기 제1플로우팅 확산영역의 사이 챈널영역 위에 형성되어 상기 제1리셋트펄스가 입력되는 제1제어전극(17)을 가지며, 상기 제2제어스위치수단은 상기 제2리셋트 전원에 접속된 제2불순물영역(20)과, 상기 제2불순물영역과 상기 제2플로우팅확산영역의 사이 챈널영역위에 형성되어 상기 제2리셋트 펄스가 입력되는 제2제어전극(18)을 가진것을 특징으로 하는 전하전송장치.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 하나에 있어서, 상기 검출수단은 상기 제2플로우팅확산영역에 접속된 게이트를 가진 전계 효과 트랜지스터(13)을 갖는 소오스플로워회로인 것을 특징으로 하는 전하전송장치.
- 제1항 내지 제4항 중 어느 하나에 있어서, 상기 제1리셋트 전원의 전위는 상기 제2리셋트 전원의 전위보다 높은 것을 특징으로 하는 전하전송장치.
- 제1항 내지 제5항 중 어느 하나에 있어서, 상기 제1리셋트 펄스와 상기 제2리셋틀펄스는 동일펄스인 것을 특징으로 하는 전하전송장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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