KR20230081960A

KR20230081960A - 웨이퍼의 처리 방법

Info

Publication number: KR20230081960A
Application number: KR1020220141088A
Authority: KR
Inventors: 마키코 오마에; 가즈히로 고이케
Original assignee: 가부시기가이샤 디스코
Priority date: 2021-11-30
Filing date: 2022-10-28
Publication date: 2023-06-08
Also published as: TW202324627A; CN116207003A; JP2023080511A

Abstract

(과제) 웨이퍼에 배치 형성되는 열압착 시트의 상면을 바이트로 연삭함으로써 평탄화할 때, 열압착 시트의 외주로부터 그 열압착 시트가 박리된다는 문제가 해소되는 웨이퍼의 처리 방법을 제공한다.
(해결 수단) 복수의 디바이스가 분할 예정 라인에 의해 구획되어 표면에 형성된 웨이퍼를 처리하는 웨이퍼의 처리 방법으로서, 웨이퍼의 표면에 열압착 시트를 배치 형성하는 열압착 시트 배치 형성 공정과, 열압착 시트를 가열함과 함께 가압하여 웨이퍼의 표면에 열압착하는 열압착 공정과, 웨이퍼의 외주를 따라 열압착 시트를 절삭하여 열압착 시트의 외주에 단차부를 형성하는 단차 형성 공정과, 열압착 시트의 상면을 바이트로 절삭하여 상면을 평탄화하는 평탄화 공정을 포함하고, 그 평탄화 공정에 있어서, 그 단차 형성 공정에 있어서 형성된 단차부를 밑돌지 않는 위치에 그 바이트의 날끝이 위치된다.

Description

웨이퍼의 처리 방법{PROCESSING METHOD OF WAFER}

본 발명은 복수의 디바이스가 분할 예정 라인에 의해 구획되어 표면에 형성된 웨이퍼를 처리하는 웨이퍼의 처리 방법에 관한 것이다.

IC, LSI 등의 복수의 디바이스가, 분할 예정 라인에 의해 구획되어 표면에 형성된 웨이퍼는, 이면이 연삭되어 원하는 두께로 형성된 후, 다이싱 장치, 레이저 가공 장치에 의해 개개의 디바이스 칩으로 분할되어, 휴대 전화, PC 등의 전기 기기에 이용된다.

연삭 장치는, 웨이퍼를 유지하는 척 테이블과, 그 척 테이블에 유지된 웨이퍼를 연삭하는 연삭 휠을 회전 가능하게 구비한 연삭 수단을 포함하여 구성되어 있고, 웨이퍼를 양호한 정밀도로 마무리할 수 있다.

또, 웨이퍼의 표면측이 척 테이블의 유지면에 유지되어도 디바이스에 흠집이 생기지 않게, 풀제를 갖지 않는 열압착 시트를 웨이퍼의 표면에 열압착하여, 풀의 잔류물, 연삭수의 진입 등에 의한 웨이퍼의 표면의 오염을 회피한 기술이 본 출원인으로부터 제안되어 있다 (예를 들어 특허문헌 1 을 참조).

일본 공개특허공보 2019-186488호

상기한 특허문헌 1 에 기재된 기술에 의하면, 풀의 잔류물이나 연삭수의 진입 등에 의한 웨이퍼의 표면의 오염을 회피할 수 있지만, 디바이스의 요철에서 기인하여, 열압착 시트의 상면에도 요철이 출현하므로, 척 테이블의 유지면에 부압을 생성하여 흡인 유지하고자 해도, 척 테이블의 유지면에 적정하게 유지되지 않는다는 문제가 발생한다. 이것에 대처하기 위하여, 열압착 시트의 상면을 바이트로 연삭함으로써 평탄하게 하는 것이 생각되지만, 웨이퍼의 표면에 부설한 열압착 시트를 바이트로 연삭하고자 하면 열압착 시트의 외주로부터 그 열압착 시트가 박리되어 평탄화할 수 없다는 문제가 발생한다.

본 발명은 상기 사실을 감안하여 이루어진 것으로, 그 주된 기술 과제는, 웨이퍼에 배치 형성되는 열압착 시트의 상면을 바이트로 연삭함으로써 평탄화할 때, 열압착 시트의 외주로부터 그 열압착 시트가 박리된다는 문제가 해소되는 웨이퍼의 처리 방법을 제공하는 것에 있다.

