KR20240089640A - 유기 전계발광 디바이스용 재료 - Google Patents

유기 전계발광 디바이스용 재료 Download PDF

Info

Publication number
KR20240089640A
KR20240089640A KR1020247015754A KR20247015754A KR20240089640A KR 20240089640 A KR20240089640 A KR 20240089640A KR 1020247015754 A KR1020247015754 A KR 1020247015754A KR 20247015754 A KR20247015754 A KR 20247015754A KR 20240089640 A KR20240089640 A KR 20240089640A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
carbon atoms
atoms
aromatic
radicals
substituted
Prior art date
Application number
KR1020247015754A
Other languages
English (en)
Inventor
아미르 호싸인 파르함
크리슈티안 에렌라이히
Original Assignee
메르크 파텐트 게엠베하
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 메르크 파텐트 게엠베하 filed Critical 메르크 파텐트 게엠베하
Publication of KR20240089640A publication Critical patent/KR20240089640A/ko

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D491/00—Heterocyclic compounds containing in the condensed ring system both one or more rings having oxygen atoms as the only ring hetero atoms and one or more rings having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by groups C07D451/00 - C07D459/00, C07D463/00, C07D477/00 or C07D489/00
    • C07D491/02—Heterocyclic compounds containing in the condensed ring system both one or more rings having oxygen atoms as the only ring hetero atoms and one or more rings having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by groups C07D451/00 - C07D459/00, C07D463/00, C07D477/00 or C07D489/00 in which the condensed system contains two hetero rings
    • C07D491/04—Ortho-condensed systems
    • C07D491/044—Ortho-condensed systems with only one oxygen atom as ring hetero atom in the oxygen-containing ring
    • C07D491/048—Ortho-condensed systems with only one oxygen atom as ring hetero atom in the oxygen-containing ring the oxygen-containing ring being five-membered
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D491/00—Heterocyclic compounds containing in the condensed ring system both one or more rings having oxygen atoms as the only ring hetero atoms and one or more rings having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by groups C07D451/00 - C07D459/00, C07D463/00, C07D477/00 or C07D489/00
    • C07D491/12—Heterocyclic compounds containing in the condensed ring system both one or more rings having oxygen atoms as the only ring hetero atoms and one or more rings having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by groups C07D451/00 - C07D459/00, C07D463/00, C07D477/00 or C07D489/00 in which the condensed system contains three hetero rings
    • C07D491/14—Ortho-condensed systems
    • C07D491/147—Ortho-condensed systems the condensed system containing one ring with oxygen as ring hetero atom and two rings with nitrogen as ring hetero atom
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D495/00—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms
    • C07D495/02—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms in which the condensed system contains two hetero rings
    • C07D495/04—Ortho-condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D495/00—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms
    • C07D495/12—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms in which the condensed system contains three hetero rings
    • C07D495/14—Ortho-condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/12—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising dopants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H10K85/622—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing four rings, e.g. pyrene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/654—Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising only nitrogen as heteroatom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6574—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only oxygen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. cumarine dyes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/10—Triplet emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/90—Multiple hosts in the emissive layer

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

본 발명은 디아자벤조푸로카르바졸 유도체 및 디아자벤조티에노카르바졸 유도체에 관하고 상기 화합물을 포함하는 전자 디바이스들에, 특히 임의로 다른 삼중항 매트릭스 재료 및 적합한 인광 방출체와 조합되는 삼중항 매트릭스 재료로서 상기 화합물을 포함하는 유기 전계발광 소자, 및 적합한 혼합물 및 포뮬레이션에 관한 것이다.

