KR860009054A - 고에너지선에 고감응성을 갖는 상형성재료 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (32)
- 하기 일반식[A] 및 [A']표시되는 하나이상의 순환구조단위 전체 1내지 99몰%와 하기일반식[B]로 표시되는 하나이상의 순환구조 단위 1내지 99몰%를 함유하고 수평균 분자량이 500내지 1,000,000인 공중합체로 됨을 특징으로 하는 고에너지선 감응성 상형성재료.
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- 식중에서, 일반식[ A]와 [A']의 R1은 수소원자, 할로겐원자 또는 1내지 6탄소원자를 갖는 알킬기이고, 치환기 R1, 에폭시기 및 티라닐기는 주사슬의 탄소원자에 오르토, 메타, 파라위치에 결합되고; 일반식[B]의 X,Y 및 Z는 각각 수소원자, 할로겐원자, 시아노기, 1내지 6탄소원자를 갖는 알킬기, 1내지 6탄소원자를 갖는 할로겐화알킬기, 1내지 6탄소원자를 갖는 할로겐하알킬 또는 치환된 알킬기를 함유하는 6내지 30탄소원자를 갖는 알릴기, 6내지 30탄소원자를 갖는 아릴기, -COOR2, -COR2, -O-COR2(식중에서 , R2는 1내지 12탄소원자를 갖는 알킬 또는 할로겐화알킬기, 1내지 6탄소원자를 갖는 할로겐화알킬기 또는 치환된 알킬기를 함유하는 6내지 30탄소원자를 갖는 알릴기, 또는 6내지 30탄소원자를 갖는 아릴기이다), 니트로기, 치환기 R3(식중에서, R3는 수소원자, 수산기, 키르복실기, 할로겐위자, 니트로기, 아미노기, 시아노기, 1내지 6탄소원자를 갖는 알킬 또는 할로겐화알킬기 또는 6내지 30탄소원자를 갖는 아릴기이다)를 함유하는 헤테로고리가 있는 치환기 또는 실리콘원자를 함유하는 치화기이다.
- 하기 일반식[A] 및 [A']표시되는 하나이상의 순환구조단위 전체 1 내지 99몰%와 하기 일반식[B]로 표시되는 하나이상의 순환구조단위 1 내지 99몰%를 함유하고 수평균 분자량이 500 내지 1,000,000인 공중합체로 된 재료를 기질에 피막시킨 후 피막층을 의도하는 면적으로 고에너지선을 노출시키고 노출된 피막층을 현상제로 현상시킴을 특징으로 하는 상형성방법.
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- 식중에서, 일반식[A]와 [A']의 R1은 수소원자, 할로겐원자 또는 1내지 6탄소원자를 갖는 알킬기이고, 치환기 R1, 에폭시기 및 티라닐기는 주사슬의 탄소원자에 오르토, 메타, 파라위치에 결합되고; 일반식[B]의 X,Y 및 Z는 각각 수소원자, 할로겐원자, 시아노기, 1내지 6탄소원자를 갖는할로겐화알킬기, 1내지 6탄소원자를 갖는 할로겐화알킬기, 1내지 6탄소원자를 갖는 할로겐화 알킬 또는 치환된 알킬기를 함유하는 6내지 30탄소원자를 갖는 아릴기, 6내지 30탄소원자를 갖는 알릴기, -COOR2, -COR2-, -O-COR2(식중에서, R2는 1 내지 12탄소원자를 갖는 알킬 또는 할로겐화알킬기, 1내지 6탄소원자를 갖는 할로겐화알킬기 또는 치환된 알킬기를 함유하는 6내지 30탄소원자를 갖는 알릴기, 또는 6내지 30탄소원자를 갖는 아릴기이다), 니트로기, 치환기 R3(식중에서, R3는 수소원자, 수산기, 카르복실기, 할로겐원자, 니트로기, 아미노기, 시아노기, 1내지 6탄소원자를 갖는 알킬 또는 할로겐화알킬기 또는 6내지 30탄소원자를 갖는 아릴기이다)를 함유하는 헤테로고리가 있는 치환기 또는 실리콘원자를 함유하는 치환기이다.
- 제1항에 있어서, 일반식[A]의 R1은 수소원자인 상형성재료.
- 제1항에 있어서, 에폭시기와 티라닐기가 각각 주사슬의 탄소원자의 메타 또는 파라위치에 결합되는 상형성재료.
- 제4항에 있어서, 에폭시기와 티라닐기가 각각 주사슬의 탄소원자의 파라위치에 결합되는 상형성재료.
- 제3항에 있어서, X가 수소원자인 상형성재료.
- 제3항에 있어서, X가 페닐기인 상형성재료.
- 제3항에 있어서, X가 나프틸기인 상형성재료.
- 제3항에 있어서, Y가 수소원자, 할로겐원자, 시아노기, 1내지 6탄소원자를 갖는 알킬기, 1내지 6탄소원자를 갖는 할로겐화알킬기, 1내지 6탄소원자를 함유하는 치환된 알킬 또는 할로겐화알킬기를 갖는 6 내지 30탄소원자를 갖는 아릴기 또는 6 내지 30탄소원자를 갖는 아릴기인 상형성재료.
- 제3항에 있어서, Y가 수소원자인 상형성재료.
- 제3항에 있어서, Y가 6내지 30탄소원자를 갖는 아릴기인 상형성재료.
- 제3항에 있어서, Z가 1내지 6탄소원자를 갖는 치환된 알킬 또는 할로겐화알킬기를 함유하고 6내지 30탄소원자를 갖는 아릴기, 6내지 30탄소원자를 갖는 아릴기, 헤테로원자가 질소원자인 헤테로고리를 함유하는 치환기 또는 실리콘원자를 함유하는 치환기인 상형성재료.
- 제3항에 있어서, X와 Y가 각각 수소원자이고, Z는 페닐기, 나프틸기, 또는 안트라닐기인 상형성재료.
- 제3항에 있어서, X와 Y가 각각 수소원자이고, Z는 9-카르바졸일기, 9-카르보릴닐기 또는 1-인돌릴기인 상형성재료.
- 제3항에 있어서, X와 Y가 각각 수소원자이고 Z가 트리페닐실릴기, 트리페닐시릴옥시카르보닐기, 4-(1,2-디트리페닐실릴옥시에틸)페닐기 또는 4-(2-트리페닐실릴에틸)페닐기인 상형성재료.
- 제3항에 있어서, X가 수소원자이고 Y 및 Z가 각각 페닐기, 나프틸기 또는 펜안트릴기인 상형성재료.
- 제3항에 있어서, X가 메틸기이고 Y 및 Z가 각각 페닐기, 나프틸기 또는 펜안트릴기인 상형성재료.
- 제1항에 있어서, 일반식[A]와 [A']의 순환단위 종합의 롤퍼센트는 5 내지 95이고 일반식[B]의 순환단위의 몰퍼센트는 5내지 95인 상형성재료.
- 제18항에 있어서, 일반식[A]와 [A']의 순환단위 총합의 롤퍼센트는 10 내지 90이고 일반식[B]의 순환단위의 롤퍼센트는 10 내지 90인 상형성재료.
- 제18항에 있어서, 일반식[A]와 [A']의 순환단위 각각의 롤퍼센트가 0 내지 99인 상형성재료.
- 제1항에 있어서, 수평균 분자량이 3,000 내지 1,000,000인 상형성재료.
- 제21항에 있어서, 수평균 분자량이 3,000 내지 500,000인 상형성재료.
- 제1항에 있어서, 재료 100중량부에 대하여 광이온화 중합반응 개시제가 0.5 내지 20중량부로 더 구성되는 상형성재료.
- 제2항에 있어서, 고에너지선은 극자외선, X선 또는 전자선인 상형성방법.
- 하기 일반식[A] 및 [A'] 표시되는 하나 이상의 순환구조단위 전체 1내지 99몰%와 하기 일반식 [B]로 표시되는 하나이상의 순환구조단위 1 내지 99몰%를 함유하고 수평균 분자량이 500 내지 1,000,000인 공중합체로 됨을 특징으로 하는 고에너지선 감응성상형성재료로 구성된 막으로 피막된 기질로 된 상형성요소.
-
- 식중에서, 일반식[A]와 [A']의 R1은 수소원자, 할로겐원자 또는 1 내지 6탄소원자를 갖는 알킬기이고, 치환기 R1, 에폭시기 및 티라닐기느 주사슬의 탄소원자에 오르토, 메타, 파라위치에 결합되고; 일반식[B]의 X,Y 및 Z는 각각 수소원자, 할로겐원자, 시아노기, 1 내지 6탄소원자를 갖는 알킬기, 1 내지 6탄소원자를 갖는 할로겐화알킬기, 1 내지 6탄소원자를 갖는 할로겐화알킬 또는 치환된 알킬기를 함유하는 6 내지 30탄소원자를 갖는 아릴기, 6 내지 30탄소원자를 갖는 아릴기, -COOR2, -COR2, -C-COR2, -C-COR2(식중에서, R2는 1 내지 12탄소원자를 갖는 알킬 또는 할로겐화알킬기, 1 내지 6탄소원자를 갖는 할로겐화알킬기, 또는 치환된 알킬기를 함유하는 6 내지 30탄소원자를 갖는 아릴기, 또는 6내지 30탄소원자를 갖는아릴기이다), 니트로기, 치환기 R3(식중에서, R3는 수소원자, 수산기, 카르복실기, 할로겐원자, 니트로기, 아미노기, 시아노기, 1 내지 6탄소원자를 갖는 알킬 또는 할로겐화알킬기 또는 6 내지 30탄소원자를 갖는 아릴기이다)를 함유하는 헤테로고리가 있는 치환기 또는 실리콘원자를 함유하는 치환기이다.
- ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (18)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60-099082 | 1984-05-10 | ||
JP142233 | 1984-07-11 | ||
JP59-142233 | 1984-07-11 | ||
JP59142233A JPS6122340A (ja) | 1984-07-11 | 1984-07-11 | レジスト材料 |
JP15337284A JPS6132052A (ja) | 1984-07-24 | 1984-07-24 | 高エネルギ−線感応性材料 |
JP153372 | 1984-07-24 | ||
JP59-153372 | 1984-07-24 | ||
JP59265272A JPS61143408A (ja) | 1984-12-18 | 1984-12-18 | 新規共重合体及びその製造方法 |
JP59-265272 | 1984-12-18 | ||
JP59-265273 | 1984-12-18 | ||
JP59265274A JPS61143746A (ja) | 1984-12-18 | 1984-12-18 | 新規高エネルギ−線感応性材料 |
JP265272 | 1984-12-18 | ||
JP265273 | 1984-12-18 | ||
JP265274 | 1984-12-18 | ||
JP59265273A JPS61143409A (ja) | 1984-12-18 | 1984-12-18 | 新規なエピスルフイド化合物及びその製造方法 |
JP59-265274 | 1984-12-18 | ||
JP99082 | 1985-05-10 | ||
JP60099082A JPS61255909A (ja) | 1985-05-10 | 1985-05-10 | 新規硬化性材料 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR860009054A true KR860009054A (ko) | 1986-12-19 |
KR900000976B1 KR900000976B1 (ko) | 1990-02-23 |
Family
ID=27552057
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019850004913A KR900000976B1 (ko) | 1984-07-11 | 1985-07-10 | 고에너지선에 고감응성을 갖는 상형성 재료 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4756989A (ko) |
KR (1) | KR900000976B1 (ko) |
DE (1) | DE3524633A1 (ko) |
FR (1) | FR2567659B1 (ko) |
GB (1) | GB2163435B (ko) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4839261A (en) * | 1986-09-29 | 1989-06-13 | Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha | Photocurable laminate |
EP0505997B1 (en) * | 1991-03-29 | 1997-05-28 | Idemitsu Kosan Company Limited | Process for producing styrenic polymer and copolymer |
US5468812A (en) * | 1991-04-02 | 1995-11-21 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Polymerizable fluorochemical surfactants |
US5250395A (en) * | 1991-07-25 | 1993-10-05 | International Business Machines Corporation | Process for imaging of photoresist including treatment of the photoresist with an organometallic compound |
DE19741492A1 (de) * | 1997-09-19 | 1999-03-25 | Microparts Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Mikrostrukturkörpern |
US6572980B1 (en) * | 2001-08-13 | 2003-06-03 | Henkel Loctite Corporation | Reworkable thermosetting resin compositions |
DE10208449A1 (de) * | 2002-02-27 | 2003-09-11 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Erhöhung der Ätzresistenz und zur Verkleinerung der Loch- oder Grabenbreite einer Fotoresiststruktur unter Verwendung von Lösungsmittelsystemen geringer Polarität |
WO2014058756A1 (en) * | 2012-10-10 | 2014-04-17 | Rohm And Haas Company | Water insoluble copolymer including pendant aryl epoxide groups |
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WO2016010171A1 (ko) * | 2014-07-14 | 2016-01-21 | (주)켐옵틱스 | 고굴절 반응성 폴리스틸렌 고분자 및 반응성 스틸렌 유도체를 이용한 이의 제조방법 |
WO2016010170A1 (ko) * | 2014-07-14 | 2016-01-21 | (주)켐옵틱스 | 고굴절 반응성 폴리스틸렌 고분자 및 반응성 에폭시 스틸렌 유도체를 이용한 이의 제조방법 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2807599A (en) * | 1955-01-28 | 1957-09-24 | Du Pont | Polymers of divinyl benzene monoepoxide |
US3044999A (en) * | 1960-09-29 | 1962-07-17 | Dow Chemical Co | (2, 2-dihalocyclopropyl) styrenes |
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FR2352007A1 (fr) * | 1976-05-21 | 1977-12-16 | Thomson Csf | Resine sensible aux electrons et procede de fabrication de ladite resine |
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FR2382709A1 (fr) * | 1977-03-04 | 1978-09-29 | Thomson Csf | Famille de composes comportant un cycle thiirane, reticulables par irradiation photonique |
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1985
- 1985-07-05 GB GB08517062A patent/GB2163435B/en not_active Expired
- 1985-07-10 US US06/753,626 patent/US4756989A/en not_active Expired - Lifetime
- 1985-07-10 FR FR8510589A patent/FR2567659B1/fr not_active Expired
- 1985-07-10 DE DE19853524633 patent/DE3524633A1/de active Granted
- 1985-07-10 KR KR1019850004913A patent/KR900000976B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3524633C2 (ko) | 1992-12-10 |
FR2567659A1 (fr) | 1986-01-17 |
GB2163435B (en) | 1987-07-22 |
GB8517062D0 (en) | 1985-08-14 |
US4756989A (en) | 1988-07-12 |
DE3524633A1 (de) | 1986-01-16 |
KR900000976B1 (ko) | 1990-02-23 |
FR2567659B1 (fr) | 1988-11-25 |
GB2163435A (en) | 1986-02-26 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
G160 | Decision to publish patent application | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
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