KR850000025A - 세라믹의 금속화 방법 - Google Patents

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Abstract

내용 없음.

Description

세라믹의 금속화 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (32)

  1. 금속을 접착수용하도록 표면을 처리하고 처리된 표면에 금속을 용착하여 세라믹 기판을 금속화하는 방법에 있어서, 1이상의 알카리 금속 화합물로 구성된 용융물로 표면을 처리하고; 그 다음 단계에서 표면에 형성된 접착성 금속층 또는 선택된 부분에서 도금되지 않은 부분을 없애고 표면에 대한 촉매의 흡착을 촉진하기에 충분하고 0.5몰/ℓ이상의 할로겐화물의 양으로 염화물, 브롬화물 및 요오드화물로 부터 선택된 1이상의 할로겐화물을 함유하고, 예비처리단계 직후에 사용되거나 표면으로 하여금 금속용착성을 부여하도록 촉매화하는데 이용되는 용액의 일부를 구성하는 산성 할로겐화물 용액에 상기 표면을 노출하고, 이와 같이 처리된 표면 또는 상기 표면의 선택된 부분을 금속용착 욕조용액에 노출하여 상기 표면 또는 선택된 부분에 균일한 금속층을 형성하는 세라믹 기판의 금속화 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 알카리 금속 화합물이 수산화물, 탄산염, 질산염 황산수소 및 이들의 혼합물로 부터 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 용융물이 상기 알카리 금속 화합물의 융점을 낮추는 1이상의 물질을 더 함유하는 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 용융뮬이 상기 알카리 금속 화합물의 융점을 낮추는 1이상의 물질을 약 20중량 %까지 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 알카리 금속 화합물이 탄산염, 질산염 및 이들의 혼합물로 부터 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 제1항에 있어서, 산성 할로겐화물 용액에 염산, 하이드로브롬산 및 산성 알카리 금속 할로겐화물 용액으로 부터 선택되고, 알카리 금속은 나트륨 및 칼륨으로부터 선택되고, 할로겐화물은 브롬화물, 염화물, 및 요오드화물로 부터 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상시 산성 할로겐화물 용액이 염화 제일주석을 더 포함하는 용액인 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 제1항에 있어서, 산성 할로겐화물 용액이 염화 제일주석을 포함하고 귀금속 함유 용액으로 부터 선택된 접종 용액으로 표면을 처리하기전 증감제 용액으로서 이용되는 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 산성 할로겐화물 용액이 표면으로 하여금 금속을 무전해 용착하기에 적당한 화합물을 형성하기 위해 염화주석(II)와 귀금속 할로겐화물을 반응시켜 얻어진 혼합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 제1항에 있어서, 염화물, 브롬화물 및 요오드화물로 부터 선택된 산성할로겐화물 용액으로 표면을 처리한 후, 표면으로 하여금 금속의 무전해용착을 수용하도록 질산은 용액으로 더 처리하는 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 제1항에 있어서, 염화물, 브롬화물 및 요오드화물로 부터 선택된 산성 할로겐화물 용액으로 표면을 처리한 후, 빛 또는 환원제에 의해 금속으로 환원되는 할로겐화은을 형성하기 위해 질산은 용액으로 더 처리하는 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 제1항에 있어서, 제1금속층이 무전해적으로 형성되고 상기 층이 무전해 또는 전기도금 방법을 이용하는 1이상의 금속으로 더 도금되는 것을 특징으로 하는 방법.
  13. 제1항에 있어서, 알카리 금속 화합물이 150℃이상으로 가열되는 것을 특징으로 하는 방법.
  14. 제1항에 있어서, 알카리 금속 화합물이 300℃이상으로 가열되는 것을 특징으로 하는 방법.
  15. 제1항에 있어서, 알카리 금속 화합물이 600℃이상으로 가열되는 것을 특징으로 하는 방법.
  16. 제1항에 있어서, 산성 할로겐화물 용액이 촉매화하기전 예비처리 단계에 사용되고 세라믹 기판이 예비처리단계로 부터 세척하지 않고 촉매화 단계로 진행되는 것을 특징으로 하는 방법.
  17. a) 세라믹 표면을 침식하거나 접착성을 촉진하기 위해서 표면을 용융된 알카리 금속 화합물로 처리하고; b) 염화물, 브롬화물 및 요오드화물로 부터 선택된 1이상의 할로겐화물을 포함하고 적어도 0.001몰/ℓ의 산도와 적어도 0.5/ℓ몰의 할로겐화물 농도를 갖고 표면 또는 선택된 부분에 형성된 접착성 금속층에서 피복되지 않은 부분을 없애기에 충분하며 염화물, 브롬화물 및 요오드화물로 부터 선택된 1이상의 할로겐화물을 함유하는 산성 할로겐화물 용액에 표면을 노출하고; c) 무전해 금속 용착을 위해 산성 할로겐화물 용액에 노출된 세라믹 표면을 촉매로 처리하고; d) 촉매화된 표면에 금속을 용착하고; e) 세라믹 기판의 표면에 집착하는 금속 인쇄회로 도체 모형을 제조하기 위해 용착된 금속 부분을 제거하는 단계로 구성된 것을 특징으로 하는 세라믹 기판에 인쇄회로를 제조하는 방법.
  18. 제17항에 있어서, 산성 할로겐화물 용액이 촉매를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  19. 제17항에 있어서, 무전해 금속 용착을 위해 촉매로 촉매화하기 전에 기판이산성 할로겐화물 용액에 노출되는 것을 특징으로 하는 방법.
  20. 제19항에 있어서, 기판이 세척되지 않고 산성 할로겐화물 용액으로 부터 촉매용액으로 이전되는 것을 특징으로 하는 방법.
  21. 제17항에 있어서, 금속이 전기도금에 의해 용착되는 것을 특징으로 하는 방법.
  22. 제17항에 있어서, 용착된 금속 부분이 침식에 의해 제거되는 것을 특징으로 하는 방법.
  23. 제17항에 있어서, 인쇄된 회로가 금속 도금벽을 갖는 도금된 구멍을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  24. a) 표면을 거칠게하거나 접착성을 촉진하기 위하여 용융된 알카리 금속 화합물에 표면을 노출하고; b) 표면의 선택된 부분에 형성된 접착성 금속층에 도금되지 않은 부분을 없애기에 충분하고, 무전해 금속용착을 위해 촉매의 흡착을 촉진시키기에 충분한양의 1이상의 할로겐화물을 함유하고, 할로겐화물이 염화물, 브롬화물 및 요오드화물로 부터 선택되는 산성 할로겐화물 용액에 표면을 노출하고; c) 무전해 금속 용착을 위해 노출된 표면을 촉매애 의해 촉매화되고; e) 억제제에 의해 인쇄되지 않은 촉매화된 표면부분에 금속을 무전해 용착하여 기판위에 접착성 금속 인쇄회로 도체 모형을 제조하는 것을 특징으로 하는 세라믹 기판위에 인쇄된 회로를 제조하는 방법.
  25. 기판의 표면을 침식하기에 충분한 시간동안 알카리 금속 화합물로 된 용융물과 기판표면을 접촉하고; 상기 표면을 수용액으로 세척하고; 그 표면을 산으로 중화한 후; 세척단계를 반복한 다음; 1이상의 할로겐화물을 함유하는 산성 할로겐화물 용액과 상기 표면을 접촉하고, 할로겐화물은 염화물, 브롬화물 또는 요오드화물로 부터 선택되고, 용액이 염화제일주석 증감제의 흡착을 촉진하고, 표면 또는 표면의 선택부분에 형성된 접착성 금속층에 도금되지 않은 부분을 없애고 상기 표면에서의 pH가 약 2이하로 되도록 충분한 할로겐 화물 이온을 함유하고; 금속의 무전해 용착을 표면에 부여하기 위해서 산성할로겐화물 용액존재하에 귀금속 이온을 제공하는 접용용액과 제일주석 이온을 제공하는 증감제 용액과 상기 표면을 접촉하고; 금속층을 형성하기에 충분한 시간동안 상기 표면 또는 그의 선택된 부분을 금속 용착용액과 접촉하는 단계로 구성된 것을 특징으로 하는 세라믹 기판위에 금속화된 도체 모형을 제조하는 방법.
  26. 제24항에 있어서, 표면을 산성 할로겐화물 용액과 접촉시킨 후, 중간 세척을 하지 않고 증감제 용액과 접촉시키는 것을 특징으로 하는 방법.
  27. 1이상의 알카리 금속 화합물로 구성된 용융물로 세라믹 기판의 표면을 처리한 다음 표면에 대한 촉매의 흡착성을 촉진하고 표면 또는 그의 선택된 부분에 형성된 접착성 금속층에서 도금되지 않은 부분을 없애기에 충분하고 0.5몰/ℓ이상의 양으로 염화물, 브롬화물 및 요오드화물로 부터 선택된 1이상의 할로겐화물을 함유하는 산성 할로겐화물 용액에 상기 표면을 노출하고, 할로겐화물은 염화물, 브롬화물 및 요오드화물로 부터 선택되고; 촉매를 표면에 흡착하고; 금속 용착욕조로 부터 금속 피복물을 표면에 용착하므로써 형성된 금속의 균일피복물을 갖는 세라믹 기판으로 된 세라믹 제품.
  28. 제27항에 있어서, 금속 피복물 부분이 금속 도체 모형을 형성하도록 제거되고, 반도체, 리지스터 및 커패시터를 포함한 전자부품이 거기에 연결되는 것을 특징으로 하는 세라믹 제품.
  29. 금속을 접착수용하도록 표면을 처리하고 처리된 표면에 금속을 용착하는 방법에 있어서, 1이상의 알카리 금속 화합물로 구성된 용융물로 표면을 처리하고; 그 다음 전기도금에서 음극 연결을 위해 표면에 도전성 연결부를 제공하고; 주기율표 Ib 족 및 Ⅷ족으로 부터 선택된 금속 이온의 흡착을 촉진하고 표면 또는 그의 선택된 부분에 형성된 접착성 금속층에 도금되지 않은 부분을 없애기에 충분한 0.5몰/ℓ이상의 양으로 염화물, 브롬화물 /또는 요오드화물로 부터 선택된 할로겐화물을 함유하는 산성 할로겐화물 용액에 표면에 노출하고; 금속 부위를 표면에 용착하기 위해 주기율표 Ib 족 및 Ⅷ족으로 부터 선택된 금속으로 구성된 용액으로 표면을 처리하고; 전원의 음극포올(pole)에 연결부분을 연결하고; 전원의 양극은 상기 용액과 접촉된 상태에서 제2금속을 전기 도금하기 위해 표면을 용액과 접촉하고; 상기 제2 금속의 완전층을 상기 표면 또는 그의 선택된 부분에 형성하기 위해서 제2금속을 표면에 전기도금하는 단계로 구성된 것을 특징으로 하는 세라믹 기판의 금속화 방법.
  30. 세라믹 표면을 1이상의 알카리 금속 화합물로 구성된 용융물로 세라믹 표면을 처리하고, 그다음 단계에서 표면 또는 그의 선택된 부분에 형성된 접착성 금속층의 도금안 된 곳을 없애고 표면에 대한 촉매의 흡착성을 촉진하기에 충분하고 0.5몰/ℓ이상의 할로겐화물 양으로 염화물, 브롬화물 또는 요오드화물로 부터 선택된 1이상의 할로겐화물을 함유하는 산성 할로겐화물 용액에 상기 표면을 노출하고; 촉매를 표면에 흡착하고; 금속 용착 욕조로 부터 금속 피복물을 표면에 용착하므로써 공간이 없는 금속 피복물에 세라믹 기판 표면과의 경계면을 밀폐하는 금속, 접착 결합된 적어도 하나의 표면을 갖는 세라믹 기판으로 구성된 제품.
  31. 제30항에 있어서, 세라믹 기판과의 경계면을 밀폐하는 층을 금속학적으로 결합하므로써 금속 피복물에 접합된 금속 또는 금속화 세라믹의 층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 제품.
  32. 제1 세라믹 물질 표면중 적어도 일부분을 1이상의 알카리금속 화합물로 구성된 용융물로 처리하고; 표면의 부분에 형성된 접착성 금속층에서 도금안된 곳을 없애고 표면에 대한 촉매의 흡착을 촉진하기에 충분하고 0.5몰/ℓ이상의 양으로 염화물, 브롬화물 또는 요오드화물로 부터 선택된 1이상의 할로겐화물을 함유하는 산성 할로겐화물 용액과 처리된 부분을 접촉시키고; 제1 세라믹 물질의 처리된 표면에 촉매를 흡착시키고; 처리된 표면에 금속 피복물을 금속용착 욕조에 의해 용착하고; 제2 세라믹 물질의 금속화된 부분 또는 금속 물질에 제1 세라믹 물질의 금속 피복된 부분을 금속학적으로 결합하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 제1 세라믹 물질을 금속화된 제2 세라믹 물질 또는 금속 물질에 결합하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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BR (1) BR8402803A (ko)
CA (1) CA1217686A (ko)
DE (2) DE3476871D1 (ko)
DK (1) DK282584A (ko)
ES (1) ES8507311A1 (ko)
GB (1) GB2141741B (ko)
IN (1) IN165152B (ko)
PH (1) PH21883A (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100356112B1 (ko) * 2000-03-23 2002-10-25 (주) 씨엠테크 브레이징 접합 도금층을 가진 세라믹체
KR20200073071A (ko) * 2018-12-13 2020-06-23 주식회사 케이씨씨 세라믹 하우징 및 세라믹 기재의 도금 방법

Families Citing this family (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4668532A (en) * 1984-09-04 1987-05-26 Kollmorgen Technologies Corporation System for selective metallization of electronic interconnection boards
EP0185967A3 (en) * 1984-12-10 1988-08-03 Kollmorgen Corporation Process for avoiding blister formation in electroless metallization of ceramic substrates
US4871108A (en) * 1985-01-17 1989-10-03 Stemcor Corporation Silicon carbide-to-metal joint and method of making same
US4696851A (en) * 1985-03-25 1987-09-29 Olin Corporation Hybrid and multi-layer circuitry
DE3523960A1 (de) * 1985-07-04 1987-01-08 Licentia Gmbh Verfahren zur metallisierung eines elektrisch schlecht leitenden substrates aus einem anorganischen material
DE3523958A1 (de) * 1985-07-04 1987-01-08 Licentia Gmbh Verfahren zur chemischen behandlung von keramikkoerpern mit nachfolgender metallisierung
DE3523957A1 (de) * 1985-07-04 1987-01-08 Licentia Gmbh Verfahren zur metallisierung von keramik
DE3523956A1 (de) * 1985-07-04 1987-01-08 Licentia Gmbh Verfahren zur chemischen metallisierung eines elektrisch schlecht leitenden traegerkoerpers aus einem anorganischen material
DE3523961A1 (de) * 1985-07-04 1987-01-15 Licentia Gmbh Vorrichtung zum behandeln mindestens eines keramikgegenstandes in einer alkalihydroxidschmelze
DE3672441D1 (de) * 1985-10-15 1990-08-09 Nec Corp Metallisiertes keramiksubstrat und herstellungsverfahren.
