KR870006657A - 반도체 기억장치 - Google Patents
반도체 기억장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR870006657A KR870006657A KR1019860008282A KR860008282A KR870006657A KR 870006657 A KR870006657 A KR 870006657A KR 1019860008282 A KR1019860008282 A KR 1019860008282A KR 860008282 A KR860008282 A KR 860008282A KR 870006657 A KR870006657 A KR 870006657A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- semiconductor
- semiconductor region
- region
- electric
- type
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 39
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 8
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 claims 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
- H10B12/30—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/10—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 실시예에 의한 반도체 기억장치의 메모리셀부의 구조를 표시한 단면도
2C도는 본 발명 실시예에의한 반도체 기억장치의 메모리 셀 주변부의 제조방법을 설명하기 위한 설명도
제5도는 종래의 다른 256K 다이나믹 RAM의 메모리 셀부의 구조를 표시한 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : P-형 반도체기판 2 : 제1 게이트전극
3 : 제2 게이트전극 4 : 제1 게이트절연막
5 : 제2 게이트절연막 6,80,81 : N+형영역
7,10,131 : P+형영역 9 : 분리절연막
11,12 : 공핍층 l4 : 레지스트막 패턴
(도면중 일부호는 동일 또는 상당부분을 표시하는 것임)
Claims (4)
- 제1 도전형의 반도체기판과 전기 반도체기판상에 형성되어 정보를 기억하기 위한 전하축적영역이 되는 제2 도전형 제1 반도체영역과 전기 반도체기판상에 전기 제2 도전형 제1반도체영역과 연속되게 형성되며 일측의 소오스/드레인영역이 되는 제2 도전형 제2 반도체영역과 전기 반도체기판상에 전기 제2 도전형 제1 반도체영역과 간격을 두고 형성되어 타측의 소오스/드레인영역이 되고 또한 비트선에 접속되는 제2 도전형 제3 반도체기판과 전기 제2 도전형 제1 반도체영역상에 형성되는 제1 게이트절 연막과 전기 제1 게이트절연막상에 형성되는 제1 게이트전극과 전기 제2 도전형 제2 반도체영역 및 전기 제2 도전형 제3 반도체영역 간의 전기 반도체기판상, 전기 제2 도전형 제2 반도체영역상 및 전기 제2 도전형 제3 반도체영역상에 형성되는 제2 게이트절연막과 전기 제2 게이트절연막상에 형성되는 제2 게이트전극과 전기 반도체기판상에 전기 제2 도전형 제1 반도체영역에 접하도록 형성되며 전기 반도체기판의 불순물농도보다 불순물농도가 높은 제1 도전형 제1 반도체영역과 전기 반도체 기판상에 전기 제2 도전형 제2 반도체영역에 접하도록하고 또한 전기 제1 도전형 제1 반도체 영역과 연속되게하며 또한 전기 제2 게이트절연막 하측의 채널영역내에 들어가지 않게 형성되며 존기 반도체기판의 불순물농도보다 불순물농도가 높은 제1 도전형 제2 반도체영역과 전기 반도체기판상에 전기 제2 도전형 제3 반도체영역에 접하도록하고 또한 전기 제2 게이트 절연막 하측의 채널영역 내에 들어가지 않게 형성되며 전기 반도체기판의 불순물농도보다 불순물농도가 높은 제1 도전형 제3 반도체 영역과를 구비하여서된 반도체 기억장치.
- 제1항에 있어서 전기 반도체기판의 불순물 농도는 l×1015∼1×1016cm-3이고 전기 제1 도전형 제1 반도체영역, 전기 제1 도전형 제2 반도체영역 및 전기 제1 도전형 제3 반도체영역의 불순물농도는 1×1014~1×1018cm-3으로된 반도체 기억장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서 전기 제2 도전형 제3 반도체영역과 전기 비트선간에 실리콘 산화막 또는 인유리막으로된 저유전율의 층간 절연막을 구비하여서된 반도체 기억장치.
- 제3항에 있어서 전기 비트선상에 형성되며 실리콘 산화막 또는 인유리막으로된 저유전율의 보호막을 구비하여서 된 반도체 기억장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60288208A JPH07120751B2 (ja) | 1985-12-20 | 1985-12-20 | 半導体記憶装置 |
| JP288208 | 1985-12-20 | ||
| JP60-288208 | 1985-12-20 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR870006657A true KR870006657A (ko) | 1987-07-13 |
| KR900002887B1 KR900002887B1 (ko) | 1990-05-01 |
Family
ID=17727220
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019860008282A KR900002887B1 (ko) | 1985-12-20 | 1986-10-02 | 반도체 기억장치 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07120751B2 (ko) |
| KR (1) | KR900002887B1 (ko) |
-
1985
- 1985-12-20 JP JP60288208A patent/JPH07120751B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1986
- 1986-10-02 KR KR1019860008282A patent/KR900002887B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62145861A (ja) | 1987-06-29 |
| KR900002887B1 (ko) | 1990-05-01 |
| JPH07120751B2 (ja) | 1995-12-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR940016837A (ko) | 반도체 기억장치 및 그의 제조방법 | |
| EP0223616A3 (en) | Semiconductor memory device and manufacturing method | |
| KR830002397A (ko) | 전류교체가 가능한 비소멸성 반도체 기억장치 | |
| KR850007719A (ko) | 콘덴서 내장형 메모리셀을 갖춘 반도체 메모리장치 및 그 제조방법 | |
| KR910014993A (ko) | 반도체 디바이스 및 그 형성 방법 | |
| KR850005733A (ko) | 반도체 기억장치 | |
| KR860008609A (ko) | 반도체 기억장치와 제조방법 | |
| KR860000716A (ko) | 다이내믹형 메모리셀과 그 제조방법 | |
| KR920020729A (ko) | 누설 전류 억제에 효과가 있는 구조를 갖는 메모리 셀을 구비하는 반도체 집적 회로 장치 및 그의 제조 방법 | |
| KR830008401A (ko) | 절연 게이트형 트랜지스터 | |
| KR970067716A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조방법 | |
| KR910019235A (ko) | 반도체기억장치 | |
| KR880014649A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조방법 | |
| KR850007718A (ko) | 반도체 장치 | |
| KR940020576A (ko) | 반도체트랜지스터구조(Metal oxide semiconductor transistors having a polysilicon gate electrode with nonuniform doping in source-drain direction) | |
| KR900019234A (ko) | 반도체기억장치 | |
| KR900013652A (ko) | 감소된 온 저항을 가진 soi구조의 고전압 반도체 장치 | |
| KR910003813A (ko) | 적층된 캐패시터 및 매립된 측방향 접촉부를 갖는 dram 셀 | |
| KR870009480A (ko) | 고체촬상장치 | |
| KR970004014A (ko) | 반도체장치 | |
| KR910008861A (ko) | 집적회로소자 | |
| EP0154871A3 (en) | One-transistor dynamic random-access memory | |
| KR860009489A (ko) | 반도체 집적회로장치 및 그 제조방법 | |
| KR910008843A (ko) | Mos형 집적회로 | |
| KR870006656A (ko) | 반도체 기억장치의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| G160 | Decision to publish patent application | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20010425 Year of fee payment: 12 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |