TW202243862A - 罩體 - Google Patents

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TW202243862A
TW202243862A TW111105747A TW111105747A TW202243862A TW 202243862 A TW202243862 A TW 202243862A TW 111105747 A TW111105747 A TW 111105747A TW 111105747 A TW111105747 A TW 111105747A TW 202243862 A TW202243862 A TW 202243862A
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Abstract

本發明係一種收發高頻帶電波之電子機器之罩體，其特徵在於包含樹脂，且滿足下述式之關係。 (100－正面透過率X)×(100－斜向透過率Y)＜55 (正面透過率X(%)：在頻率f(Hz)下罩體在入射角0°時之電波透過率(%)，斜向透過率Y(%)：在頻率f(Hz)下罩體在入射角60°時之TE波之電波透過率(%))

Description

罩體
本發明係關於一種收發高頻帶電波之電子機器之罩體。
已知，電波之頻率越高，越容易衰減，且電波之直進性越高。因此，於收發1～100 GHz頻帶之高頻電波之電子機器中，重要的是，不僅限於針對來自入射角0°之正面方向之電波，而是針對寬廣範圍入射角之電波增大電波強度及電波極限距離。因此，要求收發高頻帶電波之電子機器所使用之罩體具有較高之電波透過性(例如，參照專利文獻1及2)。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2020-159985號公報 [專利文獻2]日本專利特開2020-180986號公報
[發明所欲解決之問題]
然而，關於上述先前之罩體，就提高針對寬廣範圍入射角之電波之透過性之方面而言，有進一步改良之餘地。
因此，本發明係鑒於上述課題所實施者，本發明之目的在於提供一種罩體，其針對正面方向(入射角0°)之電波具有較高之電波透過性，且針對寬廣範圍入射角之電波亦具有較高之電波透過性。 [解決問題之技術手段]
本發明者為了解決上述課題，進行銳意研究，結果發現，藉由製成(100－正面透過率X)×(100－斜向透過率Y)所示之值為特定範圍之罩體，可解決上述課題，從而完成本發明。 再者，正面透過率X(%)係指在頻率f(Hz)下罩體在入射角0°時之電波透過率(%)，斜向透過率Y(%)係指在頻率f(Hz)下罩體在入射角60°時之TE波之電波透過率(%)。
即，本發明如下所示。 [1] 一種收發高頻帶電波之電子機器之罩體，其特徵在於包含樹脂，且滿足下述式之關係： (100－正面透過率X)×(100－斜向透過率Y)＜55 (正面透過率X(%)：在頻率f(Hz)下罩體在入射角0°時之電波透過率(%)，斜向透過率Y(%)：在頻率f(Hz)下罩體在入射角60°時之TE波之電波透過率(%))。 [2] 如[1]所記載之罩體，其為包含N層(N為1以上之整數)之單層體或積層體，且 於下述特性矩陣之式中，正面方向(入射角0°)上m 12成分之大小M 12與m 21成分之大小M 21的差之絕對值(|M 12－M 21|)為0.35以下； 特性矩陣之各成分係藉由下述式算出： [數1]
Figure 02_image001
(ω：角頻率[rad/s]，c：光速[m/s]，n i：第i層之複折射率，d i：第i層之厚度[m]，θ i：入射至第i層之電磁波之折射角[rad]，j：虛數單位，ε ri：第i層之複相對介電常數，μ ri：第i層之複相對磁導率，n 0：空氣之折射率，θ 0：入射角[rad])； 再者，第i層之複折射率n i係藉由下述式求出；又，根據所獲得之複折射率n i，求出其大小N i： [數2]
Figure 02_image003
(n i：第i層之複折射率，j：虛數單位，ε ri：第i層之複相對介電常數，μ ri：第i層之複相對磁導率，tanδ：介電損耗因數，ε i'：相對介電常數，ε i''：相對介電損耗指數)。 [3] 如[1]或[2]所記載之罩體，其滿足下述式之關係： |正面透過率X－斜向透過率Y|＜25 (正面透過率X(%)：在頻率f(Hz)下罩體在入射角0°時之電波透過率(%)，斜向透過率Y(%)：在頻率f(Hz)下罩體在入射角60°時之TE波之電波透過率(%))。 [4] 如[1]至[3]中任一項所記載之罩體，其為包含N層(N為1以上之整數)之單層體或積層體，且 藉由下述式所求得之Λ值之最小值為0.15以下： [數3]
Figure 02_image005
(d i：第i層之厚度[m]，N i：第i層之複折射率n i之大小，λ 0：空氣中之電磁波之波長[m]，K：任意整數) 再者，第i層之複折射率n i係藉由下述式求出；又，根據所獲得之複折射率n i，求出其大小N i： [數4]
Figure 02_image007
(n i：第i層之複折射率，j：虛數單位，ε ri：第i層之複相對介電常數，μ ri：第i層之複相對磁導率，tanδ：介電損耗因數，ε i'：相對介電常數，ε i''：相對介電損耗指數)。 [5] 如[1]至[4]中任一項所記載之罩體，其為包含N層(N為1以上之整數)之單層體或積層體，且 於下述特性矩陣之式中，入射角60°時之TE波之m 11成分之大小M 11為0.5以上： [數5]
Figure 02_image009
(ω：角頻率[rad/s]，c：光速[m/s]，n i：第i層之複折射率，d i：第i層之厚度[m]，θ i：入射至第i層之電磁波之折射角[rad]，j：虛數單位，ε ri：第i層之複相對介電常數，μ ri：第i層之複相對磁導率，n 0：空氣之折射率，θ 0：入射角[rad])。 [6] 如[1]至[5]中任一項所記載之罩體，其中上述複折射率n i之大小N i為1.8以下。 [7] 如[1]至[6]中任一項所記載之罩體，其為單層體或積層體，且至少1層之密度未達0.90 g/cm 3。 [8] 如[1]至[7]中任一項所記載之罩體，其為具有複數個層之積層體。 [9] 如[8]所記載之罩體，其中鄰接之層間之複折射率之大小的差之最大值為0.8以下。 [10] 如[8]或[9]所記載之罩體，其中上述複數個層彼此直接相接而積層。 [11] 如[1]至[10]中任一項所記載之罩體，其含有包含發泡體之層， 於上述包含發泡體之層之10體積%以上， 於上述發泡體為除包含發泡粒子之發泡體以外之發泡體之情形時，在厚度方向上距離上述發泡體之表面20～80%之範圍內所包含之氣泡之直徑之平均值B相對於與上述發泡體之表面相接之氣泡之直徑之平均值A的比率(B/A)為0.3以上且未達3.0， 於上述發泡體為包含發泡粒子之發泡體之情形時，對於在厚度方向上距離上述發泡體之表面10～90%之範圍內所包含之發泡粒子，在徑向上距離上述發泡粒子之表面20～80%之範圍內所包含之氣泡之直徑之平均值B'相對於與上述發泡粒子之表面相接之氣泡之直徑之平均值A'的比率(B'/A')為0.3以上且未達3.0。 [12] 如[1]至[11]中任一項所記載之罩體，其含有包含發泡體之層，且 於上述包含發泡體之層之10體積%以上，最大氣泡直徑為1.5 mm以下。 [13] 如[1]至[12]中任一項所記載之罩體，其為具有複數個層之積層體，且包含：至少1層之密度未達0.90 cm 3/g之層、及至少1層之密度為0.90 cm 3/g以上之層。 [14] 如[13]所記載之罩體，其中上述密度為0.90 cm 3/g以上之層中之至少1層為構成上述罩體之外表面之表層。 [發明之效果]
根據本發明，可提供一種罩體，其針對正面方向(入射角0°)之電波具有較高之電波透過性，且針對寬廣範圍入射角之電波亦具有較高之電波透過性。
以下，對用於實施本發明之形態(以下，亦稱為「本實施方式」)進行詳細說明。再者，本發明並不限定於以下之實施方式，可於該主旨之範圍內進行各種變形而實施。
[罩體] 本實施方式之罩體之特徵在於包含樹脂，可為包含含有樹脂之層之單層體，亦可為將包含樹脂之層積層2層以上而成之積層體。 構成罩體之層之數目不受特別限定，就降低電波透過率之入射角度依存性之觀點、容易提高剛性之觀點、容易提高設計性之觀點而言，較佳為2層以上。又，就容易製造，容易提高剛性之方面而言，較佳為5層以下，更佳為3層以下。又，特別是於為3層之情形時，較佳為第1層與第3層包含複折射率之值接近之材料。於該情形時，由於第1層與第3層中之界面反射率為接近之值，故而可如下所述有效地抵消反射波，容易提高透過率。
包含樹脂之層可為樹脂板，亦可為發泡體，但較佳為如下所述，至少1層含有包含發泡體之層。 包含樹脂之層亦含有包含用於使樹脂板或發泡體相互貼合所通常使用之黏著劑/接著劑之層。然而，一般而言，此種黏著劑/接著劑之複折射率之大小較大，容易引起界面反射或介電損耗等，因此於包含黏著劑/接著劑層之情形時，罩體整體之電波透過率降低。因此，罩體較佳為不包含黏著劑/接著劑層而使樹脂板或發泡體直接相接而積層。 作為上述黏著劑/接著劑，例如可適當使用：感壓式黏接著劑、藉由熱或紫外線等而硬化之黏接著劑、於熔融狀態下塗佈並藉由冷卻而固化之黏接著劑等。作為上述黏接著劑中所使用之樹脂，例如可例舉：丙烯酸樹脂、乙酸乙烯酯樹脂、腈橡膠樹脂、苯乙烯丁二烯橡膠、氯丁二烯橡膠、澱粉、環氧樹脂、氰基丙烯酸酯樹脂、矽酮橡膠等。 黏著劑/接著劑層之厚度不受特別限制，就使對電波透過性造成之影響變小之觀點而言，較佳為較薄者。 又，一般而言，若透過高頻率電波之罩體包含或附著有水或冰，則有透過性變大、變差之傾向。因此，於本實施方式之罩體中，除了包含上述樹脂之層以外，亦可包含例如用於去除水或冰之加熱器，一般而言，加熱器包含金屬，電波透過性較低，因此為了儘可能減小對電波透過性之影響，較佳為厚度較薄、且線寬較小者。 亦可視需要對上述所記載之各層賦予塗裝、底塗層、硬塗層、撥水處理層等附帶層。於該情形時，於附帶層所造成之對電波透過率之影響充分小之情形時(例如，以正面方向之電波透過率計，為0.1%以內之差)，可無視附帶層，設計以下所記載之罩體。於對電波透過率之影響較大之情形時，將附帶層視為一層進行操作，並考慮各層之介電特性等來設計罩體，藉此可製作本實施方式之罩體。
罩體之形狀不受特別限定，可根據使用罩體之收發電波之電子機器之形狀而確定，就設計性或削減電子機器空間之觀點而言，較佳為板狀。藉由使用本實施方式之罩體，可提高正面方向、斜方向之電波透過率，因此電子機器之設計之自由度得到提高。 又，罩體之尺寸亦不受特別限定，可根據使用罩體之收發電波之電子機器之大小而確定，於收發電波之電子機器之殼體中，較佳為足夠構成供電波透過之部分之尺寸。特別是，關於厚度，就提高電波透過性及機械強度之觀點而言，較佳為1～20 mm，更佳為1～10 mm，進而較佳為2～8 mm。
又，如上所述，罩體係以保護收發電波之電子機器為目的而使用，因此需要具有適當之機械強度。例如，加工成10 mm寬度之罩體彎曲1 mm時之負載(彎曲1 mm時之負載)較佳為0.5 N以上，更佳為1.0 N以上，進而較佳為3.0 N以上。 上述罩體彎曲1 mm時之負載係根據構成各層之材料之彎曲模數、厚度、各層之接合方法等而發生變化。其中，若罩體之厚度變大，則明顯之彎曲所需之負載變大，若厚度變大，則通常有電波透過性變差之傾向。 再者，具體而言，加工成10 mm寬度之罩體彎曲1 mm時之負載(N)可藉由下述實施例所記載之方法進行測定。
(發泡體) 發泡體可設為，包含含有熱塑性樹脂或熱硬化性樹脂之基材樹脂，且使任選地進而包含阻燃劑等添加劑之樹脂組合物發泡而成者。 作為發泡體，例如可例舉：擠出發泡體、射出發泡體、顆粒發泡體(包含發泡粒子之發泡體)、延伸發泡體、溶劑萃取發泡體等，係指分別藉由下述擠出發泡法、射出發泡法、顆粒發泡法、延伸發泡法、溶劑萃取發泡法所製造之發泡體。 其中，較佳為顆粒發泡體，其原因在於：賦形性良好；藉由使之預先賦形，可省略發泡體之2次加工，且不會露出切截面，可減少粉塵等之產生；當與樹脂板層接著時，減少樹脂等進入至發泡體之切截面，可獲得良好之外觀、密接性、電波透過性；由於採用獨立氣泡構造，故而容易提高機械強度；容易控制氣泡直徑或分佈。
關於基材樹脂之含量，將樹脂組合物設為100質量%，基材樹脂之含量較佳為20質量%以上，更佳為40質量%以上，進而較佳為60質量%以上，尤佳為70質量%以上，又，較佳為100%以下，更佳為95%以下。為了降低介電常數及介電損耗因數，基材樹脂較佳為包含極性較低之樹脂。
作為熱塑性樹脂，可例舉：聚苯醚系樹脂、聚苯乙烯系樹脂、聚乙烯系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚丙烯系樹脂、ABS樹脂、氯乙烯系樹脂、丙烯酸系樹脂、甲基丙烯酸甲酯樹脂、尼龍系樹脂、氟系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、聚酯系樹脂等，就耐熱性、經濟性、發泡性之觀點而言，較佳為聚苯醚系樹脂、聚苯乙烯系樹脂、聚乙烯系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚丙烯系樹脂、丙烯酸系樹脂、聚碳酸酯系樹脂。 該等可單獨使用一種，亦可組合兩種以上使用。 再者，作為降低發泡體中所使用之基材樹脂之相對介電常數及介電損耗因數tanδ之方法，可例舉：選定未發泡樹脂之密度較低者、未發泡樹脂之極性較低者、分子鏈末端極性基較少者等作為基材樹脂。作為就該觀點而言尤佳之樹脂，可例舉：聚烯烴系樹脂、聚苯乙烯系樹脂、聚苯醚系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、氟系樹脂、高分子液晶樹脂、聚苯硫醚系樹脂等。其中，若亦考慮加工性、成本、阻燃性之觀點，則較佳為聚烯烴系樹脂、聚苯乙烯系樹脂、聚苯醚系樹脂。
聚苯醚(PPE)系樹脂可為下述通式(1)所表示之聚合物。 此處，式(1)中，R 1、R 2、R 3及R 4分別獨立地表示氫原子、鹵素原子、烷基、烷氧基、苯基、或鹵素與通式(1)中之苯環之間具有至少2個碳原子之鹵代烷基或鹵代烷氧基且不包含第3α-碳原子者。又，式(1)中，n為表示聚合度之整數。 [化1]
Figure 02_image011
作為聚苯醚系樹脂之例，可例舉：聚(2,6-二甲基-1,4-伸苯基)醚、聚(2,6-二乙基-1,4-伸苯基)醚、聚(2-甲基-6-乙基-1,4-伸苯基)醚、聚(2-甲基-6-丙基-1,4-伸苯基)醚、聚(2,6-二丙基-1,4-伸苯基)醚、聚(2-乙基-6-丙基-1,4-伸苯基)醚、聚(2,6-二丁基-1,4-伸苯基)醚、聚(2,6-二月桂基-1,4-伸苯基)醚、聚(2,6-二苯基-1,4-聯伸苯)醚、聚(2,6-二甲氧基-1,4-伸苯基)醚、聚(2,6-二乙氧基-1,4-伸苯基)醚、聚(2-甲氧基-6-乙氧基-1,4-伸苯基)醚、聚(2-乙基-6-硬脂基氧基-1,4-伸苯基)醚、聚(2,6-二氯-1,4-伸苯基)醚、聚(2-甲基-6-苯基-1,4-伸苯基)醚、聚(2,6-二苄基-1,4-伸苯基)醚、聚(2-乙氧基-1,4-伸苯基)醚、聚(2-氯-1,4-伸苯基)醚、聚(2,6-二溴-1,4-伸苯基)醚等，但並不限定於此。其中，尤佳為R 1及R 2為碳數1～4之烷基、且R 3及R 4為氫或碳數1～4之烷基者。 該等可單獨使用一種，亦可組合兩種以上使用。