Description

유기 전계발광 디바이스용 재료
본 발명은 디아자벤조푸로카르바졸 유도체 및 디아자벤조티에노카르바졸 유도체 그리고 상기 화합물을 포함하는 전자 디바이스들, 특히 임의로 추가의 삼중항 매트릭스 재료 및 적합한 인광 방출체와 조합하여 삼중항 매트릭스 재료로서 상기 화합물을 포함하는 유기 전계발광 소자, 및 적합한 혼합물 및 포뮬레이션에 관한 것이다.
인광 유기금속 착물은 유기 전계 발광 디바이스(OLED)에 자주 사용된다. 일반적인 관점에서, 예를 들어, 효율, 작동 전압 및 수명과 관련하여, OLED들에서 개선이 여전히 필요하다. 인광 OLED 의 특성은 사용되는 삼중항 방출체에 의해서만 결정되지는 않는다. 보다 구체적으로, 사용되는 다른 재료, 예를들어, 매트릭스 재료도 여기서 특히 중요하다. 따라서, 이들 재료의 개선도 OLED 특성의 뚜렷한 개선을 야기한다.
선행 기술에 따르면, 카르바졸 유도체, 디벤조푸란 유도체, 인데노카르바졸 유도체, 인돌로카르바졸 유도체, 벤조푸로카르바졸 유도체 및 벤조티에노카르바졸 유도체는 인광 방사체에 사용되는 매트릭스 재료 중 하나이다.
벤조푸로카르바졸 유도체 및 벤조티에노카르바졸 유도체는 예를 들어 WO10107244, WO10083872, KR20130109837, US20150021556, US20160308142 및 KR20170086329 에 기재되어 있다.
아조벤조푸로카르바졸 유도체 및 아조벤조티에노카르바졸 유도체는 예를 들어 KR20170139443, WO18050583, US2019148646 및 WO19179497 에 기재되어 있다.
US2015236262는 발광 디바이스를 설명하고 있고, 여기서 발광 층은 적어도 하나의 카르바졸-계 화합물 및 적어도 하나의 헤테로사이클릭 화합물을 포함한다. 헤테로사이클릭 화합물은 또한 벤조푸로카르바졸 유도체 또는 벤조티에노카르바졸 유도체일 수 있다.
US2017352447은 특정 융합 부착 헤테로사이클 및 발광 디바이스에서의 그 용도를 설명한다.
US2017186969는 유기 발광 디바이스를 설명하며, 유기층에 존재하는 특정 모노아릴아민이 비치환되거나 부분적으로 중수소화될 수 있고, 특히 발광 보조층에 존재한다.
비치환되거나 부분적으로 중수소화될 수 있는 특정 모노아릴아민은 공개된 명세서들 WO2015022051, WO2017148564, WO2018083053, CN112375053, WO2019192954, WO2021156323 및 WO21107728 에 설명된다.
일반적으로 매트릭스 재료로 사용하기 위한 이들 재료의 개선이 여전히 필요하다. 본 발명에 의해 다루어지는 문제는, 인광 OLED 에서 매트릭스 재료로서 사용하기에 특히 적합한 개선된 화합물을 제공하는 것이다. 더욱 특히, 본 발명의 목적은 개선된 수명을 가져오는 매트릭스 재료들을 제공하는 것이다. 이는 특히 낮은 정도 내지 중간 정도의 방출체 농도, 즉 3% ~ 20%, 특히 3% ~ 15% 크기의 방출체 농도를 사용하는 경우에 특히 그러하며, 이는 디바이스 수명이 여기에 제한되기 때문이다.
이때 하기 식 (1) 의 화합물을 포함하는 전계발광 디바이스는, 특히 화합물이 인광 도펀트용 매트릭스 재료로서 사용될 때, 종래 기술에 비해 개선을 갖는다는 것을 알아냈다.
또한 유기 전계 발광 디바이스의 발광층에서 제 1 호스트 재료로서의 식 (1) 의 적어도 하나의 화합물 및 제 2 호스트 재료로서의 식 (2) 의 적어도 하나의 정공 수송 화합물의 조합에 의해 이러한 과제가 해결되고 종래 기술로부터의 단점이 없어진다는 것을 알아냈다.
본 발명은 먼저 식 (1)의 화합물을 제공한다
식 중 사용되는 기호 및 인덱스는 다음과 같다:
Y 는 각각의 경우 독립적으로 N, [L]b-Ar2 또는 [L]b1-Ar3이고, 여기서 정확히 2 개의 Y 는 적어도 하나의 [L]b-Ar2 및/또는 [L]b1-Ar3 기에 의해 분리된 N 이다;
V 는 O 또는 S 이다;
L1 은 단일 결합이거나 또는 5 내지 30 개의 고리 원자를 가지며 비치환되거나 D 에 의해 부분적으로 또는 전체적으로 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이다;
Rx, R# 은 각각의 경우 동일하거나 또는 상이하고, 6 내지 30 개의 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수 있는 방향족 고리 시스템, 또는 5 내지 30 개의 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수 있는 헤테로방향족 고리 시스템이다;
L 은 각각의 경우에 동일하거나 또는 상이하고, 5 내지 30 개의 고리 원자를 가지며 비치환되거나 또는 D에 의해 부분적으로 또는 전체적으로 치환될 수 있는 방향족 고리 시스템이다;
Ar2, Ar3은 각각의 경우 동일하거나 또는 상이하고, 6 내지 30 개의 탄소 원자를 갖고 하나 이상의 R3 라디칼에 의해 치환될 수 있는 아릴 기 또는 9 내지 30 개의 원자(여기서, 원자는 탄소 원자 및 적어도 하나의 헤테로원자를 포함함)를 갖고 하나 이상의 R3 라디칼에 의해 치환될 수 있는 헤테로아릴기이다;
R2는 각각의 경우 동일하거나 또는 상이하고, D, F, CN, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬 기 또는 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 기(여기서 하나 이상의 비인접 CH2 기는 O 또는 S 에 의해 대체될 수 있고 하나 이상의 수소 원자는 D, F 또는 CN 에 의해 대체될 수 있음), 또는 5 내지 30 개의 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템(여기서, 하나 이상의 수소 원자는 D, F, Cl, Br, I 또는 CN 에 의해 대체될 수 있고 각각이 1 내지 4 개의 탄소 원자를 갖는 하나 이상의 알킬 기에 의해 치환될 수 있음)으로 이루어지는 군에서 선택되고; 여기서 2개 이상의 인접 치환기 R2 는 함께 단환- 또는 다환, 지방족 고리 시스템을 형성하는 것이 가능하다;
R3은 각각의 경우 동일하거나 또는 상이하고, D, F, CN, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬 기 또는 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 기(여기서 하나 이상의 비인접 CH2 기는 O 또는 S 에 의해 대체될 수 있고 그리고 여기서 하나 이상의 수소 원자는 D, F 또는 CN에 의해 대체될 수 있음), 또는 6 내지 30 개의 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템(여기서 하나 이상의 수소 원자는 D, F, Cl, Br, I 또는 CN 에 의해 대체될 수 있고 각각이 1 내지 4 개의 탄소 원자를 갖는 하나 이상의 알킬 기에 의해 치환될 수 있음), 또는 9 내지 30 개의 원자(여기서, 원자는 탄소 원자 및 적어도 하나의 헤테로원자를 포함함)를 갖는 헤테로아릴 기(하나 이상의 수소 원자는 D, F, Cl, Br, I 또는 CN 에 의해 대체될 수 있고 각각이 1 내지 4 개의 탄소 원자를 갖는 하나 이상의 알킬 기에 의해 치환될 수 있음)로 이루어지는 군에서 선택되고; 여기서 2개 이상의 인접 치환기 R3 은 함께 단환 또는 다환, 지방족 고리 시스템을 형성하는 것이 가능하다;
b, b1은 각각 독립적으로 0 또는 1이다;
b2는 0 또는 1 이다;
n은 0, 1, 2, 3 또는 4 이다; 그리고
n1은 0, 1 또는 2 이다.
본 발명은 위에 기재되거나 나중에 바람직한 것으로 기재되는 식 (1) 의 적어도 하나의 화합물, 및 매트릭스 재료, 인광 방출체, 형광 방출체 및/또는 TADF (thermally activated delayed fluorescence) 를 나타내는 방출체의 군에서 선택되는 적어도 하나의 추가 화합물을 포함하는 혼합물을 추가로 제공한다.
본 발명은 추가로 위에 기재되거나 나중에 바람직한 것으로 기재되는 식 (1)의 적어도 하나의 화합물, 또는 위에 기재된 혼합물, 및 적어도 하나의 용매를 포함하는 포뮬레이션을 제공한다.
본 발명은 애노드, 캐소드, 및 위에 기재되거나 나중에 바람직한 것으로 기재되는 식 (1)의 적어도 하나의 화합물을 포함하는 적어도 하나의 유기층을 포함하는 유기 전계발광 디바이스를 추가로 제공한다.
본 발명은 또한 유기층이 기상 증착에 의해 또는 용액으로부터 도포되는 것을 특징으로 하는, 위에 기재된 또는 아래 바람직한 것으로서 기재된 유기 전계발광 디바이스의 제조 방법을 제공한다.
발명의 설명
본 특허 출원에서 "D" 또는 "D 원자"는 중수소를 의미한다.
본 발명의 맥락에서 아릴기는 6 내지 40 개의 고리 원자, 바람직하게는 탄소 원자를 포함한다. 본 발명의 맥락에서 헤테로아릴기는 5 내지 40 개의 고리 원자를 포함하고, 여기서 고리 원자는 탄소 원자 및 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하고, 단, 탄소 원자 및 헤테로원자의 총합은 합계가 적어도 5이다. 헤테로원자는 바람직하게는 N, O 및/또는 S로부터 선택된다. 아릴 기 또는 헤테로아릴 기가 여기서 의미하는 것은 단순 방향족 환, 즉 벤젠으로부터 유도된 페닐, 또는, 예를 들어 피리딘, 피리미딘 또는 티오펜으로부터 유도된, 단순 헤테로방향족 환, 또는, 예를 들어 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌, 퀴놀린 또는 이소퀴놀린으로부터 유도되는 융합된 (fused) 아릴 또는 헤테로아릴기이다. 따라서 6 내지 18 개의 탄소 원자를 갖는 아릴 기는 바람직하게는 페닐, 나프틸, 페난트릴 또는 트리페닐레닐이며, 치환기로서 아릴 기의 부착에서의 제한은 없다. 본 발명의 맥락에서 아릴 또는 헤테로아릴 기는 하나 이상의 라디칼을 가질 수 있으며, 여기서 적절한 라디칼은 아래에 기재되어 있다. 이러한 라디칼이 기재되지 않으면, 아릴기 또는 헤테로아릴 기는 비치환된다.
본 발명의 문맥에서 방향족 고리 시스템은 고리 시스템에 6 내지 40 개의 탄소 원자를 포함한다. 방향족 고리 시스템은 또한 전술한 바와 같이 아릴기를 포함한다. 6 내지 18개의 탄소 원자를 갖는 방향족 고리 시스템은 바람직하게는 페닐, 완전히 중수소화된 페닐, 바이페닐, 나프틸, 페난트릴 및 트리페닐레닐로부터 선택된다.
본 발명의 맥락에서 헤테로방향족 고리 시스템은 5 내지 40 개의 고리 원자 및 적어도 하나의 헤테로원자를 함유한다. 바람직한 헤테로방향족 고리 시스템은 9 내지 40개의 고리 원자 및 적어도 하나의 헤테로원자를 갖는다. 헤테로방향족 고리 시스템은 또한 위에 기재된 바와 같은 헤테로아릴기를 포함한다 헤테로방향족 고리 시스템에서 헤테로원자는 바람직하게는 N, O 및/또는 S 로부터 선택된다.
본 발명의 맥락에서 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이 의미하는 것은, 반드시 아릴 또는 헤테로아릴기만을 포함하는 것은 아니며, 또한 복수의 아릴 또는 헤테로아릴기가 비방향족 단위 (바람직하게는, H 이외의 10% 미만의 원자), 예를 들어 탄소 원자 또는 카르보닐기에 의해 인터럽트 (interrupt) 되는 것이 가능한 시스템을 의미한다. 예를 들어 9,9'-스피로바이플루오렌, 9,9-디아릴플루오렌, 9,9-디알킬플루오렌, 디아릴 에테르, 스틸벤 등과 같은 시스템은 또한 본 발명의 맥락에서 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템으로서, 그리고 마찬가지로 2 개 이상의 아릴기가, 예를 들어 선형 또는 환형 알킬기 또는 실릴기에 의해 인터럽트되는 시스템으로 간주될 것이다. 또한, 2 개 이상의 아릴 또는 헤테로아릴기가 서로 직접 결합되는 시스템, 예를 들어, 바이페닐, 터페닐 또는 쿼터페닐 또는 바이피리딘도 마찬가지로 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템의 정의에 의해 포괄된다.
또한 5-40 개의 고리 원자를 갖고 임의의 원하는 위치를 통해 방향족 또는 헤테로방향족 시스템에 연결될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이 의미하는 것은 예를 들어 벤젠, 나프탈렌, 안트라센, 벤즈안트라센, 페난트렌, 벤조페난트렌, 피렌, 크리센, 페릴렌, 플루오란텐, 벤조플루오란텐, 나프타센, 펜타센, 벤조피렌, 바이페닐, 바이페닐렌, 테르페닐, 테르페닐렌, 플루오렌, 스피로바이플루오렌, 디히드로페난트렌, 디히드로피렌, 테트라히드로피렌, 시스- 또는 트랜스-인데노플루오렌, 시스- 또는 트랜스-모노벤조인데노플루오렌, 시스- 또는 트랜스-디벤조인데노플루오렌, 트룩센, 이소트룩센, 스피로트룩센, 스피로이소트룩센, 푸란, 벤조푸란, 이소벤조푸란, 디벤조푸란, 티오펜, 벤조티오펜, 이소벤조티오펜, 디벤조티오펜, 피롤, 인돌, 이소인돌, 카르바졸, 인돌로카르바졸, 인데노카르바졸, 피리딘, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 아크리딘, 페난트리딘, 벤조-5,6-퀴놀린, 벤조-6,7-퀴놀린, 벤조-7,8-퀴놀린, 페노티아진, 페녹사진, 피라졸, 인다졸, 이미다졸, 벤즈이미다졸, 나프티미다졸, 페난트리미다졸, 피리디미다졸, 피라진이미다졸, 퀴녹살린이미다졸, 옥사졸, 벤즈옥사졸, 나프트옥사졸, 안트르옥사졸, 페난트르옥사졸, 이소옥사졸, 1,2-티아졸, 1,3-티아졸, 벤조티아졸, 피리다진, 벤조피리다진, 피리미딘, 벤조피리미딘, 퀴녹살린, 1,5-디아자안트라센, 2,7-디아자피렌, 2,3-디아자피렌, 1,6-디아자피렌, 1,8-디아자피렌, 4,5-디아자피렌, 4,5,9,10-테트라아자페릴렌, 피라진, 페나진, 페녹사진, 페노티아진, 플루오루빈, 나프티리딘, 아자카르바졸, 벤조카르볼린, 페난트롤린, 1,2,3-트리아졸, 1,2,4-트리아졸, 벤조트리아졸, 1,2,3-옥사디아졸, 1,2,4-옥사디아졸, 1,2,5-옥사디아졸, 1,3,4-옥사디아졸, 1,2,3-티아디아졸, 1,2,4-티아디아졸, 1,2,5-티아디아졸, 1,3,4-티아디아졸, 1,3,5-트리아진, 1,2,4-트리아진, 1,2,3-트리아진, 테트라졸, 1,2,4,5-테트라진, 1,2,3,4-테트라진, 1,2,3,5-테트라진, 퓨린, 프테리딘, 인돌리진 및 벤조티아디아졸에서 유래된 기이다.
약어 Ar 은 각각의 경우에 동일하거나 또는 상이하고 5 내지 40 개의 탄소 원자를 갖고 하나 이상의 R7 라디칼에 의해 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 나타내고, 여기서 R7 라디칼 또는 치환기 R7은 위에 또는 이하에 기재된 바와 같이 정의된다. Ar의 바람직한 정의는 이하에 기술된다.
약어 Ar1 은 각각의 경우 동일하거나 또는 상이하고, 5 내지 30 개의 고리 원자를 갖고 하나 이상의 비방향족 R5 라디칼에 의해 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 표기하고; 동시에, 동일한 질소 원자, 인 원자, 또는 붕소 원자에 결합된 2 개의 Ar1 라디칼은 또한 C(R5)2, O 및 S 로부터 선택되는 브릿지 또는 단일 결합에 의해 서로 브릿지될 수 있고, 여기서 R5 라디칼 또는 치환기 R5 는 위에 또는 아래에 기재된 바와 같은 정의를 갖는다. Ar1의 바람직한 정의는 이하에 기술된다.
약어 Ar2 및 Ar3은 각각의 경우 동일하거나 또는 상이하고, 6 내지 30 개의 탄소 원자를 갖고 하나 이상의 R3 라디칼에 의해 치환될 수 있는 아릴 기 또는 9 내지 30 개의 원자(여기서, 원자는 탄소 원자 및 적어도 하나의 헤테로원자를 포함함)를 갖고 하나 이상의 R3 라디칼에 의해 치환될 수 있는 헤테로아릴기이고, 여기서 R3 라디칼 또는 치환기 R3 은 위에 또는 아래에 기재된 바와 같은 정의를 갖는다. Ar2 및 Ar3의 바람직한 정의는 이하에 기재된다.
약어 Ar5 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고 5 내지 40 개의 탄소 원자를 갖고 하나 이상의 R7 라디칼에 의해 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이고, 여기서 R7 라디칼 또는 치환기 R7은 위에 또는 이하에 기재된 바와 같이 정의된다. Ar5의 바람직한 정의는 이하에 기술된다.
본 발명의 맥락에서 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알킬 기는 단환, 이환 또는 다환 기를 의미하는 것으로 이해된다.
본 발명의 맥락에서 직쇄, 분지형 또는 환형 C1- 내지 C20-알킬기가 의미하는 것은, 예를 들어, 메틸, 에틸, n-프로필, i-프로필, 시클로프로필, n-부틸, i-부틸, s-부틸, t-부틸, 시클로부틸, 2-메틸부틸, n-펜틸, s-펜틸, t-펜틸, 2-펜틸, 네오펜틸, 시클로펜틸, n-헥실, s-헥실, t-헥실, 2-헥실, 3-헥실, 네오헥실, 시클로헥실, 1-메틸시클로펜틸, 2-메틸펜틸, n-헵틸, 2-헵틸, 3-헵틸, 4-헵틸, 시클로헵틸, 1-메틸시클로헥실, n-옥틸, 2-에틸헥실, 시클로옥틸, 1-바이시클로[2.2.2]옥틸, 2-바이시클로[2.2.2]옥틸, 2-(2,6-디메틸)옥틸, 3-(3,7-디메틸)옥틸, 아다만틸, 트리플루오로메틸, 펜타플루오로에틸, 2,2,2-트리플루오로에틸, 1,1-디메틸-n-헥스-1-일, 1,1-디메틸-n-헵트-1-일, 1,1-디메틸-n-옥트-1-일, 1,1-디메틸-n-데크-1-일, 1,1-디메틸-n-도데크-1-일, 1,1-디메틸-n-테트라데크-1-일, 1,1-디메틸-n-헥사데크-1-일, 1,1-디메틸-n-옥타데크-1-일, 1,1-디에틸-n-헥스-1-일, 1,1-디에틸-n-헵트-1-일, 1,1-디에틸-n-옥트-1-일, 1,1-디에틸-n-데크-1-일, 1,1-디에틸-n-도데크-1-일, 1,1-디에틸-n-테트라데크-1-일, 1,1-디에틸-n-헥사데크-1-일, 1,1-디에틸-n-옥타데크-1-일, 1-(n-프로필)시클로헥스-1-일, 1-(n-부틸)시클로헥스-1-일, 1-(n-헥실)시클로헥스-1-일, 1-(n-옥틸)시클로헥스-1-일 및 1-(n-데실)시클로헥스-1-일 라디칼이다.
직쇄 또는 분지형 C1- 내지 C20-알콕시 기가 의미하는 것은 예를 들어, 메톡시, 트리플루오로메톡시, 에톡시, n-프로폭시, i-프로폭시, n-부톡시, i-부톡시, s-부톡시, t-부톡시 또는 2-메틸부톡시이다.
직쇄 C1- 내지 C20-티오알킬 기가 의미하는 것은, 예를 들어, S-알킬기, 예를 들어 티오메틸, 1-티오에틸, 1-티오-i-프로필, 1-티오-n-프로필, 1-티오-i-부틸, 1-티오-n-부틸 또는 1-티오-t-부틸이다.
5 내지 40 개의 고리 원자를 갖는 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시 기는 O-아릴 또는 O-헤테로아릴을 의미하고, 아릴 또는 헤테로아릴기가 산소 원자를 통해 결합됨을 의미하고, 여기서 아릴 또는 헤테로아릴 기는 위에 기재된 바와 같이 정의된다.
2 개 이상의 라디칼이 함께 고리 시스템을 형성할 수 있다는 말이 의미하는 것은, 지방족, 헤테로지방족, 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템의 형성이고, 본 설명의 맥락에서, 특히, 2 개의 라디칼이 2 개의 수소 원자의 형식적 제거와 함께 화학 결합에 의해 서로 연결된다. 이는 다음 도식에 의해 예시된다:
그러나, 추가적으로, 상기 언급된 문구은 또한 2 개의 라디칼들 중 하나가 수소인 경우에는 제2 라디칼이 수소 원자가 결합되었던 위치에 결합하여, 고리를 형성한다는 것을 의미하는 것으로 이해되어야 한다. 이는 다음 도식에 의해 예시될 것이다:
식 (1) 의 화합물 및 이의 바람직한 실시형태에 대한 설명이 따른다. 바람직한 실시형태는 또한 본 발명의 혼합물, 본 발명의 포뮬레이션 및 본 발명의 유기 전계발광 디바이스에 적용 가능하다.
식 (1) 의 화합물에서, Y 는 각각의 경우 독립적으로 N, N, [L]b-Ar2 또는 [L]b1-Ar3이고, 여기서 정확히 2 개의 Y 는 적어도 하나의 [L]b-Ar2 또는 [L]b1-Ar3 기에 의해 분리된 N 이다;
식 (1) 의 화합물의 바람직한 실시형태들은 식 (1a), (1b) 또는 (1c) 의 화합물이고 여기서, 2 개의 질소 원자의 위치가 보다 특히 설명되고 나머지 Y 는 [L]b-Ar2 및 [L]b1-Ar3 이고, 그리고 사용된 기호 V, L, Ar2, Ar3, b, b1, L1, Rx, R#, b2, n 및 n1 은 이하 바람직한 것으로 주어지고 위에 주어지는 정의를 갖는다:
따라서 본 발명은 위에 기재되거나 이하에서 바람직한 것으로 기재된 바와 같은 식 (1a), (1b) 및 (1c) 의 화합물을 추가로 제공한다.
식 (1) 의 화합물의 바람직한 실시형태는 마찬가지로 식 (1d), (1e), (1f), (1g), (1h) 및 (1i) 의 화합물이다:
식에서 사용된 기호 Y, V, L, Ar2, Ar3, b, b1, L1, Rx, R#, b2, n 및 n1 은 위에 기재된 또는 이하에서 바람직한 것으로서 기재된 정의를 가지며, 여기서 융합 부착된 고리 시스템의 포지셔닝은 식 (1) 의 화합물에 기재되어 있다.
따라서 본 발명은 위에 기재되거나 이하에서 바람직한 것으로 기재된 바와 같은 식 (1d), (1e), (1f), (1g), (1h) 및 (1i) 의 화합물을 추가로 제공한다.
식 (1d), (1e), (1f), (1g), (1h) 및 (1i)의 화합물에서, =Y-Y=Y-Y=는 바람직하게는 =(C-[L]b-Ar2)-N=(C-[L]b1-Ar3)-N=, =N-C-[L]b-Ar2)=N-C-[L]b1-Ar3)= 또는 =N- C-[L]b-Ar2)=C-[L]b1-Ar3)-N=이고, 여기서 =Y-Y=Y-Y= 의 제 1 기호 Y는 기호 V에 인접하고, 여기서 L, Ar2, Ar3, b 및 b1은 위에 기재되고 이하에서 바람직한 것으로서 기재된 정의를 갖는다. 표시된 표현의 제 1 기호 Y는 Y1로 언급되고, 이는 식 (1)의 화합물의 모든 실시형태에 적용되며, 여기서 "*"는 식 (1) 의 나머지 부분에 대한 부착을 나타낸다:
식 (1d), (1e), (1f), (1g), (1h) 및 (1i)의 화합물에서, =Y-Y=Y-Y=는 보다 바람직하게는 =(C-[L]b-Ar2)-N=(C-[L]b1-Ar3)-N= 또는 =N-C-[L]b-Ar2)=N-C-[L]b1-Ar3)=이고, 여기서 =Y-Y=Y-Y= 의 제 1 기호 Y는 기호 V에 인접하고, 여기서 L, Ar2, Ar3, b 및 b1은 위에 기재되고 이하에서 바람직한 것으로서 기재된 정의를 갖는다.
식 (1d), (1e), (1f), (1g), (1h) 및 (1i)의 화합물에서, =Y-Y=Y-Y=는 보다 더 바람직하게는 =(C-[L]b-Ar2)-N=(C-[L]b1-Ar3)-N= 이고, 여기서 =Y-Y=Y-Y= 의 제 1 기호 Y는 기호 V에 인접하고, 여기서 L, Ar2, Ar3, b 및 b1은 위에 기재되고 이하에서 바람직한 것으로서 기재된 정의를 갖는다.
식 (1) 의 바람직한 화합물은 식 (1a) 및 (1b) 에 따른다.
식 (1) 의 바람직한 화합물은 식 (1d), (1e) 및 (1f) 에 따르고, 여기서, =Y-Y=Y-Y= 는 위에 주어진 또는 바람직한 것으로서 주어진 정의를 갖는다.
식 (1) 의 특히 바람직한 화합물은 식 (1a) 에 따른다.
식 (1), (1a), (1b), (1c), (1d), (1e), (1f), (1g), (1h) 및 (1i) 의 화합물에서, V 는 바람직하게는 O 이다.
식 (1), (1a), (1b), (1c), (1d), (1e), (1f), (1g), (1h) 및 (1i) 의 화합물 또는 바람직한 것으로 인용된 식 (1), (1a), (1b), (1c), (1d), (1e), (1f), (1g), (1h) 및 (1i) 의 화합물에서, n은 0, 1, 2, 3 또는 4 이고, 바람직하게 0, 1, 2 또는 3 이고, 보다 바람직하게는 0, 1 또는 2 이고 그리고 가장 바람직하게는 0 이다.
식 (1), (1a), (1b), (1c), (1d), (1e), (1f), (1g), (1h) 및 (1i) 의 화합물 또는 바람직한 것으로 인용된 식 (1), (1a), (1b), (1c), (1d), (1e), (1f), (1g), (1h) 및 (1i) 의 화합물에서, n1 은 0, 1 또는 2 이고, 바람직하게는 0 또는 1이고 그리고 더 바람직하게는 0 이다.