DE3601834A1 (de) * 1986-01-20 1987-07-23 Schering Ag Verfahren zur haftfesten metallisierung von keramischen materialien
US5058799A (en) * 1986-07-24 1991-10-22 Zsamboky Kalman F Metallized ceramic substrate and method therefor
US4778825A (en) * 1986-08-29 1988-10-18 The University Of Akron Macrophage stimulation by quadrol
DE3744747C3 (de) * 1986-11-08 1997-07-17 Matsushita Electric Works Ltd Verfahren zur Herstellung einer keramischen Leiterplatte sowie Anwendung des Verfahrens
JPH0653253B2 (ja) * 1986-11-08 1994-07-20 松下電工株式会社 セラミツク基板の粗化法
US5389496A (en) * 1987-03-06 1995-02-14 Rohm And Haas Company Processes and compositions for electroless metallization
US5244849A (en) * 1987-05-06 1993-09-14 Coors Porcelain Company Method for producing transparent polycrystalline body with high ultraviolet transmittance
US4930731A (en) * 1987-05-06 1990-06-05 Coors Porcelain Company Dome and window for missiles and launch tubes with high ultraviolet transmittance
US4983555A (en) * 1987-05-06 1991-01-08 Coors Porcelain Company Application of transparent polycrystalline body with high ultraviolet transmittance
JPH0686666B2 (ja) * 1988-01-12 1994-11-02 清 岡林 化学メッキ用増感活性剤
US5082739A (en) * 1988-04-22 1992-01-21 Coors Porcelain Company Metallized spinel with high transmittance and process for producing
DE3813946A1 (de) * 1988-04-26 1989-11-09 Asea Brown Boveri Verfahren zum aufbringen einer aus edelmetallen und/oder edelmetallverbindungen bestehenden katalysatorschicht auf einen traeger aus keramischem material
DE3827893A1 (de) * 1988-08-17 1990-03-01 Hoechst Ceram Tec Ag Verfahren zur stromlosen abscheidung von nickel
DE3833441A1 (de) * 1988-10-01 1990-04-05 Hoechst Ag Verfahren zum metallisieren von aluminiumoxid-substraten
JP2637804B2 (ja) * 1988-12-20 1997-08-06 日本碍子株式会社 メッキ付き基材
US5342501A (en) * 1989-11-21 1994-08-30 Eric F. Harnden Method for electroplating metal onto a non-conductive substrate treated with basic accelerating solutions for metal plating
US5071517A (en) * 1989-11-21 1991-12-10 Solution Technology Systems Method for directly electroplating a dielectric substrate and plated substrate so produced
DE4113263A1 (de) * 1991-04-23 1992-10-29 Siemens Ag Verfahren zur ganzflaechigen, stromlosen beschichtung von kleinen formteilen aus keramischem material
US5262042A (en) * 1991-12-12 1993-11-16 Eric F. Harnden Simplified method for direct electroplating of dielectric substrates
US5268088A (en) * 1991-12-12 1993-12-07 Eric F. Harnden Simplified method for direct electroplating of acrylic or epoxy containing dielectric substrates
US5167913A (en) * 1991-12-23 1992-12-01 International Business Machines Corporation Method of forming an adherent layer of metallurgy on a ceramic substrate
DE4342258A1 (de) * 1993-12-10 1995-06-14 Resma Gmbh Verfahren zur Erzeugung elektrisch leitender Bereiche an keramischen Werkstücken
US5683758A (en) * 1995-12-18 1997-11-04 Lucent Technologies Inc. Method of forming vias
US6316097B1 (en) 1998-09-28 2001-11-13 Seagate Technology Llc Electroless plating process for alternative memory disk substrates
US6685990B1 (en) 1999-04-20 2004-02-03 Seagate Technology Llc Nodule-free electroless nip plating
JP2001130986A (ja) * 2000-04-27 2001-05-15 Yamatoya & Co Ltd 銅メッキセラミックス基板、及びそれを用いたペルチィエ素子、並びに銅メッキセラミックス基板の製造方法
