KR20230056653A - 부재 가공 방법 - Google Patents

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슈사쿠 우에노
다카마사 히라야마
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닛토덴코 가부시키가이샤
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Abstract

경질 기판을 피가공체(부재 등)로부터 박리하는 것을 포함하면서도, 당해 피가공체의 파손 등을 방지할 수 있는 부재 가공 방법을 제공한다. 본 발명의 부재 가공 방법은, 경질 기판과, 자외선 흡수층과, 피가공체를 이 순으로 적층하는 적층 공정과, 그 후, 해당 피가공체를 가공하는 가공 공정과, 그 후, 해당 자외선 흡수층에 자외선을 조사하여, 경질 기판을 피가공체로부터 박리하는 박리 공정을 포함한다.

Description

부재 가공 방법
본 발명은, 부재 가공 방법에 관한 것이다.
전자 부품(부재)의 가공에 있어서는, 공정간의 핸들링성을 고려하여, 부재를 1조의 기판 사이에 끼워서 지지하여, 당해 부재를 가공하는 경우가 있다(예를 들어, 특허문헌 1). 예를 들어, 배선 회로 기판 상의 단자에 부재를 열압착하여 접속하는 공정에 있어서는, 부재를 배선 회로 기판 상의 단자에 임시 배치한 상태에서, 그 위에서부터 강판을 양면 점착 시트를 통해 겹쳐, 가압하면서 당해 부재를 보유 지지하고, 열처리하여 당해 단자를 고착시키는 것이 행해지고 있다. 그리고, 열처리 후, 가압을 해방하고, 강판을 부재로부터 박리하여, 배선 회로 기판 상의 단자에 상기 부재가 고착된다.
일본 특허 제6691184호
상기 배선 회로 기판 상의 부재를 열압착하는 공정으로 대표되는 바와 같은, 부재를 1조의 기판(제1 기판, 제2 기판) 사이에 끼워서 지지하고, 그 후에, 한쪽의 기판(제2 기판)을 부재로부터 박리시키는 공정에 있어서는, 박리되는 제2 기판이 경질인 경우, 당해 제2 기판(경질 기판)이 휘어지기 어렵기 때문에, 당해 제2 기판(경질 기판)을 수직 방향으로 이격시키게 된다. 그렇게 하면, 부재에 부하가 걸려 당해 부재가 파손되거나, 부재가 제1 기판으로부터 불필요하게 탈리되는 등의 문제가 있다.
본 발명은 상기 종래의 과제를 해결하기 위해 이루어진 것이며, 그 목적으로 하는 바는, 경질 기판을 피가공체(부재 등)로부터 박리하는 것을 포함하면서도, 당해 피가공체의 파손 등을 방지할 수 있는 부재 가공 방법을 제공하는 데에 있다.
본 발명의 부재 가공 방법은, 경질 기판과, 자외선 흡수층과, 피가공체를 이 순으로 적층하는 적층 공정과, 그 후, 해당 피가공체를 가공하는 가공 공정과, 그 후, 해당 자외선 흡수층에 자외선을 조사하여, 경질 기판을 피가공체로부터 박리하는 박리 공정을 포함한다.
일 실시 형태에 있어서는, 상기 피가공체가, 다른 경질 기판과, 해당 경질 기판의 적어도 편측에 배치된 부재를 포함한다.
일 실시 형태에 있어서는, 상기 피가공체가, 반도체 웨이퍼이다.
일 실시 형태에 있어서는, 상기 경질 기판이, 광투과성을 갖는다.
일 실시 형태에 있어서는, 상기 자외선 흡수층이, 점착성을 갖는다.
일 실시 형태에 있어서는, 상기 자외선 흡수층이, 활성 에너지선 경화형 점착제를 포함한다.
일 실시 형태에 있어서는, 상기 자외선 흡수층이, 자외선 흡수제를 포함한다.
본 발명에 따르면, 경질 기판을 피가공체(부재 등)로부터 박리하는 것을 포함하면서도, 당해 피가공체의 파손 등을 방지할 수 있는 부재 가공 방법을 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 의한 부재 가공 방법을 설명하는 개략도이다.