本實施方式中之聚苯醚系樹脂之含量相對於基材樹脂100質量%較佳為20～80質量%，更佳為30～70質量%，進而較佳為35～60質量%。於PPE系樹脂之含量為20質量%以上之情形時，容易獲得優異之耐熱性及阻燃性，且容易降低介電常數及介電損耗因數。又，於PPE系樹脂之含量為80質量%以下之情形時，容易獲得優異之加工性。
作為聚苯醚系樹脂之重量平均分子量(Mw)，較佳為20,000～60,000。 再者，重量平均分子量(Mw)係指，對於樹脂進行利用凝膠滲透層析法(GPC)所進行之測定，使用藉由對市售之標準聚苯乙烯之測定所求得之校準曲線(使用標準聚苯乙烯之峰值分子量而製成)，對層析圖之峰值之分子量進行求取所得之重量平均分子量。
聚苯乙烯系樹脂係指苯乙烯及苯乙烯衍生物之均聚物、將苯乙烯及苯乙烯衍生物作為主成分(聚苯乙烯系樹脂中包含50質量%以上之成分)之共聚物。 作為苯乙烯衍生物，可例舉：鄰甲基苯乙烯、間甲基苯乙烯、對甲基苯乙烯、第三丁基苯乙烯、α-甲基苯乙烯、β-甲基苯乙烯、二苯乙烯、氯苯乙烯、溴苯乙烯等。
作為均聚物之聚苯乙烯系樹脂，例如可例舉：聚苯乙烯、聚α-甲基苯乙烯、聚氯苯乙烯等。 作為共聚物之聚苯乙烯系樹脂，可例舉：苯乙烯-丁二烯共聚物、苯乙烯-丙烯腈共聚物、苯乙烯-馬來酸共聚物、苯乙烯-馬來酸酐共聚物、苯乙烯-馬來醯亞胺共聚物、苯乙烯-N-苯基馬來醯亞胺共聚物、苯乙烯-N-烷基馬來醯亞胺共聚物、苯乙烯-N-烷基取代苯基馬來醯亞胺共聚物、苯乙烯-丙烯酸共聚物、苯乙烯-甲基丙烯酸共聚物、苯乙烯-丙烯酸甲酯共聚物、苯乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚物、苯乙烯-丙烯酸正烷基酯共聚物、苯乙烯-甲基丙烯酸正烷基酯共聚物、乙基乙烯基苯-二乙烯基苯共聚物等二元共聚物；ABS、丁二烯-丙烯腈-α-甲基苯共聚物等三元共聚物；苯乙烯接枝聚乙烯、苯乙烯接枝乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、(苯乙烯-丙烯酸)接枝聚乙烯、苯乙烯接枝聚醯胺等接枝共聚物；等。 該等可單獨使用一種，亦可組合兩種以上使用。
作為聚乙烯系樹脂，可例舉：高密度聚乙烯、低密度聚乙烯、直鏈狀低密度聚乙烯、乙烯與α-烯烴之共聚物、丙烯-乙烯共聚物等樹脂。 該等可單獨使用一種，亦可組合兩種以上使用。 又，該等聚乙烯系樹脂亦可藉由交聯劑等而具有適當交聯結構。
作為聚醯胺系樹脂，例如可例舉：聚醯胺、聚醯胺共聚物、其等之混合物。聚醯胺系樹脂中亦可包含藉由胺基羧酸之自縮合、內醯胺之開環聚合、二胺與二羧酸之縮聚所獲得之聚合物。 作為聚醯胺，可例舉：藉由二胺與二羧酸之縮聚所獲得之尼龍66、尼龍610、尼龍612、尼龍46、尼龍1212等、藉由內醯胺之開環聚合所獲得之尼龍6、尼龍12等。 作為聚醯胺共聚物，例如可例舉：尼龍6/66、尼龍66/6、尼龍66/610、尼龍66/612、尼龍66/6T(T表示對苯二甲酸成分)、尼龍66/6I(I表示間苯二甲酸成分)、尼龍6T/6I等。 作為其等之混合物，例如可例舉：尼龍66與尼龍6之混合物、尼龍66與尼龍612之混合物、尼龍66與尼龍610之混合物、尼龍66與尼龍6I之混合物、尼龍66與尼龍6T之混合物等。 該等可單獨使用一種，亦可組合兩種以上使用。
於本實施方式中，關於除PPE系樹脂以外之上述熱塑性樹脂之含量，就發泡體之加工性之觀點而言，相對於基材樹脂100質量%，上述熱塑性樹脂之含量較佳為10～100質量%，更佳為20～80質量%。
作為熱硬化性樹脂，可例舉：酚樹脂、環氧樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚胺基甲酸酯、三聚氰胺樹脂等，其中，較佳為酚樹脂、三聚氰胺樹脂。 該等可單獨使用一種，亦可組合兩種以上使用。
作為添加劑，可例舉：阻燃劑、阻燃助劑、熱穩定劑、抗氧化劑、抗靜電劑、無機填充劑、抗滴下劑、紫外線吸收劑、光吸收劑、塑化劑、離型劑、染顏料、橡膠成分、除上述基材樹脂以外之樹脂等，可於不損害本發明之效果之範圍內進行添加。
作為添加劑之含量，將基材樹脂設為100質量份，較佳為0～40質量份，更佳為5～30質量份。
此處，作為阻燃劑，不受特別限定，可例舉：有機系阻燃劑、無機系阻燃劑。 作為有機系阻燃劑，可例舉：溴化合物所代表之鹵素系化合物、磷系化合物、及矽酮系化合物所代表之非鹵素系化合物等。 作為無機系阻燃劑，可例舉：氫氧化鋁、氫氧化鎂所代表之金屬氫氧化物、三氧化銻、五氧化銻所代表之銻系化合物等。 該等可單獨使用一種，亦可組合兩種以上使用。
上述阻燃劑之中，就環境性之觀點而言，較佳為有機系阻燃劑之非鹵素系阻燃劑，更佳為磷系阻燃劑、矽酮系阻燃劑。
磷系阻燃劑可使用包含磷或磷化合物者。作為磷，可例舉：紅磷。又，作為磷化合物，可例舉：磷酸酯、主鏈具有磷原子與氮原子之鍵之磷氮基化合物等。 作為磷酸酯，例如可例舉：磷酸三甲酯、磷酸三乙酯、磷酸三丙酯、磷酸三丁酯、磷酸三戊酯、磷酸三己酯、磷酸三環己酯、磷酸三苯酯、磷酸三甲苯酯、磷酸三(二甲苯)酯、磷酸甲苯酯二苯酯、磷酸二甲苯酯苯酯、磷酸二甲酯乙酯、磷酸甲酯二丁酯、磷酸乙酯二丙酯、磷酸羥基苯基二苯酯、磷酸間苯二酚雙二苯酯等，又，亦可例舉：該等被各種取代基改性而成之類型之磷酸酯化合物、各種縮合類型之磷酸酯化合物。 其中，就耐熱性、阻燃性、發泡性之觀點而言，較佳為：磷酸三苯酯及縮合類型之磷酸酯化合物。 該等可單獨使用一種，亦可組合兩種以上使用。
又，作為矽酮系阻燃劑，可例舉：(單或聚)有機矽氧烷。 作為(單或聚)有機矽氧烷，例如可例舉：二甲基矽氧烷、苯基甲基矽氧烷等單有機矽氧烷；使該等聚合所獲得之聚二甲基矽氧烷、聚苯基甲基矽氧烷；其等之共聚物等有機聚矽氧烷等。 於為有機聚矽氧烷之情形時，主鏈及支出之側鏈之鍵結基為氫、烷基、苯基，較佳為苯基、甲基、乙基、丙基，但不限定於此。末端鍵結基可為羥基、烷氧基、烷基、苯基。矽酮類之形狀亦不受特別限制，可利用油狀、膠狀、清漆狀、粉體狀、顆粒狀等任意者。 該等可單獨使用一種，亦可組合兩種以上使用。
作為阻燃劑之含量，可設為添加劑之含量之範圍內，將基材樹脂設為100質量份，較佳為0～30質量份，更佳為5～25質量份。所添加之阻燃劑越多，越容易獲得發泡體之阻燃性得到提高之效果，一般而言，若添加阻燃劑，則有增加介電常數及介電損耗因數之傾向。
又，作為橡膠成分，例如可例舉：丁二烯、異戊二烯、1,3-戊二烯等，但並不限定於此。該等較佳為以粒子狀分散於包含聚苯乙烯系樹脂之連續相中。作為添加該等橡膠成分之方法，可加入橡膠成分其本身，亦可使用苯乙烯系彈性體及苯乙烯-丁二烯共聚物等樹脂作為橡膠成分供給源。 於添加橡膠成分之情形時，橡膠成分之含量可設為添加劑之含量之範圍內，將基材樹脂設為100質量份，較佳為0.3～15質量份，更佳為0.5～8質量份，進而較佳為1～5質量份。若為0.3質量份以上，則容易獲得樹脂之柔軟性、伸長率優異、發泡時發泡細胞膜不易破膜、且成形加工性及機械強度優異之發泡體。
於本實施方式中，為了提高罩體之阻燃性，較佳為在樹脂組合物中添加大量阻燃劑，若阻燃劑之添加量增加，則會對發泡性造成不良影響。於此種情形時，為了對樹脂組合物賦予發泡性，較佳使用橡膠成分。特別是，於使溫度自常溫逐漸上升而使樹脂在非熔融狀態下發泡之顆粒發泡中，上述橡膠成分較為重要。
(發泡體之製造方法) 本實施方式之發泡體之製造方法不受特別限定，例如可例舉：擠出發泡法、射出發泡法、顆粒發泡法(模具內發泡法)、延伸發泡法、溶劑萃取發泡法等。 擠出發泡法係如下方法，即，使用擠出機，將有機或無機發泡劑壓入至熔融狀態之樹脂中，在擠出機出口釋放壓力，藉此獲得具有固定截面形狀之板狀、片狀、或柱狀之發泡體。 射出發泡法係如下方法，即，使具備發泡性之樹脂射出成形，使之於模具內發泡，藉此獲得具有空孔之發泡體。 顆粒發泡法(模具內發泡法)係如下方法，即，將發泡粒子填充至模具內，藉由水蒸氣等進行加熱使發泡粒子膨脹，與此同時使發泡粒子彼此熱熔合，藉此獲得發泡體。 延伸發泡法係如下方法，即，將填料等添加劑預先在樹脂中進行混練，使樹脂延伸，藉此產生微孔隙而製作發泡體。 溶劑萃取發泡法係如下方法，即，於樹脂中添加溶解於特定溶劑中之添加劑，將成形品浸漬於特定溶劑中來萃取添加劑而製作發泡體。
於為擠出發泡之情形時，所獲得之發泡體為板狀、片狀等，需要如下步驟：將其切斷成加工所需之形狀之模切步驟；對所切出之部分進行貼合之熱貼合步驟等。 另一方面，於為顆粒發泡法之情形時，製作所需之形狀之模具，將發泡粒子填充於其中而成形，因此容易使發泡體成形為更微細之形狀或複雜之形狀。 於為射出發泡法之情形時，亦可使發泡體成形為複雜之形狀，於為顆粒發泡之情形時，容易提高發泡體之發泡倍率，除了表現隔熱性以外，亦容易表現柔軟性。
作為發泡劑，不受特別限定，可使用通常所使用之氣體。 作為該例，可例舉：空氣、二氧化碳、氮氣、氧氣、氨氣、氫氣、氬氣、氦氣、氖氣等無機氣體；三氯氟甲烷(R11)、二氯二氟甲烷(R12)、氯二氟甲烷(R22)、四氯二氟乙烷(R112)、二氯氟乙烷(R141b)、氯二氟乙烷(R142b)、二氟乙烷(R152a)、HFC-245fa、HFC-236ea、HFC-245ca、HFC-225ca等氟碳；丙烷、正丁烷、異丁烷、正戊烷、異戊烷、新戊烷等飽和烴；二甲醚、二乙醚、甲基乙基醚、異丙醚、正丁醚、二異丙醚、呋喃、糠醛、2-甲基呋喃、四氫呋喃、四氫哌喃等醚類；二甲基酮、甲基乙基酮、二乙基酮、甲基正丙基酮、甲基正丁基酮、甲基異丁基酮、甲基正戊基酮、甲基正己基酮、乙基正丙基酮、乙基正丁基酮等酮類；甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇、丁醇、異丁醇、第三丁醇等醇類；甲酸甲酯、甲酸乙酯、甲酸丙酯、甲酸丁酯、甲酸戊酯、丙酸甲酯、丙酸乙酯等羧酸酯類；氯化甲基、氯化乙基等氯化烴類；等。 該等可單獨使用一種，亦可組合兩種以上使用。
就阻燃性之觀點而言，發泡劑較佳為沒有可燃性及助燃性、或可燃性及助燃性較少，就氣體之安全性之觀點而言，更佳為無機氣體。又，無機氣體與烴等有機氣體相比，不易溶於樹脂，容易於發泡步驟或成形步驟之後自樹脂抽取氣體，因此亦具有成形後之發泡體之經時尺寸穩定性更加優異之優點。進而，於使用無機氣體之情形時，亦不易發生由殘留氣體所引起之樹脂塑化，亦具有於不經由熟成等步驟之情況下，容易自更早之階段開始表現優異之耐熱性之優點。無機氣體之中，就對樹脂之溶解性、操作之容易性之觀點而言，較佳為二氧化碳。又，一般而言，烴系有機氣體之可燃性較高，於殘留於發泡體中之情形時，有阻燃性變差之傾向。
本實施方式之發泡體較佳為藉由上述顆粒發泡法而製造，較佳為包含發泡粒子。 藉由使用顆粒發泡法進行成形，可提高罩體之賦形性。
顆粒發泡法所使用之發泡粒子可藉由如下方式獲得，即，使基材樹脂含有(含浸)發泡劑，產生發泡。具體而言，例如可例舉如下方法，即，依據日本專利特開平4-372630號公報之實施例1所記載之方法，將基材樹脂(顆粒狀、顆粒狀等)收容於耐壓容器中，藉由乾燥空氣置換容器內之氣體，其後壓入發泡劑(氣體)，使基材樹脂含浸發泡劑(氣體)，其後釋放壓力，將基材樹脂顆粒自壓力容器移送至發泡爐，對於基材樹脂顆粒，一面於發泡爐內旋轉攪拌葉片，一面藉由加壓水蒸氣進行加溫使之發泡，藉此製造發泡粒子。 使基材樹脂含浸發泡劑(氣體)時之條件不受特別限定，就更加有效率地進行發泡劑(氣體)對基材樹脂之含浸之觀點而言，例如較佳為含浸壓0.3～30 MPa、含浸溫度-20～100℃、含浸時間10分鐘～96小時。又，關於發泡爐內之加壓水蒸氣之最大蒸氣壓，就容易獲得所需之倍率，使外觀良化之觀點而言，發泡爐內之加壓水蒸氣之最大蒸氣壓較佳為30～700 kPa・G。 於上述發泡粒子之製造方法中，自完成耐壓容器內之排放壓力(含浸壓之釋放)開始至在發泡爐內藉由加壓水蒸氣開始加溫為止的時間較佳為未達600秒，更佳為300秒以內，進而較佳為120秒以內，尤佳為60秒以內。若該時間為上述範圍內，則可抑制含浸於基材樹脂中之氣體不均勻地擴散，因此可使氣泡直徑變得均勻，且防止氣泡直徑增大。
使用發泡粒子成形發泡體之方法不受特別限定，例如可例舉如下方法，即，將發泡粒子填充至成形用模具之模腔內，藉由加熱而發生膨脹，與此同時使發泡粒子彼此熱熔合，其後藉由冷卻使產物固化並成形。發泡粒子之填充方法不受特別限定，可使用公知之方法。 較佳為在將發泡粒子填充於成形用模具之模腔內之前，對發泡粒子進行利用氣體所進行之加壓處理。藉由對發泡粒子之氣泡賦予一定之氣體壓力，可使構成所獲得之發泡體之發泡粒子彼此牢固熔合，改善成形體之剛性及外觀。加壓處理所使用之氣體不受特別限定，就操作容易性及經濟性之觀點而言，較佳為空氣及無機氣體。加壓處理之方法不受特別限定，可例舉如下方法，即，將發泡粒子填充至加壓容器內，其後導入加壓氣體，耗時10分鐘～96小時升壓至最大壓力0.1～20 MPa，藉此將氣體供給至該加壓容器內；等。 作為成形發泡粒子時之加熱方法，可例舉：使用水蒸氣等熱介質所進行之加熱、利用IR加熱器等加熱器所進行之加熱、使用微波所進行之加熱等。當進行使用熱介質所進行之加熱時，可設為通用之熱介質，就有效率地加熱樹脂之觀點而言，較佳為水蒸氣。
作為本實施方式中將發泡體加工成目標形狀之方法，不受特別限定，可例舉：將發泡粒子或熔融樹脂填充至模具中使之成形之方法；藉由鋸齒刀及模切刀等刀具進行切斷之方法；藉由研磨機進行切削之方法；藉由熱或黏著劑/接著劑將複數個發泡體接著之方法；等。
關於發泡體之發泡倍率，就藉由降低相對介電常數或介電損耗因數而減小複折射率之大小，藉此容易提高電波透過率且容易降低電波透過率之入射角度依存性之觀點而言，發泡體之發泡倍率較佳為1.2(cm 3/g)以上，更佳為1.5(cm 3/g)以上，進而較佳為1.7(cm 3/g)以上。又，關於發泡體之發泡倍率，就提高機械強度之觀點而言，發泡體之發泡倍率較佳為30(cm 3/g)以下，更佳為15(cm 3/g)以下，進而較佳為10(cm 3/g)以下。 發泡體之形狀、大小、厚度等不受特別限定，可根據罩體之形狀、大小、厚度等而適當決定，關於厚度，就提高電波透過性且亦確保機械強度之觀點而言，厚度較佳為1～20 mm，更佳為2～10 mm，進而較佳為2～8 mm。 再者，具體而言，發泡體之發泡倍率係藉由下述實施例所記載之方法求出。
(樹脂板) 作為構成樹脂板之樹脂，例如可例舉：上述熱塑性樹脂及熱硬化性樹脂，就機械強度、電波透過性之觀點而言，較佳為聚醯胺樹脂、聚酯樹脂、聚丙烯樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、改性聚苯醚樹脂等。 樹脂板亦可任選地進而包含阻燃劑等上述添加劑或玻璃纖維、碳纖維等，但通常有相對介電常數或介電損耗因數變高之傾向，為了提高電波透過性或減少散射、折射等，較佳為不包含或包含少量上述添加劑或玻璃纖維、碳纖維。 樹脂板之形狀、大小、厚度等不受特別限定，可根據罩體之形狀、大小、厚度等而適當決定，但就提高機械強度，且提高電波透過性之觀點而言，厚度較佳為0.1～5 mm，更佳為0.3～3 mm。 樹脂板之製造方法不受特別限定，例如可使用：射出成形、擠出片體成形、使用熱輥之片體成形等公知之熱壓方法等。
