KR860001492A - 다이오드 구조체 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 한 실시예를 도시한 반도체 소자의 일부에 대한 개략 평면도.
제4도는 한 영역의 다른 영역에 대한 변위의 범위를 도시한 제1도의 것과 유사한 평면도.
제5a도는 본 발명의 제2실시예를 도시한 제1도의 것과 유사한 평면도.
제5b도는 본 발명의 제3실시예를 도시한 제1도의 것과 유사한 평면도.
* 도면의 주요부분에 대한 설명
(10) 다이오드, (12) 본체, (14) 플라나표면, (16) 제1영역, (20) 개구, (22) 직립측벽, (30) 제2영역, (32) 제너정류 접합, (40) 오우버랩 영역, (50) 다이오드, (52) 주변부, (70 제너 다이오드.
Claims (14)
- 반도체 재료의 본체가 플라나 표면을 가지며, 상기 본체내의 한 전도형의 제1 영역이 상기 프라나 표면으로부터 하향으로 연장되고 상기 본체의 일부가 돌출하는 개구를 가지며, 상기 본체의 일부내의 반대 전도형의 제2 영역이 상기 플라나 표면으로부터 하향으로 연장되고 상기 제1 영역 부분적으로 겹쳐져서 상기 제1 영역과 제2 영역의 교차부에서 최소한 두개의 정류 접합 형성하는 것을 특징으로 하는 다이오드 구조체.
- 제1항에 있어서, 상기 각 정류접합은 유한한 면적을 가지며 상기 제1 및 제2영역은 상기 정류접합의 유한한 면적의 합은 상기 제1 영역에 대한 상기 제2 영역의 일부와는 무관하게 일정한 값이되도록 정렬되는 것을 특징으로하는 다이오드 구조체.
- 제2항에 있어서, 상기 다이오드가 제너 다이오드이고 상기 정류접합이 제너브렉다운 접합인 것을 특징으로하는 다이오드 구조체.
- 제3항에 있어서, 상기 제1영역 및 제2영역의 다른 것이 n이 우수인 n측으로 경계를 이루는 것을 특징으로하는 다이오드 구조체.
- 항4에 있어서, 상기 제1영역 및 제2영역의 다른 것이 m이 우수인 m측으로 경계를 이루는 것을 특징으로 하는 다이오드 구조체.
- 제5항에 있어서, 상기 각 정류접합이 상기 정류접합의 다른 것을 포함하는 상기 측의 다른 것과 반대되는 상기 측의 하나에 있는 것을 특징으로 하는 다이오드 구조체.
- 제6항에 있어서, n이 4이고 상기 측이 실질적으로 직선으로된 것을 특징으로 하는 다이오드 구조체.
- 제7항에 있어서, m이 4이고 상기 측이 실질적으로 직선으로된 것을 특징으로 하는 다이오드 구조체.
- 제8항에 있어서, 상기 제1영역이 N형 전도재료이고 상기 제2 영역보다고 도우핑된 것을 특징으로하는 다이오드 구조체.
- 제9항에 있어서, 상기 제1영역이 약 10의 인수로써 상기 제2 영역보다고 도우핑된 것을 특징으로하는 다이오드 구조체.
- 제10항에 있어서, 상기 정류접합에 인접한 상기 제1 영역의 오우버랩 영역이 약 9의 인수로써 상기 제2 영역 보다 고 도우핑된 것을 특징으로하는 다이오드 구조체.
- 제8항에 있어서, 상기 제2영역이 N형 전도재료이고 상기 제1 영역 보다고 도우핑된 것을 특징으로하는 다이오드 구조체.
- 제12항에 있어서, 상기 제2 영역이 약 10의 인수로써 상기 제1 영역 보다고 도우핑된 것을 특징으로하는 다이오드 구조체.
- 제13항에 있어서, 상기 정류접합에 인접한 상기 제1 영역의 오우버랩 영역이 약 9의 인수로써 상기 제1 영역 보다 고 도우핑 된 것을 특징으로하는 다이오드 구조체.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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