식 (1), (1a), (1b), (1c), (1d), (1e), (1f), (1g), (1h) 및 (1i) 의 화합물, 또는 바람직한 것으로 인용된 식 (1), (1a), (1b), (1c), (1d), (1e), (1f), (1g), (1h) 및 (1i) 의 화합물에서, R# 은 발생한 경우, 바람직하게는 6 내지 18 개의 탄소 원자를 갖는 아릴 기 또는 9 내지 13 개의 고리 원자를 갖는 헤테로아릴 기이고, 이는 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수 있고, 여기서 R2 는 위에 주어지고 이하에 바람직하는 것으로 주어지는 정의를 갖는다. 식(1), (1a), (1b), (1c), (1d), (1e), (1f), (1g), (1h) 및 (1i) 의 화합물 또는 바람직한 것으로 인용된 식 (1), (1a), (1b), (1c), (1d), (1e), (1f), (1g), (1h) 및 (1i) 의 화합물에서, R# 은 발생한 경우에, 바람직하게는 페닐, 카르바졸-N-일 또는 아닐카르바졸일이고, 여기서 약어 "아릴"은 5 내지 30 개의 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R3 라디칼에 의해 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 표기한다. "아릴"은 바람직하게는 페닐, 1,3-비페닐, 1,4-비페닐, 디벤조푸라닐 또는 디벤조티오페닐이다. "아릴"은 더 바람직하게는 페닐이다.
식 (1), (1a), (1b), (1c), (1d), (1e), (1f), (1g), (1h) 및 (1i) 의 화합물 또는 바람직한 것으로 인용된 식 (1), (1a), (1b), (1c), (1d), (1e), (1f), (1g), (1h) 및 (1i) 의 화합물에서, b2 은 0 이다.
식 (1), (1a), (1b), (1c), (1d), (1e), (1f), (1g), (1h) 및 (1i) 의 화합물, 또는 바람직한 것으로 인용된 식 (1), (1a), (1b), (1c), (1d), (1e), (1f), (1g), (1h) 및 (1i) 의 화합물에서, 치환기 Rx 는 바람직하게는 6 내지 20 개의 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템 또는 6 내지 20 개의 고리 원자를 갖고, 그 각각은 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수 있는 헤테로방향족 고리 시스템이고, 여기서 R2 라디칼은 위에 주어지고 아래 바람직한 것으로 주어지는 정의를 갖는다.
식 (1), (1a), (1b), (1c), (1d), (1e), (1f), (1g), (1h) 및 (1i) 의 화합물, 또는 바람직한 것으로 인용된 식 (1), (1a), (1b), (1c), (1d), (1e), (1f), (1g), (1h) 및 (1i) 의 화합물에서, 치환기 Rx 는 6 내지 20 개의 고리 원자를 갖고 각각의 경우에 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수 있거나 또는 피리딘, 피리미딘, 트리아진, 퀴놀린, 디벤조푸란, 디벤조티오펜, 카르바졸, 인돌로카르바졸 또는 인데노카르바졸이고, 그 각각은 하나의 R2 라디칼 또는 2개 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수 있는 방향족 고리 시스템이고, 여기서 R2 라디칼은 위에 주어지고 아래 바람직한 것으로 주어지는 정의를 갖고, 카르바졸, 인돌로카르바졸, 및 인데노카르바졸은 그 질소 원자 또는 그 탄소 원자 중 하나를 통하여 결합될 수 있다. 카르바졸, 인돌로카르바졸 및/또는 인데노카르바졸이 C를 통해 결합되면, 그 질소 원자는 위에서 설명한 "아릴" 치환기를 가지며, 이는 바람직하게는 페닐, 1,3-바이페닐, 1,4-바이페닐, 디벤조티오페닐, 9,9-디메틸플루오레닐 및 트리페닐레닐로부터 선택되고 여기서 대응하는 질소 원자에 대한 "아릴"의 부착은 달리 나타내지 않는 한, 제한이 없다.
위에 설명된 바와 같이 치환기 Rx가 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환되면, 각각의 R2 바람직하게는 D, CN, 페닐, 1,4-비페닐, 1,3-비페닐, N-아릴카르바졸릴 및 디벤조푸라닐의 기로부터 독립적으로 선택되며, 여기서 N-아릴카르바졸릴의 "아릴"은 위에 주어진 정의 또는 위에 주어진 바람직한 정의를 갖고/갖거나 두 개의 치환기 R2 는 방향족 고리를 형성한다.
위에 기재되거나 바람직한 것으로 기재된 치환기 Rx의 한 실시형태에서, 이 치환기는 중수소화된다. 위에 기재되거나 바람직한 것으로 기재된 치환기 Rx의 바람직한 실시형태에서, 치환기 Rx는 하나의 R2 라디칼 또는 두 개의 R2 라디칼을 갖거나 비치환되며, 여기서 R2 라디칼은 위에 주어지거나 또는 바람직한 것으로 주어진 정의를 갖는다. Rx로서 바람직한 방향족 고리 시스템은 예를 들어 페닐, 1,3-비페닐, 1,4-비페닐, 스피로바이플루오레닐, 9,9-디메틸플루오레닐, 9-페닐-9-메틸플루오레닐, 트리페닐레닐 또는 플루오란테닐이다.
식 (1), (1a), (1b), (1c), (1d), (1e), (1f), (1g), (1h) 및 (1i) 의 화합물 또는 바람직한 것으로 인용된 식 (1), (1a), (1b), (1c), (1d), (1e), (1f), (1g), (1h) 및 (1i) 의 화합물에서, 연결기로서 기호 L1 는 단일 결합 또는 5 내지 30 개의 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로 방향족 고리 시스템을 나타낸다.
식 (1), (1a), (1b), (1c), (1d), (1e), (1f), (1g), (1h) 및 (1i) 의 화합물 또는 바람직한 것으로 인용된 식 (1), (1a), (1b), (1c), (1d), (1e), (1f), (1g), (1h) 및 (1i) 의 화합물에서, 기호 L1 는 단일 결합 또는 L-1 내지 L-34 의 기로부터 선택된 연결기이고;
식에서 각각의 V1 은 독립적으로 O, S 또는 N-아릴이고 아릴은 위에 주어지거나 바람직한 것으로서 주어진 정의를 갖거나 점선은 Rx 및 나머지 식 (1), (1a), (1b), (1c), (1d), (1e), (1f), (1g), (1h) 및 (1i) 에 대한 부착을 표기한다. 연결기 L-1 내지 L-34는 부분적으로 또는 완전히 중수소화될 수 있다. V1 은 바람직하게는 O 또는 N-아릴이다. V1 은 더 바람직하게는 O이다.
식 (1), (1a), (1b), (1c), (1d), (1e), (1f), (1g), (1h) 및 (1i) 의 화합물 또는 바람직한 것으로 인용된 식 (1), (1a), (1b), (1c), (1d), (1e), (1f), (1g), (1h) 및 (1i) 의 화합물에서, 기호 L1 는 단일 결합 또는 위에 주어지거나 바람직한 것으로서 주어진 L-2, L-3, L-4, L-5 및 L-21 내지 L-34 의 기로부터 선택된 연결기이고 더 바람직하게는, 단일 결합이다.
식 (1), (1a), (1b), (1c), (1d), (1e), (1f), (1g), (1h) 및 (1i) 의 화합물 또는 바람직한 것으로 인용된 식 (1), (1a), (1b), (1c), (1d), (1e), (1f), (1g), (1h) 및 (1i) 의 화합물에서, [L]b-Ar2 또는 [L]b1-Ar3 에서의 연결기 L 은 발생한 경우, 독립적으로 바람직하게는 위에 설명된 L-1 내지 L-20 의 기로부터 선택된 연결기이다.
식 (1), (1a), (1b), (1c), (1d), (1e), (1f), (1g), (1h) 및 (1i) 의 화합물 또는 바람직한 것으로 인용된 식 (1), (1a), (1b), (1c), (1d), (1e), (1f), (1g), (1h) 및 (1i) 의 화합물에서, b 는 0 이다.
식 (1), (1a), (1b), (1c), (1d), (1e), (1f), (1g), (1h) 및 (1i) 의 화합물 또는 바람직한 것으로 인용된 식 (1), (1a), (1b), (1c), (1d), (1e), (1f), (1g), (1h) 및 (1i) 의 화합물에서, b1 은 0 이다.
식 (1), (1a), (1b), (1c), (1d), (1e), (1f), (1g), (1h) 및 (1i) 의 화합물 또는 바람직한 것으로 인용된 식 (1), (1a), (1b), (1c), (1d), (1e), (1f), (1g), (1h) 및 (1i) 의 화합물에서, Ar3은 6 내지 30 개의 탄소 원자를 갖고 하나 이상의 R3 라디칼에 의해 치환될 수 있는 아릴 기 또는 9 내지 30 개의 원자(여기서, 원자는 탄소 원자 및 적어도 하나의 헤테로원자를 포함함)를 갖는 헤테로아릴기이고, 하나 이상의 R3 라디칼에 의해 치환될 수 있다;
식 (1), (1a), (1b), (1c), (1d), (1e), (1f), (1g), (1h) 및 (1i) 의 화합물 또는 바람직한 것으로 기재되는 식 (1), (1a), (1b), (1c), (1d), (1e), (1f), (1g), (1h) 및 (1i) 의 화합물에서, Ar3 은 바람직하게는 하위식 (1-0) 을 나타낸다:
식에서 R##는 각각의 경우 동일하거나 또는 상이하고, D, F, CN, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬 기 또는 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 기(여기서 하나 이상의 비인접 CH2 기는 O 또는 S 에 의해 대체될 수 있고 그리고 여기서 하나 이상의 수소 원자는 D, F 또는 CN에 의해 대체될 수 있음), 또는 5 내지 30 개의 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템(여기서 하나 이상의 수소 원자는 D, F, Cl, Br, I 또는 CN 에 의해 대체될 수 있고 각각이 1 내지 4 개의 탄소 원자를 갖는 하나 이상의 알킬 기에 의해 치환될 수 있음)으로 이루어지는 군에서 선택되고; 여기서 2개 이상의 인접 치환기 R##는 각각의 경우에 하나 이상의 R3 라디칼에 의해 치환될 수 있고 그리고 헤테로방향족 고리 시스템의 경우에 하위식 (1-0) 의 나머지와 함께 9 내지 30 개의 원자를 갖는 단환- 또는 다환, 지방족 또는 방향족 고리 시스템을 함께 형성하는 것이 가능하며, R3은 위에 주어지거나 바람직한 것으로서 주어진 정의를 갖고 w 는 0, 1, 2, 3, 4 또는 5 이다.
하위식 (1-0)에서 w는 바람직하게는 0, 1 또는 2이다.
w 가 2 이면, 이들 치환기는 이들이 결합하는 탄소 원자와 함께 각각의 경우에 하나 이상의 R3 라디칼에 의해 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 형성하는 것이 바람직하고, 헤테로 방향족 고리 시스템의 경우에 하위식 (1-0) 의 나머지와 함께 총 9 내지 30 개의 원자를 가지며, 여기서, R3은 위에 주어지거나 바람직한 것으로서 주어진 정의를 갖는다.
식 (1), (1a), (1b), (1c), (1d), (1e), (1f) 및 (1g) 또는 바람직한 것으로서 기재된 식 (1), (1a), (1b), (1c), (1d), (1e), (1f) 및 (1g) 의 화합물에서, Ar3 및 하위 식 (1-0) 은 바람직하게는 페닐, 트리페닐레닐, 플루오란테닐, 디벤조푸라닐, 9,9-디메틸플루오레닐, 카르바졸-N-일이며, 이는 하나 이상의 R3 라디칼에 의해 치환될 수 있고, 여기서 R3은 위에 주어진 정의를 갖는다. 위에 기재된 바와 같이, 치환기 Ar3은 하나 이상의 R3 라디칼에 의해 치환되면, R3 은 바람직하게는 각각의 경우에 독립적으로 D, CN, 페닐, 및 트리페닐레닐로부터, 보다 바람직하게는 페닐로서 선택된다.
식 (1), (1a), (1b), (1c), (1d), (1e), (1f) 및 (1g) 의 화합물 또는 바람직한 것으로 기재되는 식 (1), (1a), (1b), (1c), (1d), (1e), (1f), 및 (1g) 의 화합물에서, Ar3 은 바람직하게는 페닐, 단일 R3-치환된 페닐, 트리페닐레닐, 플루오란테닐, 디벤조푸라닐, 9,9-디메틸플루오레닐, 카르바졸-N-일이다.
식 (1), (1a), (1b), (1c), (1d), (1e), (1f), (1g), (1h) 및 (1i) 의 화합물 또는 바람직한 것으로 인용된 식 (1), (1a), (1b), (1c), (1d), (1e), (1f), (1g), (1h) 및 (1i) 의 화합물에서, Ar2은 6 내지 30 개의 탄소 원자를 갖고 하나 이상의 R3 라디칼에 의해 치환될 수 있는 아릴 기 또는 9 내지 30 개의 원자(여기서, 원자는 탄소 원자 및 적어도 하나의 헤테로원자를 포함함)를 갖고 하나 이상의 R3 라디칼에 의해 치환될 수 있는 헤테로아릴기이다.
식 (1), (1a), (1b), (1c), (1d), (1e), (1f), (1g), (1h) 및 (1i) 의 화합물 또는 바람직한 것으로 기재되는 식 (1), (1a), (1b), (1c), (1d), (1e), (1f), (1g), (1h) 및 (1i) 의 화합물에서, Ar2 은 바람직하게는 하위식 (2-0) 을 나타낸다:
식에서 R##는 각각의 경우 동일하거나 또는 상이하고, D, F, CN, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬 기 또는 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 기(여기서 하나 이상의 비인접 CH2 기는 O 또는 S 에 의해 대체될 수 있고 하나 이상의 수소 원자는 D, F 또는 CN에 의해 대체될 수 있음), 또는 5 내지 30 개의 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템(여기서 하나 이상의 수소 원자는 D, F, Cl, Br, I 또는 CN 에 의해 대체될 수 있고 각각이 1 내지 4 개의 탄소 원자를 갖는 하나 이상의 알킬 기에 의해 치환될 수 있음)으로 이루어지는 군에서 선택되고; 여기서 2개 이상의 인접 치환기 R##는 각각의 경우에 하나 이상의 R3 라디칼에 의해 치환될 수 있고 그리고 헤테로방향족 고리 시스템의 경우에 하위식 (2-0) 의 나머지와 함께 9 내지 30 개의 원자를 갖는 단환- 또는 다환, 지방족 또는 방향족 고리 시스템을 함께 형성하는 것이 가능하며, R3은 위에 주어지거나 바람직한 것으로서 주어진 정의를 갖고 w 는 0, 1, 2, 3, 4 또는 5 이다.
하위식 (2-0)에서 w는 바람직하게는 0, 1 또는 2이다.
w 가 하위 식 (2-0) 에서 2이면, 이들 치환기는 이들이 결합하는 탄소 원자와 함께 각각의 경우에 하나 이상의 R3 라디칼에 의해 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 형성하는 것이 바람직하고, 헤테로 방향족 고리 시스템의 경우에 하위식 (2-0) 의 나머지와 함께 총 9 내지 30 개의 원자를 가지며, 여기서, R3은 위에 주어지거나 바람직한 것으로서 주어진 정의를 갖는다.
식 (1), (1a), (1b), (1c), (1d), (1e), (1f) 및 (1g) 또는 바람직한 것으로서 기재된 식 (1), (1a), (1b), (1c), (1d), (1e), (1f) 및 (1g) 의 화합물에서, Ar2 및 하위 식 (2-0) 은 바람직하게는 페닐, 트리페닐레닐, 플루오란테닐, 디벤조푸라닐, 9,9-디메틸플루오레닐, 카르바졸-N-일이며, 이는 하나 이상의 R3 라디칼에 의해 치환될 수 있고, 여기서 R3은 위에 주어진 정의를 갖는다. 위에 기재된 바와 같이, 치환기 Ar2가 하나 이상의 R3 라디칼에 의해 치환되면, R3 은 바람직하게는 각각의 경우에 독립적으로 D, CN, 페닐, 및 트리페닐레닐로부터, 보다 바람직하게는 페닐로서 선택된다.
식 (1), (1a), (1b), (1c), (1d), (1e), (1f) 및 (1g) 의 화합물 또는 바람직한 것으로 기재되는 식 (1), (1a), (1b), (1c), (1d), (1e), (1f), 및 (1g) 의 화합물에서, Ar2 는 바람직하게는 페닐, 단일 R3-치환된 페닐, 트리페닐레닐, 플루오란테닐, 디벤조푸라닐, 9,9-디메틸플루오레닐, 카르바졸-N-일이다.
식 (1), (1a), (1b), (1c), (1d), (1e), (1f), (1g), (1h) 및 (1i) 의 화합물 또는 바람직한 것으로 기재되는 식 (1), (1a), (1b), (1c), (1d), (1e), (1f), (1g), (1h) 및 (1i) 의 화합물에서, Ar2 및 Ar3 은 동일하거나 상이하고 바람직하게는 상이하다.
상기 언급된 바람직한 실시형태들은 청구항 제 1 항에서 정의된 제한들 내에서 원하는 대로 서로 조합될 수 있다. 본 발명의 특히 바람직한 실시형태에서, 위에 언급된 바람직한 것은 동시에 일어난다.
식 (1), (1a), (1b), (1c), (1d), (1e), (1f), (1g), (1h), (1i) 및 (1i) 의 적합한 호스트 재료의 예는 아래 표 1에 도시된 구조이다.
표 1:
식 (1), (1a), (1b), (1c), (1d), (1e), (1f), (1g), (1h) 및 (1i) 의 특히 적절한 화합물은 표 2 에서의 E1 내지 E51 이다.
표 2:
Figure pct00029
Figure pct00030
본 발명의 화합물은 당업자에게 알려진 합성 단계, 예를 들어, 브롬화, 스즈키 (Suzuki) 커플링, 울만 (Ullmann) 커플링, 하르트비히-부흐발트 (Hartwig-Buchwald) 커플링 등에 의해 제조될 수 있다.
디아자디벤조푸란 또는 디아자디벤조티오펜 기를 갖는 적합한 화합물은 다수의 경우 시판되고, 실시예에 상세히 나타낸 출발 화합물은 공지된 방법에 의해 수득가능하므로, 그에 대한 참조가 이루어진다.
뒤따르는 합성 도식에서, 화합물은 구조를 단순화하기 위해 소수의 치환기를 갖는 것으로 나타내진다. 이것은 방법들에서 임의의 원하는 추가의 치환기의 존재를 배제하지 않는다. 본 발명의 화합물의 합성을 위해 도시된 방법들은 예시로써 간주되어야 한다. 당업자는 당해 공통 기술 분야 범위 내에서 대안의 합성 경로를 발전시킬 수 있을 것이다.
예시적인 구현은 이들이 제한을 부과해야 한다는 어떠한 의도도 없이, 이하의 스킴들에 의해 주어진다. 개별 스킴들의 컴포넌트 단계는 원하는 대로 서로 조합될 수 있다.
식 (1)의 화합물에 대한 전구체는 예를 들어 하기 도식 (1) 에 따라 제조될 수 있으며, 여기서 V 는 위에 주어지거나 바람직한 것으로서 주어진 정의 중 하나를 갖는다.
이들 프로세스들에 의해, 필요하다면 정제, 예를 들어 재결정화 또는 승화에 의해서, 식 (1) 의 화합물을 고순도, 바람직하게는 99% 초과 (1H NMR 및/또는 HPLC 에 의해 결정됨) 로 수득하는 것이 가능하다.
예를 들어 스핀 코팅 또는 인쇄 방법에 의해 액상으로부터 본 발명의 화합물을 프로세싱하기 위해, 본 발명의 화합물의 포뮬레이션 또는 본 발명의 화합물의 혼합물의 포뮬레이션이 추가의 작용성 재료, 예를 들어 매트릭스 재료, 형광성 방출체, 인광성 방출체, 및/또는 TADF를 나타내는 방출체와 함께 필요하다. 이들 포뮬레이션들은 예를 들어, 용액(solutions), 분산액(dispersions) 또는 에멀젼(emulsions)일 수 있다. 이러한 목적을 위해, 2개 이상의 용매들의 혼합물들을 사용하는 것이 바람직할 수 있다. 적합하고 바람직한 용매들은 예를 들어, 톨루엔, 아니솔, o-, m- 또는 p-자일렌, 메틸 벤조에이트, 메시틸렌, 테트랄린, 베라트롤, THF, 메틸-THF, THP, 클로로벤젠, 디옥산, 페녹시톨루엔, 특히 3-페녹시톨루엔, (-)-펜촌, 1,2,3,5-테트라메틸벤젠, 1,2,4,5-테트라메틸벤젠, 1-메틸나프탈렌, 2-메틸벤조티아졸, 2-페녹시에탄올, 2-피롤리디논, 3-메틸아니솔, 4-메틸아니솔, 3,4-디메틸아니솔, 3,5-디메틸아니솔, 아세토페논, α-테르피네올, 벤조티아졸, 부틸 벤조에이트, 큐멘, 시클로헥산올, 시클로헥사논, 시클로헥실벤젠, 데칼린, 도데실벤젠, 에틸 벤조에이트, 인단, NMP, p-시멘, 페네톨, 1,4-디이소프로필벤젠, 디벤질 에테르, 디에틸렌 글리콜 부틸 메틸 에테르, 트리에틸렌 글리콜 부틸 메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 디부틸 에테르, 트리에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 트리프로필렌 글리콜 디메틸 에테르, 테트라에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 2-이소프로필나프탈렌, 펜틸벤젠, 헥실벤젠, 헵틸벤젠, 옥틸벤젠, 1,1-비스(3,4-디메틸페닐)에탄, 2-메틸비페닐, 3-메틸비페닐, 1-메틸나프탈렌, 1-에틸나프탈렌, 에틸 옥타노에이트, 디에틸 세바케이트, 옥틸 옥타노에이트, 헵틸벤젠, 멘틸 이소발레레이트, 시클로헥실 헥사노에이트 또는 이들 용매들의 혼합물들이다.
식 (1) 의 본 발명의 혼합물은 위에 기재되거나 바람직한 것으로 기재된 바와 같이 유기 전계 발광 디바이스에서 특히, 매트릭스 재료로서 사용하기에 적합하다.
본 발명의 화합물이 방출체 층에서 매트릭스 재료로서 또는 동의어로서 호스트 재료로서 사용될 때, 이는 바람직하게는 추가의 화합물과 조합하여 사용된다.
본 발명은 따라서, 추가로, 식 (1) 의 적어도 하나의 화합물 또는 식 (1), (1a), (1b), (1c), (1d), (1e), (1f), (1g), (1h) 및 (1i) 중 하나의 식의 적어도 하나의 바람직한 화합물, 또는 표 1 로부터의 화합물 또는 화합물 E1 내지 E51 중 하나 및 매트릭스 재료, 인광성 방출체, 형광성 방출체, 및/또는 TADF (thermally activated delayed fluorescence) 를 나타내는 방출체로부터 선택된 적어도 하나의 추가 화합물을 포함하는 혼합물을 제공한다. 본 발명의 혼합물에 사용될 수 있는 적합한 매트릭스 재료 및 방출체는 이하에 기술된다.
본 발명은 추가로 위에 기재된 바와 같은 본 발명의 적어도 하나의 화합물, 또는 위에 기재된 바와 같은 혼합물, 및 적어도 하나의 용매를 포함하는 포뮬레이션을 제공한다. 용매는 위에 언급된 용매 또는 이들 용매의 혼합물일 수 있다.
본 발명은 추가로, 식 (1) 의 적어도 하나의 화합물, 또는 식 (1), (1a), (1b), (1c), (1d), (1e), (1f), (1g), (1h) 및 (1i) 중 하나의 식의 적어도 하나의 바람직한 화합물, 또는 표 1 의 화합물, 또는 화합물E1 내지 E51 중 하나를 포함하는, 적어도 하나의 유기 층, 애노드, 및 캐소드를 포함하는 유기 전계 발광 디바이스를 제공한다.
본 발명의 유기 전계 발광 디바이스 (유기 일렉트로루미네센스 디바이스와 유사어) 는, 예를 들어, 유기 발광 트랜지스터 (OLET), 유기 전계켄치 디바이스 (OFQD), 유기 발광 전기화학 셀 (OLEC, LEC, LEEC), 유기 레이저 다이오드 (O-레이저) 또는 유기 발광 다이오드 (OLED) 이다. 본 발명의 유기 전계 발광 디바이스는 특히 유기 발광 다이오드 또는 유기 발광 전기화학 셀이다. 본 발명의 디바이스는 보다 바람직하게는 OLED 이다.
본 발명의 디바이스의 유기층은 바람직하게는 발광층 (EML) 뿐만 아니라, 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 정공 차단층(HBL), 전자 수송층(ETL), 전자 주입층(EIL), 여기 차단층, 전자 차단층 및/또는 전하 생성층을 포함한다. 본 발명의 디바이스는 또한 EML, HIL, HTL, ETL, EIL 및 HBL 로부터 바람직하게 선택된 이러한 군으로부터의 2개 이상의 층을 포함하는 것이 가능하다. 마찬가지로 여기 차단 기능을 갖는 인터레이어가, 예를 들어, 2 개의 방출층 사이에 도입되는 것이 가능하다.
복수의 방출층이 존재하는 경우, 이들은 바람직하게는 380 ㎚ 와 750 ㎚ 사이에 전체적으로 여러 방출 최대치를 가져서, 전체 결과는 백색 방출이 되고; 즉, 형광 또는 인광을 나타낼 수 있는 다양한 방출 화합물이 방출층에 사용된다. 3개의 방출 층을 갖는 시스템이 특히 바람직하며, 여기서 3개의 층은 청색, 녹색 및 오렌지색 또는 적색 방출을 나타낸다. 본 발명의 유기 전계 발광 디바이스는 또한, 특히 백색-방출 OLED 를 위한, 탠덤 전계 발광 디바이스일 수 있다.
디바이스는 또한 무기 재료 또는 다르게는 전적으로 무기 재료로부터 형성된 층을 포함할 수 있다.