(罩體之電波透過率) 關於本實施方式之罩體之電波透過率，滿足下述式之關係。 (100－正面透過率X)×(100－斜向透過率Y)＜55 (正面透過率X(%)：在頻率f(Hz)下罩體在入射角0°時之電波透過率(%)，斜向透過率Y(%)：在頻率f(Hz)下罩體在入射角60°時之TE波之電波透過率(%)) 上述式所表示之值未達55，較佳為50以下，更佳為45以下，進而較佳為40以下。再者，關於透過率，原理上來說，相較TM波，TE波對入射角度之依存性較高，又，一般而言，入射角越大，TE波之電波透過率越有降低之傾向，而於60°時之TE波之電波透過率較高之情形時，有在0～60°範圍內可抑制TE波之電波透過率隨著入射角之增加而降低之傾向。於上述值中，(100－正面透過率X)所示之值大幅依存於正面透過率，且(100－斜向透過率Y)所示之值反映透過率之角度依存性，因此若上述值處於該範圍內，則有正面方向之透過率變高且入射角依存性變小之傾向。 再者，於本案中，入射角係指，對於著眼之罩體之供電波入射之側之表面，相對於切面之法線方向與供電波入射之方向所成的角度。又，關於罩體之供電波入射之部分，於為具有複數個曲面之形狀而非單純平板形狀之情形時，劃分成微小區間，對每個微小區間計算電波透過率，並進行研究。
進而，關於本實施方式之罩體之電波透過率，較佳為滿足下述式之關係。 |正面透過率X－斜向透過率Y|＜25 上述正面透過率X與斜向透過率Y的差之絕對值(|正面透過率X－斜向透過率Y|)較佳為未達20%，更佳為18%以下，進而較佳為15%以下。關於透過率，原理上來說，相較TM波，TE波對入射角度之依存性較高，因此若作為TE波之電波透過率之斜向透過率Y與正面透過率X的差之絕對值為如上所述範圍之較小之值，則成為整體上入射角度依存性變低、且針對寬廣範圍入射角表現較高電波透過性之罩體。又，一般而言，入射角越大，TE波之電波透過率越有降低之傾向，於60°時之TE波之電波透過率較高之情形時，有在0～60°範圍內可抑制TE波之電波透過率隨著入射角之增加而降低之傾向。若正面透過率X與斜向透過率Y的差之絕對值超過上述範圍，則在0～60°範圍內，入射角依存性有變大之傾向。 正面透過率X例如可藉由如下方式進行控制，即，對構成罩體之各層之複折射率及/或厚度進行調整，若使下述正面方向特性矩陣之m 12成分之大小與m 21成分之大小的差、或Λ之值之最小值變小，則正面透過率X變大。又，斜向透過率Y例如可藉由如下方式控制，即，對構成罩體之各層之複折射率及/或厚度、及下述特性矩陣中之入射角60°時之TE波之m 11成分之大小(絕對值)M 11進行調整。藉由減小複折射率、調整層構成、減小上述特性矩陣之m 11成分之大小M 11等，而使斜向透過率Y變大。
關於本實施方式之罩體，特定之電波頻率下之正面透過率X較佳為85%以上，更佳為90%以上，進而較佳為95%以上，最佳為97%以上。 再者，於本說明書，「特定之電波頻率」係指電子機器所收發之任意電波頻率。一般而言，越為高頻率，電波之直進性及衰減量越大，且罩體之電波透過率之角度依存性越大，因此特別是在1～100 GHz之頻率下，本實施方式之罩體較佳。 又，特定之電波頻率下之斜向透過率Y較佳為70%以上，更佳為80%以上，進而較佳為85%，進而更佳為90%以上。若特定之電波頻率下之斜向透過率Y為上述範圍，則透過率之角度依存性有變小之傾向，容易在廣泛角度下維持較高之透過率。又，罩體之供電波透過之部分之形狀不僅為板狀，亦可為如具有曲面或角部之構造，由於透過率之角度依存性較小，故而不易受到形狀之影響，罩體或電子機器之尺寸、設計等之自由度得到提高。 再者，上述正面透過率X及斜向透過率Y可藉由如下方法而獲得，即，藉由既知之方法測定罩體之電波衰減量，或藉由既知之方法對相對介電常數或介電特性、層構成、厚度等進行測定，並根據所獲得之資訊計算電波透過率之方法(例如，自下述特性矩陣計算反射係數、透過係數，並轉換成透過率或反射率之方法)等，例如可藉由下述實施例所記載之方法進行測定。
關於本實施方式之罩體，就提高電波透過性之觀點、接收電波之機器因受到反射波之影響而容易降低其發送/接收精度之觀點而言，特定之電波頻率下之正面反射率(入射角0°時之電波反射率)較佳為10%以下，更佳為5%以下，進而較佳為3%以下。 同樣地，就提高電波透過性之觀點、接收電波之機器因受到反射波之影響而容易降低其發送/接收精度之觀點、提高對寬廣範圍入射角之電波之電波透過性之觀點而言，特定之電波頻率下之斜向反射率(入射角60°時之TE波之電波反射率)較佳為30%以下，更佳為20%以下，進而較佳為15%以下。 再者，上述正面反射率及斜向反射率可藉由如下方法而獲得，即，藉由既知之方法測定罩體之反射衰減量，或藉由既知之方法對相對介電常數或介電特性、層構成、厚度等進行測定，並根據所獲得之資訊計算電波反射率之方法(例如，自下述特性矩陣計算反射係數、透過係數，並轉換成透過率或反射率之方法)等，例如可藉由下述實施例所記載之方法進行測定。
當電波透過罩體時，若在罩體之鄰接之層間之界面、及罩體之表層與空氣層之界面(罩體之表面)發生界面反射，產生由該反射波所引起之干涉而成為增強狀態，則反射之影響變大，電波之透過率變小。又，關於界面反射，該界面之入射側之層與出射側之層之複折射率之大小的差越大，界面反射越有變大之傾向。 例如，對於主要來自正面方向之電波(以入射角0°入射之電波)，若於1個層中，層之厚度接近透過該層中之電波之1/2波長之整數倍，則各界面(層之各面)所產生之反射波可相互抵消，從而降低反射率。於為包含複數個層之積層體之情形時，各界面之反射波整體削弱，藉此由反射所引起之干涉減小，一般而言，有罩體之表層與空氣層之界面之複折射率之大小的差容易變得最大，界面反射變大之傾向，因此較佳設為特別是在表層所產生之反射波削弱之構成。 因此，當本實施方式之罩體設為包含N層(N為1以上之整數)之單層體或積層體時，藉由下述式所求得之Λ值之最小值較佳為0.15以下。 [數6]
Figure 02_image013
(d i：第i層之厚度[m]，N i：第i層之複折射率n i之大小，λ 0：空氣中之電磁波之波長[m]，K：任意整數) 上述Λ之最小值較佳為0.15以下，更佳為0.12以下，進而較佳為0.10以下。若Λ之最小值為上述範圍，則針對主要來自正面方向之電波(以入射角0°入射之電波)，反射波之削弱程度變大，可減小反射波，因此成為上述正面透過率X較高、具有較高電波透過性之罩體。 於罩體為包含複數個層之積層體之情形時，一般而言，若含有包含複折射率之大小較大(相對介電常數、介電損耗因數較大)之黏著劑/接著劑之層(經由黏著劑/接著劑等而貼合有其他層並積層)，則有電波之衰減或折射、由與鄰接之層之複折射率之大小的差所產生之界面反射變大之傾向。因此，罩體較佳為不含有包含黏著劑/接著劑之層(各層於不經由接著劑等之情況下彼此直接相接而積層)。
關於罩體之各層，特定之電波頻率下之複折射率n i之大小N i較佳為1.8以下，更佳為1.6～1.0，進而較佳為1.5～1.0。若罩體之各層之複折射率n i之大小N i為上述範圍，則容易減少界面反射，容易提高正面方向透過率，且容易降低電波透過率之角度依存性，又，由於與鄰接之界面之複折射率的差容易變小，且由各層之厚度d i之增減所引起的Λ之最小值之變化變小，故而可增大各層之厚度之設計範圍，提高製造穩定性，且可減小電磁波之透過率之角度依存性。 又，鄰接之層間(亦包含空氣層與表層之層間)之複折射率之大小的差之最大值較佳為0.8以下，更佳為0.6以下，進而較佳為0.5以下。若鄰接之層間之複折射率之大小的差之最大值為上述範圍，則可減少鄰接之層間之界面中之界面反射，因此容易提高電波透過率，且降低電波透過率之入射角度依存性。又，於層間為複數個之情形時，不僅對於複折射率之大小之差最大之層間，對於其他層間，亦較佳為該複折射率之大小之差較小。 再者，於本說明書，「鄰接之層」意指構成罩體之層彼此鄰接之層，亦包含與罩體之表面相接之空氣層。 罩體之各層之複折射率(第i層之複折射率n i)可藉由既知之方法進行測定，可依據以下之式，根據相對介電常數及介電損耗因數進行計算。又，可根據所獲得之複折射率n i計算其大小N i。 [數7]
Figure 02_image015
(n i：第i層之複折射率，j：虛數單位，ε ri：第i層之複相對介電常數，μ ri：第i層之複相對磁導率，tanδ：介電損耗因數，ε i'：相對介電常數，ε i''：相對介電損耗指數)
當本實施方式之罩體設為在特定之電波頻率下包含N層(N為1以上之整數)之單層體或積層體時，於特性矩陣法中之下述特性矩陣之式中，如下述式所示，正面方向(入射角0°)上m 12成分之大小M 12與m 21成分之大小M 21的差之絕對值(|M 12－M 21|)較佳為0.35以下。 |M 12－M 21|≦0.35 (M 12：正面方向上之特性矩陣m 12成分之大小，M 21：正面方向上之特性矩陣m 21成分之大小) 上述值較佳為0.35以下，更佳為0.30以下，進而較佳為0.25以下。若處於該值之範圍內，則容易降低正面方向之反射率，因此容易提高罩體之電波透過率，且可抑制由反射波所引起之收發電波之機器之發送/接收精度變差。關於下述特性矩陣之各成分，如以下式所示，可根據各層之相對介電常數、介電損耗因數、厚度、及層構成等進行調整。 [數8]
Figure 02_image017
(ω：角頻率[rad/s]，c：光速[m/s]，n i：第i層之複折射率，d i：第i層之厚度[m]，θ i：入射至第i層之電磁波之折射角[rad]，j：虛數單位，ε ri：第i層之複相對介電常數，μ ri：第i層之複相對磁導率，n 0：空氣之折射率，θ 0：入射角[rad]) 作為更佳之實施方式，可例舉：具有包含至少1層發泡體之層者。於僅包含相對介電常數或介電損耗因數相對較高之材料，如樹脂單層之情形時，可藉由適當地設計各層之介電特性或厚度而提高正面方向之電波透過率，但由於相對介電常數或介電損耗因數較高，故而斜方向之電波透過率容易變差。另一方面，藉由包含至少1層發泡體層，可一面提高正面方向之電波透過性，一面亦提高斜方向之電波透過性。
又，作為上述更佳之實施方式之具有至少1層發泡體層之罩體藉由包含至少1層發泡體，可降低罩體整體之平均折射率，因此，如上所述，於設計為正面方向之電波透過率變高之情形時，亦可減少正面方向與斜方向之光學距離的差，因此斜方向之電波透過率容易變高。作為更具體之設計，當設為在特定之電波頻率下包含N層(N為1以上之整數)之單層體或積層體時，於特性矩陣法中之下述特性矩陣之式中，入射角60°時之TE波之m 11成分之大小M 11較佳為0.5以上。 [數9]
Figure 02_image019
(ω：角頻率[rad/s]，c：光速[m/s]，n i：第i層之複折射率，d i：第i層之厚度[m]，θ i：入射至第i層之電磁波之折射角[rad]，j：虛數單位，ε ri：第i層之複相對介電常數，μ ri：第i層之複相對磁導率，n 0：空氣之折射率，θ 0：入射角[rad]) 上述特性矩陣式之各成分大小(絕對值)與罩體之電波透過率、電波反射率有關，上述特性矩陣式之m 11成分之大小M 11較佳為0.5以上，更佳為0.6～1.4，進而較佳為0.65～1.3。若上述特性矩陣之m 11成分之大小M 11為上述範圍，則上述斜向透過率Y容易變高，因此成為針對寬廣範圍入射角表現較高電波透過性之罩體。關於特性矩陣之各成分，如以下式所示，可根據各層之相對介電常數、介電損耗因數、厚度、及層構成等進行調整。 再者，於包含N＝2以上之N層積層體之罩體中，存在如下情形，即，上述特性矩陣式之m 11成分自第1層計算至第N層之情形與自第N層計算至第1層之情形不同，使用其實數部分之數值較大者。於自第1層計算至第N層之情形時之m 11與自第N層計算至第1層之情形時之m 11一致之情形時，使用自第1層計算至第N層之情形時之m 11成分之值。
又，可使用各種入射角時之上述TE波之特性矩陣之成分之計算值，如下所示，計算TE波中之透過係數t、反射係數r，並由此計算TE波之透過率、反射率。 [數10]
Figure 02_image021
(μ r0：入射側空氣層之複相對介電常數，ε r0：入射側空氣層之複相對磁導率，θ 0：入射角[rad]，μ rn+1：出射側空氣層之複相對介電常數，ε rn+1：出射側空氣層之複相對磁導率，θ n+1：出射角[rad])
又，關於TM波之特性矩陣、透過係數、及反射係數，可使用以下式計算特性矩陣、透過係數t、反射係數r，並由此計算TM波之透過率、反射率。 [數11]
Figure 02_image023
(μ r0：入射側空氣層之複相對介電常數，ε r0：入射側空氣層之複相對磁導率，θ 0：入射角[rad]，μ rn+1：出射側空氣層之複相對介電常數，ε rn+1：出射側空氣層之複相對磁導率，θ n+1：出射角[rad]，ω：角頻率[rad/s]，c：光速[m/s]，n i：第i層之複折射率，d i：第i層之厚度[m]，θ i：入射至第i層之電磁波之折射角[rad]，j：虛數單位，ε ri：第i層之複相對介電常數，μ ri：第i層之複相對磁導率，n 0：空氣之折射率)
於本實施方式之罩體中，至少1層之密度較佳為未達0.90 g/cm 3，更佳為未達0.75 g/cm 3，進而較佳為未達0.50 g/cm 3。若至少1層之密度為上述範圍，則複折射率n i之大小N i變小，可減少界面反射，且降低電波透過率之入射角度依存性。又，關於至少1層之密度，就機械強度之觀點而言，至少1層之密度較佳為0.03 g/cm 3以上，更佳為0.05 g/cm 3以上，進而較佳為0.10 g/cm 3以上。 再者，具體而言，各層之密度係藉由下述實施例所記載之方法求出。
關於本實施方式之罩體之構成，就調整各層之複折射率、密度、相對介電常數、介電損耗因數等，減小電波透過率之入射角度依存性之觀點而言，相較為密度及相對介電常數較高之樹脂板單層，本實施方式之罩體之構成較佳為包含至少1層發泡體，例如較佳為：包含發泡體單層之單層體、或包含不同密度之複數個層之積層體、樹脂層與發泡體層之積層體、或樹脂層/發泡體層/樹脂層之夾層構造之積層體。 作為包含不同密度之複數個層之積層體，例如可例舉：包含至少1層之密度未達0.90 cm 3/g之層、及至少1層之密度為0.90 cm 3/g以上之層者。 又，於罩體包含不同密度之複數個層之情形時，就提高機械強度之觀點而言，當安裝於收發電波之電子機器時，構成外表面之表層較佳為密度較高之層，更佳為密度最高之層。例如，於為包含至少1層之上述密度未達0.90 cm 3/g之層、及至少1層之密度為0.90 cm 3/g以上之層的積層體之情形時，較佳為密度為0.90 cm 3/g以上之層中之至少1層為構成外表面之表層，更佳為密度為0.90 cm 3/g以上之層中之密度最高之層為構成外表面之表層。
