KR950032728A - 다이아몬드 박막의 일방향 성장방법 - Google Patents

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KR950032728A KR1019940012106A KR19940012106A KR950032728A KR 950032728 A KR950032728 A KR 950032728A KR 1019940012106 A KR1019940012106 A KR 1019940012106A KR 19940012106 A KR19940012106 A KR 19940012106A KR 950032728 A KR950032728 A KR 950032728A
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박영수
김성훈
이준기
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김광호
삼성전자 주식회사
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Abstract

본 발명은 다이아몬드 박막의 일방향 성장방법에 관한 것으로, 좀 더 상세하게는 기상합성법에 의한 다이아몬드 박막의 증착시, 30㎛이상 크기의 다이아몬드 분말로 기판을 전처리한 후 다이아몬드 박막을 증착시키므로써 다이아몬드 박막의 일방향 성장을 가능하게 하며, 결과적으로 고온 작동소자 및 고속 동작소자와 같은 반도체 분야에 응용할 수 있는 다이아몬드 박막의 일방향 성장방법에 관한 것이다.

Description

다이아몬드 박막의 일방향 성장방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 10㎛ 다이아몬드 분말로 전처리한 기판에서의 다이아몬드 박막의 형상을 나타낸 사진이고, 제2도는 30㎛ 다이아몬드 분말로 전처리한 기판에서의 다이아몬드 박막의 형상을 나타낸 사진이며, 제3도는 전처리 변화에 따른 다이아몬드 증착층의 라만(Raman) 분석의 결과를 나타낸 그래프이다.

Claims (3)

  1. 기상합성법에 의한 다이아몬드 박막의 일방향 성장방법에 있어서, 30㎛ 이상 크기의 다이아몬드 분말로 기판을 전처리한 후 다이아몬드 박막을 증착시키는 것을 특징으로 하는 다이아몬드 박막의 일방향 성장방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 전처리공정이 초음파 세척에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 다이아몬드 박막의 일방향 성장방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 다이아몬드 분말의 크기가 30~70㎛인 것을 특징으로 하는 다이아몬드 박막의 일방향 성장방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940012106A 1994-05-31 1994-05-31 다이아몬드 박막의 일방향 성장방법 KR950032728A (ko)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100279051B1 (ko) * 1997-09-23 2001-02-01 박호군 다이아몬드 전계방출 소자의 제조방법
KR20180046548A (ko) * 2016-10-28 2018-05-09 고려대학교 산학협력단 나노 다이아몬드를 계면 층으로 적용한 다이아몬드상 탄소막의 제조방법 및 이에 의해 제조된 다이아몬드상 탄소막

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KR100279051B1 (ko) * 1997-09-23 2001-02-01 박호군 다이아몬드 전계방출 소자의 제조방법
KR20180046548A (ko) * 2016-10-28 2018-05-09 고려대학교 산학협력단 나노 다이아몬드를 계면 층으로 적용한 다이아몬드상 탄소막의 제조방법 및 이에 의해 제조된 다이아몬드상 탄소막

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