KR20230085185A - 커버 - Google Patents

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KR20230085185A
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다츠아키 가사이
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아사히 가세이 가부시키가이샤
아사히 가세이 가부시키가이샤
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Abstract

수지를 포함하고, 하기 식의 관계를 만족하는 것을 특징으로 하는, 고주파수대의 전파를 송수신하는 전자 기기의 커버. (100 - 정면 투과율 X) × (100 - 경사 투과율 Y) < 55 (정면 투과율 X (%) : 주파수 f (Hz) 에 있어서의 커버의 입사각 0°에서의 전파 투과율 (%), 경사 투과율 Y (%) : 주파수 f (Hz) 에 있어서의 커버의 입사각 60°에서의 TE 파의 전파 투과율 (%))

Description

커버
본 발명은 고주파수대의 전파를 송수신하는 전자 기기의 커버에 관한 것이다.
전파는 주파수가 높아질수록 감쇠하기 쉽고, 또한 전파의 직진성이 높아지는 것이 알려져 있다. 이 때문에, 1 ∼ 100 GHz 대의 고주파의 전파를 송수신하는 전자 기기에 있어서는, 입사각 0°의 정면 방향으로부터의 전파만에 한정되지 않고, 광범위한 입사각의 전파에 대해 전파 강도 및 전파 도달 거리를 크게 하는 것이 중요하다. 이 때문에, 고주파수대의 전파를 송수신하는 전자 기기에 사용하는 커버에는, 높은 전파 투과성이 요구되고 있다 (예를 들어, 특허문헌 1 및 2 를 참조).
일본 공개특허공보 2020-159985호 일본 공개특허공보 2020-180986호
그러나, 상기 종래의 커버는, 광범위한 입사각의 전파에 대한 투과성을 높이는 점에서 추가적인 개량의 여지가 있다.
그래서, 본 발명은, 상기 과제를 감안하여 실시된 것으로, 정면 방향 (입사각 0°) 의 전파에 대해 높은 전파 투과성을 갖고, 또한 광범위한 입사각의 전파에 대해서도 높은 전파 투과성을 갖는 커버를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자는 상기 서술한 과제를 해결하기 위해서 예의 검토한 결과, (100 - 정면 투과율 X) × (100 - 경사 투과율 Y) 로 나타내는 값이 특정한 범위인 커버로 함으로써, 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 알아내어, 본 발명을 완성시켰다.
또한, 정면 투과율 X (%) 는 주파수 f (Hz) 에 있어서의 커버의 입사각 0°에서의 전파 투과율 (%), 경사 투과율 Y (%) 는 주파수 f (Hz) 에 있어서의 커버의 입사각 60°에서의 TE 파의 전파 투과율 (%) 을 가리킨다.
즉, 본 발명은 이하와 같다.
[1]
수지를 포함하고, 하기 식의 관계를 만족하는 것을 특징으로 하는, 고주파수대의 전파를 송수신하는 전자 기기의 커버.
(100 - 정면 투과율 X) × (100 - 경사 투과율 Y) < 55
(정면 투과율 X (%) : 주파수 f (Hz) 에 있어서의 커버의 입사각 0°에서의 전파 투과율 (%), 경사 투과율 Y (%) : 주파수 f (Hz) 에 있어서의 커버의 입사각 60°에서의 TE 파의 전파 투과율 (%))
[2]
N 층 (N 은 1 이상의 정수 (整數)) 으로 이루어지는 단층체 또는 적층체이고,
하기 특성 행렬의 식에 있어서, 정면 방향 (입사각 0°) 에 있어서의 m12 성분의 크기 M12 와, m21 성분의 크기 M21 의 차의 절대값 (|M12 - M21|) 이 0.35 이하인, [1] 에 기재된 커버.
특성 행렬의 각 성분은 하기 식으로부터 산출한다.
Figure pct00001
(ω : 각주파수 [rad/s], c : 광속 [m/s], ni : 제 i 층째의 복소 굴절률, di : 제 i 층째의 두께 [m], θi : 제 i 층에 입사하는 전자파의 굴절각 [rad], j : 허수 단위, εri : 제 i 층째의 복소 비유전률, μri : 제 i 층째의 복소 비투자율, n0 : 공기의 굴절률, θ0 : 입사각 [rad])
또한, 제 i 층째의 복소 굴절률 ni 는, 하기 식에 의해 구해진다. 또, 얻어진 복소 굴절률 ni 로부터, 그 크기 Ni 를 구할 수 있다.
Figure pct00002
(ni : 제 i 층째의 복소 굴절률, j : 허수 단위, εri : 제 i 층째의 복소 비유전률, μri : 제 i 층째의 복소 비투자율, tanδ : 유전 정접, εi' : 비유전률, εi'' : 비유전 손율)
[3]
하기 식의 관계를 만족하는, [1] 또는 [2] 에 기재된 커버.
|정면 투과율 X - 경사 투과율 Y| < 25
(정면 투과율 X (%) : 주파수 f (Hz) 에 있어서의 커버의 입사각 0°에서의 전파 투과율 (%), 경사 투과율 Y (%) : 주파수 f (Hz) 에 있어서의 커버의 입사각 60°에서의 TE 파의 전파 투과율 (%))
[4]
N 층 (N 은 1 이상의 정수) 으로 이루어지는 단층체 또는 적층체이고,
하기 식으로 구해지는 Λ 의 값의 최소값이 0.15 이하인, [1] ∼ [3] 중 어느 하나에 기재된 커버.
Figure pct00003
(di : 제 i 층째의 두께 [m], Ni : 제 i 층째의 복소 굴절률 ni 의 크기, λ0 : 공기 중에 있어서의 전자파의 파장 [m], K : 임의의 정수)
또한, 제 i 층째의 복소 굴절률 ni 는, 하기 식에 의해 구해진다. 또, 얻어진 복소 굴절률 ni 로부터, 그 크기 Ni 를 구할 수 있다.
Figure pct00004
(ni : 제 i 층째의 복소 굴절률, j : 허수 단위, εri : 제 i 층째의 복소 비유전률, μri : 제 i 층째의 복소 비투자율, tanδ : 유전 정접, εi' : 비유전률, εi'' : 비유전 손율)
[5]
N 층 (N 은 1 이상의 정수) 으로 이루어지는 단층체 또는 적층체이고,
하기 특성 행렬의 식에 있어서, 입사각 60°에 있어서의 TE 파의 m11 성분의 크기 M11 이 0.5 이상인, [1] ∼ [4] 중 어느 하나에 기재된 커버.
Figure pct00005
(ω : 각주파수 [rad/s], c : 광속 [m/s], ni : 제 i 층째의 복소 굴절률, di : 제 i 층째의 두께 [m], θi : 제 i 층에 입사하는 전자파의 굴절각 [rad], j : 허수 단위, εri : 제 i 층째의 복소 비유전률, μri : 제 i 층째의 복소 비투자율, n0 : 공기의 굴절률, θ0 : 입사각 [rad])
[6]
상기 복소 굴절률 ni 의 크기 Ni 가 1.8 이하인, [1] ∼ [5] 중 어느 하나에 기재된 커버.
[7]
단층체 또는 적층체이고, 적어도 1 층의 밀도가 0.90 g/㎤ 미만인, [1] ∼ [6] 중 어느 하나에 기재된 커버.
[8]
복수의 층을 갖는 적층체인, [1] ∼ [7] 중 어느 하나에 기재된 커버.
[9]
인접하는 층간의 복소 굴절률의 크기의 차의 최대값이 0.8 이하인, [8] 에 기재된 커버.
[10]
상기 복수의 층이 서로 직접 접하여 적층되어 있는, [8] 또는 [9] 에 기재된 커버.
[11]
발포체로 이루어지는 층을 포함하고,
상기 발포체로 이루어지는 층의 10 체적% 이상에 있어서,
상기 발포체가 발포 입자로 이루어지는 발포체 이외의 발포체인 경우에는, 상기 발포체의 표면과 접해 있는 기포의 직경의 평균값 A 에 대한, 상기 발포체의 표면으로부터 두께 방향으로 20 ∼ 80 % 의 범위에 포함되는 기포의 직경의 평균값 B 의 비율 (B/A) 이 0.3 이상 3.0 미만이고,
상기 발포체가 발포 입자로 이루어지는 발포체인 경우에는, 상기 발포체의 표면으로부터 두께 방향으로 10 ∼ 90 % 의 범위에 포함되는 발포 입자에 대해, 상기 발포 입자의 표면과 접해 있는 기포의 직경의 평균값 A' 에 대한, 상기 발포 입자의 표면으로부터 직경 방향으로 20 ∼ 80 % 의 범위에 포함되는 기포의 직경의 평균값 B' 의 비율 (B'/A') 이 0.3 이상 3.0 미만인, [1] ∼ [10] 중 어느 하나에 기재된 커버.
[12]
발포체로 이루어지는 층을 포함하고,
상기 발포체로 이루어지는 층의 10 체적% 이상에 있어서, 최대 기포경이 1.5 ㎜ 이하인, [1] ∼ [11] 중 어느 하나에 기재된 커버.
[13]
복수의 층을 갖는 적층체이고, 적어도 1 층의 밀도가 0.90 ㎤/g 미만인 층과, 적어도 1 층의 밀도가 0.90 ㎤/g 이상인 층을 포함하는, [1] ∼ [12] 중 어느 하나에 기재된 커버.
[14]
상기 밀도가 0.90 ㎤/g 이상인 층 중 적어도 1 층이, 상기 커버의 외표면을 구성하는 표층인, [13] 에 기재된 커버.
본 발명에 의하면, 정면 방향 (입사각 0°) 의 전파에 대해 높은 전파 투과성을 갖고, 또한 광범위한 입사각의 전파에 대해서도 높은 전파 투과성을 갖는 커버를 제공할 수 있다.
이하, 본 발명을 실시하기 위한 형태 (이하, 「본 실시형태」 라고도 한다) 에 대해 상세하게 설명한다. 또한, 본 발명은, 이하의 실시형태에 한정되는 것은 아니며, 그 요지의 범위 내에서 여러 가지 변형하여 실시할 수 있다.
[커버]
본 실시형태의 커버는 수지를 포함하는 것을 특징으로 하고, 수지를 포함하는 층으로 이루어지는 단층체여도 되고, 수지를 포함하는 층이 2 층 이상 적층되어 이루어지는 적층체여도 된다.
커버를 구성하는 층의 수는, 특별히 한정되지 않지만, 전파 투과율의 입사 각도 의존성을 저감시키는 관점, 강성을 높이기 쉬운 관점, 의장성을 높이기 쉬운 관점에서, 2 층 이상인 것이 바람직하다. 또, 제조가 용이한 점, 강성을 높이기 쉬운 점에서, 5 층 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 3 층 이하이다. 또, 특히 3 층인 경우, 제 1 층과 제 3 층은 복소 굴절률의 값이 가까운 재료로 구성되는 것이 바람직하다. 이 경우, 제 1 층과 제 3 층에 있어서의 계면 반사율이 가까운 값이 되기 때문에, 후술하는 바와 같이 반사파를 효과적으로 없앨 수 있어, 투과율을 높이기 쉽다.
수지를 포함하는 층은, 수지판이어도 되고, 발포체여도 되지만, 후술하는 바와 같이 적어도 1 층은 발포체로 이루어지는 층을 포함하는 것이 바람직하다.
수지를 포함하는 층에는, 수지판이나 발포체를 서로 첩합 (貼合) 하기 위해서 일반적으로 사용되는, 점착제·접착제로 이루어지는 층도 포함된다. 그러나, 이와 같은 점착제·접착제는, 일반적으로 복소 굴절률의 크기가 크고, 계면 반사나 유전 손실 등이 일어나기 쉬워지기 때문에, 점착제·접착제층을 포함하는 경우, 커버 전체의 전파 투과율이 저하된다. 그 때문에, 커버는, 점착제·접착제층을 포함하지 않고, 수지판이나 발포체가 직접 접하여 적층되어 있는 것이 바람직하다.
상기 점착제·접착제로는, 예를 들어, 감압식의 점접착제, 열이나 자외선 등에 의해 경화되는 점접착제, 용융 상태로 도포하고 냉각에 의해 고화시키는 점접착제 등을 적절히 사용할 수 있다. 상기 점접착제에 사용되는 수지로는, 예를 들어, 아크릴 수지, 아세트산비닐 수지, 니트릴 고무 수지, 스티렌 부타디엔 고무, 클로로프렌 고무, 전분, 에폭시 수지, 시아노아크릴레이트 수지, 실리콘 고무 등을 들 수 있다.
점착제·접착제층의 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 전파 투과성에 미치는 영향을 작게 하는 관점에서, 얇은 편이 바람직하다.
또, 일반적으로 고주파수의 전파를 투과시키는 커버는, 물이나 얼음이 포함되어 있거나, 부착되거나 하고 있으면, 투과성이 크게 악화되는 경향이 있다. 이 때문에, 본 실시형태의 커버에는, 상기 수지를 포함하는 층과는 별도로, 예를 들어 물이나 얼음을 제거하기 위한 히터가 포함되어 있어도 되지만, 일반적으로 히터는 금속으로 이루어져 전파 투과성이 낮기 때문에, 가능한 한 전파 투과성에 대한 영향을 작게 하기 위해서 두께가 얇고, 또 선폭이 작은 편이 바람직하다.
상기에 기재된 각 층에는, 필요에 따라, 도장, 프라이머층, 하드 코트층, 발수 처리층 등의 부대층을 부여해도 된다. 이 경우, 부대층이 부여하는 전파 투과율에 대한 영향이 충분히 작은 경우 (예를 들어, 정면 방향의 전파 투과율로 0.1 % 이내의 차) 에는, 당해 부대층을 무시하고 이후에 기재된 커버를 설계할 수 있다. 전파 투과율에 대한 영향이 큰 경우에는, 부대층도 하나의 층으로서 취급하고, 각 층의 유전 특성 등을 고려하여 커버를 설계함으로써, 본 실시형태의 커버를 제조할 수 있다.
커버의 형상은, 특별히 한정되지 않고, 커버가 사용되는 전파를 송수신하는 전자 기기의 형상에 따라 정해져도 되지만, 의장성이나 전자 기기 스페이스의 삭감의 관점에서, 판상인 것이 바람직하다. 본 실시형태의 커버를 사용함으로써 정면 방향, 경사 방향의 전파 투과율을 향상시킬 수 있기 때문에, 전자 기기의 디자인의 자유도가 향상된다.
또, 커버의 사이즈도, 특별히 한정되지 않고, 커버가 사용되는 전파를 송수신하는 전자 기기의 크기에 따라 정해져도 되지만, 전파를 송수신하는 전자 기기의 케이싱에 있어서, 전파가 투과하는 부분을 구성하는 데에 충분한 사이즈인 것이 바람직하다. 특히, 두께는, 전파 투과성 및 기계 강도를 높이는 관점에서, 1 ∼ 20 ㎜ 인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 1 ∼ 10 ㎜, 더욱 바람직하게는 2 ∼ 8 ㎜ 이다.