상기 주된 기술 과제를 해결하기 위하여, 본 발명에 의하면, 복수의 디바이스가 분할 예정 라인에 의해 구획되어 표면에 형성된 웨이퍼를 처리하는 웨이퍼의 처리 방법으로서, 웨이퍼의 표면에 열압착 시트를 배치 형성하는 열압착 시트 배치 형성 공정과, 열압착 시트를 가열함과 함께 가압하여 웨이퍼의 표면에 열압착하는 열압착 공정과, 웨이퍼의 외주를 따라 열압착 시트를 절삭하여 열압착 시트의 외주에 단차부를 형성하는 단차 형성 공정과, 열압착 시트의 상면을 바이트로 절삭하여 상면을 평탄화하는 평탄화 공정을 포함하고, 그 평탄화 공정에 있어서, 그 단차 형성 공정에 있어서 형성된 단차부를 밑돌지 않는 위치에 그 바이트의 날끝이 위치되는 웨이퍼의 처리 방법이 제공된다.

그 열압착 시트는, 폴리올레핀계 시트이고, 폴리에틸렌 시트, 폴리프로필렌 시트, 폴리스티렌 시트 중 어느 것에서 선택되는 것이 바람직하고, 그 열압착 공정에 있어서 열압착 시트를 가열할 때의 가열 온도는, 폴리에틸렌 시트인 경우에는 120 ∼ 140 ℃ 이고, 폴리프로필렌 시트인 경우에는 160 ∼ 180 ℃ 이고, 폴리스티렌 시트인 경우에는 220 ∼ 240 ℃ 인 것이 바람직하다.

그 열압착 시트는, 폴리에스테르계 시트이고, 폴리에틸렌테레프탈레이트 시트, 폴리에틸렌나프탈레이트 시트 중 어느 것에서 선택되는 것이 바람직하고, 그 열압착 공정에 있어서 열압착 시트를 가열할 때의 가열 온도는, 폴리에틸렌테레프탈레이트 시트인 경우에는 250 ∼ 270 ℃ 이고, 폴리에틸렌나프탈레이트 시트인 경우에는 160 ∼ 180 ℃ 인 것이 바람직하다.

상기의 웨이퍼의 처리 방법은, 평탄화된 열압착 시트의 상면을 연삭 장치의 척 테이블의 유지면에 유지하고, 웨이퍼의 이면을 연삭하여 원하는 두께로 마무리하는 연삭 공정을 포함하는 것이 바람직하다. 또, 평탄화된 열압착 시트가 압착된 웨이퍼의 이면측을 다이싱 장치, 또는 레이저 가공 장치의 척 테이블의 유지면에 유지하고, 열압착 시트측으로부터 분할 예정 라인에 절삭 가공, 또는 레이저 가공을 실시하는 가공 공정을 포함하는 것이 바람직하다.

본 발명의 웨이퍼의 처리 방법은, 복수의 디바이스가 분할 예정 라인에 의해 구획되어 표면에 형성된 웨이퍼를 처리하는 웨이퍼의 처리 방법으로서, 웨이퍼의 표면에 열압착 시트를 배치 형성하는 열압착 시트 배치 형성 공정과, 열압착 시트를 가열함과 함께 가압하여 웨이퍼의 표면에 열압착하는 열압착 공정과, 웨이퍼의 외주를 따라 열압착 시트를 절삭하여 열압착 시트의 외주에 단차부를 형성하는 단차 형성 공정과, 열압착 시트의 상면을 바이트로 절삭하여 상면을 평탄화하는 평탄화 공정을 포함하고, 그 평탄화 공정에 있어서, 그 단차 형성 공정에 있어서 형성된 단차부를 밑돌지 않는 위치에 그 바이트의 날끝이 위치되므로, 그 절삭에 의해 열압착 시트를 단차부가 형성된 외주로부터 벗기고자 하는 힘보다, 그 단차부의 웨이퍼에 대한 압착력이 상대적으로 커지기 때문에, 열압착 시트의 상면을 바이트로 절삭하여 평탄화하면 열압착 시트의 외주 단부로부터 박리된다는 문제가 해소된다.

도 1 은, 열압착 시트 배치 형성 공정의 실시양태를 나타내는 사시도이다.
도 2 는, 열압착 공정의 실시양태를 나타내는 사시도이다.
도 3 은, 웨이퍼를 절삭 장치의 척 테이블에 재치 (載置) 하는 양태를 나타내는 사시도이다.
도 4 는, (a) 단차 형성 공정의 실시양태를 나타내는 사시도, (b) 단차부가 형성된 웨이퍼의 외주 단부의 일부를 확대하여 나타내는 측면도이다.
도 5 는, (a) 평탄화 공정을 실시하는 절삭 장치를 나타내는 사시도, (b) 평탄화 공정의 실시양태를 나타내는 사시도, (c) 평탄화된 웨이퍼를 나타내는 사시도이다.
도 6 은, (a) 웨이퍼를 연삭 장치의 척 테이블에 재치하는 양태를 나타내는 사시도, (b) 연삭 공정의 실시양태를 나타내는 사시도이다.
도 7 은, 웨이퍼의 분할 예정 라인을 따라 절삭하는 양태를 나타내는 사시도이다.