A. 부재 가공 방법의 개요
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 의한 부재 가공 방법을 설명하는 개략도이다. 본 발명의 부재 가공 방법은, (i) 경질 기판(10)과, 자외선 흡수층(20)과, 피가공체(30)를 이 순으로 적층하는 공정(이하, 적층 공정이라고도 함), (ii) 그 후, 해당 피가공체(30)를 가공하는 공정(가공 공정), 및 (iii) 그 후, 해당 자외선 흡수층(20)에 자외선을 조사하여, 경질 기판(10)을 피가공체(30)로부터 박리하는 공정(박리 공정)을 포함한다.
B. 적층 공정
상기와 같이, 적층 공정은, 경질 기판(10)과, 자외선 흡수층(20)과, 피가공체(30)를 이 순으로 적층하는 공정이다. 일 실시 형태에 있어서, 자외선 흡수층은, 점착성을 갖는다. 도시예의 피가공체(30)는, 다른 경질 기판(31)과 다른 경질 기판(31)의 편측에 배치된 부재(32)를 구비하고 있다.
일 실시 형태에 있어서, 자외선 흡수층(20)과 피가공체(30) 사이에는, 기재(21)와 점착제층(22)이 더 배치될 수 있다. 자외선 흡수층(20)과 기재(21)와 점착제층(22)은 이 순으로 배치될 수 있다. 일 실시 형태에 있어서, 자외선 흡수층(20)과 기재(21)와 점착제층(22)으로 구성되는 적층체는, 양면 점착 시트 A일 수 있다.
다른 실시 형태에 있어서는, 경질 기판과 피가공체는 자외선 흡수층을 통해, 배치될 수 있다. 보다 상세하게는, 경질 기판은, 자외선 흡수층의 한쪽의 면에 직접 배치되고, 피가공체는, 자외선 흡수층의 다른 쪽의 면에 직접 배치된다.
B-1. 경질 기판
상기 경질 기판이란, 굽힘 탄성률이, 1GPa 이상인 판 상의 성형체를 말한다. 굽힘 탄성률은, 경질 기판을 구성하는 재료에 따라서, JIS K7171 또는 JIS R1602에 각각 준거하여, 4점 굽힘 시험에 의해 측정할 수 있다.
상기 경질 기판을 구성하는 재료로서는, 임의의 적절한 재료가 사용될 수 있다. 경질 기판으로서는, 예를 들어 유리 기판, 금속 기판, 실리콘 기판, 사파이어 기판, 플라스틱 기판 등을 들 수 있다.
바람직하게는, 상기 경질 기판은, 광투과성을 갖는다. 상기 경질 기판의 자외선(파장 360㎚) 투과율은, 바람직하게는 70％ 이상이며, 보다 바람직하게는 80％ 내지 99.9％이다. 경질 기판이 광투과성을 갖고 있으면, 박리 공정에서의 박리를 바람직하게 발생시킬 수 있다.
B-2. 자외선 흡수층
자외선 흡수층은, 초기에는(즉, 자외선 조사 전에는) 점착성을 갖고, 자외선 조사 후에 점착력이 저하되어 박리성을 나타내는 층일 수 있다. 일 실시 형태에 있어서는, 자외선 흡수층은, 부분적인 자외선 조사(예를 들어, UV 레이저광 조사)에 의해, 부분적으로 점착력이 저하되는 층일 수 있다.
일 실시 형태에 있어서, 자외선 흡수층은, 자외선 흡수제를 포함한다. 바람직하게는, 자외선 흡수층은, 점착제를 더 포함한다. 점착제로서는, 예를 들어 감압 점착제, 활성 에너지선 경화형 점착제를 들 수 있다.
자외선 흡수층이 자외선 흡수제를 포함함으로써, UV 레이저광 조사에 의한 피착체의 박리가 가능해진다. 보다 상세하게는, 자외선 흡수층에 UV 레이저광을 조사함으로써, 자외선 흡수제가 분해되어 발생하는 가스, 및/또는 자외선 흡수제가 발열함으로써 자외선 흡수층이 분해되어 발생하는 가스에 의해, 자외선 흡수층에 변형이 발생하고, 그 결과, UV 레이저광이 조사된 부분에 있어서, 박리성이 발현된다.