또, 상기와 같이 커버는 전파를 송수신하는 전자 기기를 보호할 목적으로 사용되기 때문에, 적절한 기계 강도를 갖는 것이 필요하다. 예를 들어, 10 ㎜ 폭으로 가공한 커버가 1 ㎜ 휠 때의 하중 (1 ㎜ 휨시의 하중) 은 0.5 N 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 1.0 N 이상, 더욱 바람직하게는 3.0 N 이상이다.
상기 커버가 1 ㎜ 휠 때의 하중은, 각 층을 구성하는 재료의 굽힘 탄성률, 두께, 각 층의 접합 방법 등에 따라 변화한다. 그 중에서도 커버의 두께가 커지면 현저하게 휨에 필요한 하중이 커지지만, 두께를 크게 하면 일반적으로 전파 투과성이 악화되는 경향이 있다.
또한, 10 ㎜ 폭으로 가공한 커버의 1 ㎜ 휨시의 하중 (N) 은, 구체적으로는, 후술하는 실시예에 기재된 방법으로 측정할 수 있다.
(발포체)
발포체는, 열가소성 수지 또는 열경화성 수지를 포함하는 기재 수지를 포함하고, 임의 선택적으로 난연제 등의 첨가제를 추가로 포함하는 수지 조성물을 발포시킨 것으로 해도 된다.
발포체로는, 예를 들어, 압출 발포체, 사출 발포체, 비드 발포체 (발포 입자로 이루어지는 발포체), 연신 발포체, 용제 추출 발포체 등을 들 수 있고, 각각 후술하는 압출 발포법, 사출 발포법, 비드 발포법, 연신 발포법, 용제 추출 발포법에 의해 제조된 발포체를 가리킨다.
그 중에서도, 부형성이 양호한 점, 미리 부형시킴으로써 발포체의 2 차 가공을 생략할 수 있음과 함께, 절단면이 노출되지 않고, 분진 등의 발생을 저감시킬 수 있는 점, 수지판층과 접착할 때에 발포체의 절단면에 수지 등이 비집고 들어가는 것을 저감시켜, 양호한 외관, 밀착성, 전파 투과성이 얻어지는 점, 독립 기포 구조를 취하기 때문에 기계 강도를 높이기 쉬운 점, 기포경이나 분포의 제어가 용이한 점에서, 비드 발포체인 것이 바람직하다.
기재 수지의 함유량은, 수지 조성물을 100 질량% 로 하여, 바람직하게는 20 질량% 이상이고, 보다 바람직하게는 40 질량% 이상이고, 더욱 바람직하게는 60 질량% 이상이고, 특히 바람직하게는 70 질량% 이상이고, 또, 바람직하게는 100 질량% 이하이고, 보다 바람직하게는 95 질량% 이하이다. 유전율 및 유전 정접을 낮추기 위해서, 기재 수지가 극성이 낮은 수지로 이루어지는 것이 바람직하다.
열가소성 수지로는, 폴리페닐렌에테르계 수지, 폴리스티렌계 수지, 폴리에틸렌계 수지, 폴리아미드계 수지, 폴리프로필렌계 수지, ABS 수지, 염화비닐계 수지, 아크릴계 수지, 메타크릴산메틸 수지, 나일론계 수지, 불소계 수지, 폴리카보네이트계 수지, 폴리우레탄 수지, 폴리에스테르계 수지 등을 들 수 있고, 내열성, 경제성, 발포성의 관점에서는, 폴리페닐렌에테르계 수지, 폴리스티렌계 수지, 폴리에틸렌계 수지, 폴리아미드계 수지, 폴리프로필렌계 수지, 아크릴계 수지, 폴리카보네이트계 수지가 바람직하다.
이들은, 1 종 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
또한, 발포체에 사용되는 기재 수지의 비유전률 및 유전 정접 tanδ 를 낮추는 방법으로는, 미발포 수지의 밀도가 낮은 것, 미발포 수지의 극성이 낮은 것, 분자 사슬 말단 극성기가 적은 것 등을 기재 수지로서 선정하는 것을 들 수 있다. 이 관점에서 특히 바람직한 수지로는, 폴리올레핀계 수지, 폴리스티렌계 수지, 폴리페닐렌에테르계 수지, 폴리이미드계 수지, 불소계 수지, 고분자 액정 수지, 폴리페닐렌술파이드계 수지 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 가공성, 비용, 난연성의 관점도 고려하면, 폴리올레핀계 수지, 폴리스티렌계 수지, 폴리페닐렌에테르계 수지가 바람직하다.
폴리페닐렌에테르 (PPE) 계 수지는, 하기 일반식 (1) 로 나타내는 중합체여도 된다.
여기서, 식 (1) 중, R1, R2, R3 및 R4 는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 할로겐 원자, 알킬기, 알콕시기, 페닐기, 또는 할로겐과 일반식 (1) 중의 벤젠 고리 사이에 적어도 2 개의 탄소 원자를 갖는 할로알킬기 혹은 할로알콕시기이고 제 3α-탄소 원자를 포함하지 않는 것을 나타낸다. 또, 식 (1) 중, n 은, 중합도를 나타내는 정수이다.
[화학식 1]
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폴리페닐렌에테르계 수지의 예로는, 폴리(2,6-디메틸-1,4-페닐렌)에테르, 폴리(2,6-디에틸-1,4-페닐렌)에테르, 폴리(2-메틸-6-에틸-1,4-페닐렌)에테르, 폴리(2-메틸-6-프로필-1,4-페닐렌)에테르, 폴리(2,6-디프로필-1,4-페닐렌)에테르, 폴리(2-에틸-6-프로필-1,4-페닐렌)에테르, 폴리(2,6-디부틸-1,4-페닐렌)에테르, 폴리(2,6-디라우릴-1,4-페닐렌)에테르, 폴리(2,6-디페닐-1,4-디페닐렌)에테르, 폴리(2,6-디메톡시-1,4-페닐렌)에테르, 폴리(2,6-디에톡시-1,4-페닐렌)에테르, 폴리(2-메톡시-6-에톡시-1,4-페닐렌)에테르, 폴리(2-에틸-6-스테아릴옥시-1,4-페닐렌)에테르, 폴리(2,6-디클로로-1,4-페닐렌)에테르, 폴리(2-메틸-6-페닐-1,4-페닐렌)에테르, 폴리(2,6-디벤질-1,4-페닐렌)에테르, 폴리(2-에톡시-1,4-페닐렌)에테르, 폴리(2-클로로-1,4-페닐렌)에테르, 폴리(2,6-디브로모-1,4-페닐렌)에테르 등을 들 수 있지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 이 중에서도 특히, R1 및 R2 가 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기이고, R3 및 R4 가 수소 혹은 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기의 것이 바람직하다.
이들은 1 종 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
본 실시형태에 있어서의 폴리페닐렌에테르계 수지의 함유량은, 기재 수지 100 질량% 에 대하여, 20 ∼ 80 질량% 인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 30 ∼ 70 질량% 이고, 더욱 바람직하게는 35 ∼ 60 질량% 이다. PPE 계 수지의 함유량이 20 질량% 이상인 경우, 우수한 내열성 및 난연성을 얻기 쉬워짐과 함께, 유전율 및 유전 정접을 저감시키기 쉽다. 또, PPE 계 수지의 함유량이 80 질량% 이하인 경우, 우수한 가공성을 얻기 쉬워진다.
폴리페닐렌에테르계 수지의 중량 평균 분자량 (Mw) 으로는, 20,000 ∼ 60,000 인 것이 바람직하다.
또한, 중량 평균 분자량 (Mw) 은, 수지에 대해 겔 퍼미에이션 크로마토그래피 (GPC) 에 의한 측정을 실시하고, 크로마토그램의 피크의 분자량을, 시판되는 표준 폴리스티렌에 대한 측정으로부터 구한 검량선 (표준 폴리스티렌의 피크 분자량을 사용하여 작성) 을 사용하여 구한 중량 평균 분자량을 말한다.
폴리스티렌계 수지란, 스티렌 및 스티렌 유도체의 호모폴리머, 스티렌 및 스티렌 유도체를 주성분 (폴리스티렌계 수지 중에 50 질량% 이상 포함되는 성분) 으로 하는 공중합체를 말한다.
스티렌 유도체로는, o-메틸스티렌, m-메틸스티렌, p-메틸스티렌, t-부틸스티렌, α-메틸스티렌, β-메틸스티렌, 디페닐에틸렌, 클로로스티렌, 브로모스티렌 등을 들 수 있다.
호모폴리머의 폴리스티렌계 수지로는, 예를 들어, 폴리스티렌, 폴리α-메틸스티렌, 폴리클로로스티렌 등을 들 수 있다.
공중합체의 폴리스티렌계 수지로는, 스티렌-부타디엔 공중합체, 스티렌-아크릴로니트릴 공중합체, 스티렌-말레산 공중합체, 스티렌-무수 말레산 공중합체, 스티렌-말레이미드 공중합체, 스티렌-N-페닐말레이미드 공중합체, 스티렌-N-알킬말레이미드 공중합체, 스티렌-N-알킬 치환 페닐말레이미드 공중합체, 스티렌-아크릴산 공중합체, 스티렌-메타크릴산 공중합체, 스티렌-메틸아크릴레이트 공중합체, 스티렌-메틸메타크릴레이트 공중합체, 스티렌-n-알킬아크릴레이트 공중합체, 스티렌-n-알킬메타크릴레이트 공중합체, 에틸비닐벤젠-디비닐벤젠 공중합체 등의 2 원 공중합체 ; ABS, 부타디엔-아크릴로니트릴-α-메틸벤젠 공중합체 등의 3 원 공중합체 ; 스티렌 그래프트 폴리에틸렌, 스티렌 그래프트 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, (스티렌-아크릴산) 그래프트 폴리에틸렌, 스티렌 그래프트 폴리아미드 등의 그래프트 공중합체 ; 등을 들 수 있다.
이들은, 1 종 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
폴리에틸렌계 수지로는, 고밀도 폴리에틸렌, 저밀도 폴리에틸렌, 직사슬형 저밀도 폴리에틸렌, 에틸렌과 α-올레핀의 공중합체, 프로필렌-에틸렌 공중합체 등의 수지를 들 수 있다.
이들은, 1 종 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
또, 이들 폴리에틸렌계 수지는 가교제 등에 의해 적절히 가교 구조를 가지고 있어도 된다.
폴리아미드계 수지로는, 예를 들어, 폴리아미드, 폴리아미드 공중합체, 이들의 혼합물을 들 수 있다. 폴리아미드계 수지에는, 아미노카르복실산의 자기 축합, 락탐의 개환 중합, 디아민과 디카르복실산의 중축합에 의해 얻어지는 중합체를 포함해도 된다.
폴리아미드로는, 디아민과 디카르복실산의 중축합에 의해 얻어지는, 나일론 66, 나일론 610, 나일론 612, 나일론 46, 나일론 1212 등, 락탐의 개환 중합에 의해 얻어지는 나일론 6, 나일론 12 등을 들 수 있다.
폴리아미드 공중합체로는, 예를 들어, 나일론 6/66, 나일론 66/6, 나일론 66/610, 나일론 66/612, 나일론 66/6T (T 는 테레프탈산 성분을 나타낸다), 나일론 66/6I (I 는 이소프탈산 성분을 나타낸다), 나일론 6T/6I 등을 들 수 있다.
이들의 혼합물로는, 예를 들어, 나일론 66 과 나일론 6 의 혼합물, 나일론 66 과 나일론 612 의 혼합물, 나일론 66 과 나일론 610 의 혼합물, 나일론 66 과 나일론 6I 의 혼합물, 나일론 66 과 나일론 6T 의 혼합물 등을 들 수 있다.
이들은, 1 종 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
본 실시형태에 있어서, PPE 계 수지 이외의 상기 열가소성 수지의 함유량은, 발포체의 가공성의 관점에서, 기재 수지 100 질량% 에 대하여, 10 ∼ 100 질량% 인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 20 ∼ 80 질량% 이다.
열경화성 수지로는, 페놀 수지, 에폭시 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 폴리우레탄, 멜라민 수지 등을 들 수 있고, 그 중에서도 페놀 수지, 멜라민 수지가 바람직하다.
이들은, 1 종 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
첨가제로는, 난연제, 난연 보조제, 열안정제, 산화 방지제, 대전 방지제, 무기 충전제, 적하 방지제, 자외선 흡수제, 광 흡수제, 가소제, 이형제, 염안료, 고무 성분, 상기 기재 수지 이외의 수지 등을 들 수 있고, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에서 첨가할 수 있다.
첨가제의 함유량으로는, 기재 수지를 100 질량부로 하여, 바람직하게는 0 ∼ 40 질량부이고, 보다 바람직하게는 5 ∼ 30 질량부이다.
여기서, 난연제로는, 특별히 한정되지 않지만, 유기계 난연제, 무기계 난연제를 들 수 있다.
유기계 난연제로는, 브롬 화합물로 대표되는 할로겐계 화합물, 인계 화합물, 및 실리콘계 화합물로 대표되는 비할로겐계 화합물 등을 들 수 있다.
무기계 난연제로는, 수산화알루미늄, 수산화마그네슘으로 대표되는 금속 수산화물, 삼산화안티몬, 오산화안티몬으로 대표되는 안티몬계 화합물 등을 들 수 있다.
이들은, 1 종 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
상기 난연제 중에서도, 환경성의 관점에서, 유기계 난연제의 비할로겐계 난연제가 바람직하고, 인계의 난연제, 실리콘계의 난연제가 보다 바람직하다.
인계의 난연제에는, 인 또는 인 화합물을 포함하는 것을 사용할 수 있다. 인으로는 적린을 들 수 있다. 또, 인 화합물로서, 인산에스테르, 인 원자와 질소 원자의 결합을 주사슬에 갖는 포스파젠 화합물 등을 들 수 있다.
인산에스테르로는, 예를 들어, 트리메틸포스페이트, 트리에틸포스페이트, 트리프로필포스페이트, 트리부틸포스페이트, 트리펜틸포스페이트, 트리헥실포스페이트, 트리시클로헥실포스페이트, 트리페닐포스페이트, 트리크레실포스페이트, 트리자일레닐포스페이트, 크레실디페닐포스페이트, 디크레실페닐포스페이트, 디메틸에틸포스페이트, 메틸디부틸포스페이트, 에틸디프로필포스페이트, 하이드록시페닐디페닐포스페이트, 레조르시놀비스디페닐포스페이트 등을 들 수 있고, 또, 이들을 각종 치환기로 변성한 타입의 인산에스테르 화합물, 각종 축합 타입의 인산에스테르 화합물도 들 수 있다.
이 중에서도, 내열성, 난연성, 발포성의 관점에서, 트리페닐포스페이트 및 축합 타입의 인산에스테르 화합물이 바람직하다.
이들은, 1 종 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
또, 실리콘계 난연제로는, (모노 또는 폴리)오르가노실록산을 들 수 있다.
(모노 또는 폴리)오르가노실록산으로는, 예를 들어, 디메틸실록산, 페닐메틸실록산 등의 모노오르가노실록산 ; 이들을 중합하여 얻어지는 폴리디메틸실록산, 폴리페닐메틸실록산 ; 이들 공중합체 등의 오르가노폴리실록산 등을 들 수 있다.