이하, 본 발명에 기초하여 구성되는 웨이퍼의 처리 방법에 관련된 실시형태에 대해, 첨부 도면을 참조하면서, 상세하게 설명한다.

도 1 에는, 본 실시형태에 의해 처리되는 웨이퍼 (10) 와, 웨이퍼 (10) 의 표면 (10a) 상에 배치 형성되는 열압착 시트 (2) 와, 웨이퍼 (10) 를 유지하는 테이블 (4) 이 나타나 있다. 웨이퍼 (10) 는, 복수의 디바이스 (12) 가 분할 예정 라인 (14) 에 의해 구획되어 표면 (10a) 에 형성되어 있다. 열압착 시트 (2) 는, 웨이퍼 (10) 와 대략 동일한 치수로 형성되고, 가열함으로써 점착력을 발휘하는 시트이고, 예를 들어, 폴리올레핀계 시트, 또는 폴리에스테르계 시트 중 어느 것에서 선택된다.

열압착 시트 (2) 를 폴리올레핀계 시트로 구성하는 경우에는, 예를 들어, 폴리에틸렌 시트, 폴리프로필렌 시트, 폴리스티렌 시트 중 어느 것에서 선택된다. 또, 열압착 시트 (2) 를 폴리에스테르계 시트로 구성하는 경우에는, 예를 들어, 폴리에틸렌테레프탈레이트 시트, 폴리에틸렌나프탈레이트 시트 중 어느 것에서 선택된다. 본 실시형태에서는, 열압착 시트 (2) 로서 폴리에틸렌 시트가 선택된 것으로서 설명한다.

본 실시형태의 웨이퍼의 처리 방법을 실시할 때, 먼저, 웨이퍼 (10) 의 표면 (10a) 에 상기의 열압착 시트 (2) 를 배치 형성하는 열압착 시트 배치 형성 공정을 실시한다. 열압착 시트 배치 형성 공정을 실시할 때에는, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 상면 (4a) 이 평탄하게 형성된 테이블 (4) 을 준비하고, 그 상면 (4a) 에 웨이퍼 (10) 의 이면 (10b) 을 향하여 재치하고, 웨이퍼 (10) 의 표면 (10a) 상에 열압착 시트를 부설하여 일체로 한다 (도 1 의 하단을 참조). 또한, 웨이퍼 (10) 의 이면 (10b) 을 테이블 (4) 에 재치하여 유지할 때, 테이블 (4) 의 상면 (4a) 에 통기성을 갖는 흡착 척을 배치 형성하고 (예를 들어 도 3 의 척 테이블 (32) 을 참조), 웨이퍼 (10) 의 이면 (10b) 을 흡인 유지하도록 해도 된다.

상기와 같이 열압착 시트 배치 형성 공정을 실시했다면, 이하에 설명하는 바와 같이, 열압착 시트 (2) 를 가열함과 함께 가압하여 웨이퍼 (10) 의 표면 (10a) 에 열압착하는 열압착 공정을 실시한다. 본 실시형태의 열압착 공정을 실시할 때, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 테이블 (4) 의 상방에, 가열 롤러 (22) (일부만을 도시) 를 위치시킨다. 가열 롤러 (22) 는, 화살표 R1 로 나타내는 방향으로 회전 가능하게 유지되고, 테이블 (4) 의 상면 (4a) 과 평행한 화살표 R2 로 나타내는 방향으로 이동 가능하게 구성되어 있다. 가열 롤러 (22) 의 표면에는, 열압착 시트 (2) 가 가열됨으로써 점착력을 발휘해도 부착되지 않게, 불소 수지가 코팅되어 있다. 가열 롤러 (22) 의 내부에는, 전기 히터 및 온도 센서가 내장 (도시는 생략한다) 되어 있고, 별도로 준비되는 제어 장치에 의해, 가열 롤러 (22) 의 표면을 원하는 온도로 조정할 수 있다.