또한, 자외선 흡수층이, 활성 에너지선 경화형 점착제를 포함하고 있으면, 활성 에너지선을 조사함으로써, 자외선 흡수층 전체의 점착력을 저하시킬 수 있다. 일 실시 형태에 있어서는, 자외선 흡수층의 전체에 활성 에너지선을 조사하여, 점착력을 저하시킨 후에, 상기와 같이 레이저광을 조사한다. 이와 같이 하면, 박리 후의 점착제 잔류나 경질 기판에 대한 재부착을 현저하게 방지할 수 있고, 예를 들어 바니시를 사용한 종래의 방법과 비교해도 오염 방지의 관점에서 유리하다. 활성 에너지선으로서는, 예를 들어 감마선, 자외선, 가시광선, 적외선(열선), 라디오파, 알파선, 베타선, 전자선, 플라스마류, 전리선, 입자선 등을 들 수 있다. 바람직하게는, 자외선이다.
자외선 흡수층의 파장 360㎚의 광투과율은, 바람직하게는 50％ 이하이다. 당해 광투과율을 낮게 함으로써, 박리 시의 레이저 출력을 낮게 할 수 있다. 자외선 흡수층의 파장 355㎚의 광투과율은, 바람직하게는 30％ 이하이다. 이와 같은 범위이면, 상기 효과는 보다 현저해진다. 또한, 자외선 흡수층의 파장 380㎚의 광투과율은, 바람직하게는 30％ 이상이며, 보다 바람직하게는 50％ 이상이다.
자외선 흡수층을 스테인리스판에 접착하였을 때의 23℃에서의 초기 점착력은, 바람직하게는 0.1N/20㎜ 내지 20N/20㎜이며, 보다 바람직하게는 0.5N/20㎜ 내지 15N/20㎜이다. 이와 같은 범위이면, 양호하게 피가공체를 보유 지지할 수 있는 자외선 흡수층을 형성할 수 있다. 점착력은, JIS Z 0237:2000에 준하여 측정된다. 구체적으로는, 2kg의 롤러를 1왕복에 의해 자외선 흡수층을 스테인리스판(산술 평균 표면 조도 Ra: 50±25㎚)에 접착하고, 23℃ 하에서 30분간 방치한 후, 박리 각도 180°, 박리 속도(인장 속도) 300㎜/min의 조건에서, 자외선 흡수층을 박리하여 측정된다. 자외선 흡수층은, 활성 에너지선 조사 및 레이저광 조사에 의해 점착력이 변화되지만, 본 명세서에 있어서, 「초기 점착력」이란, 활성 에너지선 및 레이저광을 조사하기 전의 점착력을 의미한다.
일 실시 형태에 있어서는, 자외선 흡수층을 스테인리스판에 접착하고, 460mJ/㎠의 자외선을 조사한 후의 23℃에서의 점착력은, 바람직하게는 0.01N/20㎜ 내지 2N/20㎜이며, 보다 바람직하게는 0.02N/20㎜ 내지 1N/20㎜이다. 이와 같은 범위이면, 점착제 잔류가 적게 박리 가능한 자외선 흡수층을 형성할 수 있다. 상기 자외선 조사는, 예를 들어 자외선 조사 장치(닛토세이키사제, 상품명 「UM-810」)를 사용하여, 고압 수은등의 자외선(특성 파장: 365㎚, 적산 광량: 460mJ/㎠, 조사 에너지: 70W/㎠, 조사 시간: 6.6초)을 자외선 흡수층에 조사하여 행해진다.
자외선 흡수층의 두께는, 바람직하게는 50㎛ 이하이다. 이와 같은 범위이면, 박리 시의 레이저 출력을 보다 낮게 하는 것이 가능해진다. 자외선 흡수층의 두께는, 40㎛ 이하인 것이 보다 바람직하고, 30㎛ 이하인 것이 더욱 바람직하고, 1㎛ 내지 30㎛인 것이 보다 바람직하다. 이와 같은 범위이면, 상기 효과가 현저해진다.