(罩體各層之阻燃性) 於本實施方式之罩體之各層特別是為發泡體之情形時，一般而言，由於包含空氣，故而容易燃燒，於用作罩體之情形時，阻燃性特別重要。因此，關於罩體之各層，於為發泡體層之情形時，將厚度設為5.0 mm，於為樹脂層之情形時，將厚度設為1.0 mm，基於UL94垂直燃燒試驗所測得之阻燃等級較佳為V-2以上，更佳為V-1以上，進而較佳為V-0。 各層之阻燃性可藉由如下方式改變，即，製造時，調整樹脂之種類或與樹脂一併使用之阻燃劑之種類及含量等。藉由罩體具備較高之阻燃性，而假設即便於收發電波之電子機器中因短路(short)或爆炸等而發生燃燒，亦可抑制燃燒之擴大。 再者，具體而言，利用UL94標準所得之隔熱層之阻燃性可藉由實施例所記載之方法進行測定。
(罩體各層之相對介電常數及介電損耗因數tanδ) 關於本實施方式之罩體之各層，於本實施方式之發泡體中，特定之電波頻率下之相對介電常數較佳為1.00～3.00，更佳為1.00～2.50，進而較佳為1.00～2.00。 又，關於本實施方式之罩體之各層，特定之電波頻率下之介電損耗因數tanδ較佳為0.05以下，更佳為0.01以下，進而較佳為0.005以下。 作為降低罩體之各層中所使用之基材樹脂之相對介電常數及介電損耗因數tanδ之方法，可例舉：選定未發泡樹脂之密度較低者、未發泡樹脂之極性較低者、分子鏈末端極性基較少者等作為基材樹脂。作為就該觀點而言尤佳之樹脂，可例舉：聚烯烴系樹脂、聚苯乙烯系樹脂、聚苯醚系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、氟系樹脂、高分子液晶樹脂、聚苯硫醚系樹脂等。其中，若亦考慮加工性、成本、阻燃性之觀點，則較佳為聚烯烴系樹脂、聚苯乙烯系樹脂、聚苯醚系樹脂。 再者，具體而言，相對介電常數及介電損耗因數tanδ可藉由實施例所記載之方法進行測定。
(發泡體層之氣泡直徑) 於本實施方式之罩體包含發泡體層之情形時，於各發泡體層之10體積%以上，於發泡體為除包含發泡粒子之發泡體以外之發泡體之情形時，在厚度方向上距離發泡體之表面20～80%之範圍內所包含之氣泡之直徑之平均值B相對於與發泡體之表面相接之氣泡之直徑之平均值A的比率(B/A)較佳為0.3以上且未達3.0。 又，於各發泡體層之10體積%以上，於發泡體為包含發泡粒子之發泡體之情形時，對於在厚度方向上距離發泡體之表面10～90%之範圍內所包含之發泡粒子，在徑向上距離發泡粒子之表面20～80%之範圍內所包含之氣泡之直徑之平均值B'相對於與發泡粒子之表面相接之氣泡之直徑之平均值A'的比率(B'/A')較佳為0.3以上且未達3.0。 滿足上述氣泡直徑之關係之部分之體積比率較佳為各發泡體層之10體積%以上，更佳為各發泡體層之20體積%以上，進而較佳為各發泡體層之25體積%以上。若體積比率為上述範圍，則當將罩體安裝於收發電波之電子機器時，滿足上述氣泡直徑之關係之部分可充分構成供電波透過之部分。
((發泡體中之氣泡之表層氣泡直徑及中央部氣泡直徑)) 於本說明書，「與發泡體之表面相接之氣泡」(表層氣泡)係指如下氣泡，即，當觀察在厚度方向上切斷發泡體所得之截面時，整體包含在發泡體中之氣泡之中，氣泡之輪廓線之一部分與表示發泡體之表面之線吻合。 又，於本說明書，「在厚度方向上距離發泡體之表面20～80%之範圍內所包含之氣泡」(中央部氣泡)係指如下氣泡，即，當觀察在厚度方向上切斷發泡體所得之截面時，整體包含在發泡體中之氣泡之中，將發泡體之厚度設為100%時，在距離發泡體之表面20～80%之厚度範圍內包含其至少一部分，且不與發泡體之表面相接(不是表層氣泡)。 再者，氣泡直徑之測定係以如下方式進行測定，即，當使用掃描電子顯微鏡(SEM)觀察在厚度方向上切斷發泡體所得之截面時，將氣泡之輪廓線上連接2點之線段之長度中之最長之線段設為該氣泡之直徑。 表層氣泡直徑之平均值A設為如下之值，即，測定至少15個表層氣泡之直徑，對該測定值進行平均所得之值。又，中央部氣泡直徑之平均值B設為如下之值，即，測定至少30個中央部氣泡之直徑，對該測定值進行平均所得之值。 具體而言，表層氣泡直徑及中央部氣泡直徑可藉由實施例所記載之方法進行測定。
於本實施方式之發泡體為除包含發泡粒子之發泡體(顆粒發泡體)以外之發泡體(例如，擠出發泡體、射出發泡體、延伸發泡體、溶劑萃取發泡體等)之情形時，中央部氣泡直徑之平均值B相對於表層氣泡直徑之平均值A的比率(B/A)較佳為0.3以上3.0以下，更佳為0.5以上且未達2.0，進而較佳為0.6～1.8。B/A為上述範圍之發泡體由於發泡性均勻，故而介電常數之均勻性優異，可減少電波之折射或散射。
((發泡粒子中之氣泡之最外層氣泡直徑及中心氣泡直徑)) 於本說明書，「與發泡粒子之表面相接之氣泡」(最外層氣泡)係指如下氣泡，即，當觀察在厚度方向上切斷包含發泡粒子之發泡體所得之截面時，對於由表示發泡粒子之表面之線(發泡粒子之輪廓線)所包圍之各發泡粒子整體包含在厚度方向上距離發泡體之表面10～90%之範圍內之發泡粒子，整體包含在各發泡粒子中之氣泡之中，氣泡之輪廓線之一部分與表示發泡粒子之表面之線(發泡粒子之輪廓線)吻合。 又，於本說明書，「在徑向上距離發泡粒子之表面20～80%之範圍內所包含之氣泡」(中心氣泡)係指如下氣泡，即，當觀察在厚度方向上切斷包含發泡粒子之發泡體所得之截面時，對於由表示發泡粒子之表面之線(發泡粒子之輪廓線)所包圍之各發泡粒子整體包含在厚度方向上距離發泡體之表面10～90%之範圍內之發泡粒子，整體包含在各發泡粒子中之氣泡之中，將發泡粒子之直徑設為100%時，在距離發泡粒子之表面20～80%之直徑範圍內包含其至少一部分，且不與發泡粒子之表面相接(不為最外層氣泡)。 再者，包含發泡粒子之發泡體係指發泡體中之發泡粒子(來自預發泡粒子者)為50質量%以上。 包含發泡粒子之發泡體除了存在於發泡粒子中之氣泡以外為實心，可設為在發泡粒子間不產生空間(氣泡)。
氣泡直徑之測定係以如下方式進行測定，即，當使用掃描電子顯微鏡(SEM)觀察在厚度方向上切斷發泡體所得之截面時，僅將能夠自截面圖像清晰觀察到整體之氣泡設為對象，將氣泡之輪廓線上連接2點之線段之長度中之最長之線段設為該氣泡之直徑。 最外層氣泡直徑之平均值A'設為如下之值，即，測定至少15個表層氣泡之直徑，對該測定值進行平均所得之值。又，中心氣泡直徑之平均值B'設為如下之值，即，測定至少30個中央部氣泡之直徑，對該測定值進行平均所得之值。 具體而言，最外層氣泡直徑及中心氣泡直徑可藉由實施例所記載之方法進行測定。
於本實施方式之發泡體為包含發泡粒子之發泡體之情形時，中心氣泡直徑之平均值B'相對於最外層氣泡直徑之平均值A'的比率(B'/A')較佳為0.3以上3.0以下，更佳為0.5以上且未達2.0，進而較佳為0.6～1.8。B'/A'為上述範圍之發泡體由於發泡性均勻，故而發泡體內部之介電常數之均勻性優異，可減少電波之折射或散射。 又，於本實施方式之發泡體為包含發泡粒子之發泡體之情形時，中心氣泡直徑之平均值B'相對於表層氣泡直徑之平均值A的比率(B'/A)較佳為0.3以上3.0以下，更佳為0.5以上且未達2.0，進而較佳為0.6～1.8。B'/A為上述範圍之發泡體由於發泡性均勻，故而發泡體表面附近之介電常數之均勻性優異，可減少電波之折射或散射。
((發泡體中之氣泡之最大氣泡直徑)) 於本實施方式之罩體包含發泡體層之情形時，於各發泡體層之10體積%以上，發泡體中之氣泡之最大氣泡直徑較佳為1.500 mm以下，更佳為1.300 mm以下，進而較佳為1.000 mm以下，進而更佳為0.800 mm以下，尤佳為0.500 mm以下。於高頻帶中，若存在與波長接近之大小之構造體，則產生電波之散射，若最大氣泡直徑為1.500 mm以下，則發泡體中所含之氣泡之直徑較小，因此即便於高頻帶中，亦可減少電波之散射。特別是，相對於電波之波長，最大氣泡直徑越小，越不易引起電波之散射。 根據上述觀點，特定之電波頻率下之發泡體之最大氣泡直徑/波長較佳為未達0.15，更佳為0.12以下，進而較佳為0.10以下。
於本說明書，發泡體中之氣泡之「最大氣泡直徑」設為，對於除顆粒發泡體以外之發泡體，上述發泡體之表層氣泡直徑及中央部氣泡直徑之所有測定值之中最大之值。又，對於顆粒發泡體，發泡體中之氣泡之「最大氣泡直徑」設為上述發泡體之表層氣泡直徑、發泡粒子之最外層氣泡直徑、及中心氣泡直徑之所有測定值之中最大之值。 具體而言，最大氣泡直徑可藉由實施例所記載之方法進行測定。 作為將發泡體之最大氣泡直徑控制在上述範圍內之方法，例如可例舉：於為顆粒發泡體之情形時，如上所述，縮短自氣體對基材樹脂之含浸壓之釋放完成開始至加溫(發泡)開始為止之時間，藉此可減少發泡時之加溫開始時的發泡粒子中之氣體之含浸不均，使發泡體之氣泡直徑變得均勻，且防止氣泡直徑之增大。又，一般而言，作為減小發泡體之最大氣泡直徑之方法，例如可例舉：提高發泡步驟中之基材樹脂中之發泡劑之濃度；於發泡劑為氣體之情形時，於含浸步驟中，提高含浸於基材樹脂中之氣體之壓力或降低溫度；調整發泡步驟中之發泡溫度；調整基材樹脂之表面張力；調整基材樹脂之玻璃轉移溫度；等。
上述最大氣泡直徑為1.500 mm以下之部分之體積比率較佳為各發泡體層之10體積%以上，更佳為各發泡體層之20體積%以上，進而較佳為各發泡體層之25體積%以上。若體積比率為上述範圍，則當將罩體安裝於收發電波之電子機器時，上述最大氣泡直徑為1.500 mm以下之部分可充分構成供電波透過之部分。
[收發電波之電子機器] 本實施方式之收發電波之電子機器之特徵在於包含上述本實施方式之罩體。於收發電波之電子機器中，本實施方式之罩體可用作構成如下殼體之構件，上述殼體收容及保護裝置內部之機器(天線或控制基板等)。 藉由具備本實施方式之罩體，而成為通信品質較高、通信範圍較大之電子機器。 [實施例]
以下，藉由實施例，進一步詳細地說明本發明，但本發明並不受下述實施例任何限定。
以下，對實施例及比較例所使用之評價方法進行說明。
(1)各層之密度 參考實施例及比較例所獲得之罩體之各層之製作方法，將30 mm見方、10 mm厚度作為標準來製作各層之樣品，測定該樣品之質量W[g]，並除以樣品體積V[cm 3]，算出密度(g/cm 3)。 再者，於上述不易切出之情形時，可準備與各實施例及各比較例相同之材料來測定樣品質量，藉由水沒法測定體積，使用各個值來算出密度。
(2)各層之相對介電常數及介電損耗因數tanδ 自實施例及比較例所獲得之罩體之各層切出450 mm×450 mm×10 mm厚度之樣品，以此準備樣品。 繼而，將上述樣品設置於KEYCOM公司製造之頻率變化法介電常數-介電損耗因數測定裝置DPS10-02之附介電體透鏡之透過衰減測定治具，於室溫(溫度26℃、濕度60%)之條件下，測定透過衰減量及位相變化量。基於所獲得之結果及樣品之厚度，實施透過衰減量及位相變化量之計算值與實測值之擬合，求出最佳擬合時之相對介電常數、介電損耗因數，設為相對介電常數、介電損耗因數之測定值。
(3)各層之複折射率n i及其大小N i對於實施例及比較例所獲得之罩體，依據下述式，根據上述「(2)各層之相對介電常數及介電損耗因數tanδ」所獲得之相對介電常數及介電損耗因數算出各層之複折射率n i。又，根據所獲得之複折射率n i算出其大小N i。 [數12]
Figure 02_image025
(n i：第i層之複折射率，j：虛數單位，ε ri：第i層之複相對介電常數，μ ri：第i層之複相對磁導率，tanδ：介電損耗因數，ε i'：相對介電常數，ε i''：相對介電損耗指數)
(4)各層之阻燃性 對於實施例及比較例所獲得之罩體之各層，進行依據美國UL標準之UL-94垂直法(20 mm垂直燃燒試驗)之試驗，進行阻燃性之評價。 以下表示測定方法之詳細內容。 自各層準備5個試驗片來使用，上述5個試驗片係：長度：125 mm；寬度：13 mm；厚度：發泡體層之厚度為5.0 mm、樹脂層之厚度為1.0 mm。將試驗片垂直安裝於夾具，利用20 mm火焰所進行之10秒接焰進行2次，根據其燃燒行為來進行V-0、V-1、V-2之判定。 V-0：第1次、第2次之有焰燃燒持續時間均為10秒以內，進而第2次有焰燃燒持續時間與無焰燃燒時間之合計為30秒以內，進而5個試驗片之有焰燃燒時間之合計為50秒以內，沒有燃燒至固定用夾具之位置之試樣，沒有因燃燒掉落物所引起之棉著火。 V-1：第1次、第2次之有焰燃燒持續時間均為30秒以內，進而第2次有焰燃燒持續時間與無焰燃燒時間之合計為60秒以內，進而5個試驗片之有焰燃燒時間之合計為250秒以內，沒有燃燒至固定用夾具之位置之試樣，沒有因燃燒掉落物所引起之棉著火。 V-2：第1次、第2次之有焰燃燒持續時間均為30秒以內，進而第2次有焰燃燒持續時間與無焰燃燒時間之合計為60秒以內，進而5個試驗片之有焰燃燒時間之合計為250秒以內，沒有燃燒至固定用夾具之位置之試樣，存在因燃燒掉落物所引起之棉著火。 再者，不屬於上述V-0、V-1、V-2之任一者設為不適合(×)。
(5)發泡體層之發泡倍率 參考實施例及比較例所記載之方法，將30 mm見方、10 mm厚度作為標準來製作發泡體，測定該樣品之質量W[g]，將用樣品體積V[cm 3]除以質量W所得之值(V/W)設為發泡倍率(cm 3/g)。 再者，於上述不易切出之情形時，可準備與各實施例及各比較例相同之材料來測定樣品質量，藉由水沒法測定體積，使用各個值來算出發泡倍率。
(6)發泡體之最大氣泡直徑、表層氣泡直徑之平均值A、及中央部氣泡直徑之平均值B、發泡粒子之最外層氣泡直徑之平均值A'及中心氣泡直徑之平均值B' 於厚度方向上切斷實施例及比較例所獲得之發泡體，使用基恩士公司製造之3D Real Surface View Microscope VE-9800於倍率30～400倍之範圍觀察其截面，求出下述發泡體之最大氣泡直徑、表層氣泡直徑之平均值A及中央部氣泡直徑之平均值B、顆粒發泡體中之發泡粒子之最外層氣泡直徑之平均值A'及中心氣泡直徑之平均值B'。根據所獲得之各值，對於除顆粒發泡體以外之發泡體算出B/A，對於顆粒發泡體算出B'/A'、B'/A。 再者，當測定氣泡直徑時，僅將能夠自截面圖像清晰觀察到整體之氣泡設為測定對象，將氣泡之輪廓線上連接2點之線段之長度中之最長之線段設為該氣泡之直徑進行測定。又，於在1個截面圖像內不存在下述規定之個數以上之氣泡之情形時，追加截面圖像實施測定直至成為規定之個數以上。 (6-1)發泡體之最大氣泡直徑 關於發泡體之最大氣泡直徑(μm)，對於除顆粒發泡體以外之發泡體，設為下述發泡體之表層氣泡直徑及中央部氣泡直徑之所有測定值之中最大之值。又，對於顆粒發泡體，發泡體之最大氣泡直徑(μm)設為下述發泡體之表層氣泡直徑、發泡粒子之最外層氣泡直徑、及中心氣泡直徑之所有測定值之中最大之值。 (6-2)發泡體之表層氣泡直徑之平均值A 發泡體之表層氣泡直徑係指如下氣泡之直徑，即，當觀察截面圖像中在厚度方向上切斷發泡體所得之截面時，整體包含在發泡體中之氣泡之中，氣泡之輪廓線之一部分與表示發泡體之表面之線吻合。對該發泡體之表層氣泡直徑測定15個以上，對該測定值進行平均並設為平均值A(μm)。 (6-3)發泡體之中央部氣泡直徑之平均值B 發泡體之中央部氣泡直徑係指如下氣泡之直徑，即，當觀察截面圖像中在厚度方向上切斷發泡體所得之截面時，整體包含在發泡體中之氣泡之中，將發泡體之厚度設為100%時，在距離發泡體之表面20～80%之厚度範圍內包含其至少一部分，且不與發泡體之表面相接(不是表層氣泡)。對該發泡體之中央部氣泡直徑測定30個以上，對該測定值進行平均並設為平均值B(μm)。 (6-4)發泡粒子之最外層氣泡直徑之平均值A' 包含發泡粒子之發泡體中之發泡粒子之最外層氣泡直徑係指如下氣泡之直徑，即，當觀察截面圖像中在厚度方向上切斷發泡體所得之截面時，對於由表示發泡粒子之表面之線(發泡粒子之輪廓線)所包圍之各發泡粒子整體包含在厚度方向上距離發泡體之表面10～90%之範圍內之發泡粒子，氣泡之輪廓線之一部分與表示發泡粒子之表面之線(發泡粒子之輪廓線)吻合。對該包含發泡粒子之發泡體中之發泡粒子之最外層氣泡直徑測定15個以上，對該測定值進行平均並設為平均值A'(μm)。 (6-5)發泡粒子之中心氣泡直徑之平均值B' 包含發泡粒子之發泡體中之發泡粒子之中心氣泡直徑係指如下氣泡之直徑，即，當觀察截面圖像中在厚度方向上切斷發泡體所得之截面時，對於由表示發泡粒子之表面之線(發泡粒子之輪廓線)所包圍之各發泡粒子整體包含在厚度方向上距離發泡體之表面10～90%之範圍內之發泡粒子，將發泡粒子之直徑設為100%時，在距離發泡粒子之表面20～80%之直徑範圍內包含其至少一部分，且不與發泡粒子之表面相接(不為最外層氣泡)。對該包含發泡粒子之發泡體中之發泡粒子之中心氣泡直徑測定30個以上，對該測定值進行平均並設為平均值B'(μm)。