가열 롤러 (22) 를 테이블 (4) 상에 위치시켰다면, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 열압착 시트 (2) 의 표면 (2a) 을 가압하면서, 가열 롤러 (22) 를 화살표 R1 로 나타내는 방향으로 회전시키고, 화살표 R2 로 나타내는 방향으로 이동시킨다. 본 실시형태의 가열 롤러 (22) 에 의해 열압착 시트 (2) 를 가열할 때의 가열 온도는, 120 ℃ ∼ 140 ℃ 의 범위로 설정된다. 이 가열 온도는, 열압착 시트 (2) 를 구성하는 폴리에틸렌 시트의 융점 근방의 온도이고, 열압착 시트 (2) 가 과도하게 용융되지 않고, 또한 연화되어 점착성을 발휘하는 온도이다. 이와 같이 함으로써, 웨이퍼 (10) 의 표면 (10a) 에 열압착 시트 (2) 가 열압착되어 일체가 된다. 또한, 웨이퍼 (10) 의 표면 (10a) 과, 열압착 시트 (2) 의 간극에 공기가 잔존하지 않게, 테이블 (4) 과 열압착 롤러 (22) 가 배치 형성되는 공간을 폐공간으로서 감압하여, 진공 상태로 하도록 해도 된다. 이상에 의해 열압착 공정이 완료된다.

이어서, 웨이퍼 (10) 의 외주를 따라 열압착 시트 (2) 를 절삭하여 단차부를 형성하는 단차 형성 공정을 실시한다. 보다 구체적으로는, 상기의 열압착 공정을 실시한 웨이퍼 (10) 를, 도 3 에 나타내는 절삭 장치 (30) (일부만을 나타내고 있다) 에 반송한다.

절삭 장치 (30) 에는, 도 3 에 나타내는 바와 같이, 척 테이블 (32) 이 배치 형성되어 있다. 척 테이블 (32) 은, 환상의 프레임체 (32a) 와, 유지면을 형성하는 프레임체 (32a) 에 의해 둘러싸여 지지된 흡착 척 (32b) 을 구비하고 있다. 그 흡착 척 (32b) 은 통기성을 갖는 소재에 의해 형성되고, 도시를 생략하는 흡인원에 접속되어 있고, 그 흡인원을 작동시킴으로써 흡착 척 (32b) 의 상면에 부압이 생성된다. 척 테이블 (32) 은, 도시를 생략하는 회전 구동원에 의해 회전 가능하게 지지되어 있다.

절삭 장치 (30) 에 반송된 웨이퍼 (10) 는, 이면 (10b) 측을 하방으로 하여 상기의 척 테이블 (32) 에 재치되고, 흡인 유지된다. 이어서, 도 4(a) 에 나타내는 바와 같이, 절삭 수단 (32) 을 웨이퍼 (10) 의 상방에 위치시킨다. 절삭 수단 (32) 은, 블레이드 하우징 (34) 과, 그 블레이드 하우징 (34) 에 회전 가능하게 지지된 회전축 (35) 과, 그 회전축 (35) 의 선단에 배치 형성된 절삭 블레이드 (36) 를 구비하고 있다. 절삭 블레이드 (36) 는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 초강 (超鋼) 기판의 외주 부분을 가공하고, 절삭날로서 톱날을 형성한 둥근톱이 선택된다.

상기의 절삭 블레이드 (36) 를, 웨이퍼 (10) 의 외주에 대응하는 열압착 시트의 외주 (2b) 상에 위치시키고, 척 테이블 (32) 을 R3 으로 나타내는 방향으로 회전시키면서, 절삭 블레이드 (36) 를 R4 로 나타내는 방향으로 고속으로 회전시키면서 절입 이송하여, 그 외주 (2b) 를 따라 단차부 (2c) 를 형성한다. 상기의 단차부 (2c) 는, 도 4(b) 에 나타내는 바와 같이, 예를 들어, 폭이 0.5 ∼ 1.0 ㎜ 이고, 단차부 (2c) 에 대한 상면 (2a) 의 높이 (단차) 는, 예를 들어 열압착 시트 (2) 의 두께가 300 ∼ 500 ㎛ 인 데에 대해, 예를 들어 50 ∼ 100 ㎛ 로 형성된다. 또한, 도 4(b) 에 나타내는 단차부 (2c) 의 폭 및 그 단차는, 설명의 사정상, 실제의 치수비와는 상이한 상태로 나타내고 있다. 상기의 단차부 (2c) 를, 열압착 시트 (2) 의 외주 (2b) 를 따라 전체 둘레에 형성함으로써, 단차 형성 공정이 완료된다.