오르가노폴리실록산의 경우, 주사슬 및 분기된 측사슬의 결합기는, 수소, 알킬기, 페닐기이고, 바람직하게는 페닐기, 메틸기, 에틸기, 프로필기이지만, 이것에 한정되지 않는다. 말단 결합기는, 수산기, 알콕시기, 알킬기, 페닐기여도 된다. 실리콘류의 형상에도 특별히 제한은 없고, 오일상, 검상, 바니시상, 분체상, 펠릿상 등의 임의의 것을 이용 가능하다.
이들은, 1 종 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
난연제의 함유량으로는, 첨가제의 함유량의 범위 내로 해도 되므로, 기재 수지를 100 질량부로 하여, 바람직하게는 0 ∼ 30 질량부이고, 보다 바람직하게는 5 ∼ 25 질량부이다. 첨가하는 난연제가 많을수록 발포체의 난연성이 향상되는 효과가 얻어지기 쉽지만, 일반적으로 난연제를 첨가하면 유전율 및 유전 정접을 증가시키는 경향이 있다.
또, 고무 성분으로는, 예를 들어, 부타디엔, 이소프렌, 1,3-펜타디엔 등을 들 수 있지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 이들은, 폴리스티렌계 수지로 이루어지는 연속상 중에 입자상으로 분산되어 있는 것이 바람직하다. 이들 고무 성분을 첨가하는 방법으로서, 고무 성분 그 자체를 첨가해도 되고, 스티렌계 엘라스토머 및 스티렌-부타디엔 공중합체 등의 수지를 고무 성분 공급원으로서 사용해도 된다.
고무 성분을 첨가하는 경우, 고무 성분의 함유량은, 첨가제의 함유량의 범위 내로 해도 되므로, 기재 수지를 100 질량부로 하여, 0.3 ∼ 15 질량부가 바람직하고, 0.5 ∼ 8 질량부가 보다 바람직하고, 1 ∼ 5 질량부가 더욱 바람직하다. 0.3 질량부 이상이면, 수지의 유연성, 신장이 우수하고, 발포시에 발포 셀막이 파막되기 어려워, 성형 가공성 및 기계 강도가 우수한 발포체가 얻어지기 쉽다.
본 실시형태에 있어서, 커버의 난연성을 향상시키기 위해서는, 수지 조성물에 난연제를 보다 많이 첨가하는 편이 바람직하지만, 난연제의 첨가량이 증가하면 발포성에 악영향을 미친다. 그러한 경우에 있어서, 수지 조성물에 발포성을 부여시키는 데에 고무 성분은 바람직하게 사용된다. 특히, 상온으로부터 서서히 온도를 올려, 비용융 상태에서 수지를 발포시키는 비드 발포에 있어서, 상기 고무 성분은 중요하다.
(발포체의 제조 방법)
본 실시형태의 발포체의 제조 방법은, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 압출 발포법, 사출 발포법, 비드 발포법 (형내 발포법), 연신 발포법, 용제 추출 발포법 등을 들 수 있다.
압출 발포법은, 압출기를 사용하여 용융 상태의 수지에 유기 또는 무기 발포제를 압입하고, 압출기 출구에서 압력을 개방함으로써, 일정한 단면 형상을 갖는, 판상, 시트상, 또는 기둥상의 발포체를 얻는 방법이다.
사출 발포법은, 발포성을 구비하는 수지를 사출 성형하고, 금형 내에서 발포시킴으로써, 공공을 갖는 발포체를 얻는 방법이다.
비드 발포법 (형내 발포법) 은, 발포 입자를 형 내에 충전하고, 수증기 등으로 가열하여 발포 입자를 팽창시킴과 동시에 발포 입자끼리를 열융착시킴으로써, 발포체를 얻는 방법이다.
연신 발포법은, 미리 필러 등의 첨가제를 수지 중에 혼련시켜 두고, 수지를 연신시킴으로써 마이크로 보이드를 발생시켜 발포체를 만드는 방법이다.
용제 추출 발포법은, 수지 중에 소정의 용제에 용해되는 첨가제를 첨가해 두고, 성형품을 소정의 용제에 담그어 첨가제를 추출시켜 발포체를 만드는 방법이다.
압출 발포의 경우, 얻어지는 발포체는 판상, 시트상 등이 되고, 이것을 가공하기 위해서는 원하는 형상으로 절단하는 타발 공정, 잘라낸 파츠를 첩합하는 열 첩합 공정 등이 필요해진다.
한편, 비드 발포법의 경우, 원하는 형상의 형을 제조하고, 거기에 발포 입자를 충전시켜 성형하기 때문에, 발포체를 보다 미세한 형상이나 복잡한 형상으로 성형하기 쉽다.
사출 발포법의 경우에도, 발포체를 복잡한 형상으로 성형하는 것은 가능하지만, 비드 발포의 경우에는, 발포체의 발포 배율을 높이기 쉽고, 단열성에 더하여 유연성을 발현하기 쉽다.
발포제로는, 특별히 한정되지 않고, 일반적으로 사용되고 있는 가스를 사용할 수 있다.
그 예로서, 공기, 탄산 가스, 질소 가스, 산소 가스, 암모니아 가스, 수소 가스, 아르곤 가스, 헬륨 가스, 네온 가스 등의 무기 가스 ; 트리클로로플루오로메탄 (R11), 디클로로디플루오로메탄 (R12), 클로로디플루오로메탄 (R22), 테트라클로로디플루오로에탄 (R112), 디클로로플루오로에탄 (R141b), 클로로디플루오로에탄 (R142b), 디플루오로에탄 (R152a), HFC-245fa, HFC-236ea, HFC-245ca, HFC-225ca 등의 플루오로카본 ; 프로판, n-부탄, i-부탄, n-펜탄, i-펜탄, 네오펜탄 등의 포화 탄화수소 ; 디메틸에테르, 디에틸에테르, 메틸에틸에테르, 이소프로필에테르, n-부틸에테르, 디이소프로필에테르, 푸란, 푸르푸랄, 2-메틸푸란, 테트라하이드로푸란, 테트라하이드로피란 등의 에테르류 ; 디메틸케톤, 메틸에틸케톤, 디에틸케톤, 메틸n-프로필케톤, 메틸n-부틸케톤, 메틸i-부틸케톤, 메틸n-아밀케톤, 메틸n-헥실케톤, 에틸n-프로필케톤, 에틸n-부틸케톤 등의 케톤류 ; 메탄올, 에탄올, 프로필알코올, i-프로필알코올, 부틸알코올, i-부틸알코올, t-부틸알코올 등의 알코올류 ; 포름산메틸에스테르, 포름산에틸에스테르, 포름산프로필에스테르, 포름산부틸에스테르, 포름산아밀에스테르, 프로피온산메틸에스테르, 프로피온산에틸에스테르 등의 카르복실산에스테르류 ; 염화메틸, 염화에틸 등의 염소화탄화수소류 ; 등을 들 수 있다.
이들은, 1 종 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
난연성의 관점에서, 발포제는 가연성 및 지연성이 없거나 또는 적은 것이 바람직하고, 가스의 안전성의 관점에서, 무기 가스가 보다 바람직하다. 또, 무기 가스는 탄화수소 등의 유기 가스에 비해 수지에 녹기 어렵고, 발포 공정 또는 성형 공정 후에 수지로부터 가스가 빠지기 쉽기 때문에, 성형 후의 발포체의 시간 경과적인 치수 안정성이 보다 우수한 이점도 있다. 또한, 무기 가스를 사용한 경우, 잔존 가스에 의한 수지의 가소화도 일어나기 어렵고, 숙성 등의 공정을 거치지 않고, 보다 빠른 단계에서 우수한 내열성을 발현하기 쉬운 장점도 있다. 무기 가스 중에서도, 수지에 대한 용해성, 취급의 용이함의 관점에서, 탄산 가스가 바람직하다. 또, 탄화수소계의 유기 가스는 일반적으로 가연성이 높고, 발포체 중에 잔존했을 경우에 난연성이 악화되는 경향이 있다.
본 실시형태의 발포체는, 전술한 비드 발포법에 의해 제조되는 것이 바람직하고, 발포 입자로 이루어지는 것이 바람직하다.
비드 발포법을 사용하여 성형을 실시함으로써, 커버의 부형성을 향상시킬 수 있다.
비드 발포법에 사용하는 발포 입자는, 기재 수지에 발포제를 함유 (함침) 시켜, 발포를 발생시킴으로써 얻을 수 있다. 구체적으로는, 예를 들어, 일본 공개특허공보 평4-372630호의 실시예 1 에 기재된 방법에 준하여, 기재 수지 (펠릿상, 비드상 등) 를 내압 용기에 수용하고, 용기 내의 기체를 건조 공기로 치환한 후, 발포제 (가스) 를 압입하여 기재 수지에 발포제 (가스) 를 함침시킨 후, 압력을 개방하여 압력 용기로부터 발포로에 기재 수지 펠릿을 이송하고, 기재 수지 펠릿을 발포로 내에서 교반 날개를 회전시키면서 가압 수증기에 의해 가온하여 발포시킴으로써, 발포 입자를 제조하는 방법을 들 수 있다.
기재 수지에 대해 발포제 (가스) 를 함침시킬 때의 조건은, 특별히 한정되지 않고, 발포제 (가스) 의 기재 수지에 대한 함침을 보다 효율적으로 진행시키는 관점에서, 예를 들어, 함침압 0.3 ∼ 30 ㎫, 함침 온도 -20 ∼ 100 ℃, 함침 시간 10 분 ∼ 96 시간인 것이 바람직하다. 또, 발포로 내의 가압 수증기의 최대 증기압은, 원하는 배율을 얻기 쉬워 외관을 양화 (良化) 시키는 관점에서, 30 ∼ 700 ㎪·G 인 것이 바람직하다.
상기 발포 입자의 제조 방법에 있어서, 내압 용기 내의 방압 (함침압의 개방) 을 완료하고 나서 발포로 내에서 가압 수증기에 의해 가온을 개시할 때까지의 시간은, 600 초 미만인 것이 바람직하고, 300 초 이내인 것이 보다 바람직하고, 120 초 이내인 것이 더욱 바람직하고, 60 초 이내인 것이 특히 바람직하다. 당해 시간이 상기 범위 내이면, 기재 수지에 함침시킨 가스가 불균일하게 확산되는 것을 억제할 수 있기 때문에, 기포경을 균일하게 함과 함께, 기포경의 증대를 방지할 수 있다.
발포 입자를 사용하여 발포체를 성형하는 방법으로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 발포 입자를 성형용 금형의 캐비티 내에 충전하고, 가열함으로써 팽창을 발생시킴과 동시에 발포 입자끼리를 열융착시킨 후, 냉각에 의해 생성물을 고화시켜, 성형하는 방법을 들 수 있다. 발포 입자의 충전 방법은, 특별히 한정되지 않고, 공지된 방법을 사용할 수 있다.
발포 입자를 성형용 금형의 캐비티 내에 충전하기 전에, 발포 입자에 대해 가스에 의한 가압 처리를 실시하는 것이 바람직하다. 발포 입자의 기포에 일정한 가스 압력을 부여함으로써, 얻어지는 발포체를 구성하는 발포 입자끼리를 강고하게 융착시켜, 성형체의 강성 및 외관을 개선할 수 있다. 가압 처리에 사용하는 가스로는, 특별히 한정되지 않지만, 취급 용이성 및 경제성의 관점에서, 공기 및 무기 가스가 바람직하다. 가압 처리의 방법으로는, 특별히 한정되지 않지만, 발포 입자를 가압 용기 내에 충전 후, 가압 가스를 도입하고, 최대 압력 0.1 ∼ 20 ㎫ 까지 10 분 ∼ 96 시간에 걸쳐 승압함으로써, 그 가압 용기 내에 가스를 공급하는 수법 등을 들 수 있다.
발포 입자를 성형할 때의 가열 방법은, 수증기 등의 열매체를 사용한 가열, IR 히터 등의 히터에 의한 가열, 마이크로파를 사용한 가열 등을 들 수 있다. 열매체를 사용한 가열을 실시할 때에는, 범용의 열매체로 해도 되고, 수지를 효율적으로 가열하는 관점에서, 수증기인 것이 바람직하다.
본 실시형태에 있어서 발포체를 목적으로 하는 형상으로 가공하는 방법으로는, 특별히 한정되지 않지만, 발포 입자 또는 용융 수지를 금형에 충전하여 성형하는 방법, 톱날 및 타발날 등의 칼날에 의해 절단하는 방법, 밀에 의해 절삭하는 방법, 복수의 발포체를 열 또는 점착제·접착제에 의해 접착시키는 방법 등을 들 수 있다.
발포체의 발포 배율은, 비유전률이나 유전 정접을 작게 함으로써 복소 굴절률의 크기를 작게 하고, 그에 따라 전파의 투과율을 높이기 쉬워짐과 함께, 전파 투과율의 입사 각도 의존성을 저감시키기 쉬워지는 관점에서, 1.2 (㎤/g) 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 1.5 (㎤/g) 이상, 더욱 바람직하게는 1.7 (㎤/g) 이상이다. 또, 발포체의 발포 배율은, 기계 강도를 향상시키는 관점에서, 30 (㎤/g) 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 15 (㎤/g) 이하, 더욱 바람직하게는 10 (㎤/g) 이하이다.
발포체의 형상, 크기, 두께 등은, 특별히 한정되지 않고, 커버의 형상, 크기, 두께 등에 따라 적절히 정해져도 되지만, 두께는, 전파 투과성을 높이면서, 기계 강도도 확보하는 관점에서, 1 ∼ 20 ㎜ 인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 2 ∼ 10 ㎜, 더욱 바람직하게는 2 ∼ 8 ㎜ 이다.
또한, 발포체의 발포 배율은, 구체적으로는, 후술하는 실시예에 기재된 방법에 의해 구할 수 있다.
(수지판)
수지판을 구성하는 수지로는, 예를 들어, 상기 서술한 열가소성 수지 및 열경화성 수지를 들 수 있지만, 기계 강도, 전파 투과성의 관점에서, 폴리아미드 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리프로필렌 수지, 폴리스티렌 수지, 폴리카보네이트 수지, 변성 폴리페닐렌에테르 수지 등이 바람직하다.
수지판은, 임의 선택적으로 난연제 등의 상기 서술한 첨가제나 유리 섬유, 탄소 섬유 등을 추가로 포함하고 있어도 되지만, 일반적으로 비유전률이나 유전 정접이 높아지는 경향이 있고, 전파의 투과성 향상이나 산란, 굴절 등의 저감을 위해, 상기 첨가제나 유리 섬유, 탄소 섬유는 포함하고 있지 않거나, 함유량이 적은 것이 바람직하다.
수지판의 형상, 크기, 두께 등은, 특별히 한정되지 않고, 커버의 형상, 크기, 두께 등에 따라 적절히 정해져도 되지만, 기계 강도를 높이면서, 전파 투과성을 향상시키는 관점에서, 두께는 0.1 ∼ 5 ㎜ 인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.3 ∼ 3 ㎜ 이다.