유기 전계 발광 디바이스의 위에 설명된 층에 사용하기에 적합한 재료를 선택하기 위해 종래 기술에 공지된 다수의 재료를 고려하는 것이 당업자에게 전혀 어려움이 되지 않는다. 여기서 당업자는 재료가 유기 전계 발광 디바이스에서 서로 상호작용한다는 것을 알고 있기 때문에 재료의 화학적 및 물리적 특성에 대해 관례적인 방식으로 숙고할 것이다. 이것은 예를 들어 오비탈 (HOMO, LUMO) 의 에너지 준위 또는 그렇지 않으면 삼중항 및 단일항 에너지 준위뿐만 아니라 다른 재료 특성과도 관련이 있다.
위에 기재되거나 바람직한 것으로서 기재된 식 (1) 의 본 발명의 화합물은, 정확한 구조에 따라 상이한 층에서 사용될 수 있다. 형광 방출체, 인광 방출체를 위한, 또는 TADF (thermally activated delayed fluorescence) 를 나타내는 방출체를 위한, 특히 인광 방출체를 위한, 매트릭스 재료로서 방출 층에서 식 (1) 의 화합물 또는 위에 언급된 바람직한 실시형태들의 화합물을 포함하는 유기 전계발광 디바이스가 바람직하다. 또한, 본 발명의 화합물은 또한 전자 수송층에서 그리고/또는 정공 수송층에서 그리고/또는 엑시톤 차단층에서 그리고/또는 정공 차단층에 사용될 수 있다. 본 발명의 화합물을 방출 층에서 방출체용 매트릭스 재료로서, 또는 전자 수송 층 또는 정공 차단 층에서 전자 수송 재료 또는 정공 차단 재료로서 사용하는 것이 특히 바람직하다.
본 발명은 추가로, 위에 설명된 바와 같이 유기 전계발광 디바이스를 제공하며, 여기서 유기 층은 식 (1) 의 적어도 하나의 화합물, 또는 식 (1), (1a), (1b), (1c), (1d), (1e), (1f), (1g), (1h) 및 (1i) 중 하나의 식의 적어도 하나의 바람직한 화합물, 또는 표 1 의 화합물, 또는 화합물 E1 내지 E51 중 하나를 포함하는, 적어도 하나의 발광 층을 포함한다.
본 발명의 하나의 실시형태에서, 본 발명의 디바이스를 위해, 추가의 매트릭스 재료는 발광 층에서 선택되며, 이는 위에 기재되거나 또는 바람직한 것으로 기재된 바와 같은 식 (1) 의 화합물과 함께, 또는 표 1 로부터의 화합물 또는 화합물 E1 내지 E51 과 함께 사용된다.
본 발명은 따라서 추가로, 위에 설명된 바와 같이 유기 전계발광 디바이스를 제공하며, 여기서 유기 층은 식 (1) 의 적어도 하나의 화합물, 또는 식 (1), (1a), (1b), (1c), (1d), (1e), (1f), (1g), (1h) 및 (1i) 중 하나의 식의 적어도 하나의 바람직한 화합물, 또는 표 1 의 화합물, 또는 화합물 E1 내지 E51 중 하나, 및 추가의 매트릭스 재료를 포함하는 적어도 하나의 발광 층을 포함한다.
본 발명의 화합물과 조합하여 사용될 수 있는 적절한 매트릭스 재료들은, 방향족 케톤, 방향족 포스핀 산화물 또는 방향족 술폭시드 또는 술폰, 트리아릴아민, 카르바졸 유도체, 비스카르바졸릴, 인돌로카르바졸 유도체, 인데노카르바졸 유도체, 아자카르바졸 유도체, 쌍극성 매트릭스 재료, 아자보롤 또는 보로닉 에스테르, 트리아진 유도체, 아연 착물, 디아자실롤 또는 테트라아자실롤 유도체, 디아자포스폴 유도체, 브릿지된 카르바졸 유도체, 트리페닐렌 유도체 또는 디벤조푸란 유도체이다. 마찬가지로 실제 방출체보다 더 짧은 파장 방출을 갖는 추가의 인광 방출체가 혼합물 중의 코-호스트, 또는 현저한 정도로 전하 수송에 관여하지 않는 화합물로서, 예를 들어, 될 수 있다면 와이드 밴드-갭 화합물로서, 존재하는 것이 가능하다.
본 명세서에서 와이드 밴드-갭 재료가 의미하는 것은 적어도 3.5 eV의 밴드 갭을 특징으로 하는 US 7,294,849의 개시 범위 내의 재료이며, 밴드 갭은 재료의 HOMO 에너지와 LUMO 에너지 사이의 갭을 의미한다.
혼합 매트릭스 시스템에서 위에 기재되거나 바람직한 것으로 기재된 식 (1) 의 화합물과 유리하게 조합되는 특히 적합한 매트릭스 재료는 이하 설명된 바와 같은 식 (6), (7), (8), (9) 또는 (10) 의 화합물로부터 선택될 수 있다.
이에 따라, 본 발명은 추가로 애노드, 캐소드, 및 적어도 하나의 발광층을 함유하는 적어도 하나의 유기층을 포함하는 유기 전계 발광 디바이스를 제공하며, 여기서 적어도 하나의 발광 층은 위에 기재된 바와 같이 또는 바람직한 것으로서 기재된 바와 같이 매트릭스 재료 1 로서 식 (1) 의 적어도 하나의 화합물 및 매트릭스 재료 2 로서 식 (6), (7), (8), (9) 또는 (10) 의 적어도 하나의 화합물을 포함하고,
식 중 사용되는 기호 및 인덱스는 다음과 같다:
A1 은 C(R7)2, NR7, O 또는 S 이다;
A 는 각각의 경우 독립적으로 하기 식 (3) 또는 (4) 의 기이고,
X2 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고, CH, CR6 또는 N 이고, 여기서 2 개 이하의 기호 X2 는 N 일 수 있다;
* 는 식 (9) 에 대한 결합 부위를 나타낸다;
R6은 각각의 경우에 동일하거나 또는 상이하고, D, CN, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬 기 또는 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 또는 알키닐 기 또는 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 기(여기서, 알킬, 알케닐 또는 알키닐 기는 각각의 경우에 하나 이상의 R7 라디칼에 의해 치환될 수 있고 하나 이상의 비인접 CH2 기는 Si(R7)2, C=O, NR7, O, S 또는 CONR7 에 의해 대체될 수 있음), 또는 5 내지 60 개의 고리 원자를 갖고 각각의 경우에 하나 이상의 R7 라디칼에 의해 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이고; 또한 여기서 2 개의 R6 라디칼이 함께 방향족, 헤테로방향족, 지방족 또는 헤테로지방족 고리 시스템을 형성하는 것이 가능하다;
Ar 은 각각의 경우에 동일하거나 또는 상이하고, 5 내지 40 개의 고리 원자를 가지며 하나 이상의 R7 라디칼에 의해 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이다;
Ar5는 각각의 경우에 동일하거나 또는 상이하고, 5 내지 40 개의 고리 원자를 가지며 하나 이상의 R7 라디칼에 의해 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이다;
R7 은 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, D, F, Cl, Br, I, N(R8)2, CN, NO2, OR8, SR8, Si(R8)3, B(OR8)2, C(=O)R8, P(=O)(R8)2, S(=O)R8, S(=O)2R8, OSO2R8, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬 기 또는 2 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 또는 알키닐 기 또는 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 기(여기서, 알킬, 알케닐 또는 알키닐 기는 각각의 경우에 하나 이상의 R8 라디칼에 의해 치환될 수 있고, 하나 이상의 비인접 CH2 기는 Si(R8)2, C=O, NR8, O, S 또는 CONR8 에 의해 대체될 수 있음), 또는 5 내지 40 개의 고리 원자를 갖고 각각의 경우에 하나 이상의 R8 라디칼에 의해 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이고; 동시에, 2개 이상의 R7 라디칼은 함께 방향족, 헤테로방향족, 지방족 또는 헤테로지방족 고리 시스템을 형성할 수 있고; 바람직하게, R7 라디칼은 그러한 고리 시스템을 형성하지 않는다;
R8은 각각의 경우 동일하거나 상이하고, H, D, F, 또는 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 지방족, 방향족 또는 헤테로방향족 유기 라디칼, 특히 하이드로카르빌 라디칼이며, 상기 지방족, 방향족 또는 헤테로방향족 유기 라디칼, 특히 하이드로카르빌 라디칼에서 하나 이상의 수소 원자는 또한 F에 의해 대체될 수 있음;
c, c1, c2 는 각각의 경우 각각 독립적으로 0 또는 1이며, 여기서 각각의 경우 인덱스의 총합 c+c1+c2 는 1이다;
d, d1, d2 는 각각의 경우 각각 독립적으로 0 또는 1이며, 여기서 각각의 경우 인덱스의 총합 d+d1+d2 는 1이다;
q, q1, q2 는 각각의 경우에 각각 독립적으로 0 또는 1 이다;
s 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고, 0, 1, 2, 3 또는 4 이다;
t 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고, 0, 1, 2, 또는 3 이다;
u 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고, 0, 1 또는 2 이다;
v 는 0, 또는 1 이다.
식 (6), (7), (8) 및 (10) 의 화합물에서, s 는 바람직하게는 0 또는 1, 보다 바람직하게는 0 이다.
식 (6), (7), (8) 및 (8) 의 화합물에서, t 는 바람직하게는 0 또는 1, 보다 바람직하게는 0 이다.
식 (6), (7), (8) 및 (10) 의 화합물에서, u 는 바람직하게는 0 또는 1, 보다 바람직하게는 0 이다.
식들 (6), (7), (8) 및 (10)의 화합물들에서의 인덱스 s, t 및 u의 총합은 바람직하게는 6 이하, 특히 바람직하게는 4 이하 그리고 더 바람직하게는 2 이하이다.
식 (9) 의 화합물에서, c, c1, c2 는 각각의 경우 각각 독립적으로 0 또는 1이며, 여기서 각각의 경우 인덱스의 총합 c+c1+c2 는 1이다. c2는 바람직하게는 1로 정의된다.
본 발명에 따라 식 (1) 의 화합물과 조합될 수 있는 식 (6), (7), (8) 및 (10) 의 화합물의 바람직한 실시형태에서, R6는 각각의 경우 동일하거나 상이하고, D, F, CN, NO2, Si(R7)3, B(OR7)2, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬 기 또는 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 기(여기서, 알킬 기는 각각의 경우에 하나 이상의 R7 라디칼들에 의해 치환될 수 있음), 또는 5 내지 60 개의 고리 원자, 바람직하게는 5 내지 40 개의 고리 원자를 갖고 각각의 경우에 하나 이상의 R7 라디칼들에 의해 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템으로 이루어지는 군으로부터 선택된다.
위에 설명된 바와 같이 본 발명에 따라 식 (1) 의 화합물과 조합될 수 있는 식 (6), (7), (8) 및 (10) 의 화합물의 바람직한 실시형태에서, R6는 각각의 경우 동일하거나 상이하고, D 및 6 내지 30 개의 고리 원자를 갖고 각각의 경우에 하나 이상의 R7 라디칼에 의해 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템으로 이루어지는 군으로부터 선택된다. 바람직한 R7 라디칼은 N(Ar)2기이다.
바람직하게, 식 (6), (7), (8) 및 (10) 의 화합물에서의 Ar5 는 페닐, 비페닐, 특히 오르토-, 메타- 또는 파라-비페닐, 테르페닐, 특히 오르토-, 메타- 또는 파라-테르페닐 또는 분지형 테르페닐, 쿼터페닐, 특히 오르토-, 메타- 또는 파라-쿼터페닐 또는 분지형 쿼터페닐, 1, 2, 3 또는 4 위치를 통해 연결될 수 있는 플루오레닐, 1, 2, 3 또는 4 위치를 통해 연결될 수 있는 스피로바이플루오레닐, 나프틸, 특히 1- 또는 2-결합된 나프틸, 또는 인돌, 벤조푸란, 벤조티오펜, 1, 2, 3 또는 4 위치를 통해 연결될 수 있는 카르바졸로부터 유도된 라디칼, 1, 2, 3 또는 4 위치를 통해 연결될 수 있는 디벤조푸란, 1, 2, 3 또는 4 위치를 통해 연결될 수 있는 디벤조티오펜, 인데노카르바졸, 인돌로카르바졸, 피리딘, 피리미딘, 피라진, 피리다진, 트리아진, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 퀴나졸린, 퀴녹살린, 페난트렌, 또는 트리페닐렌으로부터 선택되며, 이들의 각각은 하나 이상의 R7 라디칼들에 의해 치환될 수 있다. Ar5 은 바람직하게는 비치환된다.
식 (7) 또는 (8) 에서의 A1이 NR7일 때, 질소 원자에 결합된 치환기 R7은 바람직하게는, 5 내지 24 개의 고리 원자를 갖고 또한 하나 이상의 R8 라디칼들에 의해 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이다. 특히 바람직한 실시형태에서, 이 치환기 R7은 각각의 경우 동일하거나 상이하고, 6 내지 24개의 고리 원자를 갖고 특히 6 내지 18 개의 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이다. R7 의 바람직한 실시형태들은 페닐, 비페닐, 터페닐 및 쿼터페닐이고, 이는 바람직하게는 비치환된, 그리고 트라이진, 피리미딘 및 퀴나졸린으로부터 유도된 라디칼이고 이 라디칼은 하나 이상의 R8 라디칼로부터 치환될 수 있다.
식 (7) 또는 (8) 에서의 A1이 C(R7)2일 때, 이 탄소 원자에 결합된 치환기들 R7은 바람직하게는 각각의 경우 동일하거나 상이하고, 1 내지 10 개의 탄소 원자 갖는 선형 알킬 기 또는 3 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 기 또는 5 내지 24 개의 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이며, 이는 또한 하나 이상의 R5 라디칼들에 의해 치환될 수 있다. 가장 바람직하게는, R7은 메틸 기 또는 페닐 기이다. 이 경우, R7 라디칼들은 함께 고리 시스템을 또한 형성할 수 있으며, 이는 스피로 시스템으로 이어진다.
식 (6), (7), (8), (9) 및 (10)의 화합물의 바람직한 실시형태에서, 이들 화합물은 부분적으로 또는 완전히 중수소화되고, 더욱 바람직하게는 완전히 중수소화된다.
식 (6), (7), (8), (9) 및 (10) 의 화합물의 제조는 일반적으로 알려져 있으며, 화합물의 일부는 상업적으로 사용된다.
식 (9) 의 화합물은 예를 들어 WO2021180614, 페이지 110 내지 119, 특히 페이지 120 내지 127에 예시로 나와 있다. 이것의 제조는 WO2021180614 페이지 128 및 합성예 페이지 214 내지 218 에 개시되어 있다.
본 발명은 또한 추가로 애노드, 캐소드, 및 적어도 하나의 발광층을 함유하는 적어도 하나의 유기층을 포함하는 유기 전계 발광 디바이스를 제공하며, 여기서 적어도 하나의 발광 층은 위에 기재된 바와 같이 또는 바람직한 것으로서 기재된 바와 같이 매트릭스 재료 1 로서 식 (1) 의 적어도 하나의 화합물 및 매트릭스 재료 2 로서 식 (11) 의 적어도 하나의 화합물을 포함하고,
식 중 사용되는 기호 및 인덱스는 다음과 같다:
W는 O, S, C(R)2, N-Ar1이다;
R은 각각의 경우 독립적으로 1 내지 4개의 탄소 원자를 갖고 부분적으로 또는 완전히 중수소화될 수 있는 직쇄 또는 분지형 알킬 기, 또는 비치환되거나 6 내지 18개의 탄소 원자를 갖는 부분 또는 완전히 중수소화된 방향족 고리 시스템이고, 여기서 2개의 치환기 R은 이들이 결합된 탄소 원자와 함께, 하나 이상의 치환기 R5에 의해 치환될 수 있는 단환 또는 다환, 지방족 또는 방향족 또는 헤테로방향족, 비치환, 부분 중수소화 또는 완전 중수소화 고리 시스템을 형성할 수 있다;
Ar1 은 각각의 경우 동일하거나 또는 상이하고, 5 내지 30 개의 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R5 라디칼에 의해 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이고; 동시에, 동일한 질소 원자, 인 원자, 또는 붕소 원자에 결합된 2 개의 Ar1 라디칼은 또한 C(R5)2, O 또는 S 로부터 선택되는 브릿지 또는 단일 결합에 의해 서로 브릿지될 수 있다;
R1 은 각각의 경우에 동일하거나 또는 상이하고 F, Cl, Br, I, CN, NO2, C(=O)R', P(=O)(Ar1)2, P(Ar1)2, B(Ar1)2, Si(Ar1)3, Si(R')3, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알킬 기, 및 3 내지 20개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알킬 기, 2 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 기(이들 각각은 하나 이상의 R' 라디칼에 의해 치환될 수 있고 하나 이상의 비인접 CH2 기는 R'C=CR', Si(R')2, C=O, C=S, C=NR', P(=O)(R'), SO, SO2, NR', O, S 또는 CONR' 에 의해 대체될 수 있고 하나 이상의 수소 원자는 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2에 의해 대체될 수 있음)로 이루어지는 군에서 선택된다;
R'는 각각의 경우에 동일하거나 또는 상이하고, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는, 지방족, 방향족 헤테로방향족 유기 라디칼, 특히 하이드로카르빌 라디칼이다;
R4 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고 F, Cl, Br, I, CN, NO2, N(Ar1)2, NH2, N(R5)2, C(=O)Ar1, C(=O)H, C(=O)R5, P(=O)(Ar1)2, 1 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알킬기 또는 3 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알킬기 또는 2 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 또는 알키닐기(이들 각각은 하나 이상의 R5 라디칼에 의해 치환될 수 있고, 하나 이상의 비인접 CH2 기는 HC=CH, R5C=CR5, C≡C, Si(R5)2, Ge(R5)2, Sn(R5)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR5, P(=O)(R5), SO, SO2, NH, NR5, O, S, CONH 또는 CONR5에 의해 대체될 수 있고 하나 이상의 수소 원자는 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2에 의해 대체될 수 있음), 5 내지 60 개의 고리 원자를 갖고 각각의 경우에 하나 이상의 R5 라디칼에 의해 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템, 5 내지 60 개의 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R5 라디칼에 의해 치환될 수 있는 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시기, 또는 이들 시스템의 조합으로 이루어지는 군으로부터 선택되고, 여기서 2개 이상의 인접 치환기 R4 가 하나 이상의 R5 라디칼에 의해 치환될 수 있는 단환 또는 다환의, 지방족, 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 형성하는 것이 임의로 가능하다;
R5는 각각의 경우 동일하거나 또는 상이하고, D, F, CN, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬 기 또는 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 기(여기서, 하나 이상의 비인접 CH2 기는 O 또는 S 에 의해 대체될 수 있고, 하나 이상의 수소 원자는 D, F 또는 CN에 의해 대체될 수 있음), 또는 5 내지 30 개의 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템(여기서, 하나 이상의 수소 원자는 D, F, Cl, Br, I 또는 CN 에 의해 대체될 수 있고, 각각이 1 내지 4 개의 탄소 원자를 갖는 하나 이상의 알킬 기에 의해 치환될 수 있음)으로 이루어지는 군에서 선택되고; 여기서 2개 이상의 인접 치환기 R5 는 함께 단환 또는 다환, 지방족 고리 시스템을 형성하는 것이 가능하다;
x, x1은 각각의 경우 독립적으로 0, 1, 2, 3 또는 4 이다;
y, z는 각각 독립적으로 0, 1 또는 2이다;
a1, a2는 각각 독립적으로 0, 1, 2, 3, 4 또는 5이다;
a3은 0, 1, 2 또는 3 이다;
a4은 0, 1, 2, 3 또는 4 이다.
식 (11)의 트리아릴아민의 제조는 당업자에게 공지되어 있으며, 화합물 중 일부는 상업적으로 사용가능하다.
식 (6), (7), (8), (9), (10) 및 (11) 의 화합물은 바람직하게는 부분적으로 중수소화되거나 완전히 중수소화된다.
위에 기재된 바와 같은 식 (11) 의 화합물에서, 인덱스a1+a2+a3+a4 의 총합은 바람직하게는 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16 및 17 중에서 선택된다. 따라서 이 추가 매트릭스 재료는 각각의 N-결합된 치환기에서 적어도 부분적으로 중수소화된다. 바람직한 실시형태에서, N-결합된 치환기 중 2개는 부분적으로 중수소화되고, 세 번째 N-결합된 치환기는 완전히 중수소화된다. 추가의 바람직한 실시형태에서, N-결합된 치환기 중 2개는 완전히 중수소화되고, 세 번째 N-결합된 치환기는 부분적으로 중수소화된다. 추가의 바람직한 실시형태에서, 각각의 N-결합된 치환기는 완전히 중수소화된다.
추가의 매트릭스 재료의 바람직한 실시형태에서, 후자는 위에 기재되거나 하기 바람직한 것으로 기재된 바와 같이 중수소화된 식 (11) 의 중수소화된 화합물의 혼합물이고, 여기서 식 (11)의 화합물의 중수소화 정도는 적어도 50% 내지 90%, 바람직하게는 70% 내지 100%이다. 상응하는 중수소화 방법은 당업자에게 공지되어 있고, 예를 들어 KR2016041014, WO2017122988, KR202005282, KR101978651 및 WO2018110887 또는 Bulletin of the Chemical Society of Japan, 2021, 94(2), 600-605 또는 Asian Journal of Organic Chemistry, 2017, 6(8), 1063-1071 에서 설명된다.
하나 이상의 수소 원자를 중수소 원자로 교환함으로써 아릴아민 또는 헤테로아릴아민을 중수소화하는 적합한 방법은 백금 촉매 또는 팔라듐 촉매 및 중수소 공급원의 존재 하에 중수소화될 아릴아민 또는 헤테로아릴아민을 처리하는 것이다. 용어 "중수소 소스"는 하나 이상의 중수소 원자를 포함하고 이를 적절한 조건하에 방출할 수 있는 임의의 화합물을 의미한다.
백금 촉매는 바람직하게는 목탄 상의 건조 백금, 바람직하게는 목탄 상의 5% 건조 백금이다. 백금 촉매는 바람직하게는 목탄 상의 건조 팔라듐, 바람직하게는 목탄 상의 5% 건조 팔라듐이다. 적합한 중수소 소스는 D2O, 벤젠-d6, 클로로포름-d, 아세토니트릴-d3, 아세톤-d6, 아세트산-d4, 메탄올-d4, 톨루엔-d8 이다. 바람직한 중수소 소스는 D2O 또는 D2O의 조합 및 완전히 중수소화된 유기 용매이다. 특히 바람직한 중수소 소스는 D2O 와 완전히 중수소화된 유기 용매의 조합이며, 여기에서 완전히 중수소화된 용매는 제한되지 않는다. 특히 적합한 완전히 중수소화된 용매는 벤젠-d6 및 톨루엔-d8이다. 특히 바람직한 중수소 소스는 D2O 및 톨루엔-d8의 조합이다. 반응은 바람직하게는 가열하면서 수행되고, 더욱 바람직하게는 100℃ 내지 200℃ 사이의 온도로 가열하면서 수행된다. 또한, 반응은 바람직하게는 압력 하에서 수행된다.
식 (11)의 바람직한 화합물은 식 (11a), (11b), (11c), (11d), (11e), (11f), (11g), (11h), (11i), (11j), (11k), (11l), (11m), (11n), (11o) 및 (11p) 으로 나타내어진다:
식에서 a1, a2, a3, a4, x, x1, y, z, R1 및 R4 는 위에 주어지고 이하 바람직한 것으로 주어지는 정의를 갖고,
Rc는 각각의 경우에 독립적으로 1 내지 4개의 탄소 원자를 갖고 부분적으로 또는 완전히 중소수화될 수 있는 직쇄 또는 분지형 알킬 기, 또는 6 내지 18개의 탄소 원자를 갖는 비치환되거나 또는 부분적으로 또는 완전하게 중수소화된 방향족 고리 시스템이다;
x2은 0, 1, 2 또는 3 이다;
y1, z1는 각각 독립적으로 0, 1 또는 2이다;
y1, z1, y2, z2는 각각 독립적으로 0, 1 또는 2, 바람직하게는 0이다;
a11는 0, 1, 2, 3 또는 4이다;
a33, a44는 각각 독립적으로 0, 1, 2, 3 또는 4 이고,
a34, a45는 각각 독립적으로 0, 1, 2, 3 또는 4 이다.
Rc는 각각의 경우에 독립적으로 1 내지 4개의 탄소 원자를 갖고 부분적으로 또는 완전히 중소수화될 수 있는 직쇄 또는 분지형 알킬 기, 또는 비치환되거나 또는 부분적으로 또는 완전하게 중수소화된 페닐이다.
식 (11), (11a), (11b), (11c), (11d), (11e), (11f), (11g), (11h), (11i), (11j), (11k), (11l), (11m), (11n), (11o) 및 (11p) 의 화합물에서, y+z 는 바람직하게는 0 이다.
식 (11), (11a), (11b), (11c), (11d), (11e), (11f), (11g), (11h), (11i), (11j), (11k), (11l), (11m), (11n), (11o) 및 (11p) 의 화합물에서의 질소 원자는 1 위치에서 디벤조푸란 또는 디벤조티오펜 기에 결합되거나 또는 4 위치에서 플루오렌 또는 스피로바이플루오렌 기에 결합된다.
바람직하게, 식(11), (11a), (11b), (11c), (11d), (11e), (11f), (11g), (11h), (11i), (11j), (11k), (11l), (11m), (11n), (11o) 및 (11p) 의 화합물에서의 R4는 페닐, 비페닐, 특히 오르토-, 메타- 또는 파라-비페닐, 테르페닐, 특히 오르토-, 메타- 또는 파라-테르페닐 또는 분지형 테르페닐, 쿼터페닐, 특히 오르토-, 메타- 또는 파라-쿼터페닐 또는 분지형 쿼터페닐, 1, 2, 3 또는 4 위치를 통해 연결될 수 있는 플루오레닐, 1, 2, 3 또는 4 위치를 통해 연결될 수 있는 스피로바이플루오레닐, 나프틸, 특히 1- 또는 2-결합된 나프틸, 또는 인돌, 벤조푸란, 벤조티오펜, 1, 2, 3 또는 4 위치를 통해 연결될 수 있는 카르바졸로부터 유도된 라디칼, 1, 2, 3 또는 4 위치를 통해 연결될 수 있는 디벤조푸란, 1, 2, 3 또는 4 위치를 통해 연결될 수 있는 디벤조티오펜, 인데노카르바졸, 인돌로카르바졸, 페난트렌, 또는 트리페닐렌으로부터 선택되며, 이들의 각각은 하나 이상의 R5 라디칼들에 의해 치환될 수 있다. 바람직하게, R4 는 비치환된다.
바람직하게, 식 (11), (11a), (11b), (11c), (11d), (11e), (11f), (11g), (11h), (11i), (11j), (11k), (11l), (11m), (11n), (11o) 및 (11p) 의 화합물에서의 R1은 페닐, 비페닐, 특히 오르토-, 메타- 또는 파라-비페닐, 테르페닐, 특히 오르토-, 메타- 또는 파라-테르페닐 또는 분지형 테르페닐, 쿼터페닐, 특히 오르토-, 메타- 또는 파라-쿼터페닐 또는 분지형 쿼터페닐, 1, 2, 3 또는 4 위치를 통해 연결될 수 있는 플루오레닐, 1, 2, 3 또는 4 위치를 통해 연결될 수 있는 스피로바이플루오레닐, 나프틸, 특히 1- 또는 2-결합된 나프틸, 또는 인돌, 벤조푸란, 벤조티오펜, 1, 2, 3 또는 4 위치를 통해 연결될 수 있는 카르바졸로부터 유도된 라디칼, 1, 2, 3 또는 4 위치를 통해 연결될 수 있는 디벤조푸란, 1, 2, 3 또는 4 위치를 통해 연결될 수 있는 디벤조티오펜, 인데노카르바졸, 인돌로카르바졸, 페난트렌, 또는 트리페닐렌으로부터 선택되며, 이들의 각각은 하나 이상의 R5 라디칼들에 의해 치환될 수 있다. 바람직하게, R1 은 비치환된다.
바람직하게는 x, x1, y, z, x2, y1 및 z1 은 0 이다.
보다 바람직하게는, 식 (6), (9), (10) 및 (11) 의 화합물이 추가 매트릭스 재료로 사용된다.
본 발명에 따라 선택되고 바람직하게는 본 발명의 전계 발광 디바이스에서 식 (1) 의 적어도 하나의 화합물과 조합하여 사용되는 (6), (7), (8), (9), (10) 및 (11) 의 특히 적합한 화합물은 아래의 표 3 에서 화합물 H1 내지 H63 이다.
표 3:
식 (1) 의 전술한 호스트 재료 및 바람직한 것으로 기재된 그의 실시형태 또는 표 1 로부터의 화합물 및 화합물 E1 내지 E51 은 식 (6), (7), (8), (9), (10) 및 (11) 의 인용된 매트릭스 재료/호스트 재료 및 그 바람직한 실시형태 또는 화합물 H1 내지 H63와 본 발명의 디바이스에 필요에 따라 조합될 수 있다.
본 발명의 디바이스를 위한 식 (6), (7), (8), (9), (10) 및 (11) 의 호스트 재료와 식 (1) 의 화합물의 매우 특히 바람직한 혼합물은 이하에 표 4 에 나타낸 바와 같이, 화합물 H1 내지 H63 과 화합물 E1 내지 E51 의 조합에 의해 얻어진다.
표 4:
본 발명의 혼합물에서 또는 본 발명의 디바이스의 발광층에서, 위에 기재된 또는 바람직한 것으로 기재된 식 (1) 의 호스트 재료의 농도는, 전체 혼합물을 기준으로 또는 발광층의 전체 조성물을 기준으로, 5 중량% 내지 90 중량% 범위, 바람직하게는 10 중량% 내지 85 중량% 범위, 더욱 바람직하게는 20 중량% 내지 85 중량% 범위, 더욱 더 바람직하게는 30 중량% 내지 80 중량% 범위, 매우 특히 바람직하게는 20 중량% 내지 60 중량%, 그리고 가장 바람직하게는 30 중량% 내지 50 중량%의 범위이다.
본 발명의 혼합물에서 또는 본 발명의 디바이스의 발광층에서, 위에 기재되거나 또는 바람직한 것으로 기재된 식 (6), (7), (8), (9), (10) 및 (11) 중 하나의 식의 호스트 재료의 농도는, 전체 혼합물을 기준으로 또는 발광층의 전체 조성물을 기준으로, 10 중량% 내지 95 중량% 범위 15 중량% 내지 90 중량% 범위, 바람직하게는 15 중량% 내지 80 중량% 범위, 더욱 바람직하게는 20 중량% 내지 70 중량% 범위, 보다 특히 바람직하게는 40 중량% 내지 80 중량% 범위, 그리고 가장 바람직하게는 50 중량% 내지 70 중량%의 범위이다.
본 발명은 또한 이하 호스트 재료 1로 불리는 식 (1) 의 위에 언급된 호스트 재료들 뿐만 아니라 위에 기재되거나 바람직한 것으로 기재된 이하 호스트 재료 2 로 불리는 식 (6), (7), (8), (9), (10) 및 (11) 의 하나의 식의 호스트 재료에 더하여, 혼합물 M1 내지 M3213 이 또한 적어도 하나의 인광 방출체를 포함하는 혼합물에 관한 것이다.
본 발명은 또한, 발광층이, 위에 기재되거나 또는 바람직한 것으로 기재된 바와 같은 식 (1) 그리고 식 (6), (7), (8), (9), (10) 및 (11) 의 위에 언급된 호스트 재료, 특히 재료 조합 M1 내지 M3213 뿐만 아니라, 발광층이 또한 적어도 하나의 인광 방출체를 포함하는, 위에 기재되거나 또는 바람직한 것으로 기재된 유기 전계 발광 디바이스에 관한 것이다.
"인광 방출체"라는 용어는 전형적으로 더 높은 스핀 다중도를 갖는 여기 상태, 즉 1 초과의 스핀 상태로부터 스핀-금지 천이를 통해, 예를 들어 삼중항 상태 또는 심지어 더 높은 스핀 양자수를 갖는 상태, 예를 들어 오중항 상태로부터의 천이를 통해 광이 방출되는 화합물을 포함한다. 이는 바람직하게 삼중항 상태로부터의 천이를 의미한다.
적합한 인광 방출체 (= 삼중항 방출체) 은 특히, 적합하게 여기될 때, 바람직하게 가시 영역에서 광을 방출하고, 또한 원자 번호가 20 초과이고, 바람직하게 38 초과 그리고 84 미만이고, 보다 바람직하게 56 초과 그리고 80 미만인 적어도 하나의 원자, 특히 이 원자 번호를 갖는 금속을 함유하는 화합물이다. 사용된 바람직한 인광 방출체는 구리, 몰리브데늄, 텅스텐, 레늄, 루테늄, 오스뮴, 로듐, 이리듐, 팔라듐, 백금, 은, 금 또는 유로퓸을 함유하는 화합물, 특히 이리듐 또는 백금을 함유하는 화합물이다. 본 발명의 맥락에서, 위에 언급된 금속을 함유하는 모든 발광성 화합물은 인광 방출체로서 간주된다.
일반적으로, 유기 전계 발광 디바이스의 분야의 당업자에게 알려지고 종래 기술에 따른 인광 OLED 에 사용되는 모든 인광 착물이 적합하다.
본 발명에 따른 바람직한 인광 방출체는 식 (IIIa) 에 따르고
식 중 이 식 (IIIa) 에 대한 기호 및 인덱스는 다음과 같이 정의된다:
n+m 은 3 이고, n 은 1 또는 2 이고, m 은 2 또는 1 이고,
X 는 N 또는 CR 이고,
R 은 H, D, 또는 1 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 선형 알킬기, 또는 1 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 부분 또는 완전 중수소화된 분지형 또는 선형 알킬기, 또는 4 내지 7 개의 탄소 원자를 갖고 중수소에 의해 부분 또는 완전 치환될 수 있는 시클로알킬기이다.
따라서, 본 발명은 또한 발광층이, 호스트 재료 1 및 2 뿐만 아니라, 위에 기재된 바와 같은, 식 (IIIa) 을 따르는 적어도 하나의 인광 방출체를 포함하는 것을 특징으로 하는 위에 기재되거나 또는 바람직한 것으로 기재된 바와 같은 유기 전계 발광 디바이스를 제공한다.
식 (IIIa) 의 방출체에서, n 은 바람직하게는 1이고, m 은 바람직하게는 2 이다.
식 (IIIa) 의 방출체에서, 바람직하게, 하나의 X 는 N 으로부터 선택되고 다른 하나의 X 는 CR 이다.
식 (IIIa) 의 방출체에서, 적어도 하나의 R 은 바람직하게는 H와 상이하다. 식 (IIIa) 의 방출체에서, 바람직하게는 2개의 R은 H와 상이하고, 식 (IIIa) 의 방출체에 대해 위에 주어진 다른 정의들 중 하나를 갖는다.
본 발명에 따른 바람직한 인광 방출체는 식 (I), (II), (III), (IV) 또는 (V) 에 따르고
식 중 이들 식 (I), (II), (III), (IV) 및 (V) 에 대한 기호 및 인덱스는 다음과 같이 정의된다:
R1 은 H 또는 D 이며, R2 는 H, D, 또는 1 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 선형 알킬기, 또는 1 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 부분 또는 완전 중수소화된 분지형 또는 선형 알킬기, 또는 4 내지 10 개의 탄소 원자를 갖고 중수소에 의해 부분적으로 또는 완전히 치환될 수 있는 시클로알킬기이다.
본 발명에 따른 바람직한 인광 방출체는 식 (VI), (VII) 또는 (VIII) 을 따른다
식 중 이들 식 (VI), (VII) 및 (VIII) 에 대한 기호 및 인덱스는 다음과 같이 정의된다:
R1 은 H 또는 D 이며, R2 는 H, D, F, 또는 1 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 선형 알킬기, 또는 1 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 부분적으로 또는 완전히 중수소화된 분지형 또는 선형 알킬기, 또는 4 내지 10 개의 탄소 원자를 갖고 중수소에 의해 부분적으로 또는 완전히 치환될 수 있는 시클로알킬기이다.
인광 방출체의 바람직한 예는 WO2019007867의 페이지 120 내지 126 의 표 5에 그리고 페이지 127 내지 129의 표 6에 기재되어 있다. 방출체는 이 참조에 의해 설명에 원용된다.
인광 방출체의 특히 바람직한 예는 아래 표 5 에 열거되어 있다.
표 5:
본 발명의 혼합물에서 또는 본 발명의 디바이스의 발광층에서, 혼합물 M1 내지 M3213의 합으로부터 선택된 임의의 혼합물은 바람직하게는 식 (IIIa) 의 화합물 또는 식 (I) 내지 (VIII) 의 화합물 또는 표 5로부터의 화합물과 조합된다.
적어도 하나의 인광 방출체를 포함하는 본 발명의 유기 전계 발광 디바이스에서 발광층은 바람직하게는 적외 방출 또는 황색-, 오렌지색-, 적색-, 녹색-, 청색- 또는 자외-방출 층, 보다 바람직하게는 황색- 또는 녹색-방출 층 및 가장 바람직하게는 녹색-방출 층이다.
여기서 황색 방출층이 의미하는 것은 540 내지 570 nm 범위 이내에서 포토루미네센스 (photoluminescence) 최대값을 갖는 층이다. 여기서 오렌지 방출층이 의미하는 것은 570 내지 600 nm 범위 이내에서 포토루미네센스 최대값을 갖는 층이다. 적색 방출층이 의미하는 것은 600 내지 750 nm 범위 이내에서 포토루미네센스 최대값을 갖는 층이다. 녹색 방출층이 의미하는 것은 490 내지 540 nm 범위 이내에서 포토루미네센스 최대값을 갖는 층이다. 청색 방출층이 의미하는 것은 440 내지 490 nm 범위 이내에서 포토루미네센스 최대값을 갖는 층이다. 층의 포토루미네센스 최대치는 여기서 실온에서 50 nm의 층 두께를 갖는 층의 포토루미네선스 스펙트럼의 측정에 의해 결정되며, 상기 층은 식 (1) 의 호스트 재료 및 식 (6), (7), (8), (9), (10) 및 (11) 의 하나의 식 및 적절한 방출체의 본 발명의 조합을 갖는다.
층의 포토루미네선스 스펙트럼은 예를 들어 시판되는 포토루미네선스 분광계를 사용하여 기록된다.
선택된 방출체의 포토루미네선스 스펙트럼은 일반적으로, 실온에서, 10-5 몰 (molar) 의 무산소 용액에서, 측정되며, 선택된 방출체가 언급된 농도로 용해되는 임의의 용매가 적합하다. 특히 적합한 용매는 일반적으로 톨루엔 또는 2-메틸-THF 뿐만 아니라 디클로로메탄이다. 시판되는 포토루미네선스 분광계로 측정을 수행한다. 삼중항 에너지 T1 (eV 단위) 는 방출체의 포토루미네선스 스펙트럼으로부터 결정된다. 포토루미네선스 스펙트럼의 먼저 피크 최대 Plmax. (nm 단위) 가 결정된다. 다음으로 피크 최대 Plmax. (nm 단위)는 E(eV 단위의 T1) = 1240 / E(nm 단위의 T1) = 1240 / PLmax. (nm 단위) 에 의해 eV로 변환된다.
이에 따라 바람직한 인광 방출체는 바람직하게는 식 (IIIa) 의, 식 (I) 내지 (VIII) 의 또는 표 5로부터의 황색 방출체이고, 그의 삼중항 에너지 T1 은 바람직하게는 ~2.3　eV 내지 ~2.1　eV 이다.
이에 따라 바람직한 인광 방출체는 바람직하게는 식 (IIIa) 의, 식 (I) 내지 (VIII) 의 또는 표 5로부터의 녹색 방출체이고, 그의 삼중항 에너지 T1 은 바람직하게는 ~2.5　eV 내지 ~2.3　eV 이다.
이에 따라 특히 바람직한 인광 방출체는 바람직하게는 식 (IIIa) 의, 식 (I) 내지 (VIII) 의 또는 위에 설명된 바와 같은 표 5로부터의 녹색 방출체이고, 그의 삼중항 에너지 T1 은 바람직하게는 ~2.5　eV 내지 ~2.3　eV 이다.
가장 바람직하게는, 전술한 바와 같이 바람직하게는 식 (IIIa) 의, 식 (I) 내지 (VIII) 의 또는 표 5으로부터의 녹색 방출체가 본 발명의 혼합물 또는 본 발명의 방출층에 대해 선택된다.
본 발명의 디바이스의 발광층에 또는 본 발명의 혼합물에 형광 방출체가 또한 존재하는 것이 가능하다.
바람직한 형광 방출 화합물은 아릴아민 부류로부터 선택되며, 여기서 바람직하게는 아릴아민의 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템 중 적어도 하나는 융합 고리 시스템이고, 보다 바람직하게는 적어도 14개의 고리 원자를 갖는다. 이들의 바람직한 예는 방향족 안트라센아민, 방향족 안트라센디아민, 방향족 피렌아민, 방향족 피렌디아민, 방향족 크리센아민 또는 방향족 크리센디아민이다. 방향족 안트라센아민이 의미하는 것은 디아릴아미노 기가, 바람직하게는 9번 위치에서, 안트라센 기에 직접 결합되는 화합물이다. 방향족 안트라센디아민이 의미하는 것은 2 개의 디아릴아미노 기가, 바람직하게는 9,10번 위치에서, 안트라센 기에 직접 결합되는 화합물이다. 방향족 피렌아민, 피렌디아민, 크리센아민 및 크리센디아민은 유사하게 정의되는데, 여기서 디아릴아미노 기는 바람직하게는 1 위치 또는 1,6 위치에서 피렌에 결합된다. 추가의 바람직한 방출 화합물은 인데노플루오렌아민 또는 -디아민, 벤조인데노플루오렌아민 또는 -디아민, 및 디벤조인데노플루오렌아민 또는 -디아민, 및 융합된 아릴 기를 갖는 인데노플루오렌 유도체이다. 마찬가지로 피렌아릴아민이 바람직하다. 마찬가지로, 벤조인데노플루오렌아민, 벤조플루오렌아민, 확장된 벤조인데노플루오렌 (extended benzoindenofluorene), 페녹사진, 및 플루오렌 유도체가 푸란 단위에 또는 티오펜 단위에 연결된 것이 바람직하다.
본 발명의 추가 바람직한 실시형태에서, 유기 전계 발광 디바이스의 적어도 하나의 발광층은, 위에 기재되거나 또는 바람직한 것으로 기재된 바와 같은, 호스트 재료 1 및 2 뿐만 아니라, 추가 호스트 재료 또는 매트릭스 재료, 소위 혼합 매트릭스 시스템을 포함할 수 있다. 혼합 매트릭스 시스템은 바람직하게는 3 개 또는 4 개의 상이한 매트릭스 재료, 보다 바람직하게는 3 개의 상이한 매트릭스 재료 (즉, 위에 기재된 바와 같은, 호스트 재료 1 및 2 에 더하여 하나의 추가 매트릭스 성분) 를 포함한다. 혼합 매트릭스 시스템에서 매트릭스 성분으로서 조합하여 사용될 수 있는 특히 적합한 매트릭스 재료는 와이드 밴드 갭 재료, 바이폴라 호스트 재료, 전자 수송 재료 (ETM) 및 정공 수송 재료 (HTM) 로부터 선택된다. 바람직하게, 혼합 매트릭스 시스템은 식 (IIIa), 식 (I) 내지 (VIII) 의, 또는 표 5로부터의 방출체를 위해 최적화되어 있다.
본 발명의 하나의 실시형태에서, 혼합물은 위에 기재된 바와 같은 식 (1) 의 호스트 재료 및 위에 설명된 호스트 재료 2 의 구성성분 외에, 임의의 추가 구성성분, 즉 작용성 재료를 포함하지 않는다. 이들은 발광층의 제조에 그것 자체로 사용되는 재료 혼합물이다. 이들 혼합물을 사전혼합 시스템이라고도 하며, 발광층용 호스트 재료의 증착 동안 단 하나의 재료 소스로 사용되며 증착 시 일정한 혼합 비를 갖는다. 이러한 방식으로, 다수의 재료 소스의 정확한 작동의 필요 없이도 성분의 균일한 분포를 갖는 층의 증착을 간단하고 신속한 방식으로 달성할 수 있다.
본 발명의 대안의 실시형태에서, 혼합물은 위에 기재된 바와 같은 식 (1) 의 호스트 재료 및 위에 설명된 호스트 재료 2의 구성성분 외에, 위에 기재된 바와 같이 인광 발광체를 또한 포함한다. 증착에서 적절한 혼합 비의 경우, 이 혼합물은 또한 위에 기재된 바와 같이 단 하나의 재료 소스로서 사용될 수 있다.
따라서, 본 발명의 디바이스의 발광층의 성분 또는 구성요소는 증착에 의해 또는 용액으로부터 처리될 수 있다. 선택적으로 위에 기재되거나 바람직한 것으로 기재된 바와 같은 인광 방출체와, 위에 기재되거나 바람직한 것으로서 기재된 바와 같은 호스트 재료 1 및 2의 재료 조합이 적어도 하나의 용매를 함유하는 포뮬레이션에서의 그 목적을 위해 제공된다. 적합한 포뮬레이션은 위에 설명되었다.
바람직한 실시형태 및 방출 화합물에 따라, 본 발명의 디바이스에서 발광층은, 방출체 및 매트릭스 재료의 전체 조성을 기준으로, 바람직한 실시형태에 따라 식 (1) 의 적어도 하나의 화합물 및 식 (6), (7), (8), (9), (10) 및 (11) 의 하나의 식의 적어도 하나의 화합물로 구성되는 매트릭스 재료를 바람직하게는 99.9부피% 내지 1부피%, 더욱 바람직하게는 99부피% 내지 10부피%, 특히 바람직하게는 98부피% 내지 60부피%, 아주 특히 바람직하게는 97부피% 내지 80부피% 로 포함한다. 대응하게, 본 발명의 디바이스에서 발광층은 바람직하게는 방출체 및 매트릭스 재료로 구성된 발광층의 전체 조성을 기준으로 0.1 부피% 내지 99 부피%, 더욱 바람직하게는 1 부피% 내지 90 부피%, 더욱 바람직하게는 2 부피% 내지 40 부피%, 가장 바람직하게는 3 부피% 내지 20 부피%의 방출체를 함유한다. 화합물이 용액으로부터 처리되는 경우에는, 위에 명시된 부피% 의 양 대신에 대응하는 중량% 의 양을 사용하는 것이 바람직하다.
바람직한 실시형태 및 방출 화합물에 따라, 본 발명의 디바이스에서 발광층은 바람직하게는 3:1 내지 1:3, 바람직하게는 1:2.5 내지 1:1, 보다 바람직하게는 1:2 내지 1:1의 부피%의 비로 호스트 재료 1 및 호스트 재료 2 를 포함한다. 화합물이 용액으로부터 프로세싱되면, 위에 명시된 부피% 의 비 대신에 대응하는 중량% 의 비를 사용하는 것이 바람직하다.
본 발명은 또한 위에 기재된 바와 같은 또는 바람직하게 기재된 바와 같은 유기 전계 발광 디바이스에 관한 것으로, 상기 유기층은 정공 주입층(HIL) 및/또는 정공 수송층(HTL)을 포함하고, 그의 정공 주입 재료 및 정공 수송 재료는 아릴아민의 부류에 속한다. 호스트 재료 2를 위한, 바람직하게는 정공 주입 층, 정공 수송 층, 전자 차단층에, 그리고/또는 본 발명의 방출 층에서의 추가적인 매트릭스 재료로서 사용하기 위한 식들 중 하나를 따르지 않는 정공 수송 기능을 갖는 바람직한 화합물은 아래 표 6 에 도시된다. 구조에서 알 수 있듯이 표 6의 화합물은 중수소화되지 않은 화합물이다.
표 6.
본 발명의 유기 전계 발광 디바이스 중의 층의 순서는 바람직하게는 다음과 같다:
애노드 / 정공 주입층 / 정공 수송층 / 방출층 / 전자 수송층 / 전자 주입층 / 캐소드.
이 층 순서가 바람직한 순서이다.
동시에, 언급된 층 모두가 존재할 필요는 없다는 것 및/또는 추가 층이 또한 존재할 수 있다는 것이 다시 지적되어야 한다.
전자 수송층에 사용되는 재료는 전자 수송층에서 전자 수송 재료로서 종래 기술에 따라 사용되는 임의의 재료일 수 있다. 특히 적합한 것은 알루미늄 착물, 예를 들어 Alq3, 지르코늄 착물, 예를 들어 Zrq4, 벤즈이미다졸 유도체, 트리아진 유도체, 피리미딘 유도체, 피리딘 유도체, 피라진 유도체, 퀴녹살린 유도체, 퀴놀린 유도체, 옥사디아졸 유도체, 방향족 케톤, 락탐, 보란, 디아자포스폴 유도체 및 포스핀 옥사이드 유도체이다.
본 발명의 디바이스의 적합한 캐소드는 낮은 일함수를 갖는 금속, 다양한 금속, 예를 들어 알칼리 토금속, 알칼리 금속, 주족 금속 또는 란타노이드 (예를 들어, Ca, Ba, Mg, Al, In, Yb, Sm 등) 로 구성되는 금속 합금 또는 다층 구조이다. 추가적으로, 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 및 은으로 구성된 합금, 예를 들어 마그네슘 및 은으로 구성된 합금이 적합하다. 다층 구조의 경우에, 언급된 금속에 추가로, 상대적으로 높은 일 함수를 갖는 추가의 금속, 예를 들어 Ag 또는 Al 을 또한 사용할 수 있으며, 이 경우 예를 들어 Ca/Ag, Mg/Ag 또는 Ba/Ag 와 같은 금속의 조합이 일반적으로 사용된다. 또한 금속성 캐소드와 유기 반도체 사이에 높은 유전 상수를 갖는 재료의 얇은 중간층을 도입하는 것이 바람직할 수 있다. 이러한 목적을 위해 유용한 재료의 예는 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 플루오라이드 뿐만 아니라 대응하는 산화물 또는 카보네이트 (예를 들어, LiF, Li2O, BaF2, MgO, NaF, CsF, Cs2CO3 등) 이다. 또한 이 목적을 위해 리튬 퀴놀리네이트 (LiQ) 를 사용하는 것이 가능하다. 이 층의 층 두께는 바람직하게는 0.5 내지 5 nm 이다.
바람직한 애노드는 높은 일 함수를 갖는 재료들이다. 바람직하게는, 애노드는 진공에 대해 4.5 eV 보다 더 큰 일 함수를 갖는다. 첫째, 산화환원 전위가 높은 금속, 예를 들어 Ag, Pt 또는 Au가 이 목적에 적합하다. 둘째, 금속/금속 산화물 전극들 (예를 들면, Al/Ni/NiOx, Al/PtOx) 이 또한 바람직할 수 있다. 일부 응용의 경우, 전극 중 적어도 하나가, 유기 재료의 조사 (유기 솔라 셀) 또는 광의 방출 (OLED, O-레이저) 중 어느 일방을 가능하게 하기 위해 투명하거나 또는 부분적으로 투명해야 한다. 여기서, 바람직한 애노드 재료는 전도성 혼합 금속 산화물이다. 인듐 주석 산화물 (ITO) 또는 인듐 아연 산화물 (IZO) 이 특히 바람직하다. 추가로 전도성 도핑된 유기 물질, 특히 전도성 도핑된 중합체가 바람직하다. 추가적으로, 애노드는 또한 2개 이상의 층, 예를 들어 ITO 의 내부층 및 금속 산화물, 바람직하게는 텅스텐 산화물, 몰리브덴 산화물 또는 바나듐 산화물의 외부층으로 이루어질 수 있다.