이어서, 열압착 시트 (2) 의 상면 (2a) 을 바이트로 절삭하여 상면 (2a) 을 평탄화하는 평탄화 공정을 실시하고, 그 평탄화 공정을 실시할 때에는, 상기한 단차 형성 공정에 의해 열압착 시트 (2) 의 외주에 단차부 (2c) 가 형성된 웨이퍼 (10) 를, 도 5(a) 에 나타내는 절삭 장치 (40) (일부만 나타내고 있다) 에 반송한다. 절삭 장치 (40) 는, 도면에 나타내는 바와 같이, 척 테이블 (41) 과, 절삭 유닛 (42) 을 구비하고 있다. 절삭 유닛 (42) 은, 도시를 생략하는 스핀들 하우징과, 그 스핀들 하우징에 자유롭게 회전할 수 있도록 배치 형성된 회전 스핀들 (43) 과, 회전 스핀들 (43) 을 회전 구동시키기 위한 도시를 생략하는 구동원을 구비하고 있다. 회전 스핀들 (43) 의 하단부에는 원판 형상의 바이트 장착 부재 (44) 가 배치 형성되어 있다. 바이트 장착 부재 (44) 의 외주부에는 하방향으로 연장되는 바이트 (46) 가 배치 형성되어 있다. 바이트 (46) 는, 도시된 실시형태에 있어서는 초강합금 등의 공구강에 의해 봉상으로 형성되고, 바이트 (46) 의 하측 선단부에는, 다이아몬드 등으로 형성된 날끝 (46a) 이 배치 형성되어 있다. 바이트 장착 부재 (44) 에 장착되는 바이트 (46) 는, 상기 회전 스핀들 (43) 이 회전함으로써, 바이트 장착 부재 (44) 와 함께 화살표 R5 로 나타내는 방향으로 회전된다.

도시된 절삭 장치 (40) 에는, 절삭 유닛 (42) 을 상하 방향으로 이동시키는 절삭 이송 기구와, 척 테이블 (41) 을 화살표 R6 으로 나타내는 방향으로 이동시키는 가공 이송 기구가 배치 형성되어 있다 (모두 도시는 생략하고 있다). 절삭 장치 (40) 에 반송된 웨이퍼 (10) 를, 척 테이블 (42) 에 재치하여 흡인 유지하고, 도 5(b) 에 나타내는 바와 같이, 바이트 (46) 의 날끝 (46a) 을, 열압착 시트 (2) 의 상면 (2a) 보다 낮게 (예를 들어 30 ㎛), 단차 형성 공정에 있어서 형성된 단차부 (2c) 를 밑돌지 않는 높이 위치에 위치시킨다. 그 높이 위치는, 웨이퍼 (10) 의 표면 (10a) 에 열압착된 열압착 시트 (2) 의 상면 (2a) 에 형성되는 요철을 그 바이트 (46) 에 의해 제거 가능한 위치이다. 이어서, 절삭 유닛 (42) 의 구동원을 작동시켜, 회전 스핀들 (43) 을 화살표 R5 로 나타내는 방향으로 회전시킴과 함께, 상기의 가공 이송 기구를 작동시켜, 척 테이블 (42) 을 화살표 R6 으로 나타내는 방향으로 이동시킨다. 이로써, 도 5(c) 에 나타내는 바와 같이, 열압착 시트 (2) 의 단차부 (2c) 의 영역을 제외한 상면 (2a) 이 절삭되어, 평탄화된다. 또한, 도 5(c) 에서는, 설명의 사정상, 바이트 (46) 에 의한 절삭의 궤적 (2d) 을 파선으로 나타내고 있지만, 실제로는, 열압착 시트 (2) 의 상면 (2a) 은, 깨끗한 평탄면이 된다.

상기한 실시형태에 의하면, 바이트 (46) 의 날끝 (46a) 을, 단차 형성 공정에 있어서 형성된 단차부 (2c) 를 밑돌지 않는 높이 위치에 위치시켜 열압착 시트 (2) 의 상면 (2a) 을 절삭하므로, 그 절삭에 의해 열압착 시트 (2) 를 단차부 (2c) 가 형성된 외주 단부 (2e) (도 5(b) 를 참조) 로부터 벗기고자 하는 힘보다, 그 단차부 (2c) 의 웨이퍼 (10) 에 대한 압착력이 상대적으로 커지기 때문에, 열압착 시트 (2) 의 상면 (2a) 을 바이트 (46) 로 절삭하여 평탄화해도, 열압착 시트 (2) 의 외주 단부 (2e) 가 박리된다는 문제가 발생하지 않는다.

또한, 본 실시형태에서는, 웨이퍼 (10) 의 열압착 시트 (2) 에 대해 상기의 평탄화 공정을 실시한 후, 웨이퍼 (10) 를 도 6(a) 에 나타내는 연삭 장치 (50) (일부만 나타내고 있다) 의 척 테이블 (52) 에 반송한다. 척 테이블 (52) 은, 환상의 프레임체 (52a) 와, 프레임체 (52a) 에 둘러싸여 유지면을 형성하는 통기성을 갖는 흡착 척 (52b) 을 구비하고 있다. 연삭 장치 (50) 에 반송된 웨이퍼 (10) 의 평탄화된 열압착 시트 (2) 를 하방을 향하게 하여, 척 테이블 (52) 의 흡착 척 (52b) 에 재치하고, 도시를 생략하는 흡인원을 작동시켜 흡인 유지한다. 이어서, 웨이퍼 (10) 의 이면 (10b) 의 상방에, 도 6(b) 에 나타내는 연삭 수단 (53) 을 위치시킨다. 연삭 수단 (53) 은, 도시되지 않은 회전 구동 기구에 의해 회전되는 회전 스핀들 (54) 과, 회전 스핀들 (54) 의 하단에 장착된 휠 마운트 (55) 와, 휠 마운트 (55) 에 장착되는 하면에 복수의 연삭 지석 (57) 이 환상으로 배치 형성된 연삭 휠 (56) 을 구비하고 있다. 연삭 수단 (53) 은, 도시를 생략하는 연삭 이송 기구에 의해 상하 방향으로 승강된다.

웨이퍼 (10) 를 척 테이블 (52) 상에 유지했다면, 척 테이블 (52) 을 화살표 R7 로 나타내는 방향으로, 예를 들어 300 rpm 으로 회전시키면서, 연삭 수단 (53) 의 회전 스핀들 (54) 을 도 6(b) 에 있어서 화살표 R8 로 나타내는 방향으로, 예를 들어 6000 rpm 으로 회전시킨다. 이어서, 도시되지 않은 연삭수 공급 수단에 의해, 연삭수를 웨이퍼 (10) 의 이면 (10b) 상에 공급하면서, 상기의 연삭 이송 기구를 작동시켜, 연삭 수단 (53) 을 화살표 R9 로 나타내는 방향으로 하강시키고, 연삭 지석 (57) 을 웨이퍼 (10) 의 이면 (10b) 에 접촉시켜, 예를 들어 1 ㎛/초의 연삭 이송 속도로 연삭 이송한다. 도시되지 않은 접촉식, 또는 비접촉식의 측정 수단에 의해 웨이퍼 (10) 의 두께를 측정하면서 연삭을 진행시켜, 원하는 두께로 마무리함으로써 연삭 공정이 완료된다. 연삭 공정이 완료되어 연삭 수단 (53) 을 정지시켰다면, 세정, 건조 공정 등을 실시한다.

상기한 바와 같이, 본 실시형태에 있어서는, 열압착 시트 (2) 의 상면 (2a) 이 적절히 평탄화되어 있으므로, 연삭 공정을 실시할 때에도, 웨이퍼 (10) 는, 척 테이블 (52) 에 적정하게 유지되어, 웨이퍼 (10) 의 이면 (10b) 이 양호하게 연삭된다.

또한, 상기한 연삭 공정을 실시한 후, 상기의 웨이퍼 (10) 를, 도 7 에 나타내는 가공 장치 (60) (일부만을 나타내고 있다) 에 반송하여, 이하에 설명하는 가공 공정을 실시해도 된다. 웨이퍼 (10) 를 그 가공 장치 (60) 에 반송할 때에는, 도 7 에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 (10) 를, 보호 테이프 (T) 를 개재하여 환상의 프레임 (F) 에 의해 유지한다.

본 실시형태의 가공 장치 (60) 는, 웨이퍼 (10) 를 절삭 가공하여 개개의 디바이스 칩으로 분할하는 다이싱 장치이고, 웨이퍼 (10) 를 흡인 유지하는 척 테이블 (도시는 생략한다) 과, 그 척 테이블에 흡인 유지된 웨이퍼 (10) 를 절삭하는 절삭 수단 (62) 을 구비한다. 그 척 테이블은, 자유롭게 회전할 수 있도록 구성되고, 도면 중 화살표 X 로 나타내는 방향으로 척 테이블을 가공 이송하는 이동 수단 (도시는 생략한다) 을 구비하고 있다. 또, 절삭 수단 (62) 은, 도면 중 화살표 Y 로 나타내는 Y 축 방향으로 배치 형성되고 자유롭게 회전할 수 있도록 유지된 회전축 (64) 과, 회전축 (64) 의 선단에 유지된 환상의 절삭 블레이드 (66) 를 구비하고, 절삭 블레이드 (66) 를 Y 축 방향으로 산출 이송하는 Y 축 이동 수단 (도시는 생략한다) 을 구비하고 있다. 회전축 (64) 은, 도시를 생략하는 스핀들 모터에 의해 회전 구동된다.

절삭 가공을 실시할 때, 먼저, 웨이퍼 (10) 의 이면 (10b) 측을 하방을 향하게 하여 척 테이블의 유지면 (도시는 생략하고 있다) 에 재치하여 유지하고, 열압착 시트 (2) 가 압착된 표면 (10a) 에 형성된 분할 예정 라인 (14) 을 검출하고, X 축 방향으로 정합시킴과 함께, 절삭 블레이드 (66) 와의 위치 맞춤을 실시한다. 또한, 열압착 시트 (2) 는 투명성이 있는 시트이므로, 적절한 촬상 수단에 의해 분할 예정 라인 (14) 을 검출하는 것이 가능하다. 이어서, X 축 방향으로 정합시킨 분할 비율 예정 라인 (14) 에 화살표 R10 으로 나타내는 방향으로 고속 회전시킨 절삭 블레이드 (66) 를 위치시켜, 열압착 시트 (2) 측으로부터 절입시킴과 함께, 척 테이블을 X 축 방향으로 가공 이송하여, 상기의 분할 예정 라인 (14) 을 따라 웨이퍼 (10) 를 분할하는 절삭 홈 (100) 을 형성한다. 또한, 절삭 홈 (100) 을 형성한 분할 예정 라인 (14) 에 Y 축 방향에서 인접하고, 절삭 홈 (100) 이 형성되어 있지 않은 분할 예정 라인 (14) 상에 절삭 수단 (62) 의 절삭 블레이드 (66) 를 산출 이송하고, 상기와 동일하게 하여 절삭 홈 (100) 을 형성한다. 이들을 반복함으로써, X 축 방향을 따른 모든 분할 예정 라인 (14) 을 따라 절삭 홈 (100) 을 형성한다.

이어서, 척 테이블을 90 도 회전시켜, 먼저 절삭 홈 (100) 을 형성한 방향과 직교하는 방향을 X 축 방향으로 정합시키고, 상기한 절삭 가공을 새롭게 X 축 방향으로 정합시킨 모든 분할 예정 라인 (14) 에 대해 실시하여, 웨이퍼 (10) 에 형성된 모든 분할 예정 라인 (14) 을 따라 절삭 홈 (100) 을 형성한다. 이와 같이 하여 절삭 가공을 실시하여 분할 예정 라인 (14) 을 따라 웨이퍼 (10) 를 디바이스 (12) 마다의 디바이스 칩으로 분할하는 가공 공정이 완료된다. 상기한 가공 공정이 완료되었다면, 열압착 시트 (2) 에 대해 냉각, 또는 가열하는 등을 하여, 웨이퍼 (10) 로부터 박리되기 쉬운 상태로 하여 박리하고, 웨이퍼 (10) 로부터 개개로 분할된 디바이스 (12) 를 픽업한다.

또한, 상기한 실시형태에서는, 가공 장치 (60) 가 다이싱 장치인 예를 나타냈지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않고, 웨이퍼 (10) 에 대해 레이저 광선을 조사하여 레이저 가공을 실시하는 레이저 가공 장치여도 된다. 레이저 가공 장치를 사용하여 가공 공정을 실시하는 경우에는, 예를 들어, 웨이퍼 (10) 에 대해 흡수성을 갖는 파장의 레이저 광선을, 열압착 시트 (2) 측으로부터 분할 예정 라인 (14) 을 따라 조사하고, 어블레이션 가공을 실시하여, 웨이퍼 (10) 를 개개의 디바이스 칩으로 분할하도록 해도 된다. 상기한 실시형태와 같이, 웨이퍼 (10) 로부터 열압착 시트 (2) 를 박리하지 않고, 웨이퍼 (10) 를 디바이스 칩으로 분할하는 가공 공정을 실시함으로써, 웨이퍼 (10) 를 절삭할 때에 발생하는 절삭 부스러기나, 레이저 가공에 의해 발생하는 데브리가, 분할된 디바이스 칩의 표면에 부착되는 것이 방지되어, 디바이스 칩의 품질의 향상에 기여한다.