수지판의 제조 방법은, 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 사출 성형, 압출 시트 성형, 열롤을 사용하는 시트 성형 등의 공지된 열 프레스 방법 등을 사용할 수 있다.
(커버의 전파 투과율)
본 실시형태의 커버는, 전파 투과율에 관해, 하기 식의 관계를 만족한다.
(100 - 정면 투과율 X) × (100 - 경사 투과율 Y) < 55
(정면 투과율 X (%) : 주파수 f (Hz) 에 있어서의 커버의 입사각 0°에서의 전파 투과율 (%), 경사 투과율 Y (%) : 주파수 f (Hz) 에 있어서의 커버의 입사각 60°에서의 TE 파의 전파 투과율 (%))
상기 식으로 나타내는 값은 55 미만이고, 바람직하게는 50 이하, 보다 바람직하게는 45 이하, 더욱 바람직하게는 40 이하이다. 또한, 투과율은, 원리상, TM 파보다 TE 파쪽이 입사 각도에 대한 의존성이 높고, 또 일반적으로 입사각이 커질수록 TE 파의 전파 투과율이 낮아지는 경향이 있지만, 60°에 있어서의 TE 파의 전파 투과율이 높은 경우에는, 0 ∼ 60°범위에 있어서 입사각의 증가에 수반하는 TE 파의 전파 투과율의 저하를 억제할 수 있는 경향이 있다. 상기 값에 있어서는, (100 - 정면 투과율 X) 로 나타내는 값이 정면 투과율에 크게 의존하고, 또한 (100 - 경사 투과율 Y) 로 나타내는 값이 투과율의 각도 의존성을 반영하기 때문에, 상기 값이 이 범위 내에 있으면, 정면 방향의 투과율이 높고, 또한 입사각 의존성이 작아지는 경향이 있다.
또한, 본원에 있어서, 입사각이란, 주목하는 커버의 전파가 입사하는 측의 표면에 대해, 접평면에 대한 법선 방향과, 전파가 입사하는 방향이 이루는 각도를 가리킨다. 또, 커버의 전파가 입사하는 부분에 대해, 단순한 평판 형상이 아니라 복수의 곡면을 갖는 형상인 경우에는, 미소 구간으로 구획하여 각각의 장소에 대해 전파 투과율을 산출하고, 검토하는 것으로 한다.
또한, 본 실시형태의 커버는, 전파 투과율에 관해, 하기 식의 관계를 만족하는 것이 바람직하다.
|정면 투과율 X - 경사 투과율 Y| < 25
상기 정면 투과율 X 와 경사 투과율 Y 의 차의 절대값 (|정면 투과율 X - 경사 투과율 Y|) 은, 바람직하게는 20 % 미만이고, 보다 바람직하게는 18 % 이하, 더욱 바람직하게는 15 % 이하이다. 투과율은, 원리상, TM 파보다 TE 파쪽이 입사 각도에 대한 의존성이 높기 때문에, TE 파의 전파 투과율인 경사 투과율 Y 와 정면 투과율 X 의 차의 절대값이 상기 범위와 같이 작은 값이면, 전체적으로 입사 각도 의존성이 낮아져, 광범위한 입사각에 대해 높은 전파 투과성을 나타내는 커버가 된다. 또, 일반적으로 입사각이 커질수록 TE 파의 전파 투과율이 낮아지는 경향이 있지만, 60°에 있어서의 TE 파의 전파 투과율이 높은 경우에는 0 ∼ 60°범위에 있어서 입사각의 증가에 수반하는 TE 파의 전파 투과율의 저하를 억제할 수 있는 경향이 있다. 정면 투과율 X 와 경사 투과율 Y 의 차의 절대값이 상기 범위를 초과하면, 0 ∼ 60°범위 내에 있어서 입사각 의존성이 커지는 경향이 있다.
정면 투과율 X 는, 예를 들어, 커버를 구성하는 각 층의 복소 굴절률 및/또는 두께를 조정함으로써 제어할 수 있고, 후술하는, 정면 방향 특성 행렬의 m12 성분의 크기와 m21 성분의 크기의 차나, Λ 의 값의 최소값을 작게 하면 정면 투과율 X 는 커진다. 또, 경사 투과율 Y 는, 예를 들어, 커버를 구성하는 각 층의 복소 굴절률 및/또는 두께, 및 후술하는 특성 행렬에 있어서의 입사각 60°에서의 TE 파의 m11 성분의 크기 (절대값) M11 을 조정함으로써 제어할 수 있고, 복소 굴절률을 작게 하는 것, 층 구성을 조정하는 것, 상기 특성 행렬의 m11 성분의 크기 M11 을 작게 하는 것 등에 의해, 경사 투과율 Y 는 커진다.
본 실시형태의 커버는, 특정한 전파의 주파수에 있어서의 정면 투과율 X 가, 85 % 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 90 % 이상, 더욱 바람직하게는 95 % 이상, 가장 바람직하게는 97 % 이상이다.
또한, 본 명세서에 있어서, 「특정한 전파의 주파수」 란, 전자 기기가 송수신하는 임의의 전파의 주파수를 가리킨다. 일반적으로 고주파수가 될수록 전파의 직진성과 감쇠량이 커짐과 함께, 커버의 전파 투과율의 각도 의존성이 커지기 때문에, 특히 1 ∼ 100 GHz 의 주파수에 있어서, 본 실시형태의 커버가 바람직하다.
또, 특정한 전파의 주파수에 있어서의 경사 투과율 Y 는, 70 % 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 80 % 이상, 더욱 바람직하게는 85 % 이상, 보다 더욱 바람직하게는 90 % 이상이다. 특정한 전파의 주파수에 있어서의 경사 투과율 Y 가 상기 범위이면, 투과율의 각도 의존성이 작아지는 경향이 있고, 광범위한 각도에서 높은 투과율을 유지하기 쉽다. 또, 커버의 전파가 투과하는 부분의 형상이, 판상 뿐만 아니라 곡면이나 모서리부를 갖는 구조여도, 투과율의 각도 의존성이 작기 때문에 형상의 영향을 잘 받지 않게 되어, 커버나 전자 기기의 사이즈, 설계 등의 자유도가 향상된다.
또한, 상기 정면 투과율 X 및 경사 투과율 Y 는, 이미 알려진 방법으로 커버의 전파 감쇠량을 측정하거나, 이미 알려진 방법으로 비유전률이나 유전 특성, 층 구성, 두께 등을 측정하여 얻어진 정보로부터 전파 투과율을 산출하는 방법 (예를 들어, 후술하는 특성 행렬로부터 반사 계수, 투과 계수를 계산하고, 투과율이나 반사율로 변환하는 방법) 등에 의해 얻어지고, 예를 들어, 후술하는 실시예에 기재된 방법에 의해 측정할 수 있다.
본 실시형태의 커버는, 전파 투과성을 높이는 관점, 전파를 수신하는 기기는 반사파의 영향에 의해 그 송신/수신 정밀도가 저하되기 쉽다는 관점에서, 특정한 전파의 주파수에 있어서의 정면 반사율 (입사각 0°에서의 전파 반사율) 이, 10 % 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 5 % 이하, 더욱 바람직하게는 3 % 이하이다.
동일하게, 전파 투과성을 높이는 관점, 전파를 수신하는 기기는 반사파의 영향에 의해 그 송신/수신 정밀도가 저하되기 쉽다는 관점, 광범위한 입사각의 전파에 대한 전파 투과성을 높이는 관점에서, 특정한 전파의 주파수에 있어서의 경사 반사율 (입사각 60°에서의 TE 파의 전파 반사율) 은, 30 % 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 20 % 이하, 더욱 바람직하게는 15 % 이하이다.
또한, 상기 정면 반사율 및 경사 반사율은, 이미 알려진 방법으로 커버의 반사 감쇠량을 측정하거나, 이미 알려진 방법으로 비유전률이나 유전 특성, 층 구성, 두께 등을 측정하여 얻어진 정보로부터 전파 반사율을 산출하는 방법 (예를 들어, 후술하는 특성 행렬로부터 반사 계수, 투과 계수를 계산하고, 투과율이나 반사율로 변환하는 방법) 등에 의해 얻어지고, 예를 들어, 후술하는 실시예에 기재된 방법에 의해 측정할 수 있다.
전파가 커버를 투과할 때, 커버의 인접하는 층간의 계면, 및 커버의 표층과 공기층의 계면 (커버의 표면) 에서 계면 반사가 발생하고, 그 반사파에 의한 간섭이 발생하여 보강되는 상태가 되면, 반사의 영향이 커져, 전파의 투과율이 작아진다. 또, 계면 반사는 그 계면에 있어서의 입사측의 층과 출사측의 층의 복소 굴절률의 크기의 차가 클수록, 커지는 경향이 있다.
예를 들어, 주로 정면 방향으로부터의 전파 (입사각 0°에서 입사한 전파) 에 대해서는, 1 개의 층에 있어서, 층의 두께가 당해 층 중을 투과하는 전파의 1/2 파장의 정수배에 가까우면, 각 계면 (층의 각 면) 에서 발생한 반사파가 서로 없어져, 반사율을 저감시킬 수 있다. 복수의 층으로 이루어지는 적층체인 경우에는, 각 계면에서의 반사파가 전체적으로 상쇄됨으로써, 반사에 의한 간섭이 저감되지만, 일반적으로 커버의 표층과 공기층의 계면이 가장 복소 굴절률의 크기의 차가 커지기 쉽고, 계면 반사가 커지는 경향이 있기 때문에, 특히 표층에서 발생하는 반사파가 상쇄되는 구성으로 하는 것이 바람직하다.
그 때문에, 본 실시형태의 커버는, N 층 (N 은 1 이상의 정수) 으로 이루어지는 단층체 또는 적층체인 것으로 했을 때, 하기 식으로 구해지는 Λ 의 값의 최소값이 0.15 이하인 것이 바람직하다.
Figure pct00007
(di : 제 i 층째의 두께 [m], Ni : 제 i 층째의 복소 굴절률 ni 의 크기, λ0 : 공기 중에 있어서의 전자파의 파장 [m], K : 임의의 정수)
상기 Λ 의 최소값은, 0.15 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.12 이하, 더욱 바람직하게는 0.10 이하이다. Λ 의 최소값이 상기 범위이면, 주로 정면 방향으로부터의 전파 (입사각 0°에서 입사한 전파) 에 대해, 반사파의 상쇄가 커져, 반사파를 저감시킬 수 있기 때문에, 상기 서술한 정면 투과율 X 가 높아, 높은 전파 투과성을 갖는 커버가 된다.
커버가 복수의 층으로 이루어지는 적층체인 경우, 일반적으로 복소 굴절률의 크기가 큰 (비유전률, 유전 정접이 큰) 점착제·접착제로 이루어지는 층을 포함하면 (점착제·접착제 등을 개재하여 다른 층이 첩합되어 적층되어 있다), 전파의 감쇠나 굴절, 인접하는 층과의 복소 굴절률의 크기의 차에 의해 발생하는 계면 반사가 커지는 경향이 있다. 그 때문에, 커버는, 점착제·접착제로 이루어지는 층을 포함하지 않는 (각 층은, 접착제 등을 개재하지 않고 서로 직접 접하여 적층되어 있다) 것이 바람직하다.
커버의 각 층은, 특정한 전파의 주파수에 있어서의 복소 굴절률 ni 의 크기 Ni 가, 1.8 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 1.6 ∼ 1.0, 더욱 바람직하게는 1.5 ∼ 1.0 이다. 커버의 각 층의 복소 굴절률 ni 의 크기 Ni 가 상기 범위이면, 계면 반사를 저감시키기 쉽고, 정면 방향 투과율을 향상시키기 쉬움과 함께, 전파 투과율의 각도 의존성을 저감시키기 쉽고, 또, 인접하는 계면과의 복소 굴절률의 차가 작아지기 쉬움과 함께, 각 층의 두께 di 의 증감에 의한 Λ 의 최소값의 변화가 작아지기 때문에, 각 층의 두께의 설계 마진을 크게 할 수 있고, 제조 안정성이 향상됨과 함께, 전자파의 투과율의 각도 의존성을 작게 할 수 있다.
또, 인접하는 층간 (공기층과 표층의 층간도 포함한다) 의 복소 굴절률의 크기의 차의 최대값이, 0.8 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.6 이하, 더욱 바람직하게는 0.5 이하이다. 인접하는 층간의 복소 굴절률의 크기의 차의 최대값이 상기 범위이면, 인접하는 층간의 계면에 있어서의 계면 반사가 저감되기 때문에, 전파 투과율이 향상되기 쉬워짐과 함께, 전파 투과율의 입사 각도 의존성이 저감된다. 또, 층간이 복수 있는 경우에는, 복소 굴절률의 크기의 차가 최대가 되는 층간 뿐만 아니라, 그 밖의 층간에 대해서도, 그 복소 굴절률의 크기의 차가 작은 편이 바람직하다.
또한, 본 명세서에 있어서, 「인접하는 층」 이란, 커버를 구성하는 층끼리에서 인접하는 층을 의미하고, 커버의 표면에 접하는 공기층도 포함하는 것으로 한다.
커버의 각 층의 복소 굴절률 (제 i 층째의 복소 굴절률 ni) 은 이미 알려진 방법으로 측정할 수 있고, 이하의 식에 따라 비유전률과 유전 정접으로부터 산출할 수 있다. 또, 얻어진 복소 굴절률 ni 로부터 그 크기 Ni 를 산출할 수 있다.
Figure pct00008
(ni : 제 i 층째의 복소 굴절률, j : 허수 단위, εri : 제 i 층째의 복소 비유전률, μri : 제 i 층째의 복소 비투자율, tanδ : 유전 정접, εi' : 비유전률, εi'' : 비유전 손율)
본 실시형태의 커버는, 특정한 전파의 주파수에 있어서, N 층 (N 은 1 이상의 정수) 으로 이루어지는 단층체 또는 적층체인 것으로 했을 때, 특성 매트릭스법에 있어서의 하기 특성 행렬의 식에 있어서, 하기 식으로 나타내는 바와 같이, 정면 방향 (입사각 0°) 에 있어서의 m12 성분의 크기 M12 와, m21 성분의 크기 M21 의 차의 절대값 (|M12 - M21|) 이 0.35 이하인 것이 바람직하다.
|M12 - M21| ≤ 0.35
(M12 : 정면 방향에 있어서의 특성 행렬 m12 성분의 크기, M21 : 정면 방향에 있어서의 특성 행렬 m21 성분의 크기)
상기 값은 바람직하게는 0.35 이하, 보다 바람직하게는 0.30 이하, 더욱 바람직하게는 0.25 이하이다. 이 값의 범위 내에 있으면, 정면 방향의 반사율을 저감시키기 쉬워지기 때문에, 커버의 전파 투과율을 향상시키기 쉬워짐과 함께, 반사파에 의한 전파를 송수신하는 기기의 송신/수신 정밀도의 악화를 억제할 수 있다. 하기 특성 행렬의 각 성분은, 이하 식으로 나타내는 바와 같이, 각 층의 비유전률, 유전 정접, 두께, 및 층 구성 등에 의해 조정할 수 있다.