본 발명의 유기 전계 발광 디바이스는, 제조 과정에서, 적절하게 (응용에 따라) 구조화되고, 접점-접속되고, 최종적으로 밀봉되는 데, 이는 물 및/또는 공기의 존재 하에서 본 발명의 디바이스의 수명이 단축되기 때문이다.
본 발명의 디바이스의 제조는 여기에 제한되지 않는다. 발광층을 포함하는 하나 이상의 유기층이 승화법에 의해 코팅될 수 있다. 이 경우, 재료는 10-5 mbar 미만, 바람직하게는 10-6 mbar 미만의 초기 압력에서 진공 승화 시스템에서 증착에 의해 도포된다. 이 경우, 그러나, 초기 압력이 훨씬 더 낮은, 예를 들어 10-7 mbar 미만인 것이 또한 가능하다.
본 발명의 유기 전계 발광 디바이스는 바람직하게, 하나 이상의 층이 OVPD (organic vapor phase deposition) 방법에 의해 또는 운반체 기체 승화의 도움으로 코팅되는 것을 특징으로 한다. 이러한 경우, 재료들은 10-5 mbar 내지 1 bar의 압력으로 적용된다. 이러한 방법의 특정 경우는 OVJP (유기 증기 제트 프린팅) 방법인데, 여기서 재료는 노즐에 의해 직접 적용되고 그에 따라 구조화된다 (예를 들어, M. S. Arnold et al., Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 053301).
본 발명의 유기 전계 발광 디바이스는 또한 바람직하게, 본 발명의 조성물을 포함하는 하나 이상의 유기 층이 예를 들어, 스핀 코팅에 의해서, 또는 임의의 인쇄 방법, 예를 들어, 스크린 인쇄, 플렉소그래픽 인쇄, 노즐 인쇄 또는 오프셋 인쇄, 그러나 보다 바람직하게는 LITI (광 유도 열 이미징, 열 전사 인쇄) 또는 잉크젯 인쇄에 의해서 용액으로부터 제조되는 것을 특징으로 한다. 이 목적으로, 가용성 호스트 재료 1 및 2 및 인광 방출체가 필요하다. 용액으로부터의 처리는 예를 들어 발광층을 매우 간단하고 저렴한 방식으로 적용할 수 있다는 이점을 갖는다. 이 기술은 유기 전계 발광 디바이스의 대량 생산에 특히 적합하다.
또한, 예를 들어 하나 이상의 층들이 용액으로부터 적용되고 하나 이상의 추가 층들이 기상 증착에 의해 적용되는 혼성 방법들이 가능하다.
이들 방법은 일반적으로 당업자에게 공지되어 있으며, 유기 전계 발광 디바이스에 적용될 수 있다.
따라서 본 발명은 또한, 유기층, 바람직하게 발광층, 정공 주입층 및/또는 정공 수송층이 기상 증착에 의해, 특히 승화 방법에 의해 및/또는 OVPD (organic vapour phase deposition) 방법에 의해 및/또는 운반체 기체 승화의 도움으로, 또는 용액으로부터, 특히 스핀 코팅에 의해 또는 인쇄 방법에 의해 도포되는 것을 특징으로 하는, 위에 기재되거나 또는 바람직한 것으로 기재된 바와 같은 본 발명의 유기 전계 발광 디바이스의 제조 방법을 제공한다.
기상 증착에 의한 제조의 경우, 본 발명의 유기층, 바람직하게 발광층이 임의의 기판 또는 이전 층 상에 도포되거나 증착될 수 있는 원칙적으로 두 가지 방식이 있다. 첫째로, 사용되는 재료는 각각 재료 소스에 초기에 투입되고 궁극적으로 상이한 재료 소스 ("공-증발") 으로부터 증발될 수 있다. 둘째로, 다양한 재료가 사전혼합될 수 있고 (사전혼합 시스템), 혼합물은 단일 재료 소스에 초기에 투입될 수 있고 이로부터 궁극적으로 증발된다 ("사전혼합 증발"). 이러한 방식으로, 다수의 재료 소스의 정확한 작동의 필요 없이도 성분의 균일한 분포를 갖는 발광층의 기상 증착을 간단하고 신속한 방식으로 달성할 수 있다.
따라서, 본 발명은 또한 본 발명의 디바이스를 제조하는 프로세스를 제공하고 유기 층의 발광 층이 기상 증착에 의해 공급되는 것을 특징으로 하며, 식 (1) 의 적어도 하나의 화합물은 적어도 2 개의 재료 소스로부터 연속적으로 또는 동시적으로 발광 층을 형성하는 추가의 재료들과 함께 기상으로부터 증착된다.
본 발명의 바람직한 실시 형태에서, 발광층은 기상 증착에 의해 적용되며, 여기서 조성물의 구성 요소는 사전 혼합되고 단일 재료 소스로부터 증발된다.
본 발명은 이에 따라 추가로 본 발명의 디바이스를 제조하기 위한 프로세스를 제공하고 유기층의 발광층이 기상 증착에 의해 도포되는 것을 특징으로 하고, 식 (1) 의 적어도 하나의 화합물은 인광 방출체, 형광 방출체 및/또는 TADF (thermally activated delayed fluorescence) 를 나타내는 방출체의 군에서 선택된 발광 재료와 연속적으로 또는 동시에 프리믹스로서 적어도 하나의 추가의 매트릭스 재료와 함께 기상으로부터 증착된다.
본 발명의 디바이스는 선행 기술에 비해 하기의 놀라운 이점을 특징으로 한다:
위에 기재된 바와 같이 호스트 재료 1 및 2의 설명된 재료 조합의 사용은 특히 디바이스의 수명 증가를 초래한다. 동시에, 효율 또는 동작 전압과 같은, 전계 발광 디바이스들의 추가 전자적 특성들은 적어도 동등하게 양호한 상태로 유지된다. 추가 변형예에서, 본 발명의 화합물들 및 본 발명의 유기 전계 발광 디바이스들은 특히 종래 기술에 비해 개선된 효율 및/또는 동작 전압 및 더 높은 수명을 특징으로 한다. 이는 특히 디아자벤조푸로카르바졸 또는 디아자벤조티에노카르바졸 기본 골격에 치환을 갖지 않거나 다른 치환 패턴을 갖는 유사한 화합물의 경우에 해당한다.
본 발명의 전자 디바이스들, 특히 유기 전계 발광 디바이스들은, 종래 기술에 비해 다음의 놀라운 이점들 중 하나 이상에 대하여 주목할 만하다:
1. 식 (1) 또는 위에서 그리고 이하에 기재된 바람직한 실시예들의 화합물들을, 특히 매트릭스 재료로서 또는 전자 전도 재료로서 포함하는, 전자 디바이스, 특히 유기 전계 발광 디바이스는, 매우 양호한 수명을 갖는다. 이러한 맥락에서, 이들 화합물은 낮은 롤-오프, 즉 높은 휘도에서의 디바이스의 전력 효율에 있어서 작은 저하를 유발한다.
2. 식 (1) 또는 위와 아래에 언급되는 바람직한 실시형태의 화합물을 전자 전도 재료 및/또는 매트릭스 재료로서, 포함하는 전자 디바이스, 특히 유기 전계 발광 디바이스는 탁월한 효율을 갖는다. 이러한 맥락에서, 식 (1) 또는 위에서 그리고 이하에 언급되는 바람직한 실시예들의 구조들을 갖는 본 발명의 화합물들은 전자 디바이스들에서 사용될 때 낮은 동작 전압을 초래한다.
3. 식 (1) 또는 위에서 그리고 이하에 언급되는 바람직한 실시예들의 본 발명의 화합물들은 매우 높은 안정성 및 수명을 나타낸다.
4. 식 (1) 또는 위에서 그리고 이하에 언급되는 바람직한 실시예들의 화합물들로, 전자 디바이스들, 특히 유기 전계 발광 디바이스들에서 광학 손실 채널들의 형성을 피할 수 있다. 그 결과, 이러한 디바이스는 방출체의 높은 PL 효율 및 그에 따른 높은 EL 효율, 및 매트릭스에서 도펀트로의 우수한 에너지 전달을 특징으로 한다.
5. 전자 디바이스, 특히 유기 전계 발광 디바이스의 층들에서의 식 (1) 또는 위와 아래에 언급되는 바람직한 실시형태의 화합물의 용도는 전자 도체 구조의 높은 이동도에 이른다.
6. 식 (1) 또는 위에서 그리고 이하에 언급되는 바람직한 실시예들의 화합물들은 우수한 유리 필름 형성을 갖는다.
7. 식 (1) 또는 위에서 그리고 이하에 언급되는 바람직한 실시예들의 화합물들은 용액들로부터 매우 양호한 필름들을 형성한다.
8. 식 (1) 또는 위와 아래에 언급되는 바람직한 실시형태의 화합물은 낮은 삼중항 준위 T1 를 갖고, 이는, 예를 들어, 2.50　eV-2.90　eV 범위일 수 있다.
이러한 위에 언급된 이점은 추가 전자적 특성의 과도하게 높은 열화를 수반하지 않는다.
본 발명에 기재된 실시형태의 변형들은 본 발명의 범위에 의해 커버된다는 것에 주목해야 한다. 본 발명에 개시된 임의의 특성은, 명백하게 배제되지 않는 한, 동일한 목적 또는 동등하거나 유사한 목적을 제공하는 대안적 특성과 교환될 수 있다. 따라서 본 발명에서 개시된 임의의 특징은, 다르게 언급되지 않는 한, 일반 시리즈로부터의 예로서 또는 동등하거나 유사한 특성으로서 고려되어야 한다.
본 발명의 모든 특징들은, 특정의 특징 및/또는 단계가 상호 배타적이지 않는 한, 임의의 방식으로 서로 조합될 수 있다. 이는 특히 본 발명의 바람직한 특징에 해당된다. 동일하게, 비필수 조합의 특징은 별개로 (조합하지 않고) 사용될 수 있다.
본 발명에 개시된 기술적 교시는 추출될 수 있고 다른 실시예들과 조합될 수 있다.
그에 의해 제한하려는 어떠한 의도도 없이, 하기의 실시예에 의해서 본 발명을 상세하게 설명한다.
실시예
일반적 방법:
모든 양자 화학 계산에서, Gaussian16 (Rev. B.01) 소프트웨어 패키지가 사용된다. 중성 단일항 바닥 상태는 B3LYP/6-31G(d) 준위에서 최적화된다. HOMO 및 LUMO 값은 B3LYP/6-31G(d)-최적화 바닥 상태 에너지에 대한 B3LYP/6-31G(d) 준위에서 결정된다. 그런 다음 TD-DFT 단일항 및 삼중항 여기(수직 여기)는 동일한 방법 (B3LYP/6-31G(d)) 에 의해 그리고 최적화된 바닥 상태 지오메트리로 계산된다. SCF 및 구배 수렴을 위한 표준 설정이 사용된다.
에너지 계산으로부터, HOMO 는 두 개의 전자에 의해 점유되는 마지막 오비탈 (알파 occ. 고유치) 로서 수득되고 LUMO 는 첫번째 비점유 오비탈 (알파 virt. 고유치) 로서 Hartree 단위에서 수득되며, 여기서 HEh 및 LEh 는 각각 Hartree 단위에서 HOMO 에너지 및 Hartree 단위에서 LUMO 에너지를 나타낸다. 이것은 다음과 같이 순환 전압 전류 측정 (cyclic voltammetry measurement) 에 의해 교정된 전자 볼트 단위 HOMO 및 LUMO 값을 결정하는 데 사용된다.
HOMOcorr = 0.90603 * HOMO - 0.84836
LUMOcorr = 0.99687 * LUMO - 0.72445
재료의 삼중항 준위 T1 는 양자 화학적 에너지 계산에 의해 구해진 최저 에너지를 갖는 삼중항 상태의 상대적 여기 에너지 (eV 단위) 로 정의된다.
재료의 단일항 준위 S1 는 양자 화학적 에너지 계산에 의해 구해진 제 2 최저 에너지를 갖는 단일항 상태의 상대적 여기 에너지 (eV 단위) 로 정의된다.
에너지적으로 최저의 단일항 상태는 S0 로 지칭된다.
본 명세서에 기재된 방법은 사용된 소프트웨어 패키지와 관계가 없으며 항상 동일한 결과를 제공한다. 이러한 목적으로 빈번하게 이용된 프로그램의 예는 "Gaussian09" (Gaussian Inc.) 및 Q-Chem 4.1 (Q-Chem, Inc.) 이다. 본 경우, 에너지는 소프트웨어 패키지 "Gaussian16 (Rev. B.01)" 을 이용해 계산된다.
합성 예들
하기 합성은 달리 언급되지 않은 한 보호성 기체 분위기 하 건조 용매에서 수행된다. 용매들 및 시약들은 예를 들어 Sigma-ALDRICH 또는 ABCR로부터 구입할 수 있다. 대괄호 안의 각 숫자 또는 개별 화합물에 인용된 번호는 문헌에서 알려진 화합물의 CAS 번호에 관한 것이다.
합성예 1:
a) 8-브로모-2,4-디페닐벤조푸로[3,2-d]피리미딘
초기 전하는 750　ml 의 디클로로메탄에서 29　g (90　mmol) 의 2,4-디페닐벤조푸로[3,2-d]피리미딘 (36.000　g) 에 의해 형성된다. 이에 후속하여, 혼합물은 15　min 동안 Ar 로 블랭킷된다. 그런 다음 혼합물은 얼음/물 배스를 사용하여 약 0℃로 냉각된다. 이에 후속하여, 31.6　ml (361　mmol) 의 트리플루오로메탄술폰산이 여기에 첨가된다. 그런 다음, 혼합물은 추가의 15　min 동안에 교반되고, 그 다음, 16　g (90　mmol) 의 N-브로모숙신이미드가 연속된 교반으로 나누어 첨가되고 이 과정에서 혼합물은 점진적으로 다시 RT까지 가온되고 300　ml 의 물이 첨가된다. 유기상을 분리하고, 300　ml 의 물로 3 회 세척하고, MgSO4 상에서 건조시키고 여과하고, 용매를 감압 하에 제거한다. 잔류물을 실리카 겔 (용리제: DCM/헵탄 (1:9)) 을 사용하여 컬럼 크로마토그래피에 의해 정제한다. 수율은 32　g (82　mmol) 이며, 이론치의 91% 에 해당한다.
유사한 방식으로, 하기 브롬화 화합물을 제조한다:
b) 8-브로모-2,4-디페닐벤조푸로[3,2-d]피리미딘
36　g (100　mmol) 의 8-브로모-4-클로로-2-페닐벤조푸로[3,2-d]피리미딘, 12.2　g (100　mmol) 의 페닐보론산 및 11.8　g (111　mmol) 의 나트륨 카르보네이트는 800　ml 의 1,4-디옥산, 800　ml 의 물 및 250　ml 의 톨루엔에서 용해되고 아르곤 분위기 하에서 교반된다. 1.2　g (1　mmol) 의 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐을 플라스크에 첨가한다. 반응 혼합물을 밤새 환류하에 교반하였다. 냉각 후, 혼합물을 ??칭한다. 유기상을 분리하고, 300　ml 의 물로 3 회 세척하고, MgSO4 상에서 건조시키고 여과하고, 용매를 감압 하에 제거한다. 잔류물을 실리카 겔 (용리제: DCM/헵탄 (1:10)) 을 사용하여 컬럼 크로마토그래피에 의해 정제한다. 수율은 32 g (81 mmol) 이며, 이론치의 81% 에 해당한다.
유사한 방식으로, 하기 브롬화 화합물을 제조한다:
c) (2-클로로페닐)(11,11-디메틸-11H-벤조[a]플루오렌-9-일)아민
68　g (140 mmol) 의 8-브로모-2,4-디페닐벤조푸로[3,2-d]피리미딘, 16.8　g (159　mmol) 의 2-클로로아닐린, 41.9　g (436.2　mmol) 의 나트륨 tert-부톡사이드 및 1.06 (1.45　mmol) 의 Pd(dppf)Cl2 가 500　ml 의 톨루엔에서 용해되어 5 h 동안 교반된다. 반응 혼합물은 실온으로 냉각되고, 톨루엔으로 확장되고, 셀라이트를 통해 여과된다. 여과물은 감압하에 농축되고, 잔류물은 톨루엔/헵탄으로부터 결정화된다. 생성물은 무색의 고체로서 단리된다. 수율: 54 g (100 mmol), 이론치의 72%.
하기 화합물들이 유사하게 제조될 수 있다:
d) 고리화
69.8　g (129　mmol) 의 (2-클로로페닐)(11,11-디메틸-11H-벤조[a]플루오렌-9-일)아민, 53　g (389　mmol) 의 탄산 칼륨, 4.5　g (12　mmol) 의 트리시클로헥실포스핀 테트라플루오로보레이트, 1.38　g (6　mmol) 의 팔라듐(II) 아세테이트 및 3.3　g (32　mmol) 의 피발 산을 500　ml 의 디메틸아세트아미드에 현탁시키고 환류하 6시간 동안 교반하였다. 냉각 후에, 300　ml 의 물 및 400　ml 가 반응 혼합물에 첨가되고, 이는 30　min 동안 교반된다. 그런 다음, 유기상은 단리되고 짧은 셀라이트 베드를 통하여 필터링된다. 그 후, 용매가 감압 하에 제거된다. 조 생성물 (crude product) 을 톨루엔으로 고온 추출하고, 톨루엔으로부터 재결정화한다. 생성물은 무색의 고체로서 단리된다. 수율: 45 g (91 mmol), 이론치의 70%.
하기 화합물들이 유사하게 제조될 수 있다:
e) 4-디벤조푸란-1-일-8-(2-니트로페닐)-2-페닐벤조푸로[3,2-d]피리미딘
250　ml 의 물과 250　ml 의 THF 의 혼합물에서 59　g (183.8　mmol) 의 2-니트로벤젠보론 산, 90　g (184　mmol) 의 8-브로모-4-디벤조푸란-1-일-2-페닐벤조푸로[3,2-d]피리미딘 및 66.5　g (212.7　mmol) 의 칼륨 카르보네이트의 양호하게 교반되고, 탈기된 현탁액에, 1.7　g (1.49　mmol) 의 Pd(PPh3)4 가 첨가되고, 혼합물이 17　h 동안에 환류하에서 가열된다. 냉각 후에, 유기 상이 제거되고 200 ml 의 물로 3회 세척되고 200 ml 의 포화된 수성 나트륨 클로라이드 용액으로 1회 세척되고 마그네슘 설페이트를 통해 건조되고 회전 증발로 농축건조된다. 회색 잔류물을 헥산으로부터 재결정화한다. 침전된 결정이 흡입 여과되고, 소량의 MeOH 로 세척하고, 감압 하에 건조된다; 수율: 75.3 g (141 mmol), 이론치의 77%.
하기 화합물들이 유사하게 제조될 수 있다:
f) 카르바졸 합성
64　g (120　mmol) 의 4-디벤조푸란-1-일-8-(2-니트로페닐)-2-페닐벤조푸로[3,2-d]피리미딘 및 145　ml (800 mmol) 의 트리에틸 포스파이트의 혼합물이 12　h 동안 환류 하에서 가열된다. 이에 후속하여, 나머지 트리에틸 포스파이트가 증류 제거된다(72-76℃ / 9 mmHg). 물/MeOH (1:1) 을 잔류물에 첨가하고, 고체를 여과 제거하고, 재결정화한다. 수율: 45.7 g (91 mmol), 이론치의 76%.
하기 화합물들이 유사하게 제조될 수 있다:
g) 부흐발트
600　ml 의 톨루엔에서 24　g (147　mmol) 의 브로모벤젠 및 73　g (147　mmol) 의 화합물 d 의 탈기된 용액은 1　h 동안에 N2 로 포화된다. 그 후 용액에, 첫번째로 2.09　ml (8.6　mmol) 의 P(tBu)3가 첨가된 다음, 1.38　g (6.1　mmol) 의 팔라듐(II) 아세테이트, 그 다음, 17.7　g (185　mmol) 의 NaOtBu 가 고체 상태에 첨가된다. 반응 혼합물이 1 h 동안에 환류하에 가열된다. 실온으로 냉각된 후에, 500ml 의 물이 조심스럽게 첨가된다. 수성 상을 3 x 50　ml 의 톨루엔으로 세척하고, MgSO4 위에서 건조시키고, 용매를 감압하에 제거하였다. 그 후, 조 생성물 (crude product) 을 헵탄/에틸 아세테이트 (20/1) 와 실리카 겔을 사용하여 크로마토그래피에 의해 정제하였다. 잔류물을 톨루엔으로부터 재결정화시키고 최종적으로 고 진공 하에서 승화시켰다 (p = 5 x 10-6 mbar). 수율은 이론치의 81% 에 대응하는, 68 g (118 mmol) 이다.
하기 화합물들이 유사하게 제조될 수 있다:
h) 친핵성 치환
31.3　g (62.5　mmol) 의 화합물 d 가 보호성 가스 분위기 하에서 200　ml 의 디메틸포름아미드에 용해되고 미네랄 오일 (194　mmol) 에 7.7　g 의 NaH, 60% 가 첨가된다. 실온에서 1 h 후, 2-클로로-4,6-디페닐-[1,3,5]-트리아진 (25　g, 68　mmol) 의 용액이, 300　ml 의 디메틸포름아미드에 적하식으로 첨가된다. 다음으로 반응 혼합물이 12　h 동안에 실온에서 교반된다. 이 시간 후, 반응 혼합물을 얼음 위에 붓고 디클로로메탄으로 3회 추출한다. 조합된 유기 상들이 Na2SO4 위에서 건조되고 농축된다. 잔류물을 톨루엔으로 고온 추출하고, 디클로메탄/이소프로판올으로부터 재결정화하고, 마지막으로 고진공하에 승화시킨다; 순도는 99.9% 이다. 수율은 24　g (32　mmol) 이며, 이론치의 52% 에 해당한다.
하기 화합물들이 유사하게 제조될 수 있다:
합성예 2:
일반 중수소화:
출발 화합물은 중수소화된 물 (99% 중수소 원자) 및 툴루엔-d8 (99% 중수소 원자) 의 혼합물에서 용해되고 96 시간 동안에 촉매로서 목탄 상에 건조 백금의 존재하의 압력으로 160℃ 로 가열된다. 반응 혼합물을 냉각시킨 후, 상을 분리하고, 수성 상을 테트라하이드로푸란-톨루엔 혼합물로 2회 추출하였다. 재조합된 유기상을 나트륨 클로라이드 용액으로 세척하고 나트륨 설페이트 상에서 건조되고 여과된다. 용매는 고체 형태로 조 중수소화 화합물을 제공하기 위하여 감압하에 제거된다. 화합물은 추출, 결정화 및 승화에 의해 추가로 정제된다.
실시예 A: 1,1',2',3',4',5',6,6',7',8,8'-운데카듀테리오-N-(2,3,6,7,8-펜타듀테리오-9,9-디메틸플루오렌-4-일)-N-(3,4,6,7,8-펜타듀테리오-9,9-디메틸플루오렌-2-일)-9,9'-스피로바이[플루오렌]-4-아민
N-(9,9-디메틸플루오렌-2-일)-N-(9,9-디메틸플루오렌-4-일)-9,9'-스피로바이[플루오렌]-4'-아민(22.8　g, 32　mmol), 톨루엔-d8 (231　g, 2.31　mol), 중수소화된 물 (1300　g, 64.9　mol) 및 목탄 상의 건조 백금 (5%) (30　g) 이 130℃ 에서 24　h 동안에 교반된다. 조 생성물은 헵탄 및 툴루엔 (4:1) 의 혼합물로 2 회 추출하고 2 회 승화시키는 것에 의해 추가로 정제된다.
수율: 21.2g(28mmol, 90%), 순도 > 99.9%. 아이덴티티는 HPLC-MS 및 1H NMR에 의해 입증된다.
실시예 B: 1,2,3,5,6,7,8-헵타듀테리오-N-[1,2,3,5,6,7,8-헵타듀테리오-9,9-비스(트리듀테리오메틸)플루오렌-4-일]-9,9-비스(트리듀테리오메틸)-N-[2,3,5-트리듀테리오-4-(2,3,4,5,6-펜타듀테리오페닐)페닐]플루오렌-4-아민
N-(9,9-디메틸플루오렌-2-일)-N-(9,9-디메틸플루오렌-4-일)-9,9'-스피로바이[플루오렌]-4'-아민(22.8　g, 31.8　mmol), 톨루엔-d8 (231　g, 2.31　mol), 중수소화된 물 (1300　g, 64.9　mol) 및 목탄 상의 건조 백금 (5%) (30　g) 이 160℃ 에서 96　h 동안에 교반된다. 조 생성물은 헵탄 및 툴루엔 (4:1) 의 혼합물로 2 회 추출하고 2 회 승화시키는 것에 의해 추가로 정제된다.
수율: 21.9　g(28.9　mmol, 95%), 순도 > 99.9%. 아이덴티티는 HPLC-MS로 입증된다.
OLED의 제조
다음에 오는 실시예 V1 ~ V8 및 B1 ~ B33 (표 7 및 8 참조) 에서, 다양한 OLED 의 데이터를 나타낸다.
실시예들 V1-V8 및 B1-B28 을 위한 전처리: 두께 50 nm의 구조화된 ITO(인듐 주석 옥사이드)로 코팅된 유리 플레이트들은 코팅 이전에, 먼저 산소 플라즈마로, 그후 아르곤 플라즈마로 처리된다. 이들 플라즈마 처리된 유리 플레이트들은, OLED들이 적용되는 기판들을 형성한다.
OLED 는 기본적으로 다음의 층 구조: 기판/정공 주입층 (HIL)/정공 수송층 (HTL) / 전자 차단층 (EBL) / 방출층 (EML) / 선택적인 정공 차단층 (HBL) / 전자 수송층 (ETL) / 선택적인 전자 주입층 (EIL) 및 최종적으로 캐소드를 갖는다 캐소드는 두께 100 nm 의 알루미늄층에 의해 형성된다. OLED들의 정확한 구조는 표 8에서 찾을 수 있다. OLED 의 제조에 필요한 재료는 위에 기재되어 있지 않은 경우 표 9에 나와 있다.
모든 재료는 진공 챔버에서 열적 기상 증착(thermal vapor deposition)에 의해 도포된다. 이러한 경우, 방출층은 항상, 적어도 하나의 매트릭스 재료 (호스트 재료) 및 공증발에 의해 특정 부피 비율로 매트릭스 재료(들)에 첨가되는 방출 도펀트 (방출체)로 이루어진다. VG1:H2:TEG1 (33%:60%:7%) 와 같은 형태에서 제시되는 상세는 여기서, 재료 VG1 가 33% 의 부피 비율로, 재료 H2 이 60% 의 부피 비율로, 그리고 방출체 TEG1 가 7% 의 부피 비율로 층에 존재한다는 것을 의미한다. 유사하게, 전자 수송층은 또한 2 개 재료의 혼합물로 이루어질 수 있다.
OLED는 표준 방식으로 특성화된다. 본 목적을 위해, 전자발광 스펙트럼, 전압 및 외부 양자 효율 (EQE, 백분율로 측정됨) 은 Lambertian 방사 특징, 및 수명을 가정하는 전류-전압-휘도 특징 (IUL 특징) 으로부터 계산되는, 휘도의 함수로서 측정된다. 전계 발광 스펙트럼들은 1000　cd/m²의 휘도에서 결정되고, 이들은 CIE 1931 x 및 y 색 좌표를 계산하는데 사용된다. 여기에 표 8 에서의 파라미터 U1000 은 1000 cd/㎡ 의 휘도에 필요한 전압을 나타낸다. CE1000 은 1000　cd/m2에서 실현되는 전류 효율을 표기한다. 최종적으로, EQE1000 는 1000　cd/m² 의 동작 휘도에서의 외부 양자 효율을 나타낸다. 수명 LT 는, 일정한 전류 밀도 j0 로 작동하는 동안 휘도가 시작 휘도로부터 특정한 비율 L1 로 하락하는 시간으로서 정의된다. 표 9 에서의 L1 = 80% 의 수치는 LT 열에 보고된 수명이, 휘도가 그 시작 값의 80% 까지 떨어진 후의 시간에 대응하는 것을 의미한다.
다양한 OLED 에 대한 데이터를 표 8 에 수집 분석한다. 실시예 V1 내지 V8 는 종래 기술에 따른 비교예이다; 실시예 B1 내지 B33 은 본 발명의 OLED 데이터를 나타낸다.
표 7:
표 8:
표 9: 이전에 설명되지 않은 사용된 재료

