KR870008377A - 기상성장(氣相成長) 방법 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H01L21/205—
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 본원 발명의 제 1 실시예에서 사용하는 성장모니터계를 구비한 MOCVD장치의 구성도.
제 2 도는 본원 발명의 기본원리를 설명하기 위한 단면도.
제 3 도는 박막의 두께(d)에 의한 반사강도변화의 일례를 나타낸 그래프.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
(1) : 기판 (2) : 박막 (4) : 빛
(5) : 석영반응관 (6) : 서셉터 (9) : 레이저광원
(16) : 광전자증 배관
Claims (1)
- 기상성장장치내에 있어서 기판상에 막을 기상성장시킬 때, 상기 막에 그 표면에 대해서 대략 수직인 방향에서 빛을 입사시키고, 그 반사광의 강도의 시간변화에 의거하여 상기 막의 성장조건을 제어하도록 한것을 특징으로 하는 기상성장방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61031100A JPH0722132B2 (ja) | 1986-02-15 | 1986-02-15 | 気相成長方法 |
| JP31100 | 1986-02-15 | ||
| JP86-31100 | 1986-02-15 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR870008377A true KR870008377A (ko) | 1987-09-26 |
| KR950007482B1 KR950007482B1 (ko) | 1995-07-11 |
Family
ID=12321978
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019860009998A KR950007482B1 (ko) | 1986-02-15 | 1986-11-26 | 기상성장방법 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0722132B2 (ko) |
| KR (1) | KR950007482B1 (ko) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0281073U (ko) * | 1988-12-09 | 1990-06-22 | ||
| JPH08139147A (ja) * | 1994-11-07 | 1996-05-31 | Mitsubishi Materials Corp | エピタキシャル膜の成膜速度の測定方法およびそ の装置 |
| JP4410529B2 (ja) * | 2003-10-16 | 2010-02-03 | 三菱電機株式会社 | 膜厚制御方法 |
| JP5184431B2 (ja) * | 2009-04-28 | 2013-04-17 | シャープ株式会社 | Ｍｏｃｖｄ装置 |
| WO2017061333A1 (ja) | 2015-10-08 | 2017-04-13 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 気相成長速度測定装置、気相成長装置および成長速度検出方法 |
-
1986
- 1986-02-15 JP JP61031100A patent/JPH0722132B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1986-11-26 KR KR1019860009998A patent/KR950007482B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR950007482B1 (ko) | 1995-07-11 |
| JPH0722132B2 (ja) | 1995-03-08 |
| JPS62189722A (ja) | 1987-08-19 |
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