Figure pct00009
(ω : 각주파수 [rad/s], c : 광속 [m/s], ni : 제 i 층째의 복소 굴절률, di : 제 i 층째의 두께 [m], θi : 제 i 층에 입사하는 전자파의 굴절각 [rad], j : 허수 단위, εri : 제 i 층째의 복소 비유전률, μri : 제 i 층째의 복소 비투자율, n0 : 공기의 굴절률, θ0 : 입사각 [rad])
보다 바람직한 실시형태로는, 적어도 1 층의 발포체로 이루어지는 층을 갖는 것을 들 수 있다. 수지 단층과 같이 비유전률이나 유전 정접이 비교적 높은 재료만으로 이루어지는 경우에는, 각 층의 유전 특성이나 두께를 적절히 설계함으로써 정면 방향의 전파 투과율을 향상시키는 것이 가능하지만, 비유전률이나 유전 정접이 높기 때문에 경사 방향의 전파 투과율은 악화되기 쉽다. 한편, 발포체층을 적어도 1 층 포함함으로써 정면 방향의 전파 투과성을 높이면서, 경사 방향의 전파 투과성도 높일 수 있다.
또, 상기의 보다 바람직한 실시형태인, 적어도 1 층의 발포체층을 갖는 커버는, 적어도 1 층의 발포체를 포함함으로써, 커버 전체적인 평균 굴절률을 낮출 수 있기 때문에, 상기와 같이 정면 방향의 전파 투과율이 높아지도록 설계했을 경우라도, 정면 방향과 경사 방향의 광학적 거리의 차를 저감시킬 수 있기 때문에, 경사 방향의 전파 투과율이 높아지기 쉽다. 보다 구체적인 설계로는, 특정한 전파의 주파수에 있어서, N 층 (N 은 1 이상의 정수) 으로 이루어지는 단층체 또는 적층체인 것으로 했을 때, 특성 매트릭스법에 있어서의 하기 특성 행렬의 식에 있어서, 입사각 60°에 있어서의 TE 파의 m11 성분의 크기 M11 이 0.5 이상인 것이 바람직하다.
Figure pct00010
(ω : 각주파수 [rad/s], c : 광속 [m/s], ni : 제 i 층째의 복소 굴절률, di : 제 i 층째의 두께 [m], θi : 제 i 층에 입사하는 전자파의 굴절각 [rad], j : 허수 단위, εri : 제 i 층째의 복소 비유전률, μri : 제 i 층째의 복소 비투자율, n0 : 공기의 굴절률, θ0 : 입사각 [rad])
상기 특성 행렬식의 각 성분 크기 (절대값) 는, 커버의 전파 투과율, 전파 반사율과 상관되어 있고, 상기 특성 행렬식의 m11 성분의 크기 M11 이, 0.5 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.6 ∼ 1.4, 더욱 바람직하게는 0.65 ∼ 1.3 이다. 상기 특성 행렬의 m11 성분의 크기 M11 이 상기 범위이면, 상기 서술한 경사 투과율 Y 가 높아지기 쉬워지기 때문에, 광범위한 입사각에 대해 높은 전파 투과성을 나타내는 커버가 된다. 특성 행렬의 각 성분은, 이하 식으로 나타내는 바와 같이, 각 층의 비유전률, 유전 정접, 두께, 및 층 구성 등에 의해 조정할 수 있다.
또한, N = 2 이상의 N 층의 적층체로 이루어지는 커버에 있어서, 상기 특성 행렬식의 m11 성분은, 1 층째에서 N 층째로 계산했을 경우와, N 층째에서 1 층째로 계산했을 경우에서 상이한 경우가 있지만, 그 실수부의 수치가 큰 쪽을 사용하는 것으로 한다. 1 층째에서 N 층째로 계산했을 경우의 m11 과, N 층째에서 1 층째로 계산했을 경우의 m11 이 일치하는 경우에는, 1 층째에서 N 층째로 계산했을 경우의 m11 성분의 값을 사용하였다.
또, 여러 가지 입사각에 있어서의 상기 TE 파의 특성 행렬의 성분의 계산값을 사용하여, 이하와 같이 TE 파에 있어서의 투과 계수 t, 반사 계수 r 을 계산하고, 그것으로부터 TE 파의 투과율, 반사율을 계산할 수 있다.
Figure pct00011
r0 : 입사측 공기층의 복소 비유전률, εr0 : 입사측 공기층의 복소 비투자율, θ0 : 입사각 [rad], μrn+1 : 출사측 공기층의 복소 비유전률, εrn+1 : 출사측 공기층의 복소 비투자율, θn+1 : 출사각 [rad])
또, TM 파의 특성 행렬, 투과 계수, 및 반사 계수에 대해서는, 이하 식을 사용하여 특성 행렬, 투과 계수 t, 반사 계수 r 을 계산하고, 그것으로부터 TM 파의 투과율, 반사율을 계산할 수 있다.
Figure pct00012
r0 : 입사측 공기층의 복소 비유전률, εr0 : 입사측 공기층의 복소 비투자율, θ0 : 입사각 [rad], μrn+1 : 출사측 공기층의 복소 비유전률, εrn+1 : 출사측 공기층의 복소 비투자율, θn+1 : 출사각 [rad], ω : 각주파수 [rad/s], c : 광속 [m/s], ni : 제 i 층째의 복소 굴절률, di : 제 i 층째의 두께 [m], θi : 제 i 층에 입사하는 전자파의 굴절각 [rad], j : 허수 단위, εri : 제 i 층째의 복소 비유전률, μri : 제 i 층째의 복소 비투자율, n0 : 공기의 굴절률)
본 실시형태의 커버에 있어서, 적어도 1 층의 밀도는, 0.90 g/㎤ 미만인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.75 g/㎤ 미만, 더욱 바람직하게는 0.50 g/㎤ 미만이다. 적어도 1 층의 밀도가 상기 범위이면, 복소 굴절률 ni 의 크기 Ni 가 작아져, 계면 반사를 저감시킬 수 있음과 함께, 전파 투과율의 입사 각도 의존성이 저감된다. 또, 적어도 1 층의 밀도는, 기계 강도의 관점에서, 0.03 g/㎤ 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.05 g/㎤ 이상, 더욱 바람직하게는 0.10 g/㎤ 이상이다.
또한, 각 층의 밀도는, 구체적으로는, 후술하는 실시예에 기재된 방법에 의해 구할 수 있다.
본 실시형태의 커버의 구성은, 각 층의 복소 굴절률, 밀도, 비유전률, 유전 정접 등을 조정하여, 전파 투과율의 입사 각도 의존성을 작게 하는 관점에서, 밀도 및 비유전률이 높은 수지판 단층인 것보다도, 적어도 1 층의 발포체를 포함하는 것이 바람직하고, 예를 들어 발포체 단층으로 이루어지는 단층체나, 밀도가 상이한 복수의 층으로 이루어지는 적층체, 수지층과 발포체층의 적층체, 혹은 수지층/발포체층/수지층의 샌드위치 구조의 적층체인 것이 바람직하다.
밀도가 상이한 복수의 층으로 이루어지는 적층체로는, 예를 들어, 밀도가 0.90 ㎤/g 미만인 층을 적어도 1 층과, 밀도가 0.90 ㎤/g 이상인 층을 적어도 1 층 포함하는 것을 들 수 있다.
또, 커버가 밀도가 상이한 복수의 층으로 이루어지는 경우, 기계적 강도를 높이는 관점에서, 전파를 송수신하는 전자 기기에 설치했을 때에 외표면을 구성하는 표층이 밀도가 높은 층인 것이 바람직하고, 가장 밀도가 높은 층인 것이 보다 바람직하다. 예를 들어, 상기 서술한 밀도가 0.90 ㎤/g 미만인 층을 적어도 1 층과, 밀도가 0.90 ㎤/g 이상인 층을 적어도 1 층 포함하는 적층체인 경우, 밀도가 0.90 ㎤/g 이상인 층 중 적어도 1 층이, 외표면을 구성하는 표층인 것이 바람직하고, 밀도가 0.90 ㎤/g 이상인 층 중 가장 밀도가 높은 층이 외표면을 구성하는 표층인 것이 보다 바람직하다.
(커버 각 층의 난연성)
본 실시형태의 커버의 각 층은, 특히 발포체인 경우, 일반적으로 공기를 포함하기 때문에 연소되기 쉽고, 커버로서 사용하는 경우에는 특히 난연성이 중요하다. 그 때문에, 커버의 각 층은, 두께를 발포체층의 경우에는 5.0 ㎜, 수지층의 경우에는 1.0 ㎜ 로 하여, UL94 수직 연소 시험에 기초하여 측정한 난연 레벨이, V-2 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 V-1 이상, 더욱 바람직하게는 V-0 이다.
각 층의 난연성은, 제조시에 수지의 종류나 수지와 함께 사용하는 난연제의 종류 및 함유량 등을 조정함으로써 변화시킬 수 있다. 커버가 높은 난연성을 구비함으로써, 만일 전파를 송수신하는 전자 기기에 있어서 단락 (쇼트) 이나 폭발 등에 의해 연소가 발생했다고 해도, 연소의 확산을 억제할 수 있다.
또한, UL94 규격에 의한 단열층의 난연성은, 구체적으로는 실시예에 기재된 방법에 의해 측정할 수 있다.
(커버 각 층의 비유전률 및 유전 정접 tanδ)
본 실시형태의 커버의 각 층은, 본 실시형태의 발포체에 있어서, 특정한 전파의 주파수에 있어서의 비유전률이, 1.00 ∼ 3.00 인 것이 바람직하고, 1.00 ∼ 2.50 인 것이 보다 바람직하고, 1.00 ∼ 2.00 인 것이 더욱 바람직하다.
또, 본 실시형태의 커버의 각 층은, 특정한 전파의 주파수에 있어서의 유전 정접 tanδ 가, 0.05 이하인 것이 바람직하고, 0.01 이하인 것이 보다 바람직하고, 0.005 이하인 것이 더욱 바람직하다.
커버의 각 층에 사용되는 기재 수지의 비유전률 및 유전 정접 tanδ 를 낮추는 방법으로는, 미발포 수지의 밀도가 낮은 것, 미발포 수지의 극성이 낮은 것, 분자 사슬 말단 극성기가 적은 것 등을 기재 수지로서 선정하는 것을 들 수 있다. 이 관점에서 특히 바람직한 수지로는, 폴리올레핀계 수지, 폴리스티렌계 수지, 폴리페닐렌에테르계 수지, 폴리이미드계 수지, 불소계 수지, 고분자 액정 수지, 폴리페닐렌술파이드계 수지 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 가공성, 비용, 난연성의 관점도 고려하면, 폴리올레핀계 수지, 폴리스티렌계 수지, 폴리페닐렌에테르계 수지가 바람직하다.
또한, 비유전률 및 유전 정접 tanδ 는, 구체적으로는 실시예에 기재된 방법에 의해 측정할 수 있다.
(발포체층의 기포경)
본 실시형태의 커버는, 발포체층을 포함하는 경우, 각 발포체층의 10 체적% 이상에 있어서, 발포체가 발포 입자로 이루어지는 발포체 이외의 발포체인 경우에는, 발포체의 표면과 접해 있는 기포의 직경의 평균값 A 에 대한, 발포체의 표면으로부터 두께 방향으로 20 ∼ 80 % 의 범위에 포함되는 기포의 직경의 평균값 B 의 비율 (B/A) 이, 0.3 이상 3.0 미만인 것이 바람직하다.
또, 각 발포체층의 10 체적% 이상에 있어서, 발포체가 발포 입자로 이루어지는 발포체인 경우에는, 발포체의 표면으로부터 두께 방향으로 10 ∼ 90 % 의 범위에 포함되는 발포 입자에 대해, 발포 입자의 표면과 접해 있는 기포의 직경의 평균값 A' 에 대한, 발포 입자의 표면으로부터 직경 방향으로 20 ∼ 80 % 의 범위에 포함되는 기포의 직경의 평균값 B' 의 비율 (B'/A') 이 0.3 이상 3.0 미만인 것이 바람직하다.
상기 기포경의 관계를 만족하는 부분의 체적 비율은, 바람직하게는 각 발포체층의 10 체적% 이상이고, 보다 바람직하게는 각 발포체층의 20 체적% 이상이고, 더욱 바람직하게는 각 발포체층의 25 체적% 이상이다. 체적 비율이 상기 범위이면, 전파를 송수신하는 전자 기기에 커버를 설치했을 때, 상기 기포경의 관계를 만족하는 부분이, 전파가 투과하는 부분을 충분히 구성할 수 있다.
((발포체 중의 기포의 표층 기포경 및 중앙부 기포경))
본 명세서에 있어서, 「발포체의 표면과 접해 있는 기포」 (표층 기포) 란, 발포체를 두께 방향으로 절단한 단면을 관찰했을 때, 발포체 중에 그 전체가 포함되는 기포 중, 기포의 윤곽선의 일부가, 발포체의 표면을 나타내는 선과 일치하는 기포를 가리킨다.
또, 본 명세서에 있어서, 「발포체의 표면으로부터 두께 방향으로 20 ∼ 80 % 의 범위에 포함되는 기포」 (중앙부 기포) 란, 발포체를 두께 방향으로 절단한 단면을 관찰했을 때, 발포체 중에 그 전체가 포함되는 기포 중, 발포체의 두께를 100 % 로 하여 발포체의 표면으로부터 20 ∼ 80 % 의 두께의 범위 내에 그 적어도 일부가 포함되고, 또한, 발포체의 표면과 접하지 않는 (표층 기포가 아닌) 기포를 가리킨다.
또한, 기포경의 측정은, 발포체를 두께 방향으로 절단한 단면을 주사 전자 현미경 (SEM) 을 사용하여 관찰했을 때, 기포의 윤곽선 상의 2 점을 연결하는 선분의 길이 중, 가장 긴 선분을 그 기포의 직경으로서 측정한다.
표층 기포경의 평균값 A 는, 적어도 15 개의 표층 기포의 직경을 측정하고, 그 측정값을 평균한 값으로 한다. 또, 중앙부 기포경의 평균값 B 는, 적어도 30 개의 중앙부 기포의 직경을 측정하고, 그 측정값을 평균한 값으로 한다.
표층 기포경 및 중앙부 기포경은, 구체적으로는 실시예에 기재된 방법에 의해 측정할 수 있다.
본 실시형태의 발포체는, 발포 입자로 이루어지는 발포체 (비드 발포체) 이외의 발포체 (예를 들어, 압출 발포체, 사출 발포체, 연신 발포체, 용제 추출 발포체 등) 인 경우에, 표층 기포경의 평균값 A 에 대한 중앙부 기포경의 평균값 B 의 비율 (B/A) 이, 0.3 이상 3.0 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.5 이상 2.0 미만이고, 더욱 바람직하게는 0.6 ∼ 1.8 이다. B/A 가 상기 범위인 발포체는, 발포성이 균일하기 때문에 유전율의 균일성이 우수하고, 전파의 굴절이나 산란을 저감시킬 수 있다.