KR100499134B1 (ko) * 2002-10-28 2005-07-04 삼성전자주식회사 압축 접합 방법
JP2005060822A (ja) * 2003-08-08 2005-03-10 Rohm & Haas Electronic Materials Llc 複合基体の電気メッキ
GB2417127A (en) * 2004-08-12 2006-02-15 Vetco Gray Controls Ltd Surface metallization of contact pads
JP4559936B2 (ja) * 2004-10-21 2010-10-13 アルプス電気株式会社 無電解めっき方法およびこの方法を用いた回路形成方法
JP2009041097A (ja) * 2007-08-10 2009-02-26 Rohm & Haas Electronic Materials Llc 銅めっき方法
KR101508793B1 (ko) * 2009-02-25 2015-04-06 한라비스테온공조 주식회사 열전소자 모듈을 이용한 열교환기의 제조방법
EP2657990B1 (en) * 2010-12-20 2016-03-23 Ocean's King Lighting Science & Technology Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
US9161444B2 (en) * 2011-10-28 2015-10-13 Kyocera Corporation Circuit board and electronic apparatus provided with the same
US9885124B2 (en) * 2011-11-23 2018-02-06 University Of South Carolina Method of growing high quality, thick SiC epitaxial films by eliminating silicon gas phase nucleation and suppressing parasitic deposition
US9644288B2 (en) 2011-11-23 2017-05-09 University Of South Carolina Pretreatment method for reduction and/or elimination of basal plane dislocations close to epilayer/substrate interface in growth of SiC epitaxial films
US9568496B1 (en) 2015-11-17 2017-02-14 International Business Machines Corporation Scanning probe sensor with a ferromagnetic fluid
US11084761B2 (en) 2018-09-14 2021-08-10 Honeywell International Inc. Method of pressure sintering an environmental barrier coating on a surface of a ceramic substrate
US11827574B2 (en) 2018-09-14 2023-11-28 Honeywell International Inc. Method of pressure sintering an environmental barrier coating on a surface of a ceramic substrate

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3309760A (en) * 1964-11-03 1967-03-21 Bendix Corp Attaching leads to semiconductors
US3296012A (en) * 1965-04-30 1967-01-03 Corning Glass Works Electroless copper plating on ceramic material
GB1159844A (en) * 1967-06-02 1969-07-30 Nii Phiziki Poluprovodnikovykh Method of Metallizing Non-metallic Articles, predominantly with Nickel
SE332214B (ko) * 1968-07-12 1971-02-01 Gylling & Co
US3672986A (en) * 1969-12-19 1972-06-27 Day Co Nv Metallization of insulating substrates
US3628999A (en) * 1970-03-05 1971-12-21 Frederick W Schneble Jr Plated through hole printed circuit boards
US3690921A (en) * 1970-12-07 1972-09-12 Ibm Method for strongly adhering a metal film on ceramic substrates
US3772056A (en) * 1971-07-29 1973-11-13 Kollmorgen Photocircuits Sensitized substrates for chemical metallization
US3772078A (en) * 1971-07-29 1973-11-13 Kollmorgen Photocircuits Process for the formation of real images and products produced thereby
US3907621A (en) * 1971-07-29 1975-09-23 Photocircuits Corp Method of sensitizing substrates for chemical metallization
US3993802A (en) * 1971-07-29 1976-11-23 Photocircuits Division Of Kollmorgen Corporation Processes and products for making articles for electroless plating
US3994727A (en) * 1971-07-29 1976-11-30 Photocircuits Divison Of Kollmorgen Corporation Formation of metal images using reducible non-noble metal salts and light sensitive reducing agents
US3959547A (en) * 1971-07-29 1976-05-25 Photocircuits Division Of Kollmorgen Corporation Process for the formation of real images and products produced thereby