·자외선 흡수제:
자외선 흡수제로서는, 자외선(예를 들어, 파장 355㎚)을 흡수하는 화합물이면, 임의의 적절한 자외선 흡수제가 사용될 수 있다. 자외선 흡수제로서는, 예를 들어 벤조트리아졸계 자외선 흡수제, 벤조페논계 자외선 흡수제, 트리아진계 자외선 흡수제, 살리실레이트계 자외선 흡수제, 시아노아크릴레이트계 자외선 흡수제 등을 들 수 있다. 그 중에서도 바람직하게는, 트리아진계 자외선 흡수제 또는 벤조트리아졸계 자외선 흡수제이며, 특히 바람직하게는 트리아진계 자외선 흡수제이다. 특히, 점착제 A로서 아크릴계 점착제를 사용하는 경우에, 당해 아크릴계 점착제의 베이스 폴리머와의 상용성이 높기 때문에, 트리아진계 자외선 흡수제는 바람직하게 사용될 수 있다. 트리아진계 자외선 흡수제는, 수산기를 갖는 화합물로 구성되어 있는 것이 보다 바람직하고, 히드록시페닐트리아진계 화합물로 구성된 자외선 흡수제(히드록시페닐트리아진계 자외선 흡수제)인 것이 특히 바람직하다.
히드록시페닐트리아진계 자외선 흡수제로서는, 예를 들어 2-(4,6-비스(2,4-디메틸페닐)-1,3,5-트리아진-2-일)-5-히드록시페닐과 [(C10-C16(주로 C12-C13) 알킬옥시)메틸]옥시란의 반응 생성물(상품명 「TINUVIN 400」, BASF사제), 2-[4,6-비스(2,4-디메틸페닐)-1,3,5-트리아진-2-일]-5-[3-(도데실옥시)-2-히드록시프로폭시]페놀), 2-(2,4-디히드록시페닐)-4,6-비스-(2,4-디메틸페닐)-1,3,5-트리아진과 (2-에틸헥실)-글리시드산에스테르의 반응 생성물(상품명 「TINUVIN 405」, BASF사제), 2,4-비스(2-히드록시-4-부톡시페닐)-6-(2,4-디부톡시페닐)-1,3,5-트리아진(상품명 「TINUVIN 460」, BASF사제), 2-(4,6-디페닐-1,3,5-트리아진-2-일)-5-[(헥실)옥시]-페놀(상품명 「TINUVIN 1577」, BASF사제), 2-(4,6-디페닐-1,3,5-트리아진-2-일)-5-[2-(2-에틸헥사노일옥시)에톡시]-페놀(상품명 「아데카스탭 LA-46」, (주)ADEKA제), 2-(2-히드록시-4-[1-옥틸옥시카르보닐에톡시]페닐)-4,6-비스(4-페닐페닐)-1,3,5-트리아진(상품명 「TINUVIN 479」, BASF사제), BASF사제의 상품명 「TINUVIN 477」 등을 들 수 있다.