((발포 입자 중의 기포의 최외층 기포경 및 중심 기포경))
본 명세서에 있어서, 「발포 입자의 표면과 접해 있는 기포」 (최외층 기포) 란, 발포 입자로 이루어지는 발포체를 두께 방향으로 절단한 단면을 관찰했을 때, 발포 입자의 표면을 나타내는 선 (발포 입자의 윤곽선) 으로 둘러싸이는 각 발포 입자 전체가 발포체의 표면으로부터 두께 방향으로 10 ∼ 90 % 의 범위에 포함되는 발포 입자에 대해, 각 발포 입자 중에 그 전체가 포함되는 기포 중, 기포의 윤곽선의 일부가, 발포 입자의 표면을 나타내는 선 (발포 입자의 윤곽선) 과 일치하는 기포를 가리킨다.
또, 본 명세서에 있어서, 「발포 입자의 표면으로부터 직경 방향으로 20 ∼ 80 % 의 범위에 포함되는 기포」 (중심 기포) 란, 발포 입자로 이루어지는 발포체를 두께 방향으로 절단한 단면을 관찰했을 때, 발포 입자의 표면을 나타내는 선 (발포 입자의 윤곽선) 으로 둘러싸이는 각 발포 입자 전체가 발포체의 표면으로부터 두께 방향으로 10 ∼ 90 % 의 범위에 포함되는 발포 입자에 대해, 각 발포 입자 중에 그 전체가 포함되는 기포 중, 발포 입자의 직경을 100 % 로 하여 발포 입자의 표면으로부터 20 ∼ 80 % 의 직경의 범위 내에 그 적어도 일부가 포함되고, 또한, 발포 입자의 표면과 접하지 않은 (최외층 기포가 아닌) 기포를 가리킨다.
또한, 발포 입자로 이루어지는 발포체란, 발포체에 있어서의 발포 입자 (예비 발포 입자 유래의 것) 가 50 질량% 이상인 것으로 한다.
발포 입자로 이루어지는 발포체는, 발포 입자 중에 존재하는 기포 이외는 중실 (中室) 이고, 발포 입자간에 공간 (기포) 은 발생하지 않는 것으로 해도 된다.
기포경의 측정은, 발포체를 두께 방향으로 절단한 단면을 주사 전자 현미경 (SEM) 을 사용하여 관찰했을 때, 단면 화상으로부터 선명하게 전체를 관찰 가능한 기포만을 대상으로 하고, 기포의 윤곽선 상의 2 점을 연결하는 선분의 길이 중, 가장 긴 선분을 그 기포의 직경으로서 측정한다.
최외층 기포경의 평균값 A' 는, 적어도 15 개의 표층 기포의 직경을 측정하고, 그 측정값을 평균한 값으로 한다. 또, 중심 기포경의 평균값 B' 는, 적어도 30 개의 중앙부 기포의 직경을 측정하고, 그 측정값을 평균한 값으로 한다.
최외층 기포경 및 중심 기포경은, 구체적으로는 실시예에 기재된 방법에 의해 측정할 수 있다.
본 실시형태의 발포체는, 발포 입자로 이루어지는 발포체인 경우에, 최외층 기포경의 평균값 A' 에 대한 중심 기포경의 평균값 B' 의 비율 (B'/A') 이, 0.3 이상 3.0 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.5 이상 2.0 미만이고, 더욱 바람직하게는 0.6 ∼ 1.8 이다. B'/A' 가 상기 범위인 발포체는, 발포성이 균일하기 때문에 발포체 내부의 유전율의 균일성이 우수하고, 전파의 굴절이나 산란을 저감시킬 수 있다.
또, 본 실시형태의 발포체는, 발포 입자로 이루어지는 발포체인 경우에, 표층 기포경의 평균값 A 에 대한 중심 기포경의 평균값 B' 의 비율 (B'/A) 이, 0.3 이상 3.0 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.5 이상 2.0 미만이고, 더욱 바람직하게는 0.6 ∼ 1.8 이다. B'/A 가 상기 범위인 발포체는, 발포성이 균일하기 때문에 발포체 표면 부근에 있어서의 유전율의 균일성이 우수하고, 전파의 굴절이나 산란을 저감시킬 수 있다.
((발포체 중의 기포의 최대 기포경))
본 실시형태의 커버는, 발포체층을 포함하는 경우, 각 발포체층의 10 체적% 이상에 있어서, 발포체 중의 기포의 최대 기포경이 1.500 ㎜ 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 1.300 ㎜ 이하이고, 더욱 바람직하게는 1.000 ㎜ 이하이고, 보다 더욱 바람직하게는 0.800 ㎜ 이하이고, 특히 바람직하게는 0.500 ㎜ 이하이다. 고주파수대에서는, 파장에 가까운 크기의 구조체가 존재하면 전파의 산란이 발생하지만, 최대 기포경이 1.500 ㎜ 이하이면, 발포체에 포함되는 기포의 직경이 작기 때문에, 고주파수대에 있어서도 전파의 산란을 저감시킬 수 있다. 특히, 전파의 파장에 대해 최대 기포경이 작을수록 전파의 산란이 일어나기 어려워진다.
상기 관점에서, 특정한 전파의 주파수에 있어서의 발포체의 최대 기포경/파장은, 0.15 미만인 것이 바람직하고, 0.12 이하인 것이 보다 바람직하고, 0.10 이하인 것이 더욱 바람직하다.
본 명세서에 있어서, 발포체 중의 기포의 「최대 기포경」 이란, 비드 발포체 이외의 발포체에 대해서는, 전술한 발포체의 표층 기포경 및 중앙부 기포경의 모든 측정값 중, 가장 큰 값으로 한다. 또, 비드 발포체에 대해서는, 전술한 발포체의 표층 기포경, 발포 입자의 최외층 기포경, 및 중심 기포경의 모든 측정값 중, 가장 큰 값으로 한다.
최대 기포경은, 구체적으로는 실시예에 기재된 방법에 의해 측정할 수 있다.
발포체의 최대 기포경을 상기 범위로 제어하는 방법으로는, 예를 들어, 비드 발포체의 경우, 전술한 바와 같이 기재 수지에 대한 가스의 함침압의 개방 완료로부터 가온 (발포) 개시까지의 시간을 단축하는 것을 들 수 있고, 이로써 발포할 때의 가온 개시시에 있어서의 발포 입자 중의 가스의 함침 불균일을 저감시켜, 발포체의 기포경을 균일하게 함과 함께, 기포경의 증대를 방지할 수 있다. 또, 일반적으로, 발포체의 최대 기포경을 저감시키는 방법으로는, 예를 들어, 발포 공정에 있어서의 기재 수지 중의 발포제의 농도를 높이는 것, 발포제가 기체인 경우에는 함침 공정에 있어서 기재 수지에 함침시키는 기체의 압력을 높이거나 온도를 낮추거나 하는 것, 발포 공정에 있어서의 발포 온도를 조정하는 것, 기재 수지의 표면 장력을 조정하는 것, 기재 수지의 유리 전이 온도를 조정하는 것 등을 들 수 있다.
상기 최대 기포경이 1.500 ㎜ 이하인 부분의 체적 비율은, 바람직하게는 각 발포체층의 10 체적% 이상이고, 보다 바람직하게는 각 발포체층의 20 체적% 이상이고, 더욱 바람직하게는 각 발포체층의 25 체적% 이상이다. 체적 비율이 상기 범위이면, 전파를 송수신하는 전자 기기에 커버를 설치했을 때, 상기 최대 기포경이 1.500 ㎜ 이하인 부분이, 전파가 투과하는 부분을 충분히 구성할 수 있다.
[전파를 송수신하는 전자 기기]
본 실시형태의 전파를 송수신하는 전자 기기는, 상기 서술한 본 실시형태의 커버를 포함하는 것을 특징으로 한다. 전파를 송수신하는 전자 기기에 있어서, 본 실시형태의 커버는, 장치 내부의 기기 (안테나나 제어 기판 등) 를 수용 및 보호하는 케이싱을 구성하는 부재로서 사용된다.
본 실시형태의 커버를 구비함으로써, 통신 품질이 높고, 통신 범위가 넓은 전자 기기가 된다.
실시예
이하, 실시예에 의해 본 발명을 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명은 하기의 실시예에 전혀 한정되는 것은 아니다.
실시예 및 비교예에서 사용한 평가 방법에 대해 이하에 설명한다.
(1) 각 층의 밀도
실시예 및 비교예에서 얻어진 커버의 각 층의 제조 방법을 참고로 하여, 가로세로 30 ㎜, 10 ㎜ 두께를 기준으로 각 층의 샘플을 제조하고, 당해 샘플의 질량 W [g] 를 측정하고, 샘플 체적 V [㎤] 로 나누어 밀도 (g/㎤) 를 산출하였다.
또한, 상기 잘라내기가 어려운 경우에는 각 실시예 및 각 비교예와 동일한 재료를 준비하여 샘플 질량을 측정하고, 수몰법에 의해 체적을 측정하고, 각각의 값을 사용하여 밀도를 산출해도 된다.
(2) 각 층의 비유전률 및 유전 정접 tanδ
실시예 및 비교예에서 얻어진 커버의 각 층으로부터 450 ㎜ × 450 ㎜ × 10 ㎜ 두께의 샘플을 잘라내어, 준비하였다.
계속해서, KEYCOM 사 제조 주파수 변화법 유전율·유전 정접 측정 장치 DPS10-02 의 유전체 렌즈가 부착된 투과 감쇠 측정 지그에 상기 샘플을 세트하고, 실온 (온도 26 ℃, 습도 60 %) 의 조건에 있어서, 투과 감쇠량과 위상 변화량을 측정하였다. 얻어진 결과와 샘플의 두께를 기초로, 투과 감쇠량과 위상 변화량의 계산값과 실측값의 피팅을 실시하고, 가장 잘 피팅되었을 때의 비유전률, 유전 정접을 구하고, 비유전률, 유전 정접의 측정값으로 하였다.
(3) 각 층의 복소 굴절률 ni 와 그 크기 Ni
실시예 및 비교예에서 얻어진 커버에 대해, 하기 식에 따라, 상기 「(2) 각 층의 비유전률 및 유전 정접 tanδ」 에서 얻어진 비유전률 및 유전 정접으로부터 각 층의 복소 굴절률 ni 를 산출하였다. 또, 얻어진 복소 굴절률 ni 로부터, 그 크기 Ni 를 산출하였다.
Figure pct00013
(ni : 제 i 층째의 복소 굴절률, j : 허수 단위, εri : 제 i 층째의 복소 비유전률, μri : 제 i 층째의 복소 비투자율, tanδ : 유전 정접, εi' : 비유전률, εi'' : 비유전 손율)
(4) 각 층의 난연성
실시예 및 비교예에서 얻어진 커버의 각 층에 대해, 미국 UL 규격의 UL-94 수직법 (20 ㎜ 수직 연소 시험) 에 준거한 시험을 실시하여, 난연성의 평가를 실시하였다.
이하에 측정 방법의 상세를 나타낸다.
각 층으로부터, 길이 : 125 ㎜, 폭 : 13 ㎜, 두께 : 발포체층은 5.0 ㎜, 수지층은 두께 1.0 ㎜ 의 시험편을 5 개 준비하여 사용하였다. 시험편을 클램프에 수직으로 장착하고, 20 ㎜ 염에 의한 10 초간 접염을 2 회 실시하고, 그 연소 거동에 의해 V-0, V-1, V-2 의 판정을 실시하였다.
V-0 : 1 회째, 2 회째 모두 유염 연소 지속 시간은 10 초 이내, 또한 2 회째의 유염 연소 지속 시간과 무염 연소 시간의 합계가 30 초 이내, 또한 5 개의 시험편의 유염 연소 시간의 합계가 50 초 이내, 고정용 클램프의 위치까지 연소되는 시료가 없고, 연소 낙하물에 의한 면 착화 없음.
V-1 : 1 회째, 2 회째 모두 유염 연소 지속 시간은 30 초 이내, 또한 2 회째의 유염 연소 지속 시간과 무염 연소 시간의 합계가 60 초 이내, 또한 5 개의 시험편의 유염 연소 시간의 합계가 250 초 이내, 고정용 클램프의 위치까지 연소되는 시료가 없고, 연소 낙하물에 의한 면 착화 없음.
V-2 : 1 회째, 2 회째 모두 유염 연소 지속 시간은 30 초 이내, 또한 2 회째의 유염 연소 지속 시간과 무염 연소 시간의 합계가 60 초 이내, 또한 5 개의 시험편의 유염 연소 시간의 합계가 250 초 이내, 고정용 클램프의 위치까지 연소되는 시료가 없고, 연소 낙하물에 의한 면 착화 있음.
또한, 상기 V-0, V-1, V-2 중 어느 것에도 해당하지 않는 것은 부적합 (×) 으로 하였다.
(5) 발포체층의 발포 배율
실시예 및 비교예에 기재된 방법을 참고로 하여, 가로세로 30 ㎜, 10 ㎜ 두께를 기준으로 발포체를 제조하고, 당해 샘플의 질량 W [g] 를 측정하고, 샘플 체적 V [㎤] 를 질량 W 로 나눈 값 (V/W) 을 발포 배율 (㎤/g) 로 하였다.
또한, 상기 잘라내기가 어려운 경우에는 각 실시예 및 각 비교예와 동일한 재료를 준비하여 샘플 질량을 측정하고, 수몰법에 의해 체적을 측정하고, 각각의 값을 사용하여 발포 배율을 산출해도 된다.
(6) 발포체의 최대 기포경, 표층 기포경의 평균값 A, 및 중앙부 기포경의 평균값 B, 발포 입자의 최외층 기포경의 평균값 A' 및 중심 기포경의 평균값 B'
실시예 및 비교예에서 얻어진 발포체를 두께 방향으로 절단하고, 그 단면을 키엔스사 제조 3D 리얼 서페이스뷰 현미경 VE-9800 을 사용하여 배율 30 ∼ 400 배의 범위에서 관찰하여, 후술하는 발포체의 최대 기포경, 표층 기포경의 평균값 A 및 중앙부 기포경의 평균값 B, 비드 발포체 중의 발포 입자의 최외층 기포경의 평균값 A' 및 중심 기포경의 평균값 B' 를 구하였다. 얻어진 각 값으로부터, 비드 발포체 이외의 발포체에 대해서는 B/A 를, 비드 발포체에 대해서는 B'/A', B'/A 를 산출하였다.
또한, 기포경을 측정할 때에는, 단면 화상으로부터 선명하게 전체를 관찰 가능한 기포만을 측정 대상으로 하고, 기포의 윤곽선 상의 2 점을 연결하는 선분의 길이 중, 가장 긴 선분을 그 기포의 직경으로서 측정하였다. 또, 1 개의 단면 화상 내에 하기의 규정의 개수 이상의 기포가 존재하지 않는 경우에는, 규정의 개수 이상이 될 때까지 단면 화상을 추가하여, 측정을 실시하였다.