US3925578A (en) * 1971-07-29 1975-12-09 Kollmorgen Photocircuits Sensitized substrates for chemical metallization
US3930963A (en) * 1971-07-29 1976-01-06 Photocircuits Division Of Kollmorgen Corporation Method for the production of radiant energy imaged printed circuit boards
US3766634A (en) * 1972-04-20 1973-10-23 Gen Electric Method of direct bonding metals to non-metallic substrates
US3744120A (en) * 1972-04-20 1973-07-10 Gen Electric Direct bonding of metals with a metal-gas eutectic
JPS49128917A (ko) * 1973-04-11 1974-12-10
US4187193A (en) * 1974-09-24 1980-02-05 Champion International Corporation Micro-capsules containing ureido fluoran chromogenic compounds
JPS5147536A (en) * 1974-10-22 1976-04-23 Toko Inc Mukizaishitsuni mudenkaimetsukio hodokosuhoho
DE2453192C3 (de) * 1974-11-09 1978-09-14 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Verfahren zur Verbesserung der Haftfestigkeit von Metallschichten auf elektrisch nicht leitenden Trägerkörpern
GB1519333A (en) * 1975-07-16 1978-07-26 Kollmorgen Corp Processes for production of metal layers and products produced thereby
DE2533524C3 (de) * 1975-07-26 1978-05-18 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Verfahren zur Herstellung eines Belages aus Kupfer oder einer Kupferlegierung auf einem Trägerkörper
US3994430A (en) * 1975-07-30 1976-11-30 General Electric Company Direct bonding of metals to ceramics and metals
ZA77897B (en) * 1976-04-13 1977-12-28 Kollmorgen Corp Liquid seeders and catalyzation processes for electroless metal deposition
JPS5319932A (en) * 1976-08-09 1978-02-23 Nakamura Minoru Preetreatment method of nonnelectrolytic plating on glass
DE2733684A1 (de) * 1977-07-26 1979-02-08 Siemens Ag Verfahren zum aufbringen einer metallschicht auf einen keramikkoerper aus blei enthaltendem material
US4206254A (en) * 1979-02-28 1980-06-03 International Business Machines Corporation Method of selectively depositing metal on a ceramic substrate with a metallurgy pattern
DE3032508A1 (de) * 1980-08-28 1982-04-01 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren der vorbehandlung von zirkonium und zirkonium-legierungen, insbesondere zircaloy, fuer die stromlose oder galvanische metallisierung
US4428986A (en) * 1982-11-18 1984-01-31 Eaton Corporation Method of preparing a beryllia substrate for subsequent autocatalytic deposition of a metallized film directly thereon

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100356112B1 (ko) * 2000-03-23 2002-10-25 (주) 씨엠테크 브레이징 접합 도금층을 가진 세라믹체
KR20200073071A (ko) * 2018-12-13 2020-06-23 주식회사 케이씨씨 세라믹 하우징 및 세라믹 기재의 도금 방법

Also Published As

Publication number Publication date
PH21883A (en) 1988-03-25
GB2141741A (en) 1985-01-03
KR870001779B1 (ko) 1987-10-10
AU2922084A (en) 1984-12-13
BR8402803A (pt) 1985-05-21
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CA1217686A (en) 1987-02-10
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DE3476871D1 (en) 1989-04-06
ES533259A0 (es) 1985-09-01
DE3421989A1 (de) 1984-12-13
GB2141741B (en) 1987-04-01
GB8414304D0 (en) 1984-07-11
DE3421989C2 (ko) 1988-11-17
DK282584A (da) 1984-12-10
US4604299A (en) 1986-08-05
EP0128476A2 (en) 1984-12-19
DK282584D0 (da) 1984-06-08
ES8507311A1 (es) 1985-09-01

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