(7)罩體之電波透過率 對於實施例及比較例所獲得之罩體，依據以下方法測定28 GHz下之正面透過率X(入射角0°)、入射角60°時之TE波之斜向透過率Y。 首先，自罩體準備200 mm×200 mm×各厚度之尺寸的樣品。繼而，將上述樣品設置於KEYCOM公司製造之頻率變化法介電常數-介電損耗因數測定裝置DPS10-02之附介電體透鏡之透過衰減測定治具，於室溫(溫度26℃、濕度60%)之條件下，測定透過衰減量。根據透過衰減量(dB)之測定結果換算正面電波透過率X(%)。又，對於TE波之斜向透過率Y(%)，以入射角成為60°之方式使樣品旋轉來進行設置，然後利用相同之方法進行測定。入射角60°時之TM波之斜向透過率(%)亦參考上述方法，藉由調整測定時之極化波方向進行測定。 再者，對於實施例1～28及比較例1～4，如上所述，於頻率28 GHz下進行測定，對於實施例31～44及比較例11～14，分別於表2所記載之頻率下進行測定。於頻率不為28 GHz之情形時，參考上述方法，調整樣品尺寸進行測定。 又，對於實施例3、10、11、13、21、27、28、比較例1，對於入射角30°、45°時之TE波之斜向透過率、入射角30°、45°、60°時之TM波之斜向透過率，亦以入射角成為指定值之方式使樣品旋轉來進行設置，以與上述方法相同之方式測定上述透過率。 又，關於一部分樣品，確認到實測值與計算值沒有差異，然後根據上述特性矩陣之各成分計算反射係數、透過係數，算出透過率。
(8)罩體之電波反射率 對於實施例及比較例所獲得之罩體，參考上述「(7)罩體之電波透過率」之測定方法，測定反射衰減量，藉此算出正面反射率(入射角0°)、入射角60°時之TE波之斜向反射率。 再者，對於實施例1～28及比較例1～4，於頻率28 GHz下進行測定，對於實施例31～44及比較例11～14，分別於表2所記載之頻率下進行測定。 又，關於一部分樣品，確認到實測值與計算值沒有差異，根據上述特性矩陣之各成分計算反射係數、透過係數，算出反射率。
(9)罩體彎曲1 mm時之負載 對於實施例6、10、11、13、21、27、比較例1所獲得之罩體，如下所示測定彎曲1 mm時之負載(N)。 首先，自上述實施例及比較例所獲得之罩體切出寬度10 mm×長度100 mm×各厚度之樣品。繼而，使用自動立體測圖儀(島津製作所公司製造，AG-X plus系列AG-50kNPlus)，於跨距64 mm、負載速度10 mm/分鐘之條件下，對樣品進行三點彎曲試驗。自初始狀態開始測定樣品彎曲1 mm時之負載，設為罩體彎曲1 mm時之負載。
(10)特性矩陣之式中之正面方向(入射角0°)之m 12成分之大小M 12與m 21成分之大小M 21的差之絕對值(|M 12－M 21|) 對於實施例及比較例所獲得之罩體，基於各測定值，求出下述特性矩陣之式中正面方向(入射角0°)上m 12成分之大小M 12與m 21成分之大小M 21的差之絕對值(|M 12－M 21|)。 再者，於包含N＝2以上之N層積層體之罩體中，使用自第1層計算至第N層之情形時之m 12成分、m 21成分之值。 [數13]
Figure 02_image027
(ω：角頻率[rad/s]，c：光速[m/s]，n i：第i層之複折射率，d i：第i層之厚度[m]，θ i：入射至第i層之電磁波之折射角[rad]，j：虛數單位，ε ri：第i層之複相對介電常數，μ ri：第i層之複相對磁導率，n 0：空氣之折射率，θ 0：入射角[rad]) 再者，於本實施例中，由於未使用磁性體，故而上述各層之相對磁導率設為1.0。又，各層之複折射率使用上述「(3)各層之複折射率n i及其大小N i」所獲得之值。
(11)對於特性矩陣之式中之入射角60°時之TE波之m 11成分之大小M 11對於實施例及比較例所獲得之罩體，基於各測定值，求出下述特性矩陣之式中入射角60°時之TE波之m 11成分之大小(絕對值)M 11。 再者，於包含N＝2以上之N層積層體之罩體中，存在如下情形，即，下述特性矩陣式之m 11成分自第1層計算至第N層之情形與自第N層計算至第1層之情形不同，使用其實數部分之數值較大者。於自第1層計算至第N層之情形時之m 11與自第N層計算至第1層之情形時之m 11一致之情形時，使用自第1層計算至第N層之情形時之m 11成分之值。 [數14]
Figure 02_image029
(ω：角頻率[rad/s]，c：光速[m/s]，n i：第i層之複折射率，d i：第i層之厚度[m]，θ i：入射至第i層之電磁波之折射角[rad]，j：虛數單位，ε ri：第i層之複相對介電常數，μ ri：第i層之複相對磁導率，n 0：空氣之折射率，θ 0：入射角[rad]) 再者，於本實施例中，由於未使用磁性體，故而上述各層之相對磁導率設為1.0。又，各層之複折射率使用上述「(3)各層之複折射率n i及其大小N i」所獲得之值。
實施例、比較例所使用之材料如下所示。
[發泡體] (1)發泡體2.5(發泡倍率2.5(cm 3/g)) 加入作為聚苯醚系樹脂(PPE)之S201A(旭化成股份有限公司製造)60質量%、作為非鹵素系阻燃劑之雙酚A-雙(磷酸二苯酯)(BBP)15質量%、橡膠濃度為6質量%之耐衝擊性聚苯乙烯樹脂(HIPS)10質量%、作為通用聚苯乙烯樹脂(PS)之GP685(PS Japan股份有限公司製造)15質量%，於加熱熔融混練之後藉由擠出機擠出，製作基材樹脂顆粒。 依據日本專利特開平4-372630號公報之實施例1所記載之方法，將基材樹脂顆粒收容至耐壓容器，藉由乾燥空氣置換容器內之氣體，其後注入二氧化碳(氣體)作為發泡劑，於壓力3.0 MPa、溫度10℃之條件下耗時3小時使基材樹脂顆粒含浸二氧化碳，其後自壓力容器取出，並立即移送基材樹脂顆粒，一面於發泡爐內以77 rpm旋轉攪拌葉片，一面藉由最大190 kPa・G之加壓水蒸氣使基材樹脂顆粒發泡，獲得發泡粒子。 再者，於上述發泡粒子之發泡步驟中，自壓力容器取出開始至藉由加壓水蒸氣開始加熱為止之時間為10秒。又，於發泡後立即藉由氣體層析法測定發泡粒子之烴氣之含量，為檢測極限(0.01質量%)以下。 其後，將該發泡粒子放入至容器內，導入加壓空氣(耗時4小時升壓至0.4 MPa，其後於0.4 MPa下保持16小時)，藉此實施加壓處理。將其填充至具有水蒸氣孔之模具內成形模具內，藉由水蒸氣進行加熱，使發泡粒子相互膨脹、熔合，其後進行冷卻，自成形模具取出，獲得包含發泡粒子之發泡體2.5(發泡倍率2.5(cm 3/g))。 (2)發泡體3(發泡倍率3(cm 3/g)) 於含浸二氧化碳後之加熱步驟中，將加壓水蒸氣之壓力設為200 kPa・G，除此以外，以與發泡體2.5相同之方式獲得包含發泡粒子之發泡體3(發泡倍率3倍)。 (3)發泡體3.5(發泡倍率3.5(cm 3/g)) 於含浸二氧化碳後之加熱步驟中，將加壓水蒸氣之壓力設為210 kPa・G，除此以外，以與發泡體2.5相同之方式獲得包含發泡粒子之發泡體3.5(發泡倍率3.5(cm 3/g))。 (4)發泡體5(發泡倍率5(cm 3/g)) 於含浸二氧化碳後之加熱步驟中，將加壓水蒸氣之壓力設為260 kPa・G，除此以外，以與發泡體2.5相同之方式獲得包含發泡粒子之發泡體5(發泡倍率5(cm 3/g))。 (5)發泡體1.5(發泡倍率1.5(cm 3/g)) 於含浸二氧化碳後之加熱步驟中，將加壓水蒸氣之壓力設為160 kPa・G，除此以外，以與發泡體2.5相同之方式獲得包含發泡粒子之發泡體1.5(發泡倍率1.5(cm 3/g))。 (6)發泡體10(發泡倍率10(cm 3/g)) 於含浸二氧化碳後之加熱步驟中，將加壓水蒸氣之壓力設為330 kPa・G，除此以外，以與發泡體2.5相同之方式獲得包含發泡粒子之發泡體10(發泡倍率10(cm 3/g))。 (7)發泡體5.8(發泡倍率5.8(cm 3/g)) 於含浸二氧化碳後之加熱步驟中，將加壓水蒸氣之壓力設為270 kPa・G，除此以外，以與發泡體2.5相同之方式獲得包含發泡粒子之發泡體5.8(發泡倍率5.8(cm 3/g))。 (8)發泡體7(發泡倍率7.0(cm 3/g)) 於含浸二氧化碳後之加熱步驟中，將加壓水蒸氣之壓力設為280 kPa・G，除此以外，以與發泡體2.5相同之方式獲得包含發泡粒子之發泡體7(發泡倍率7.0(cm 3/g))。 (9)發泡體2(發泡倍率2(cm 3/g)) 於含浸二氧化碳後之加熱步驟中，將加壓水蒸氣之壓力設為180 kPa・G，除此以外，以與發泡體2.5相同之方式獲得包含發泡粒子之發泡體7(發泡倍率2(cm 3/g))。 (10)發泡體2.3(發泡倍率2.3(cm 3/g)) 於含浸二氧化碳後之加熱步驟中，將加壓水蒸氣之壓力設為185kPa・G，除此以外，以與發泡體2.5相同之方式獲得包含發泡粒子之發泡體2.3(發泡倍率2.3(cm 3/g))。 (11)發泡體EE15 參考日本專利特開平4-372630號公報之實施例3所記載之內容，調整發泡溫度，藉此以最終獲得之發泡體之倍率成為15.0(cm 3/g)之方式調整2次發泡粒子之製造步驟中之發泡粒子之內壓，使用所獲得之2次發泡粒子，參考發泡體2.5之製造方法進行成形，獲得發泡體EE15(發泡倍率15(cm 3/g))。於發泡後立即測定所獲得之發泡粒子(2次發泡粒子)之烴氣之含量，為檢測極限(0.01質量%)以下。 (12)發泡體XE10 參考日本專利特開2006-077218號公報，按照以下之順序製作發泡體。 首先，以900 kg/小時之速度，將低密度聚乙烯(PE)(密度922 kg/m 3，MI＝7.0 g/10分鐘)與相對於該樹脂100質量份為1.2質量份之作為氣泡核形成劑之滑石粉末(粒徑8.0 μm)及0.8質量份之氣體透過調整劑(硬脂酸單甘油酯)一同供給至具有150 mm滾筒內徑之螺旋型擠出機之供給區域。將擠出機之滾筒溫度調整至190～210℃，自安裝於擠出機之前端之發泡劑注入口壓入相對於該樹脂100質量份為3質量份之包含正丁烷100質量%之發泡劑，與該熔融樹脂組合物混合而製成發泡性熔融混合物。 藉由安裝於擠出機之出口之冷卻裝置將該發泡性熔融混合物冷卻至108℃，其後藉由具有約4.0 mm之平均厚度及約226 mm寬度之開口部形狀之孔口板於常溫、大氣壓下之氣氛中連續性擠出使之發泡，一面調整樹脂發泡體之抽取速度，一面使之成形，獲得厚度52 mm、寬度560 mm、長度1000 mm、密度100 kg/m 3之板狀發泡體。該樹脂發泡體中所含之烴氣之含量為2.4質量%。於40℃環境下保管3個月，確認烴氣之含量變為最低檢測極限以下(0.01質量%)後，獲得發泡體XE10(發泡倍率10(cm 3/g))。再者，由於所獲得之發泡體為板狀擠出發泡體，故而藉由進行切削、接著等2次加工來用於製作罩體。
[樹脂板] (1)442Z 將Zylon 442Z(旭化成股份有限公司製造)鋪滿於模框內，於溫度300℃、鎖模力10 MPa下藉由熱壓法製作樹脂板。 (2)PC 將聚碳酸酯(沙特基礎工業公司製造之LEXAN EXL9330)鋪滿於模框內，於溫度300℃、鎖模力10 MPa下藉由熱壓法製作樹脂板。 (3)340Z 將Zylon 340Z(旭化成股份有限公司製造)鋪滿於模框內，於溫度300℃、鎖模力10 MPa下藉由熱壓法製作樹脂板。
(實施例1) 第1層使用發泡體2.5(厚度3 mm)，第2層使用發泡體3(厚度3 mm)，一面藉由熱風槍加熱兩層之接合面，一面進行貼合，藉此獲得罩體(300 mm×300 mm×厚度6 mm)。 對於所獲得之罩體，將各物性之測定結果示於表1。
(實施例2～28、比較例1～4) 如表1所示改變各層之材料、厚度、層數等，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得罩體。 對於所獲得之罩體，將各物性之測定結果示於表1。 再者，對於實施例3、10、11、13、21、27、28、比較例1，亦如上所述，對入射角30°、45°時之TE波之斜向透過率、入射角30°、45°、60°時之TM波之斜向透過率進行測定。 又，關於實施例3、10、11、13、21、27、比較例1，亦於不改變各層之厚度比之情況下分別製作罩體整體之厚度增加1 mm、減少1 mm所得之罩體，如表1所示，求出各種物性值。
(實施例31～44、比較例11～14) 如表2所示改變各層之材料、厚度、層數等，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得罩體。 對於所獲得之罩體，將各物性之測定結果示於表2。 再者，如上所述，實施例31～44及比較例11～14之電波透過率、電波反射率分別於表2所記載之頻率下進行測定。
(參考例1) 當由基材樹脂顆粒製造發泡粒子時，將自含浸壓之釋放完成時開始至開始加溫(加壓蒸氣之導入)為止之時間改變成600秒，除此以外，藉由與發泡體10相同之方法製作倍率10倍之發泡體。 所獲得之發泡體之最大氣泡直徑為1745 μm，B'/A、B'/A'分別為0.03、0.04。
表1-1～表1-4表示頻率28 GHz下之電波透過率及其他測定結果。表2-1、表2-2表示各種頻率下之電波透過率及其他測定結果。 [表1-1]
[表1-1]
   實施例
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
罩體 第1層 材料 - 發泡體2.5 發泡體3.5 發泡體3.5 發泡體2.5 發泡體3.5 發泡體3.5 發泡體2.5 發泡體3 發泡體3 442Z
厚度d 1 m 0.0030 0.0050 0.0050 0.0030 0.0020 0.0030 0.0030 0.0030 0.0030 0.0003