(6-1) 발포체의 최대 기포경
발포체의 최대 기포경 (㎛) 은, 비드 발포체 이외의 발포체에 대해서는, 하기의 발포체의 표층 기포경 및 중앙부 기포경의 모든 측정값 중, 가장 큰 값으로 하였다. 또, 비드 발포체에 대해서는, 하기의 발포체의 표층 기포경, 발포 입자의 최외층 기포경, 및 중심 기포경의 모든 측정값 중, 가장 큰 값으로 하였다.
(6-2) 발포체의 표층 기포경의 평균값 A
발포체의 표층 기포경이란, 단면 화상에 있어서 발포체를 두께 방향으로 절단한 단면을 관찰했을 때, 발포체 중에 그 전체가 포함되는 기포 중, 기포의 윤곽선의 일부가, 발포체의 표면을 나타내는 선과 일치하는 기포를 가리킨다. 이 발포체의 표층 기포경을 15 개 이상 측정하고, 그 측정값을 평균하여 평균값 A (㎛) 로 하였다.
(6-3) 발포체의 중앙부 기포경의 평균값 B
발포체의 중앙부 기포경이란, 단면 화상에 있어서 발포체를 두께 방향으로 절단한 단면을 관찰했을 때, 발포체 중에 그 전체가 포함되는 기포 중, 발포체의 두께를 100 % 로 하여 발포체의 표면으로부터 20 ∼ 80 % 의 두께의 범위 내에 그 적어도 일부가 포함되고, 또한, 발포체의 표면과 접하지 않은 (표층 기포가 아닌) 기포를 가리킨다. 이 발포체의 중앙부 기포경을 30 개 이상 측정하고, 그 측정값을 평균하여 평균값 B (㎛) 로 하였다.
(6-4) 발포 입자의 최외층 기포경의 평균값 A'
발포 입자로 이루어지는 발포체에 있어서의 발포 입자의 최외층 기포경이란, 단면 화상에 있어서 발포체를 두께 방향으로 절단한 단면을 관찰했을 때, 발포 입자의 표면을 나타내는 선 (발포 입자의 윤곽선) 으로 둘러싸이는 각 발포 입자 전체가 발포체의 표면으로부터 두께 방향으로 10 ∼ 90 % 의 범위에 포함되는 발포 입자에 대해, 기포의 윤곽선의 일부가, 발포 입자의 표면을 나타내는 선 (발포 입자의 윤곽선) 과 일치하는 기포를 가리킨다. 이 발포 입자로 이루어지는 발포체에 있어서의 발포 입자의 최외층 기포경을 15 개 이상 측정하고, 그 측정값을 평균하여 평균값 A' (㎛) 로 하였다.
(6-5) 발포 입자의 중심 기포경의 평균값 B'
발포 입자로 이루어지는 발포체에 있어서의 발포 입자의 중심 기포경이란, 단면 화상에 있어서 발포체를 두께 방향으로 절단한 단면을 관찰했을 때, 발포 입자의 표면을 나타내는 선 (발포 입자의 윤곽선) 으로 둘러싸이는 각 발포 입자 전체가 발포체의 표면으로부터 두께 방향으로 10 ∼ 90 % 의 범위에 포함되는 발포 입자에 대해, 발포 입자의 직경을 100 % 로 하여 발포 입자의 표면으로부터 20 ∼ 80 % 의 직경의 범위 내에 그 적어도 일부가 포함되고, 또한, 발포 입자의 표면과 접하지 않은 (최외층 기포가 아닌) 기포를 가리킨다. 이 발포 입자로 이루어지는 발포체에 있어서의 발포 입자의 중심 기포경을 30 개 이상 측정하고, 그 측정값을 평균하여 평균값 B' (㎛) 로 하였다.
(7) 커버의 전파 투과율
실시예 및 비교예에서 얻어진 커버에 대해, 28 GHz 에 있어서의 정면 투과율 X (입사각 0°), 입사각 60°에서의 TE 파의 경사 투과율 Y 를, 이하의 방법에 따라 측정하였다.
먼저, 커버로부터 200 ㎜ × 200 ㎜ × 각 두께의 사이즈로 샘플을 준비하였다. 계속해서, KEYCOM 사 제조 주파수 변화법 유전율·유전 정접 측정 장치 DPS10-02 의 유전체 렌즈가 부착된 투과 감쇠 측정 지그에 상기 샘플을 세트하고, 실온 (온도 26 ℃, 습도 60 %) 의 조건에 있어서, 투과 감쇠량을 측정하였다. 투과 감쇠량 (dB) 의 측정 결과로부터 정면 전파 투과율 X (%) 를 환산하였다. 또, TE 파의 경사 투과율 Y (%) 에 대해서는, 입사각이 60°가 되도록 샘플을 회전시켜 설치한 후에, 동일한 방법으로 측정을 실시하였다. 입사각 60°에서의 TM 파의 경사 투과율 (%) 도, 상기 방법을 참고로, 측정시의 편파 방향을 조정함으로써 측정하였다.
또한, 실시예 1 ∼ 28 및 비교예 1 ∼ 4 에 대해서는, 상기와 같이 주파수 28 GHz 로 측정하고, 실시예 31 ∼ 44 및 비교예 11 ∼ 14 에 대해서는, 각각 표 2 에 기재된 주파수로 측정하였다. 주파수가 28 GHz 가 아닌 경우에는, 상기 방법을 참고로, 샘플 사이즈를 조정하여 측정하였다.
또, 실시예 3, 10, 11, 13, 21, 27, 28, 비교예 1 에 대해서는, 입사각 30°, 45°에서의 TE 파의 경사 투과율, 입사각 30°, 45°, 60°에서의 TM 파의 경사 투과율에 대해서도, 입사각이 지정된 값이 되도록 샘플을 회전시켜 설치하고, 상기 방법과 동일하게 하여 측정하였다.
또, 일부에 대해서는, 실측값과 계산값에서 괴리가 없는 것을 확인한 후에, 상기 특성 행렬의 각 성분으로부터 반사 계수, 투과 계수를 계산하고, 투과율을 산출하였다.
(8) 커버의 전파 반사율
실시예 및 비교예에서 얻어진 커버에 대해, 정면 반사율 (입사각 0°), 입사각 60°에서의 TE 파의 경사 반사율을, 상기 「(7) 커버의 전파 투과율」 의 측정 방법을 참고로, 반사 감쇠량을 측정함으로써 산출하였다.
또한, 실시예 1 ∼ 28 및 비교예 1 ∼ 4 에 대해서는, 주파수 28 GHz 로 측정하고, 실시예 31 ∼ 44 및 비교예 11 ∼ 14 에 대해서는, 각각 표 2 에 기재된 주파수로 측정하였다.
또, 일부에 대해서는, 실측값과 계산값에서 괴리가 없는 것을 확인한 후에, 상기 특성 행렬의 각 성분으로부터 반사 계수, 투과 계수를 계산하고, 반사율을 산출하였다.
(9) 커버의 1 ㎜ 휨시의 하중
실시예 6, 10, 11, 13, 21, 27, 비교예 1 에서 얻어진 커버에 대해, 1 ㎜ 휨시의 하중 (N) 을 이하와 같이 측정하였다.
먼저, 상기 실시예 및 비교예에서 얻어진 커버로부터 폭 10 ㎜ × 길이 100 ㎜ × 각 두께의 샘플을 잘라내었다. 계속해서, 오토그래프 (시마즈 제작소사 제조, AG-X plus 시리즈 AG-50kNPlus) 를 사용하여, 스팬 64 ㎜, 하중 속도 10 ㎜/분의 조건으로, 샘플에 대해 3 점 굽힘 시험을 실시하였다. 초기의 상태로부터 샘플이 1 ㎜ 휘었을 때의 하중을 측정하고, 커버의 1 ㎜ 휨시의 하중으로 하였다.
(10) 특성 행렬의 식에 있어서의 정면 방향 (입사각 0°) 의 m12 성분의 크기 M12 와 m21 성분의 크기 M21 의 차의 절대값 (|M12 - M21|)
실시예 및 비교예에서 얻어진 커버에 대해, 각 측정값에 기초하여, 하기 특성 행렬의 식에 있어서, 정면 방향 (입사각 0°) 에 있어서의 m12 성분의 크기 M12 와, m21 성분의 크기 M21 의 차의 절대값 (|M12 - M21|) 을 구하였다.
또한, N = 2 이상의 N 층의 적층체로 이루어지는 커버에 있어서, 1 층째에서 N 층째로 계산했을 경우의 m12 성분, m21 성분의 값을 사용하였다.
Figure pct00014
(ω : 각주파수 [rad/s], c : 광속 [m/s], ni : 제 i 층째의 복소 굴절률, di : 제 i 층째의 두께 [m], θi : 제 i 층에 입사하는 전자파의 굴절각 [rad], j : 허수 단위, εri : 제 i 층째의 복소 비유전률, μri : 제 i 층째의 복소 비투자율, n0 : 공기의 굴절률, θ0 : 입사각 [rad])
또한, 본 실시예에 있어서는 자성체를 사용하고 있지 않기 때문에, 상기 각 층의 비투자율은 1.0 으로 하였다. 또, 각 층의 복소 굴절률은, 상기 「(3) 각 층의 복소 굴절률 ni 와 그 크기 Ni」 로 얻어진 값을 사용하였다.
(11) 특성 행렬의 식에 있어서의 입사각 60°의 TE 파의 m11 성분의 크기 M11
실시예 및 비교예에서 얻어진 커버에 대해, 각 측정값에 기초하여, 하기 특성 행렬의 식에 있어서, 입사각 60°에 있어서의 TE 파의 m11 성분의 크기 (절대값) M11 을 구하였다.
또한, N = 2 이상의 N 층의 적층체로 이루어지는 커버에 있어서, 하기 특성 행렬식의 m11 성분은, 1 층째에서 N 층째로 계산했을 경우와, N 층째에서 1 층째로 계산했을 경우에서 상이한 경우가 있지만, 그 실수부의 수치가 큰 쪽을 사용하였다. 1 층째에서 N 층째로 계산했을 경우의 m11 과, N 층째에서 1 층째로 계산했을 경우의 m11 이 일치하는 경우에는, 1 층째에서 N 층째로 계산했을 경우의 m11 성분의 값을 사용하였다.
Figure pct00015
(ω : 각주파수 [rad/s], c : 광속 [m/s], ni : 제 i 층째의 복소 굴절률, di : 제 i 층째의 두께 [m], θi : 제 i 층에 입사하는 전자파의 굴절각 [rad], j : 허수 단위, εri : 제 i 층째의 복소 비유전률, μri : 제 i 층째의 복소 비투자율, n0 : 공기의 굴절률, θ0 : 입사각 [rad])
또한, 본 실시예에 있어서는 자성체를 사용하고 있지 않기 때문에, 상기 각 층의 비투자율은 1.0 으로 하였다. 또, 각 층의 복소 굴절률은, 상기 「(3) 각 층의 복소 굴절률 ni 와 그 크기 Ni」 에서 얻어진 값을 사용하였다.
실시예, 비교예에서 사용한 재료는 이하와 같다.
[발포체]
(1) 발포체 2.5 (발포 배율 2.5 (㎤/g))
폴리페닐렌에테르계 수지 (PPE) 로서 S201A (아사히 화성 주식회사 제조) 를 60 질량% 와, 비할로겐계 난연제로서 비스페놀 A-비스(디페닐포스페이트)(BBP) 를 15 질량% 와, 고무 농도가 6 질량% 인 내충격성 폴리스티렌 수지 (HIPS) 를 10 질량% 와, 범용 폴리스티렌 수지 (PS) 로서 GP685 (PS 재팬 (주) 제조) 를 15 질량% 를 첨가하고, 압출기로 가열 용융 혼련 후에 압출하여, 기재 수지 펠릿을 제조하였다.
일본 공개특허공보 평4-372630호의 실시예 1 에 기재된 방법에 준하여, 기재 수지 펠릿을 내압 용기에 수용하고, 용기 내의 기체를 건조 공기로 치환한 후, 발포제로서 이산화탄소 (기체) 를 주입하고, 압력 3.0 ㎫, 온도 10 ℃ 의 조건하에서 3 시간에 걸쳐 기재 수지 펠릿에 대해 이산화탄소를 함침시킨 후, 압력 용기로부터 취출하여 바로 기재 수지 펠릿을 이송하고, 기재 수지 펠릿을 발포로 내에서 교반 날개를 77 rpm 으로 회전시키면서 최대 190 ㎪·G 의 가압 수증기에 의해 발포하여, 발포 입자를 얻었다.
또한, 상기 발포 입자의 발포 공정에 있어서, 압력 용기로부터 취출하여 가압 수증기에 의해 가열을 개시할 때까지의 시간은 10 초였다. 또, 발포 입자의 탄화수소 가스의 함유량을 발포 직후에 가스 크로마토그래피에 의해 측정했지만, 검출 한계 (0.01 질량%) 이하였다.
그 후, 이 발포 입자를 용기 내에 넣고, 가압 공기를 도입 (0.4 ㎫ 까지 4 시간에 걸쳐 승압하고, 그 후 0.4 ㎫ 로 16 시간 유지) 함으로써, 가압 처리를 실시하였다. 이것을, 수증기공을 갖는 형내 성형 금형 내에 충전하고, 수증기로 가열하여 발포 입자를 서로 팽창·융착시킨 후, 냉각시키고, 성형 금형으로부터 취출하여, 발포 입자로 이루어지는 발포체 2.5 (발포 배율 2.5 (㎤/g)) 를 얻었다.
(2) 발포체 3 (발포 배율 3 (㎤/g))
이산화탄소를 함침시킨 후의 가열 공정에 있어서, 가압 수증기의 압력을 200 ㎪·G 로 한 것 이외에는 발포체 2.5 와 동일하게 하여, 발포 입자로 이루어지는 발포체 3 (발포 배율 3 배) 을 얻었다.
(3) 발포체 3.5 (발포 배율 3.5 (㎤/g))
이산화탄소를 함침시킨 후의 가열 공정에 있어서, 가압 수증기의 압력을 210 ㎪·G 로 한 것 이외에는 발포체 2.5 와 동일하게 하여, 발포 입자로 이루어지는 발포체 3.5 (발포 배율 3.5 (㎤/g)) 를 얻었다.
(4) 발포체 5 (발포 배율 5 (㎤/g))
이산화탄소를 함침시킨 후의 가열 공정에 있어서, 가압 수증기의 압력을 260 ㎪·G 로 한 것 이외에는 발포체 2.5 와 동일하게 하여, 발포 입자로 이루어지는 발포체 5 (발포 배율 5 (㎤/g)) 를 얻었다.
(5) 발포체 1.5 (발포 배율 1.5 (㎤/g))
이산화탄소를 함침시킨 후의 가열 공정에 있어서, 가압 수증기의 압력을 160 ㎪·G 로 한 것 이외에는 발포체 2.5 와 동일하게 하여, 발포 입자로 이루어지는 발포체 1.5 (발포 배율 1.5 (㎤/g)) 를 얻었다.