Claims (15)

  1. 하기 식 (1) 의 화합물.

    식 중 사용되는 기호 및 인덱스는 다음과 같다:
    Y 는 각각의 경우에 독립적으로 N, [L]b-Ar2 또는 [L]b1-Ar3이고, 여기서 정확히 2 개의 Y 는 적어도 하나의 [L]b-Ar2 및/또는 [L]b1-Ar3 기에 의해 분리된 N 이다;
    V 는 O 또는 S 이다;
    L1 은 단일 결합이거나 또는 5 내지 30 개의 고리 원자를 가지며 비치환되거나 D 에 의해 부분적으로 또는 전체적으로 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이다;
    Rx, R# 은 각각의 경우 동일하거나 또는 상이하고, 6 내지 30 개의 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수 있는 방향족 고리 시스템, 또는 5 내지 30 개의 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수 있는 헤테로방향족 고리 시스템이다;
    L 은 각각의 경우에 동일하거나 또는 상이하고, 5 내지 30 개의 고리 원자를 가지며 비치환되거나 또는 D에 의해 부분적으로 또는 전체적으로 치환될 수 있는 방향족 고리 시스템이다;
    Ar2, Ar3은 각각의 경우 동일하거나 또는 상이하고, 6 내지 30 개의 탄소 원자를 갖고 하나 이상의 R3 라디칼에 의해 치환될 수 있는 아릴 기 또는 9 내지 30 개의 원자(여기서, 원자는 탄소 원자 및 적어도 하나의 헤테로원자를 포함함)를 갖고 하나 이상의 R3 라디칼에 의해 치환될 수 있는 헤테로아릴기이다;
    R2는 각각의 경우 동일하거나 또는 상이하고, D, F, CN, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬 기 또는 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 기(여기서, 하나 이상의 비인접 CH2 기는 O 또는 S 에 의해 대체될 수 있고, 하나 이상의 수소 원자는 D, F 또는 CN 에 의해 대체될 수 있음), 또는 5 내지 30 개의 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템(여기서, 하나 이상의 수소 원자는 D, F, Cl, Br, I 또는 CN 에 의해 대체될 수 있고 각각이 1 내지 4 개의 탄소 원자를 갖는 하나 이상의 알킬 기에 의해 치환될 수 있음)로 이루어지는 군에서 선택되고; 여기서 2개 이상의 인접 치환기 R2 는 함께 단환 또는 다환, 지방족 고리 시스템을 형성하는 것이 가능하다;
    R3은 각각의 경우 동일하거나 또는 상이하고, D, F, CN, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬 기 또는 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 기(여기서, 하나 이상의 비인접 CH2 기는 O 또는 S 에 의해 대체될 수 있고, 하나 이상의 수소 원자는 D, F 또는 CN에 의해 대체될 수 있음), 또는 6 내지 30 개의 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템(여기서 하나 이상의 수소 원자는 D, F, Cl, Br, I 또는 CN 에 의해 대체될 수 있고 각각이 1 내지 4 개의 탄소 원자를 갖는 하나 이상의 알킬 기에 의해 치환될 수 있음), 또는 9 내지 30 개의 원자(여기서 원자는 탄소 원자 및 적어도 하나의 헤테로원자를 포함함)를 갖는 헤테로아릴기(여기서 하나 이상의 수소 원자는 D, F, Cl, Br, I 또는 CN 에 의해 대체될 수 있고 각각이 1 내지 4 개의 탄소 원자를 갖는 하나 이상의 알킬 기에 의해 치환될 수 있음)로 이루어지는 군에서 선택되고; 여기서 2개 이상의 인접 치환기 R3 은 함께 단환 또는 다환, 지방족 고리 시스템을 형성하는 것이 가능하다;
    b, b1은 각각 독립적으로 0 또는 1이다;
    b2 은 0 또는 1 이다;
    n은 0, 1, 2, 3 또는 4 이다;
    n1은 0, 1 또는 2 이다.
  2. 제 1 항에 있어서,
    식 (1a), (1b) 또는 (1c) 의 화합물로부터 선택되는, 화합물.


