KR870002662A - 반도체장치 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 일실시예에 의한 논리게이트회로의 개략도.
제7도는 본 발명에 의한 NOR회로의 구조를 도시하는 개략도.
제8도는 본 발명에 의한 NAND회로의 구조를 도시하는 개략도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1, 4, 5, 7, 9, 10, 12 : MESFET 2, 3, 8 : 부하
6, 11 : 쇼트기베리어다이오우드
Claims (7)
- 제1전위에 접속된 하나의 단자를 가지는 부하(8)과, 상기 부하의 다른 단자와 그 게이트에서 외부로부터 인가된 입력신호를 수신하는 제2전위간에 접속된 제1쇼트기게이트 전계효과트랜지스터(9)와, 상기 제1전위에 접속된 하나의 전도단자 및 상기 제1쇼트기 게이트전계효과트랜지스터(9)와 상기 부하(8)의 노우드에 접속된 게이트를 가지는 제2쇼트기게이트전계효과트랜지스터(10)과, 상기 제2쇼트기게이트전계효과트랜지스터(10)의 다른 전도단자에 접속된 하나의 전도단자와 제3전위에 접속된 게이트 및 다른 전도단자를 가지는 제3쇼트기게이트전계효과트랜지스터(12)와, 상기 제2쇼트기게이트전계효과트랜지스터(10)의 게이트에 접속된 음극과 상기 제2쇼트기게이트전계효과트랜지스터(10)의 다른 전도 단자에 접속된 양극을 가지는 쇼트기베리어다이오우드(11)로 구성되는 화합물반도체를 이용하여 제조된 반도체장치.
- 제1항에 있어서, 상기 화합물반도체는 갈륨비화물인것을 특징으로 하는 반도체장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제2쇼트기게이트전계효과트랜지스터(10)의 게이트폭은 상기 제3쇼트기게이트전계효과트랜지스터(12)의 게이트폭보다 작게하는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제2쇼트기게이트전계효과트랜지스터(10)의 최저전압의 절대값은 상기 제3쇼트기 게이트전계효과 트랜지스터(12)의 최저전압의 절대값보다 작게하는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제1쇼트, 게이트전계효과 트랜지스터는 단일 쇼트기 게이트전계효과 트랜지스터(9)인 것을 특징으로 하는 반도체장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제1쇼트기 게이트전계효과 트랜지스터는 상기 부하의 상기 다른 전도단자와 각 게이트에서 입력신호를 수신하는 상기 제2전위간에 상호 병렬로 접속된 복수의 쇼트기 게이트전계효과 트랜지스터(9a 내지 9n)로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제1쇼트기게이트전계효과 트랜지스터는 상기 부하의 상기 다른 전도단자와 각 게이트에서 입력신호를 수신하는 상기 제2전위간에 서로 직렬로 접속된 복수의 쇼트기 게이트전계효과 트랜지스터로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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