(6) 발포체 10 (발포 배율 10 (㎤/g))
이산화탄소를 함침시킨 후의 가열 공정에 있어서, 가압 수증기의 압력을 330 ㎪·G 로 한 것 이외에는 발포체 2.5 와 동일하게 하여, 발포 입자로 이루어지는 발포체 10 (발포 배율 10 (㎤/g)) 을 얻었다.
(7) 발포체 5.8 (발포 배율 5.8 (㎤/g))
이산화탄소를 함침시킨 후의 가열 공정에 있어서, 가압 수증기의 압력을 270 ㎪·G 로 한 것 이외에는 발포체 2.5 와 동일하게 하여, 발포 입자로 이루어지는 발포체 5.8 (발포 배율 5.8 (㎤/g)) 을 얻었다.
(8) 발포체 7 (발포 배율 7.0 (㎤/g))
이산화탄소를 함침시킨 후의 가열 공정에 있어서, 가압 수증기의 압력을 280 ㎪·G 로 한 것 이외에는 발포체 2.5 와 동일하게 하여, 발포 입자로 이루어지는 발포체 7 (발포 배율 7.0 (㎤/g)) 을 얻었다.
(9) 발포체 2 (발포 배율 2 (㎤/g))
이산화탄소를 함침시킨 후의 가열 공정에 있어서, 가압 수증기의 압력을 180 ㎪·G 로 한 것 이외에는 발포체 2.5 와 동일하게 하여, 발포 입자로 이루어지는 발포체 2 (발포 배율 2 (㎤/g)) 을 얻었다.
(10) 발포체 2.3 (발포 배율 2.3 (㎤/g))
이산화탄소를 함침시킨 후의 가열 공정에 있어서, 가압 수증기의 압력을 185 ㎪·G 로 한 것 이외에는 발포체 2.5 와 동일하게 하여, 발포 입자로 이루어지는 발포체 2.3 (발포 배율 2.3 (㎤/g)) 을 얻었다.
(11) 발포체 EE15
일본 공개특허공보 평4-372630호의 실시예 3 에 기재된 내용을 참고로 발포 온도를 조정함으로써, 최종적으로 얻어지는 발포체의 배율이 15.0 (㎤/g) 이 되도록, 2 차 발포 입자의 제조 공정에 있어서의 발포 입자의 내압을 조정하고, 얻어진 2 차 발포 입자를 사용하여 발포체 2.5 의 제조 방법을 참고로 하여 성형하여, 발포체 EE15 (발포 배율 15 (㎤/g)) 를 얻었다. 얻어진 발포 입자 (2 차 발포 입자) 의 탄화수소 가스의 함유량을 발포 직후에 측정했지만, 검출 한계 (0.01 질량%) 이하였다.
(12) 발포체 XE10
일본 공개특허공보 2006-077218호를 참고로, 이하의 순서로 발포체를 제조하였다.
먼저, 150 ㎜ 의 배럴 내경을 갖는 스크루형 압출기의 공급 영역에, 900 ㎏/시간의 속도로, 저밀도 폴리에틸렌 (PE) (밀도 922 ㎏/㎥, MI = 7.0 g/10 분) 을, 이 수지 100 질량부에 대해 기포핵 형성제로서 1.2 질량부의 탤크 분말 (입경 8.0 ㎛) 과 0.8 질량부의 가스 투과 조정제 (스테아르산모노글리세라이드) 와 함께 공급하였다. 압출기의 배럴 온도를 190 ∼ 210 ℃ 로 조정하고, 압출기의 선단에 장착한 발포제 주입구로부터 n-부탄 100 질량% 로 이루어지는 발포제를 이 수지 100 질량부에 대하여 3 질량부를 압입하고, 당해 용융 수지 조성물과 혼합하여 발포성 용융 혼합물로 하였다.
이 발포성 용융 혼합물을 압출기의 출구에 장착한 냉각 장치로 108 ℃ 까지 냉각시킨 후, 약 4.0 ㎜ 의 평균 두께와 약 226 ㎜ 폭의 개구부 형상을 갖는 오리피스 플레이트에서, 상온, 대기압하의 분위기 중에 연속적으로 압출하여 발포시키고, 수지 발포체의 인취 속도를 조정하면서 성형하여, 두께 52 ㎜, 폭 560 ㎜, 길이 1000 ㎜, 밀도 100 ㎏/㎥ 의 판상 발포체를 얻었다. 이 수지 발포체 중에 포함되는 탄화수소 가스의 함유량은 2.4 질량% 였다. 40 ℃ 환경하에서 3 개월 보관하고, 탄화수소 가스의 함유량이 검출 하한 이하 (0.01 질량%) 가 된 것을 확인한 후에, 발포체 XE10 (발포 배율 10 (㎤/g)) 을 얻었다. 또한, 얻어진 발포체는 판상 압출 발포체였기 때문에, 절삭, 접착 등의 2 차 가공을 실시함으로써, 커버의 제조에 사용하였다.
[수지판]
(1) 442Z
자이론 442Z (아사히 화성 주식회사 제조) 를 형틀 내에 빈틈없이 깔고, 온도 300 ℃, 형 체결력 10 ㎫ 로 열 프레스법에 의해 수지판을 제조하였다.
(2) PC
폴리카보네이트 (사빅사 제조 렉산 EXL9330) 를 형틀 내에 빈틈없이 깔고, 온도 300 ℃, 형 체결력 10 ㎫ 로 열 프레스법에 의해 수지판을 제조하였다.
(3) 340Z
자이론 340Z (아사히 화성 주식회사 제조) 를 형틀 내에 빈틈없이 깔고, 온도 300 ℃, 형 체결력 10 ㎫ 로 열 프레스법에 의해 수지판을 제조하였다.
(실시예 1)
제 1 층에 발포체 2.5 (두께 3 ㎜), 제 2 층에 발포체 3 (두께 3 ㎜) 을 사용하고, 양 층의 접합면을 히트건으로 따뜻하게 하면서 첩합함으로써, 커버 (300 ㎜ × 300 ㎜ × 두께 6 ㎜) 를 얻었다.
얻어진 커버에 대해, 각 물성의 측정 결과를 표 1 에 나타낸다.
(실시예 2 ∼ 28, 비교예 1 ∼ 4)
각 층의 재료, 두께, 층수 등을 표 1 에 나타내는 바와 같이 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 커버를 얻었다.
얻어진 커버에 대해, 각 물성의 측정 결과를 표 1 에 나타낸다.
또한, 실시예 3, 10, 11, 13, 21, 27, 28, 비교예 1 에 대해, 상기 서술한 바와 같이, 입사각 30°, 45°에서의 TE 파의 경사 투과율, 입사각 30°, 45°, 60°에서의 TM 파의 경사 투과율에 대해서도 측정하였다.
또, 실시예 3, 10, 11, 13, 21, 27, 비교예 1 은, 각각 각 층의 두께비는 변경되지 않고 커버 전체의 두께를 1 ㎜ 증가, 1 ㎜ 감소로 한 커버도 제조하여, 표 1 에 나타내는 바와 같이, 각종 물성값을 구하였다.
(실시예 31 ∼ 44, 비교예 11 ∼ 14)
각 층의 재료, 두께, 층수 등을 표 2 에 나타내는 바와 같이 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 커버를 얻었다.
얻어진 커버에 대해, 각 물성의 측정 결과를 표 2 에 나타낸다.
또한, 상기 서술한 바와 같이, 실시예 31 ∼ 44 및 비교예 11 ∼ 14 의 전파 투과율, 전파 반사율은, 각각 표 2 에 기재된 주파수로 측정하였다.
(참고예 1)
기재 수지 펠릿으로부터 발포 입자를 제조할 때, 함침압의 개방을 완료한 시점에서 가온 (가압 증기의 도입) 개시까지의 시간을 600 초로 변경한 것 이외에는, 발포체 10 과 동일한 방법으로 배율 10 배의 발포체를 제조하였다.
얻어진 발포체의 최대 기포경은 1745 ㎛ 이고, B'/A, B'/A' 는 각각, 0.03, 0.04 였다.
표 1-1 ∼ 표 1-4 는, 주파수 28 GHz 에 있어서의 전파 투과율 및 그 밖의 측정 결과를 나타낸다. 표 2-1, 표 2-2 는, 여러 주파수에 있어서의 전파 투과율 및 그 밖의 측정 결과를 나타낸다.
[표 1-1]
Figure pct00016
[표 1-2]
Figure pct00017
[표 1-3]
Figure pct00018
[표 1-4]
Figure pct00019
[표 2-1]
Figure pct00020
[표 2-2]
Figure pct00021
본 발명의 커버는, 정면 방향 (입사각 0°) 의 전파에 대해 높은 전파 투과성을 갖고, 또한 광범위한 입사각의 전파에 대해서도 높은 전파 투과성을 나타내기 때문에, 고주파수대의 전파를 송수신하는 전자 기기의 커버로서 바람직하게 사용할 수 있다.

Claims (14)

  1. 수지를 포함하고, 하기 식의 관계를 만족하는 것을 특징으로 하는, 고주파수대의 전파를 송수신하는 전자 기기의 커버.
    (100 - 정면 투과율 X) × (100 - 경사 투과율 Y) < 55
    (정면 투과율 X (%) : 주파수 f (Hz) 에 있어서의 커버의 입사각 0°에서의 전파 투과율 (%), 경사 투과율 Y (%) : 주파수 f (Hz) 에 있어서의 커버의 입사각 60°에서의 TE 파의 전파 투과율 (%))
  2. 제 1 항에 있어서,
    N 층 (N 은 1 이상의 정수) 으로 이루어지는 단층체 또는 적층체이고,
    하기 특성 행렬의 식에 있어서, 정면 방향 (입사각 0°) 에 있어서의 m12 성분의 크기 M12 와, m21 성분의 크기 M21 의 차의 절대값 (|M12 - M21|) 이 0.35 이하인, 커버.
    특성 행렬의 각 성분은 하기 식으로부터 산출한다.
    Figure pct00022

    (ω : 각주파수 [rad/s], c : 광속 [m/s], ni : 제 i 층째의 복소 굴절률, di : 제 i 층째의 두께 [m], θi : 제 i 층에 입사하는 전자파의 굴절각 [rad], j : 허수 단위, εri : 제 i 층째의 복소 비유전률, μri : 제 i 층째의 복소 비투자율, n0 : 공기의 굴절률, θ0 : 입사각 [rad])
    또한, 제 i 층째의 복소 굴절률 ni 는, 하기 식에 의해 구해진다. 또, 얻어진 복소 굴절률 ni 로부터, 그 크기 Ni 를 구할 수 있다.
    Figure pct00023

    (ni : 제 i 층째의 복소 굴절률, j : 허수 단위, εri : 제 i 층째의 복소 비유전률, μri : 제 i 층째의 복소 비투자율, tanδ : 유전 정접, εi' : 비유전률, εi'' : 비유전 손율)
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    하기 식의 관계를 만족하는, 커버.
    |정면 투과율 X - 경사 투과율 Y| < 25
    (정면 투과율 X (%) : 주파수 f (Hz) 에 있어서의 커버의 입사각 0°에서의 전파 투과율 (%), 경사 투과율 Y (%) : 주파수 f (Hz) 에 있어서의 커버의 입사각 60°에서의 TE 파의 전파 투과율 (%))
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    N 층 (N 은 1 이상의 정수) 으로 이루어지는 단층체 또는 적층체이고,
    하기 식으로 구해지는 Λ 의 값의 최소값이 0.15 이하인, 커버.
    Figure pct00024

    (di : 제 i 층째의 두께 [m], Ni : 제 i 층째의 복소 굴절률 ni 의 크기, λ0 : 공기 중에 있어서의 전자파의 파장 [m], K : 임의의 정수)
    또한, 제 i 층째의 복소 굴절률 ni 는, 하기 식에 의해 구해진다. 또, 얻어진 복소 굴절률 ni 로부터, 그 크기 Ni 를 구할 수 있다.
    Figure pct00025

    (ni : 제 i 층째의 복소 굴절률, j : 허수 단위, εri : 제 i 층째의 복소 비유전률, μri : 제 i 층째의 복소 비투자율, tanδ : 유전 정접, εi' : 비유전률, εi'' : 비유전 손율)
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    N 층 (N 은 1 이상의 정수) 으로 이루어지는 단층체 또는 적층체이고,
    하기 특성 행렬의 식에 있어서, 입사각 60°에 있어서의 TE 파의 m11 성분의 크기 M11 이 0.5 이상인, 커버.
    Figure pct00026

    (ω : 각주파수 [rad/s], c : 광속 [m/s], ni : 제 i 층째의 복소 굴절률, di : 제 i 층째의 두께 [m], θi : 제 i 층에 입사하는 전자파의 굴절각 [rad], j : 허수 단위, εri : 제 i 층째의 복소 비유전률, μri : 제 i 층째의 복소 비투자율, n0 : 공기의 굴절률, θ0 : 입사각 [rad])
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복소 굴절률 ni 의 크기 Ni 가 1.8 이하인, 커버.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    단층체 또는 적층체이고, 적어도 1 층의 밀도가 0.90 g/㎤ 미만인, 커버.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    복수의 층을 갖는 적층체인, 커버.
  9. 제 8 항에 있어서,
    인접하는 층간의 복소 굴절률의 크기의 차의 최대값이 0.8 이하인, 커버.
  10. 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,
    상기 복수의 층이 서로 직접 접하여 적층되어 있는, 커버.
  11. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    발포체로 이루어지는 층을 포함하고,
    상기 발포체로 이루어지는 층의 10 체적% 이상에 있어서,
    상기 발포체가 발포 입자로 이루어지는 발포체 이외의 발포체인 경우에는, 상기 발포체의 표면과 접해 있는 기포의 직경의 평균값 A 에 대한, 상기 발포체의 표면으로부터 두께 방향으로 20 ∼ 80 % 의 범위에 포함되는 기포의 직경의 평균값 B 의 비율 (B/A) 이, 0.3 이상 3.0 미만이고,
    상기 발포체가 발포 입자로 이루어지는 발포체인 경우에는, 상기 발포체의 표면으로부터 두께 방향으로 10 ∼ 90 % 의 범위에 포함되는 발포 입자에 대해, 상기 발포 입자의 표면과 접해 있는 기포의 직경의 평균값 A' 에 대한, 상기 발포 입자의 표면으로부터 직경 방향으로 20 ∼ 80 % 의 범위에 포함되는 기포의 직경의 평균값 B' 의 비율 (B'/A') 이, 0.3 이상 3.0 미만인, 커버.
  12. 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
    발포체로 이루어지는 층을 포함하고,
    상기 발포체로 이루어지는 층의 10 체적% 이상에 있어서, 최대 기포경이 1.5 ㎜ 이하인, 커버.
  13. 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
    복수의 층을 갖는 적층체이고, 적어도 1 층의 밀도가 0.90 ㎤/g 미만인 층과, 적어도 1 층의 밀도가 0.90 ㎤/g 이상인 층을 포함하는, 커버.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 밀도가 0.90 ㎤/g 이상인 층 중 적어도 1 층이, 상기 커버의 외표면을 구성하는 표층인, 커버.
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