密度 g/cm 3 0.40 0.29 0.29 0.40 0.29 0.29 0.40 0.33 0.33 1.10
相對介電常數 - 1.60 1.41 1.41 1.60 1.41 1.41 1.60 1.49 1.49 2.50
介電損耗因數 - 0.00405 0.00313 0.00313 0.00405 0.00313 0.00313 0.00405 0.00353 0.00353 0.00438
複折射率之大小N 1 - 1.263 1.190 1.190 1.263 1.190 1.190 1.263 1.220 1.220 1.581
d 1×N 1÷λ 0 - 0.354 0.555 0.555 0.354 0.222 0.333 0.354 0.342 0.342 0.044
阻燃等級 - V-0 V-0 V-0 V-0 V-0 V-0 V-0 V-0 V-0 V-0
B/A - - - - - - - - - - -
B'/A - 0.66 0.61 0.61 0.66 0.61 0.61 0.66 0.65 0.65 -
B'/A' - 1.19 1.11 1.11 1.19 1.11 1.11 1.19 1.25 1.25 -
最大氣泡直徑 μm 313 287 287 313 287 287 313 305 305 -
第2層 材料 - 發泡體3 發泡體5 發泡體5 發泡體5 發泡體5 發泡體5 發泡體3.5 發泡體10 發泡體5.8 發泡體10
厚度d 2 m 0.0030 0.0040 0.0030 0.0030 0.0020 0.0030 0.0030 0.0030 0.0030 0.0027
密度 g/cm 3 0.33 0.20 0.20 0.20 0.20 0.20 0.29 0.10 0.17 0.10
相對介電常數 - 1.49 1.28 1.28 1.28 1.28 1.28 1.41 1.14 1.24 1.14
介電損耗因數 - 0.00353 0.00234 0.00234 0.00234 0.00234 0.00234 0.00313 0.00140 0.00206 0.00140
複折射率之大小N 2 - 1.220 1.134 1.134 1.134 1.134 1.134 1.190 1.068 1.115 1.068
d 2×N 2÷λ 0 - 0.342 0.423 0.318 0.318 0.212 0.318 0.333 0.299 0.313 0.269
阻燃等級 - V-0 V-0 V-0 V-0 V-0 V-0 V-0 V-0 V-0 V-0
B/A - - - - - - - - - - -
B'/A - 0.65 0.81 0.81 0.81 0.81 0.81 0.61 0.91 0.78 0.91
B'/A' - 1.25 1.29 1.29 1.29 1.29 1.29 1.11 0.78 1.16 0.78
最大氣泡直徑 μm 305 78 78 78 78 78 287 103 126 103
Λ - 0.20 0.02 0.13 0.17 0.066 0.15 0.19 0.14 0.15 0.19
正面方向透過率X % 95.0 98.3 97.8 96.0 98.7 97.5 95.0 97.2 97.0 98.2
TE波之斜向透過率(入射角：30°) % - - 96.0 - - - - - - 97.2
TE波之斜向透過率(入射角：45°) % - - 93.7 - - - - - - 94.9
TE波之斜向透過率Y(入射角：60°) % 95.8 87.4 94.1 91.1 82.5 94.1 95.8 85.3 91.2 87.8
TM波之斜向透過率(入射角：30°) % - - 97.6 - - - - - - 98.6
TM波之斜向透過率(入射角：45°) % - - 98.0 - - - - - - 99.2
TM波之斜向透過率(入射角：60°) % - - 97.3 - - - - - - 98.8
(100－正面透過率X)×(100－斜向透過率Y) - 20.8 21.9 13.1 35.7 23.2 14.7 20.8 41.6 26.6 21.9
正面透過率X－斜向透過率Y % -0.8 10.9 3.6 4.9 16.1 3.4 -0.8 11.9 5.8 10.4
正面方向反射率 % 3.4 0.0 0.7 2.7 0.6 1.5 3.4 1.8 1.9 1.4
TE波之斜向反射率(入射角：60°) % 1.9 10.2 3.5 7.1 16.5 4.5 1.9 13.4 7.3 11.5
|空氣之折射率－第1層之複折射率之大小N 1| - 0.263 0.190 0.190 0.263 0.190 0.190 0.263 0.220 0.220 0.581
|第1層之複折射率之大小N 1－第2層之複折射率之大小N 2| - 0.043 0.056 0.056 0.130 0.056 0.056 0.074 0.153 0.105 0.513
|第2層之複折射率之大小N 2－空氣之折射率| - 0.220 0.134 0.134 0.134 0.134 0.134 0.190 0.068 0.115 0.068
寬度10 mm中之彎曲1 mm時之負載 N - - - - - 6.5 - - - 0.5
|特性矩陣m 12成分之大小M 12－m 21成分之大小M 21|(入射角：0°) - 0.37 0.00 0.17 0.29 0.12 0.24 0.37 0.17 0.24 0.09
特性矩陣m 11成分之大小M 11(入射角：60°TE波) - 0.93 0.50 0.79 0.78 0.18 0.82 0.88 0.62 0.75 0.44
於將罩體之厚度設為+1 mm之情形時 特性矩陣m 11成分之大小M 11(入射角：60°TE波) - - - 0.50 - - - - - - 0.10
|特性矩陣m 12成分之大小M 12－m 21成分之大小M 21|(入射角：0°) - - - 0.01 - - - - - - 0.12
正面方向透過率X % - - 98.2 - - - - - - 97.8
TE波之斜向透過率Y(入射角：60°) % - - 88.1 - - - - - - 86.6
(100－正面透過率X)×(100－斜向透過率Y) - - - 21.8 - - - - - - 28.9
正面透過率X－斜向透過率Y %    - 10.0 - - - - - - 11.2
Λ - - - 0.02 - - - - - - 0.082
於將罩體之厚度設為-1 mm之情形時 特性矩陣m 11成分之大小M 11(入射角：60°TE波) - - - 0.80 - - - - - - 0.74
|特性矩陣m 12成分之大小M 12－m 21成分之大小M 21|(入射角：0°) - - - 0.25 - - - - - - 0.19
正面方向透過率X % - - 97.1 - - - - - - 98.4
TE波之斜向透過率Y(入射角：60°) % - - 97.1 - - - - - - 92.0
(100－正面透過率X)×(100－斜向透過率Y) - - - 8.3 - - - - - - 12.8
正面透過率X－斜向透過率Y % - - 0.0 - - - - - - 6.4
Λ - - - 0.24 - - - - - - 0.21
[表1-2]
[表1-2]   
   實施例
11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
罩體 第1層 材料 - 發泡體3.5 發泡體5 發泡體7 發泡體2 發泡體2 發泡體10 發泡體10 發泡體3 發泡體7 發泡體3.5
厚度d 1 m 0.0050 0.0040 0.0050 0.0030 0.0020 0.0050 0.0040 0.0030 0.0030 0.0050
密度 g/cm 3 0.29 0.20 0.14 0.50 0.50 0.10 0.10 0.33 0.14 0.29
相對介電常數 - 1.41 1.25 1.20 1.76 1.76 1.14 1.14 1.49 1.20 1.41
介電損耗因數 - 0.00313 0.00290 0.00175 0.00477 0.00477 0.00140 0.00140 0.00353 0.00175 0.00313
複折射率之大小N 1 - 1.190 1.118 1.096 1.328 1.328 1.068 1.068 1.220 1.096 1.190
d 1×N 1÷λ 0 - 0.555 0.418 0.512 0.372 0.248 0.499 0.399 0.342 0.307 0.555
阻燃等級 - V-0 V-0 V-0 V-0 V-0 V-0 V-0 V-0 V-0 V-0
B/A - - - - - - - - - - -
B'/A - 0.61 0.81 0.70 0.61 0.61 0.91 0.91 0.65 0.70 0.61
B'/A' - 1.11 1.29 1.17 1.25 1.25 0.78 0.78 1.25 1.17 1.11
最大氣泡直徑 μm 287 78 122 363 363 103 103 305 122 287
第2層 材料 - - - - 發泡體3 發泡體3 發泡體3 發泡體3 發泡體10 發泡體3 發泡體5
厚度d 2 m - - - 0.0030 0.0030 0.0030 0.0030 0.0030 0.0030 0.0050
密度 g/cm 3 - - - 0.33 0.33 0.33 0.33 0.10 0.33 0.20
相對介電常數 - - - - 1.49 1.49 1.49 1.49 1.14 1.49 1.28
介電損耗因數 - - - - 0.00353 0.00353 0.00353 0.00353 0.00140 0.00353 0.00234
複折射率之大小N 2 - - - - 1.220 1.220 1.220 1.220 1.068 1.220 1.134
d 2×N 2÷λ 0 - - - - 0.342 0.342 0.342 0.342 0.299 0.342 0.529
阻燃等級 - - - - V-0 V-0 V-0 V-0 V-0 V-0 V-0
B/A - - - - - - - - - - -
B'/A - - - - 0.65 0.65 0.65 0.65 0.91 0.65 0.81
B'/A' - - - - 1.25 1.25 1.25 1.25 0.78 1.25 1.29
最大氣泡直徑 μm - - - 305 305 305 305 103 305 78
Λ - 0.055 0.082 0.012 0.214 0.090 0.159 0.241 0.141 0.149 0.085
正面方向透過率X % 98.5 98.9 99.4 93.0 95.7 96.1 96.1 97.2 97.1 97.5
TE波之斜向透過率(入射角：30°) % 98.8 - 99.3 - - - - - - -
TE波之斜向透過率(入射角：45°) % 97.6 - 98.2 - - - - - - -
TE波之斜向透過率Y(入射角：60°) % 88.0 88.0 92.1 94.3 90.0 87.9 88.6 85.3 89.0 82.1
TM波之斜向透過率(入射角：30°) % 98.8 - 99.3 - - - - - - -
TM波之斜向透過率(入射角：45°) % 98.6 - 99.3 - - - - - - -
TM波之斜向透過率(入射角：60°) % 97.5 - 98.0 - - - - - - -
(100－正面透過率X)×(100－斜向透過率Y) - 17.6 12.6 4.5 39.6 43.0 47.0 43.9 41.6 31.6 44.8
正面透過率X－斜向透過率Y % 10.6 11.0 7.3 -1.3 5.7 8.2 7.5 11.9 8.2 15.4
正面方向反射率 % 0.3 0.3 0.0 5.2 2.8 2.7 2.8 1.8 1.8 0.6
TE波之斜向反射率(入射角：60°) % 10.6 10.9 7.0 3.0 8.0 10.0 9.6 13.4 9.4 15.4
|空氣之折射率－第1層之複折射率之大小N 1| - 0.190 0.118 0.096 0.328 0.328 0.068 0.068 0.220 0.096 0.190
|第1層之複折射率之大小N 1－第2層之複折射率之大小N 2| - - - - 0.107 0.107 0.153 0.153 0.153 0.124 0.056
|第N層 ※之複折射率之大小N N－空氣之折射率| - 0.190 0.118 0.096 0.220 0.220 0.220 0.220 0.068 0.220 0.134
寬度10 mm中之彎曲1 mm時之負載 N 2.3 - 1.3 - - - - - - -
|特性矩陣m 12成分之大小M 12－m 21成分之大小M 21|(入射角：0°) - 0.12 0.11 0.01 0.46 0.31 0.34 0.31 0.17 0.21 0.16
特性矩陣m 11成分之大小M 11(入射角：60°TE波) - 0.73 0.09 0.39 0.85 0.77 0.72 0.72 0.62 0.70 0.11
於將罩體之厚度設為+1 mm之情形時 特性矩陣m 11成分之大小M 11(入射角：60°TE波) - 0.96 - 0.71 - - - - - - -
|特性矩陣m 12成分之大小M 12－m 21成分之大小M 21|(入射角：0°) - 0.30 - 0.12 - - - - - - -
正面方向透過率X % 96.5 - 99.0 - - - - - - -
TE波之斜向透過率Y(入射角：60°) % 96.2 - 94.8 - - - - - - -
(100－正面透過率X)×(100－斜向透過率Y) - 13.3 - 5.4 - - - - - - -
正面透過率X－斜向透過率Y % 0.292 - 4.174 - - - - - - -
Λ - 0.167 - 0.114 - - - - - - -
於將罩體之厚度設為-1 mm之情形時 特性矩陣m 11成分之大小M 11(入射角：60°TE波) - 0.34 - 0.01 - - - - - - -
|特性矩陣m 12成分之大小M 12－m 21成分之大小M 21|(入射角：0°) - 0.12 - 0.10 - - - - - - -
正面方向透過率X % 98.8 - 99.3 - - - - - - -
TE波斜向透過率Y(入射角：60°) % 80.4 - 91.2 - - - - - - -
(100－正面透過率X)×(100－斜向透過率Y) - 23.8 - 6.0 - - - - - - -