상기한 실시형태에서는, 열압착 시트 (2) 가, 폴리에틸렌 시트인 예를 나타냈지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 예를 들어, 열압착 시트 (2) 는, 다른 폴리올레핀계 시트에서도 선택할 수 있고, 예를 들어, 폴리프로필렌 시트, 폴리스티렌 시트 중 어느 것에서 선택할 수 있다. 열압착 시트 (2) 로서, 폴리프로필렌 시트를 선택했을 경우, 열압착 공정에 있어서 가열할 때의 가열 온도는 160 ∼ 180 ℃ 이고, 폴리스티렌 시트를 선택했을 경우의 가열 온도는 220 ∼ 240 ℃ 인 것이 바람직하다. 또, 열압착 시트 (2) 로서, 폴리에스테르계 시트에서 선택할 수도 있고, 예를 들어, 폴리에틸렌테레프탈레이트 시트, 폴리에틸렌나프탈레이트 시트 중 어느 것에서 선택하는 것이 바람직하다. 열압착 시트 (2) 로서, 폴리에틸렌테레프탈레이트를 선택했을 경우, 열압착 공정에 있어서 가열할 때의 가열 온도는 250 ∼ 270 ℃ 이고, 폴리에틸렌나프탈레이트를 선택했을 경우의 가열 온도는 160 ∼ 180 ℃ 인 것이 바람직하다.

2 : 열압착 시트
2a : 상면
2b : 외주
2c : 단차부
2d : 절삭흔
2e : 외주 단부
4 : 테이블
4a : 상면
10 : 웨이퍼
10a : 표면
10b : 이면
12 : 디바이스
14 : 분할 예정 라인
22 : 가열 롤러
30 : 절삭 장치
32 : 척 테이블
34 : 블레이드 하우징
35 : 회전축
36 : 절삭 블레이드
40 : 절삭 장치
41 : 척 테이블
42 : 절삭 유닛
43 : 회전 스핀들
44 : 바이트 장착 부재
46 : 바이트
46a : 날끝
50 : 연삭 장치
52 : 척 테이블
53 : 연삭 수단
54 : 회전 스핀들
55 : 휠 마운트
56 : 연삭 휠
57 : 연삭 지석
60 : 가공 장치 (다이싱 장치)
62 : 절삭 수단
66 : 절삭 블레이드
100 : 절삭 홈
F : 프레임
T : 보호 테이프

Claims

복수의 디바이스가 분할 예정 라인에 의해 구획되어 표면에 형성된 웨이퍼를 처리하는 웨이퍼의 처리 방법으로서,
웨이퍼의 표면에 열압착 시트를 배치 형성하는 열압착 시트 배치 형성 공정과,
열압착 시트를 가열함과 함께 가압하여 웨이퍼의 표면에 열압착하는 열압착 공정과,
웨이퍼의 외주를 따라 열압착 시트를 절삭하여 열압착 시트의 외주에 단차부를 형성하는 단차 형성 공정과,
열압착 시트의 상면을 바이트로 절삭하여 상면을 평탄화하는 평탄화 공정을 포함하고,
그 평탄화 공정에 있어서, 그 단차 형성 공정에 있어서 형성된 단차부를 밑돌지 않는 위치에 그 바이트의 날끝이 위치되는 웨이퍼의 처리 방법.
제 1 항에 있어서,
그 열압착 시트는, 폴리올레핀계 시트이고, 폴리에틸렌 시트, 폴리프로필렌 시트, 폴리스티렌 시트 중 어느 것에서 선택되는 웨이퍼의 처리 방법.
제 2 항에 있어서,
그 열압착 공정에 있어서 열압착 시트를 가열할 때의 가열 온도는, 폴리에틸렌 시트인 경우에는 120 ∼ 140 ℃ 이고, 폴리프로필렌 시트인 경우에는 160 ∼ 180 ℃ 이고, 폴리스티렌 시트인 경우에는 220 ∼ 240 ℃ 인 웨이퍼의 처리 방법.
제 1 항에 있어서,
그 열압착 시트는, 폴리에스테르계 시트이고, 폴리에틸렌테레프탈레이트 시트, 폴리에틸렌나프탈레이트 시트 중 어느 것에서 선택되는 웨이퍼의 처리 방법.
제 4 항에 있어서,
그 열압착 공정에 있어서 열압착 시트를 가열할 때의 가열 온도는, 폴리에틸렌테레프탈레이트 시트인 경우에는 250 ∼ 270 ℃ 이고, 폴리에틸렌나프탈레이트 시트인 경우에는 160 ∼ 180 ℃ 인 웨이퍼의 처리 방법.
제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
평탄화된 열압착 시트의 상면을 연삭 장치의 척 테이블의 유지면에 유지하고, 웨이퍼의 이면을 연삭하여 원하는 두께로 마무리하는 연삭 공정을 포함하는 웨이퍼의 처리 방법.
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
평탄화된 열압착 시트가 압착된 웨이퍼의 이면측을 다이싱 장치, 또는 레이저 가공 장치의 척 테이블의 유지면에 유지하고, 열압착 시트측으로부터 분할 예정 라인에 절삭 가공, 또는 레이저 가공을 실시하는 가공 공정을 포함하는 웨이퍼의 처리 방법.