    식 중 사용되는 기호 V, L, Ar2, Ar3, b, b1, L1, Rx, R#, b2, n 및 n1 은 제 1 항에 기재된 정의를 갖는다.
  3. 제 1 항에 있어서,
    식 (1d), (1e), (1f), (1g), (1h) 또는 (1i) 의 화합물로부터 선택되는, 화합물.



    식 중 사용되는 기호 Y, V, L, Ar2, Ar3, b, b1, L1, Rx, R#, b2, n 및 n1은 제 1 항에 기재된 정의를 갖는다.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 기재된 적어도 하나의 화합물 및 매트릭스 재료, 인광 방출체, 형광 방출체 및/또는 TADF (thermally activated delayed fluorescence) 를 나타내는 방출체의 군에서 선택되는 적어도 하나의 추가 화합물을 포함하는, 혼합물.
  5. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 기재된 적어도 하나의 화합물, 또는 제 4 항에 기재된 혼합물, 및 적어도 하나의 용매를 포함하는, 포뮬레이션.
  6. 애노드, 캐소드, 및 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 기재된 적어도 하나의 화합물을 포함하는 적어도 하나의 유기층을 포함하는, 유기 전계발광 디바이스.
  7. 제 6 항에 있어서,
    유기층은 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 기재된 화합물을 포함하는 적어도 하나의 발광층을 포함하는, 유기 전계발광 디바이스.
  8. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,
    발광층은 추가 매트릭스 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 디바이스.
  9. 제 8 항에 있어서,
    제 2 매트릭스 재료가 식 (6), (7), (8), (9) 또는 (10) 의 화합물에 대응하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 디바이스:


    식 중 사용되는 기호 및 인덱스는 다음과 같다:
    A1 은 C(R7)2, NR7, O 또는 S 이다;
    A 는 각각의 경우 독립적으로 하기 식 (3) 또는 (4) 의 기이고,

    X2 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고, CH, CR6 또는 N 이고, 여기서 2 개 이하의 기호 X2 는 N 일 수 있다;
    * 는 식 (9) 에 대한 결합 부위를 나타낸다;
    R6은 각각의 경우에 동일하거나 또는 상이하고, D, CN, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬 기 또는 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 또는 알키닐 기 또는 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 기(여기서, 상기 알킬, 알케닐 또는 알키닐 기는 각각의 경우에 하나 이상의 R7 라디칼에 의해 치환될 수 있고 하나 이상의 비인접 CH2 기는 Si(R7)2, C=O, NR7, O, S 또는 CONR7 에 의해 대체될 수 있음), 또는 5 내지 60 개의 고리 원자를 갖고 각각의 경우에 하나 이상의 R7 라디칼에 의해 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이고; 또한 여기서 2 개의 R6 라디칼이 함께 방향족, 헤테로방향족, 지방족 또는 헤테로지방족 고리 시스템을 형성하는 것이 가능하다;
    Ar 은 각각의 경우에 동일하거나 또는 상이하고, 5 내지 40 개의 고리 원자를 가지며 하나 이상의 R7 라디칼에 의해 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이다;
    Ar5는 각각의 경우에 동일하거나 또는 상이하고, 5 내지 40 개의 고리 원자를 가지며 하나 이상의 R7 라디칼에 의해 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이다;
    R7 은 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, D, F, Cl, Br, I, N(R8)2, CN, NO2, OR8, SR8, Si(R8)3, B(OR8)2, C(=O)R8, P(=O)(R8)2, S(=O)R8, S(=O)2R8, OSO2R8, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬 기 또는 2 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 또는 알키닐 기 또는 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 기(여기서, 각각의 경우에, 알킬, 알케닐 또는 알키닐 기는 하나 이상의 R8 라디칼에 의해 치환될 수 있고, 하나 이상의 비인접 CH2 기는 Si(R8)2, C=O, NR8, O, S 또는 CONR8 에 의해 대체될 수 있음), 또는 5 내지 40 개의 고리 원자를 갖고 각각의 경우에 하나 이상의 R8 라디칼에 의해 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이고; 동시에, 2개 이상의 R7 라디칼은 함께 방향족, 헤테로방향족, 지방족 또는 헤테로지방족 고리 시스템을 형성할 수 있고; 바람직하게, R7 라디칼은 그러한 고리 시스템을 형성하지 않는다;
    R8은 각각의 경우 동일하거나 상이하고, H, D, F, 또는 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 지방족, 방향족 또는 헤테로방향족 유기 라디칼, 특히 하이드로카르빌 라디칼이며, 여기서 하나 이상의 수소 원자는 또한 F에 의해 대체될 수 있음;
    c, c1, c2 는 각각의 경우 각각 독립적으로 0 또는 1이며, 여기서 각각의 경우 인덱스의 총합 c+c1+c2 는 1이다;
    d, d1, d2 는 각각의 경우 각각 독립적으로 0 또는 1이며, 여기서 각각의 경우 인덱스의 총합 d+d1+d2 는 1이다;
    q, q1, q2 는 각각의 경우에 각각 독립적으로 0 또는 1 이다;
    s 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고, 0, 1, 2, 3 또는 4 이다;
    t 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고, 0, 1, 2, 또는 3 이다;
    u 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고, 0, 1 또는 2 이다;
    v 는 0, 또는 1 이다.
  10. 제 8 항에 있어서,
    제 2 매트릭스 재료가 식 (11) 의 화합물에 대응하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 디바이스:

    식 중 사용되는 기호 및 인덱스는 다음과 같다:
    W는 O, S, C(R)2, N-Ar1이다;
    R은 각각의 경우 독립적으로 1 내지 4개의 탄소 원자를 갖고 부분적으로 또는 완전히 중수소화될 수 있는 직쇄 또는 분지형 알킬 기, 또는 비치환되거나 6 내지 18개의 탄소 원자를 갖는 부분 또는 완전히 중수소화된 방향족 고리 시스템이고, 여기서 2개의 치환기 R은 이들이 결합된 탄소 원자와 함께, 하나 이상의 치환기 R5에 의해 치환될 수 있는, 단환 또는 다환, 지방족 또는 방향족 또는 헤테로방향족, 비치환, 부분 중수소화 또는 완전 중수소화 고리 시스템을 형성할 수 있다;
    Ar1은 각각의 경우 동일하거나 상이하고, 5 내지 30 개의 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R5 라디칼에 의해 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이고; 동시에, 동일한 질소 원자, 인 원자, 또는 붕소 원자에 결합된 2 개의 Ar1 라디칼은 또한 C(R5)2, O 또는 S 로부터 선택되는 브릿지 또는 단일 결합에 의해 서로 브릿지될 수 있다;
    R1은 각각의 경우에 동일하거나 또는 상이하고, F, Cl, Br, I, CN, NO2, C(=O)R', P(=O)(Ar1)2, P(Ar1)2, B(Ar1)2, Si(Ar1)3, Si(R')3, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알킬 기, 또는 3 내지 20개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알킬 기, 또는 2 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 기(이들 각각은 하나 이상의 R' 라디칼에 의해 치환될 수 있고 하나 이상의 비인접 CH2 기는 R'C=CR', Si(R')2, C=O, C=S, C=NR', P(=O)(R'), SO, SO2, NR', O, S 또는 CONR'에 의해 대체될 수 있고 하나 이상의 수소 원자는 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2에 의해 대체될 수 있음)로 이루어지는 군에서 선택되고;
    R'은 각각의 경우에 동일하거나 또는 상이하고, 지방족, 방향족 또는 헤테로방향족 유기 라디칼이다;
    R4 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고, F, Cl, Br, I, CN, NO2, N(Ar1)2, NH2, N(R5)2, C(=O)Ar1, C(=O)H, C(=O)R5, P(=O)(Ar1)2, 1 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알킬기 또는 3 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알킬기 또는 2 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 또는 알키닐기(이들 각각은 하나 이상의 R5 라디칼에 의해 치환될 수 있고, 하나 이상의 비인접 CH2 기는 HC=CH, R5C=CR5, C≡C, Si(R5)2, Ge(R5)2, Sn(R5)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR5, P(=O)(R5), SO, SO2, NH, NR5, O, S, CONH 또는 CONR5에 의해 대체될 수 있고 하나 이상의 수소 원자는 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2에 의해 대체될 수 있음), 각각의 경우에 하나 이상의 R5 라디칼에 의해 치환될 수 있는, 5 내지 60 개의 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템, 하나 이상의 R5 라디칼에 의해 치환될 수 있는, 5 내지 60 개의 고리 원자를 갖는 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시기, 또는 이들 시스템의 조합으로 이루어지는 군에서 선택되고; 여기서 임의로 2개 이상의 인접 치환기 R4가, 하나 이상의 R5 라디칼에 의해 치환될 수 있는 단환 또는 다환, 지방족, 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 형성하는 것이 가능하다;
    R5는 각각의 경우 동일하거나 또는 상이하고, D, F, CN, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬 기 또는 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 기(여기서 하나 이상의 비인접 CH2 기는 O 또는 S 에 의해 대체될 수 있고, 하나 이상의 수소 원자는 D, F 또는 CN에 의해 대체될 수 있음), 또는 5 내지 30 개의 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템(여기서, 하나 이상의 수소 원자는 D, F, Cl, Br, I 또는 CN 에 의해 대체될 수 있고 각각이 1 내지 4 개의 탄소 원자를 갖는 하나 이상의 알킬 기에 의해 치환될 수 있음)으로 이루어지는 군에서 선택되고; 여기서 2개 이상의 인접 치환기 R5 는 함께 단환 또는 다환, 지방족 고리 시스템을 형성하는 것이 가능하다;
    x, x1은 각각의 경우 독립적으로 0, 1, 2, 3 또는 4 이다;
    y, z는 각각 독립적으로 0, 1 또는 2이다;
    a1, a2는 각각 독립적으로 0, 1, 2, 3, 4 또는 5이다;
    a3은 0, 1, 2 또는 3 이다;
    a4은 0, 1, 2, 3 또는 4 이다.
  11. 제 6 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    발광층은 인광 방출체를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 디바이스.
  12. 제 6 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    유기 전계발광 디바이스는 유기 발광 트랜지스터 (OLET들), 유기 전계 켄치 디바이스 (OFQD들), 유기 발광 전기화학 셀 (OLEC들, LEC들, LEEC들), 유기 레이저 다이오드 (O-레이저) 및 유기 발광 다이오드 (OLED들) 로부터 선택된 전계발광 디바이스인 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 디바이스.
  13. 제 6 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 기재된 유기 전계발광 디바이스를 제조하는 방법으로서,
    유기 층은 기상 증착에 의해 또는 용액으로부터 도포되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 디바이스를 제조하는 방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    유기 층의 발광 층이 기상 증착에 의해 도포되고, 식 (1) 의 적어도 하나의 화합물은 적어도 2 개의 재료 소스로부터 연속적으로 또는 동시에 발광 층을 형성하는 추가의 재료와 함께 기상으로부터 증착되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 디바이스를 제조하는 방법.
  15. 제 13 항 또는 제 14 항에 있어서,
    유기 층의 발광 층이 기상 증착에 의해 도포되고, 식 (1) 의 적어도 하나의 화합물은 인광 방출체, 형광 방출체 및/또는 TADF (thermally activated delayed fluorescence) 를 나타내는 방출체의 군에서 선택된 발광 재료와 연속적으로 또는 동시에, 프리믹스로서 적어도 하나의 추가 매트릭스 재료와 함께 기상으로부터 증착되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 디바이스를 제조하는 방법.
KR1020247015754A 2021-10-14 2022-10-11 유기 전계발광 디바이스용 재료 KR20240089640A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP21202732 2021-10-14
EP21202732.0 2021-10-14
PCT/EP2022/078229 WO2023061998A1 (de) 2021-10-14 2022-10-11 Materialien für organische elektrolumineszenzvorrichtungen

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20240089640A true KR20240089640A (ko) 2024-06-20

Family

ID=78211995

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020247015754A KR20240089640A (ko) 2021-10-14 2022-10-11 유기 전계발광 디바이스용 재료

Country Status (4)

Country Link
EP (1) EP4416155A1 (ko)
KR (1) KR20240089640A (ko)
CN (1) CN118103376A (ko)
WO (1) WO2023061998A1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115894255A (zh) * 2023-01-03 2023-04-04 京东方科技集团股份有限公司 有机化合物、发光器件、发光基板及发光装置

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1374320B1 (en) 2001-03-14 2020-05-06 The Trustees Of Princeton University Materials and devices for blue phosphorescence based organic light emitting diodes
DE102009005289B4 (de) 2009-01-20 2023-06-22 Merck Patent Gmbh Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen, Verfahren zu deren Herstellung und elektronische Vorrichtungen, enthaltend diese
KR101511072B1 (ko) 2009-03-20 2015-04-10 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광소자
KR101390616B1 (ko) 2012-03-28 2014-04-29 주식회사 두산 신규 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
US9553274B2 (en) 2013-07-16 2017-01-24 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9978950B2 (en) 2013-08-15 2018-05-22 Merck Patent Gmbh Materials for electronic devices
US20170012216A1 (en) 2014-01-10 2017-01-12 Samsung Sdi Co., Ltd. Condensed cyclic compound and organic light-emitting device including the same
KR101802861B1 (ko) 2014-02-14 2017-11-30 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
US10361375B2 (en) 2014-10-06 2019-07-23 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11910707B2 (en) 2015-12-23 2024-02-20 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting device
KR102285858B1 (ko) 2016-01-13 2021-08-04 덕산네오룩스 주식회사 유기전기소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
KR102380126B1 (ko) 2016-01-18 2022-03-29 에스에프씨 주식회사 유기발광 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR20180118744A (ko) 2016-03-03 2018-10-31 메르크 파텐트 게엠베하 유기 전계 발광 장치용 재료
US10529461B2 (en) 2016-06-03 2020-01-07 Sfc Co., Ltd. Heterocyclic compounds and organic light-emitting diode including the same
KR101877678B1 (ko) 2016-06-09 2018-07-11 주식회사 엘지화학 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
CN107488182B (zh) * 2016-06-09 2020-07-28 株式会社Lg化学 化合物及利用它的有机发光元件
JP2019530676A (ja) 2016-09-14 2019-10-24 メルク パテント ゲーエムベーハー カルバゾール構造を有する化合物
KR102683884B1 (ko) 2016-11-02 2024-07-11 메르크 파텐트 게엠베하 전자 소자용 재료
CN109415333B (zh) 2016-12-14 2022-07-12 株式会社Lg化学 杂环化合物及包含其的有机发光元件
WO2019007867A1 (de) 2017-07-05 2019-01-10 Merck Patent Gmbh Zusammensetzung für organische elektronische vorrichtungen
US11349081B2 (en) 2017-11-14 2022-05-31 Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. Azaindolocarbazole compounds
CN110294753B (zh) 2018-03-22 2020-10-20 江苏三月科技股份有限公司 一种以氮杂苯为核心的有机化合物及其应用
TW202003463A (zh) 2018-04-04 2020-01-16 德商麥克專利有限公司 用於電子裝置之材料
KR20200005282A (ko) 2018-07-06 2020-01-15 현대모비스 주식회사 미러리스 자동차의 측방 영상 처리 장치 및 방법
KR101978651B1 (ko) 2018-10-30 2019-05-15 머티어리얼사이언스 주식회사 중수소화 유기 화합물의 제조 방법 및 이의 제조 방법에 의해 제조된 중수소화 유기 화합물
KR102377685B1 (ko) 2019-11-29 2022-03-23 주식회사 엘지화학 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
JP2023517468A (ja) 2020-02-06 2023-04-26 メルク パテント ゲーエムベーハー 電子デバイス用の材料
TW202146625A (zh) 2020-03-11 2021-12-16 德商麥克專利有限公司 有機電致發光裝置
CN112375053B (zh) 2021-01-13 2021-04-16 南京高光半导体材料有限公司 一种化合物及有机电致发光器件

Also Published As

Publication number Publication date
WO2023061998A1 (de) 2023-04-20
EP4416155A1 (de) 2024-08-21
CN118103376A (zh) 2024-05-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102627527B1 (ko) 유기 전계 발광 장치용 재료
KR102474330B1 (ko) 유기 전계발광 소자용 재료
KR102559144B1 (ko) 유기 전계발광 디바이스용 재료
KR102385482B1 (ko) 유기 전계발광 소자용 재료
JP6644688B2 (ja) 電子素子のための材料
TWI808980B (zh) 用於有機電子裝置之組成物
KR102600725B1 (ko) 유기 전계발광 소자용 재료
KR102539248B1 (ko) 유기 전계발광 디바이스용 재료
JP6498688B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子のための材料
JP2018536024A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子のための材料
KR102474328B1 (ko) 유기 전계발광 소자용 재료
KR20210132673A (ko) 유기 전자 디바이스용 조성물
KR102651211B1 (ko) 유기 전계 발광 디바이스용 재료
KR20210018438A (ko) 유기 전계 발광 디바이스
KR20210091762A (ko) 유기 전계발광 디바이스용 재료
KR20230162073A (ko) 유기 전계 발광 디바이스
KR20240089640A (ko) 유기 전계발광 디바이스용 재료
KR20240065179A (ko) 유기 전계 발광 장치
KR20240072237A (ko) 유기 전계 발광 장치
KR20230158657A (ko) 유기 전계 발광 디바이스용 헤테로방향족 화합물
KR102671945B1 (ko) 유기 전계발광 디바이스용 재료
KR20230028315A (ko) 유기 전계 발광 디바이스용 복소환 화합물
KR20220154751A (ko) 유기 전계 발광 디바이스용 복소환 화합물
KR20220056217A (ko) 유기 전계 발광 디바이스용 재료
KR20240091237A (ko) 유기 전계발광 디바이스용 벤조푸로[3,2-d]피리미디노-2,4-디카르보니트릴 유도체 및 유사 화합물