正面透過率X－斜向透過率Y % 18.342 - 8.122 - - - - - - -
Λ - 0.056 - 0.091 - - - - - - -
※「第N層」在實施例11～13中意指「第1層」，在實施例14～20中意指「第2層」。
[表1-3]
[表1-3]   
   實施例
21 22 23 24 25 26 27 28
罩體 第1層 材料 - 340Z 442Z 發泡體3.5 發泡體3 發泡體3 發泡體3.5 442Z 442Z
厚度d 1 m 0.0005 0.0003 0.0025 0.0030 0.0030 0.0015 0.0005 0.0005
密度 g/cm 3 1.10 1.10 0.29 0.33 0.33 0.29 1.10 1.10
相對介電常數 - 2.58 2.50 1.41 1.49 1.49 1.41 2.50 2.50
介電損耗因數 - 0.00450 0.00438 0.00313 0.00353 0.00353 0.00313 0.00438 0.00438
複折射率之大小N 1 - 1.606 1.581 1.190 1.220 1.220 1.190 1.581 1.581
d 1×N 1÷λ 0 - 0.075 0.044 0.278 0.342 0.342 0.167 0.074 0.074
阻燃等級 - V-0 V-0 V-0 V-0 V-0 V-0 V-0 V-0
B/A - - - - - - - - -
B'/A - - - 0.61 0.65 0.65 0.61 - -
B'/A' - - - 1.11 1.25 1.25 1.11 - -
最大氣泡直徑 μm - - 287 305 305 287 - -
第2層 材料 - 發泡體10 發泡體7 發泡體5 發泡體EE15 發泡體XE10 發泡體5 發泡體7 發泡體3.5
厚度d 2 m 0.0015 0.0027 0.0021 0.0030 0.0035 0.0015 0.0020 0.0020
密度 g/cm 3 0.10 0.14 0.20 0.07 0.10 0.20 0.14 0.29
相對介電常數 - 1.14 1.20 1.28 1.09 1.12 1.28 1.20 1.41
介電損耗因數 - 0.00140 0.00175 0.00234 0.00020 0.00020 0.00234 0.00175 0.00313
複折射率之大小N 2 - 1.068 1.096 1.134 1.044 1.058 1.134 1.096 1.190
d 2×N 2÷λ 0 - 0.150 0.276 0.222 0.293 0.346 0.159 0.205 0.222
阻燃等級 - V-0 V-0 V-0 × × V-0 V-0 V-0
B/A - - - - - 1.560 - - -
B'/A - 0.91 0.70 0.81 1.09 - 0.81 0.70 0.61
B'/A' - 0.78 1.17 1.29 1.16 - 1.29 1.17 1.11
最大氣泡直徑 μm 103 122 78 160 1439 78 122 287
第3層 材料 - 發泡體2.3 - - - - - 442Z 442Z
厚度d 3 m 0.003 - - - - - 0.0005 0.0005
密度 g/cm 3 0.43 - - - - - 1.10 1.10
相對介電常數 - 1.65 - - - - - 2.50 2.50
介電損耗因數 - 0.00431 - - - - - 0.00438 0.00438
複折射率之大小N 3 - 1.286 - - - - - 1.581 1.581
d 3×N 3÷λ 0 - 0.360 - - - - - 0.074 0.074
阻燃等級 - V-0 - - - - - V-0 V-0
B/A - - - - - - - - -
B'/A - 0.64 - - - - - - -
B'/A' - 1.28 - - - - - - -
最大氣泡直徑 μm 350 - - - - - - -
Λ - 0.085 0.179 0.000 0.134 0.188 0.175 0.148 0.130
正面方向透過率X % 92.2 98.1 98.9 97.2 96.9 97.6 99.2 98.9
TE波之斜向透過率(入射角：30°) % 93.0 - - - - - 98.5 97.3
TE波之斜向透過率(入射角：45°) % 95.3 - - - - - 94.6 91.8
TE波之斜向透過率Y(入射角：60°) % 95.8 85.1 84.4 82.0 86.1 82.7 80.1 74.3
TM波之斜向透過率(入射角：30°) % 96.3 - - - - - 99.0 98.5
TM波之斜向透過率(入射角：45°) % 98.1 - - - - - 99.0 98.8
TM波之斜向透過率(入射角：60°) % 97.3 - - - - - 98.2 97.3
(100－正面透過率X)×(100－斜向透過率Y) - 32.8 28.2 17.0 49.8 43.4 42.0 15.7 29.0
正面透過率X－斜向透過率Y % -3.5 13.0 14.5 15.2 10.7 14.8 19.1 24.6
正面方向反射率 % 6.3 1.4 0.2 2.0 2.4 1.9 0.0 0.2
TE波之斜向反射率(入射角：60°) % 1.9 14.2 14.5 17.1 12.9 16.5 19.0 24.7
|空氣之折射率－第1層之複折射率之大小N 1| - 0.606 0.581 0.190 0.220 0.220 0.190 0.581 0.581
|第1層之複折射率之大小N 1－第2層之複折射率之大小N 2| - 0.539 0.485 0.056 0.176 0.162 0.056 0.485 0.392
|第2層之複折射率之大小N 2－第3層之複折射率之大小N 3| - 0.218 - - - - - 0.485 0.392
|第N層 ※之複折射率之大小N N－空氣之折射率| - 0.286 0.096 0.134 0.044 0.058 0.134 0.581 0.581
寬度10 mm中之彎曲1 mm時之負載 N 9.9 - - - - - 5.4 -
|特性矩陣m 12成分之大小M 12－m 21成分之大小M 21|(入射角：0°) - 0.42 0.13 0.00 0.13 0.24 0.27 0.00 0.09
特性矩陣m 11成分之大小M 11(入射角：60°TE波) - 0.82 0.37 0.43 0.55 0.65 0.25 0.11 0.23
於將罩體之厚度設為+1 mm之情形時 特性矩陣m 11成分之大小M 11(入射角：60°TE波) - 0.83 - - - - - 0.67 -
|特性矩陣m 12成分之大小M 12－m 21成分之大小M 21|(入射角：0°) - 0.50 - - - - - 0.11 -
正面方向透過率X % 88.4 - - - - - 90.2 -
TE波之斜向透過率Y(入射角：60°) % 86.9 - - - - - 96.2 -
(100－正面透過率X)×(100－斜向透過率Y) - 152.2 - - - - - 37.0 -
正面透過率X－斜向透過率Y % 1.5 - - - - - -6.0 -
Λ - 0.202 - - - - - 0.030 -
於將罩體之厚度設為-1 mm之情形時 特性矩陣m 11成分之大小M 11(入射角：60°TE波) - 0.52 - - - - - 0.44 -
|特性矩陣m 12成分之大小M 12－m 21成分之大小M 21|(入射角：0°) - 0.09 - - - - - 0.36 -
正面方向透過率X % 98.0 - - - - - 96.5 -
TE波之斜向透過率Y(入射角：60°) % 83.6 - - - - - 76.7 -
(100－正面透過率X)×(100－斜向透過率Y) - 33.3 - - - - - 82.6 -
正面透過率X－斜向透過率Y % 14.4 - - - - - 19.7 -
Λ - 0.032 - - - - - 0.235 -
※「第N層」在實施例22～26中意指「第2層」，在實施例21、27、28中意指「第3層」。
[表1-4]
[表1-4]   
   比較例
1 2 3 4
罩體 第1層 材料 - PC 發泡體3.5 發泡體1.5 340Z
厚度d 1 m 0.0030 0.0030 0.0030 0.0005
密度 g/cm 3 1.19 0.29 0.67 1.10
相對介電常數 - 2.85 1.41 2.06 2.58
介電損耗因數 - 0.00780 0.00313 0.00583 0.00450
複折射率之大小N 1 - 1.688 1.190 1.435 1.606
d 1×N 1÷λ 0 - 0.473 0.333 0.402 0.075
阻燃等級 - V-0 V-0 V-0 V-0
B/A - - - - -
B'/A - - 0.61 0.67 -
B'/A' - - 1.11 1.19 -
最大氣泡直徑 μm - 287 324 -
第2層 材料 - - - 發泡體5 發泡體10
厚度d 2 m - - 0.0030 0.0015
密度 g/cm 3 - - 0.20 0.10
相對介電常數 - - - 1.28 1.14
介電損耗因數 - - - 0.00234 0.00140
複折射率之大小N 2 - - - 1.134 1.068
d 2×N 2÷λ 0 - - - 0.318 0.150
阻燃等級 - - - V-0 V-0
B/A - - - - -
B'/A - - - 0.81 0.91
B'/A' - - - 1.29 0.78
最大氣泡直徑 μm - - 78 103
第3層 材料 - - - - 發泡體2.3
厚度d 3 m - - - 0.010
密度 g/cm 3 - - - 0.43
介電常數 - - - - 1.65
介電損耗因數 - - - - 0.00431
複折射率之大小N 3 - - - - 1.286
d 3×n 3÷λ 0 - - - - 1.201
阻燃等級 - - - - V-0
B/A - - - - -
B'/A - - - - 0.64
B'/A' - - - - 1.28
最大氣泡直徑 μm - - - 350
Λ - 0.027 0.167 0.22 0.074
正面方向透過率X % 96.6 97.2 93.6 95.8
TE波之斜向透過率(入射角：30°) % 93.7 - - -
TE波之斜向透過率(入射角：45°) % 85.8 - - -
TE波之斜向透過率Y(入射角：60°) % 64.7 79.0 83.5 85.3
TM波之斜向透過率(入射角：30°) % 95.9 - - -
TM波之斜向透過率(入射角：45°) % 96.1 - - -
TM波之斜向透過率(入射角：60°) % 97.3 - - -
(100－正面透過率X)×(100－斜向透過率Y) - 118.6 59.7 106.1 62.4
正面透過率X－斜向透過率Y % 32.0 18.1 10.1 10.5
正面方向反射率 % 0.8 2.2 4.6 0.5
TE波之斜向反射率(入射角：60°) % 32.9 20.1 14.4 9.3
|空氣之折射率－第1層之複折射率之大小N 1| - 0.688 0.190 0.435 0.606
|第1層之複折射率之大小N 1－第2層之複折射率之大小N 2| - - - 0.301 0.539
|第2層之複折射率之大小N 2－第3層之複折射率之大小N 3| - - - - 0.218
|第N層之複折射率之大小N 2－空氣之折射率| - 0.688 0.190 0.134 0.286
寬度10 mm中之彎曲1 mm時之負載 N 8.2 - - -
|特性矩陣m 12成分之大小M 12－m 21成分之大小M 21|(入射角：0°) - 0.19 0.30 0.36 0.13
特性矩陣m 11成分之大小M 11(入射角：60°TE波) - 0.83 0.13 0.67 1.15
於將罩體之厚度設為+1 mm之情形時 特性矩陣m 11成分之大小M 11(入射角：60°TE波) - 0.97 - - -
|特性矩陣m 12成分之大小M 12－m 21成分之大小M 21|(入射角：0°) - 0.80 - - -
正面方向透過率X % 83.5 - - -
TE波之斜向透過率Y(入射角：60°) % 85.6 - - -
(100－正面透過率X)×(100－斜向透過率Y) - 238.5 - - -
正面透過率X－斜向透過率Y % -2.1 - - -
Λ - 0.131 - - -
於將罩體之厚度設為- 1 mm之情形時 特性矩陣m 11成分之大小M 11(入射角：60°TE波) - 0.13 - - -
|特性矩陣m 12成分之大小M 12－m 21成分之大小M 21|(入射角：0°) - 1.00 - - -
正面方向透過率X % 78.8 - - -
TE波之斜向透過率Y(入射角：60°) % 38.0 - - -
(100－正面透過率X)×(100－斜向透過率Y) - 1313.5 - - -
正面透過率X－斜向透過率Y % 40.8 - - -
Λ - 0.185 - - -
※「第N層」在比較例1、2中意指「第1層」，在比較例3中意指「第2層」，在比較例4中意指「第3層」。
[表2-1]
[表2-1]   
   實施例
31 32 33 34 35 36 37 38
頻率 GHz 5 28 39 79 5 28 39 79
第1層 材料 - 發泡體3.5 發泡體3.5 發泡體3.5 發泡體3.5 發泡體3.5 發泡體3.5 發泡體3.5 發泡體3.5
厚度d 1 m 0.0050 0.0040 0.0050 0.0025 0.0050 0.0050 0.0050 0.0050
密度 g/cm 3 0.29 0.29 0.29 0.29 0.29 0.29 0.29 0.29
相對介電常數 - 1.41 1.41 1.41 1.41 1.41 1.41 1.41 1.41
介電損耗因數 - 0.00313 0.00313 0.00313 0.00313 0.00313 0.00313 0.00313 0.00313
複折射率之大小N 1 - 1.190 1.190 1.190 1.190 1.190 1.190 1.190 1.190
d 1×N 1÷λ 0 - 0.099 0.444 0.774 0.784 0.099 0.555 0.774 1.567
阻燃等級 - V-0 V-0 V-0 V-0 V-0 V-0 V-0 V-0
B/A - - - - - - - - -
B'/A - 0.61 0.61 0.61 0.61 0.61 0.61 0.61 0.61
B'/A' - 1.11 1.11 1.11 1.11 1.11 1.11 1.11 1.11
最大氣泡直徑 μm 287 287 287 287 287 287 287 287
第2層 材料 - 發泡體5 發泡體5 發泡體5 發泡體5 - - - -
厚度d 2 m 0.0050 0.0040 0.0050 0.0025 - - - -
密度 g/cm 3 0.20 0.20 0.20 0.20 - - - -
相對介電常數 - 1.28 1.28 1.28 1.28 - - - -
介電損耗因數 - 0.00234 0.00234 0.00234 0.00234 - - - -
複折射率之大小N 2 - 1.134 1.134 1.134 1.134 - - - -
d 2×N 2÷λ 0 - 0.095 0.423 0.737 0.747 - - - -
阻燃等級 - V-0 V-0 V-0 V-0 - - - -
B/A - - - - - - - - -
B'/A - 0.81 0.81 0.81 0.81 - - - -
B'/A' - 1.29 1.29 1.29 1.29 - - - -
最大氣泡直徑 μm 78 78 78 78 - - - -
Λ(K＝0) - 0.194 0.868 1.511 1.530 0.099 0.555 0.774 1.567
Λ - 0.194 0.132 0.011 0.030 0.099 0.055 0.226 0.067
正面方向透過率X % 97.7 97.4 97.2 97.1 98.8 98.5 95.7 96.4
TE波之斜向透過率Y(入射角：60°) % 89.7 93.0 95.7 95.2 95.3 88.0 96.6 90.5
(100－正面透過率X)×(100－斜向透過率Y) - 23.9 18.3 12.2 13.8 5.8 17.6 14.6 33.7
正面透過率X－斜向透過率Y % 8.0 4.4 1.5 1.9 3.4 10.6 -1.0 5.9
正面方向反射率 % 2.0 1.1 0.2 0.3 1.0 0.3 2.8 0.5
TE波之斜向反射率(入射角：60°) % 9.7 4.7 0.1 0.5 4.2 10.6 0.9 4.7
|空氣之折射率－第1層之複折射率之大小N 1| - 0.190 0.190 0.190 0.190 0.190 0.190 0.190 0.190
|第1層之複折射率之大小N 1－第2層之複折射率之大小N 2| - 0.056 0.056 0.056 0.056 - - - -
|第2層之複折射率之大小N 2－第3層之複折射率之大小N 3| - - - - - - - - -
|第N層 ※之複折射率之大小N N－空氣之折射率| - 0.134 0.134 0.134 0.134 0.190 0.190 0.190 0.190
|特性矩陣m 12成分之大小M 12－m 21成分之大小M 21|(入射角：0°) - 0.28 0.22 0.01 0.05 0.20 0.12 0.34 0.14
特性矩陣m 11成分之大小M 11(入射角：60°TE波) - 0.71 0.79 1.00 1.00 0.91 0.73 0.98 0.89
※「第N層」在實施例31～34中意指「第2層」，在實施例35～38中意指「第1層」。
[表2-2]
[表2-2]   
   實施例 比較例
39 40 41 42 43 44 11 12 13 14
頻率 GHz 5 28 39 79 5 39 5 28 39 79
第1層 材料 - 442Z 442Z 442Z 442Z 442Z 442Z PC PC PC PC
厚度d 1 m 0.0010 0.0003 0.0003 0.0012 0.0005 0.0005 0.0030 0.0030 0.0023 0.0023
密度 g/cm 3 1.10 1.10 1.10 1.10 1.10 1.10 1.19 1.19 1.19 1.19
相對介電常數 - 2.50 2.50 2.50 2.50 2.50 2.50 2.85 2.85 2.85 2.85
介電損耗因數 - 0.00438 0.00438 0.00438 0.00438 0.00438 0.00438 0.00780 0.00780 0.00780 0.00780
複折射率之大小N 1 - 1.581 1.581 1.581 1.581 1.581 1.581 1.688 1.688 1.688 1.688
d 1×N 1÷λ 0 - 0.026 0.044 0.062 0.500 0.013 0.103 0.084 0.473 0.505 1.023
阻燃等級 - V-0 V-0 V-0 V-0 V-0 V-0 V-0 V-0 V-0 V-0
B/A - - - - - - - - - - -
B'/A - - - - - - - - - - -
B'/A' - - - - - - - - - - -
最大氣泡直徑 μm - - - - - - - - - -
第2層 材料 - 發泡體10 發泡體10 發泡體10 發泡體10 發泡體3.5 發泡體3.5 - - - -
厚度d 2 m 0.0090 0.0097 0.0097 0.0038 0.0030 0.0014 - - - -
密度 g/cm 3 0.10 0.10 0.10 0.10 0.29 0.29 - - - -
相對介電常數 - 1.14 1.14 1.14 1.14 1.41 1.41 - - - -
介電損耗因數 - 0.00140 0.00140 0.00140 0.00140 0.00313 0.00313 - - - -
複折射率之大小N 2 - 1.068 1.068 1.068 1.068 1.190 1.190 - - - -
d 2×N 2÷λ 0 - 0.160 0.967 1.347 1.069 0.060 0.217 - - - -
阻燃等級 - V-0 V-0 V-0 V-0 V-0 V-0 - - - -
B/A - - - - - - - - - - -
B'/A - 0.91 0.91 0.91 0.91 0.61 0.61 - - - -
B'/A' - 0.78 0.78 0.78 0.78 1.11 1.11 - - - -
最大氣泡直徑 μm 103 103 103 103 287 287 - - - -
第3層 材料 - - - - - 442Z 442Z - - - -
厚度d 3 m - - - - 0.0005 0.0005 - - - -
密度 g/cm 3 - - - - 1.10 1.10 - - - -
介電常數 - - - - - 2.50 2.50 - - - -
介電損耗因數 - - - - - 0.00438 0.00438 - - - -
複折射率之大小N 3 - - - - - 1.581 1.581 - - - -
d 3×N 3÷λ 0 - - - - - 0.013 0.103 - - - -
阻燃等級 - - - - - V-0 V-0 - - - -
B/A - - - - - - - - - - -
B'/A' - - - - - - - - - - -
最大氣泡直徑 μm - - - - - - - - - -
Λ(K＝0)    0.187 1.012 1.409 1.569 0.086 0.422 0.084 0.473 0.505 1.023
Λ    0.187 0.012 0.091 0.069 0.086 0.078 0.084 0.027 0.005 0.023
正面方向透過率X % 98.5 97.6 96.8 97.5 98.0 98.1 92.3 96.6 97.2 93.9
TE波之斜向透過率Y(入射角：60°) % 90.6 88.3 90.4 84.0 92.4 81.1 75.3 64.7 76.2 53.2
(100－正面透過率X)×(100－斜向透過率Y) - 13.9 27.5 30.6 39.9 15.1 35.5 190.3 118.6 67.0 286.0
正面透過率X－斜向透過率Y % 8.0 9.3 6.4 13.5 5.6 17.0 17.0 32.0 21.0 42.0
正面方向反射率 % 1.2 1.3 1.8 0.1 1.8 0.7 7.1 0.8 0.0 0.6
TE波之斜向反射率(入射角：60°) % 6.4 10.0 7.4 12.9 7.1 17.6 23.7 32.9 20.6 20.6
|空氣之折射率－第1層之複折射率之大小N 1| - 0.581 0.581 0.581 0.581 0.581 0.581 0.688 0.688 0.688 0.688
|第1層之複折射率之大小N 1－第2層之複折射率之大小N 2| - 0.513 0.513 0.513 0.513 0.392 0.392 - - - -
|第2層之複折射率之大小N 2－第3層之複折射率之大小N 3| - - - - - 0.392 0.392 - - - -
|第N層 ※之複折射率之大小N N－空氣之折射率| - 0.068 0.068 0.068 0.068 0.581 0.581 0.688 0.688 0.688 0.688
|特性矩陣m 12成分之大小M 12－m 21成分之大小M 21|(入射角：0°) - 0.19 0.20 0.11 0.06 0.27 0.17 0.55 0.19 0.04 0.16
特性矩陣m 11成分之大小M 11(入射角：60°TE波) - 0.79 0.69 0.88 1.35 0.92 0.51 0.90 0.83 0.91 0.72
※「第N層」在實施例39～42中意指「第2層」，在實施例43、44中意指「第3層」，在比較例11～14中意指「第1層」。
[產業上之可利用性]
本發明之罩體針對正面方向(入射角0°)之電波具有較高之電波透過性，且針對寬廣範圍入射角之電波亦表現較高之電波透過性，因此可較佳用作收發高頻帶電波之電子機器之罩體。

Claims (14)

  1. 一種收發高頻帶電波之電子機器之罩體，其特徵在於包含樹脂，且滿足下述式之關係： (100－正面透過率X)×(100－斜向透過率Y)＜55 (正面透過率X(%)：在頻率f(Hz)下罩體在入射角0°時之電波透過率(%)，斜向透過率Y(%)：在頻率f(Hz)下罩體在入射角60°時之TE波之電波透過率(%))。
  2. 如請求項1之罩體，其為包含N層(N為1以上之整數)之單層體或積層體，且 於下述特性矩陣之式中，正面方向(入射角0°)上m 12成分之大小M 12與m 21成分之大小M 21的差之絕對值(|M 12－M 21|)為0.35以下； 特性矩陣之各成分係藉由下述式算出： [數1]
    Figure 03_image031
    (ω：角頻率[rad/s]，c：光速[m/s]，n i：第i層之複折射率，d i：第i層之厚度[m]，θ i：入射至第i層之電磁波之折射角[rad]，j：虛數單位，ε ri：第i層之複相對介電常數，μ ri：第i層之複相對磁導率，n 0：空氣之折射率，θ 0：入射角[rad])； 再者，第i層之複折射率n i係藉由下述式求出；又，根據所獲得之複折射率n i，求出其大小N i： [數2]
    Figure 03_image033
    (n i：第i層之複折射率，j：虛數單位，ε ri：第i層之複相對介電常數，μ ri：第i層之複相對磁導率，tanδ：介電損耗因數，ε i'：相對介電常數，ε i''：相對介電損耗指數)。
  3. 如請求項1或2之罩體，其滿足下述式之關係： |正面透過率X－斜向透過率Y|＜25 (正面透過率X(%)：在頻率f(Hz)下罩體在入射角0°時之電波透過率(%)，斜向透過率Y(%)：在頻率f(Hz)下罩體在入射角60°時之TE波之電波透過率(%))。
  4. 如請求項1或2之罩體，其為包含N層(N為1以上之整數)之單層體或積層體，且 藉由下述式所求得之Λ值之最小值為0.15以下： [數3]
    Figure 03_image035
    (d i：第i層之厚度[m]，N i：第i層之複折射率n i之大小，λ 0：空氣中之電磁波之波長[m]，K：任意整數) 再者，第i層之複折射率n i係藉由下述式求出；又，根據所獲得之複折射率n i，求出其大小N i： [數4]
    Figure 03_image037
    (n i：第i層之複折射率，j：虛數單位，ε ri：第i層之複相對介電常數，μ ri：第i層之複相對磁導率，tanδ：介電損耗因數，ε i'：相對介電常數，ε i''：相對介電損耗指數)。
  5. 如請求項1或2之罩體，其為包含N層(N為1以上之整數)之單層體或積層體，且 於下述特性矩陣之式中，入射角60°時之TE波之m 11成分之大小M 11為0.5以上： [數5]
    Figure 03_image039
    (ω：角頻率[rad/s]，c：光速[m/s]，n i：第i層之複折射率，d i：第i層之厚度[m]，θ i：入射至第i層之電磁波之折射角[rad]，j：虛數單位，ε ri：第i層之複相對介電常數，μ ri：第i層之複相對磁導率，n 0：空氣之折射率，θ 0：入射角[rad])。
  6. 如請求項2之罩體，其中上述複折射率n i之大小N i為1.8以下。
  7. 如請求項1或2之罩體，其為單層體或積層體，且至少1層之密度未達0.90 g/cm 3。
  8. 如請求項1或2之罩體，其為具有複數個層之積層體。
  9. 如請求項8之罩體，其中鄰接之層間之複折射率之大小的差之最大值為0.8以下。
  10. 如請求項8之罩體，其中上述複數個層彼此直接相接而積層。
  11. 如請求項1或2之罩體，其含有包含發泡體之層， 於上述包含發泡體之層之10體積%以上， 於上述發泡體為除包含發泡粒子之發泡體以外之發泡體之情形時，在厚度方向上距離上述發泡體之表面20～80%之範圍內所包含之氣泡之直徑之平均值B相對於與上述發泡體之表面相接之氣泡之直徑之平均值A的比率(B/A)為0.3以上且未達3.0，且 於上述發泡體為包含發泡粒子之發泡體之情形時，對於在厚度方向上距離上述發泡體之表面10～90%之範圍內所包含之發泡粒子，在徑向上距離上述發泡粒子之表面20～80%之範圍內所包含之氣泡之直徑之平均值B'相對於與上述發泡粒子之表面相接之氣泡之直徑之平均值A'的比率(B'/A')為0.3以上且未達3.0。
  12. 如請求項1或2之罩體，其含有包含發泡體之層，且 於上述包含發泡體之層之10體積%以上，最大氣泡直徑為1.5 mm以下。
  13. 如請求項1或2之罩體，其為具有複數個層之積層體，且包含：至少1層之密度未達0.90 cm 3/g之層、及至少1層之密度為0.90 cm 3/g以上之層。
  14. 如請求項13之罩體，其中上述密度為0.90 cm 3/g以上之層中之至少1層為構成上述罩體之外表面之表層。
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