벤조트리아졸계 자외선 흡수제(벤조트리아졸계 화합물)로서는, 예를 들어 2-(2-히드록시-5-tert-부틸페닐)-2H-벤조트리아졸(상품명 「TINUVIN PS」, BASF사제), 벤젠프로판산 및 3-(2H-벤조트리아졸-2-일)-5-(1,1-디메틸에틸)-4-히드록시(C7-9 측쇄 및 직쇄 알킬)의 에스테르 화합물(상품명 「TINUVIN 384-2」, BASF사제), 옥틸3-[3-tert-부틸-4-히드록시-5-(5-클로로-2H-벤조트리아졸-2-일)페닐]프로피오네이트 및 2-에틸헥실-3-[3-tert-부틸-4-히드록시-5-(5-클로로-2H-벤조트리아졸-2일)페닐]프로피오네이트의 혼합물(상품명 「TINUVIN 109」, BASF사제), 2-(2H-벤조트리아졸-2-일)-4,6-비스(1-메틸-1-페닐에틸)페놀(상품명 「TINUVIN 900」, BASF사제), 2-(2H-벤조트리아졸-2-일)-6-(1-메틸-1-페닐에틸)-4-(1,1,3,3-테트라메틸부틸)페놀(상품명 「TINUVIN 928」, BASF제), 메틸3-(3-(2H-벤조트리아졸-2-일)-5-tert-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트/폴리에틸렌글리콜300의 반응 생성물(상품명 「TINUVIN 1130」, BASF사제), 2-(2H-벤조트리아졸-2-일)-p-크레졸(상품명 「TINUVIN P」, BASF사제), 2-(2H-벤조트리아졸-2-일)-4,6-비스(1-메틸-1-페닐에틸)페놀(상품명 「TINUVIN 234」, BASF사제), 2-[5-클로로-2H-벤조트리아졸-2-일]-4-메틸-6-(tert-부틸)페놀(상품명 「TINUVIN 326」, BASF사제), 2-(2H-벤조트리아졸-2-일)-4,6-디-tert-펜틸페놀(상품명 「TINUVIN 328」, BASF사제), 2-(2H-벤조트리아졸-2-일)-4-(1,1,3,3-테트라메틸부틸)페놀(상품명 「TINUVIN 329」, BASF사제), 2,2'-메틸렌비스[6-(2H-벤조트리아졸-2-일)-4-(1,1,3,3-테트라메틸부틸)페놀](상품명 「TINUVIN 360」, BASF사제), 메틸3-(3-(2H-벤조트리아졸-2-일)-5-tert-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트와 폴리에틸렌글리콜300의 반응 생성물(상품명 「TINUVIN 213」, BASF사제), 2-(2H-벤조트리아졸-2-일)-6-도데실-4-메틸페놀(상품명 「TINUVIN 571」, BASF사제), 2-[2-히드록시-3-(3,4,5,6-테트라히드로프탈이미드-메틸)-5-메틸페닐]벤조트리아졸(상품명 「Sumisorb 250」, 스미토모 가가쿠(주)제), 2-(3-tert-부틸-2-히드록시-5-메틸페닐)-5-클로로-2H-벤조트리아졸(상품명 「SEESORB 703」, 시프로 가세이사제), 2-(2H-벤조트리아졸-2-일)-4-메틸-6-(3,4,5,6-테트라히드로프탈이미딜메틸)페놀(상품명 「SEESORB 706」, 시프로 가세이사제), 2-(4-벤조일옥시-2-히드록시페닐)-5-클로로-2H-벤조트리아졸(시프로 가세이사제의 상품명 「SEESORB 7012BA」), 2-tert-부틸-6-(5-클로로-2H-벤조트리아졸-2-일)-4-메틸페놀(상품명 「KEMISORB 73」, 케미프로 가세이사제), 2,2'-메틸렌비스[6-(2H-벤조트리아졸-2-일)-4-tert-옥틸페놀](상품명 「아데카스탭 LA-31」, (주)ADEKA제), 2-(2H-벤조트리아졸-2-일)-p-셀룰로오스(상품명 「아데카스탭 LA-32」, (주)ADEKA제), 2-(5-클로로-2H-벤조트리아졸-2-일)-6-tert-부틸-4-메틸페놀(상품명 「아데카스탭 LA-36」, (주)ADEKA제) 등을 들 수 있다.
상기 자외선 흡수제는, 염료 또는 안료여도 된다. 안료로서는, 예를 들어 아조계, 프탈로시아닌계, 안트라퀴논계, 레이크계, 페릴렌계, 페리논계, 퀴나크리돈계, 티오인디고계, 디옥산진계, 이소인돌리논계, 퀴노프탈론계 등의 안료를 들 수 있다. 염료로서는, 아조계, 프탈로시아닌계, 안트라퀴논계, 카르보닐계, 인디고계, 퀴논이민계, 메틴계, 퀴놀린계, 니트로계 등의 염료를 들 수 있다.
상기 자외선 흡수제를 구성하는 화합물의 분자량은, 바람직하게는 100 내지 1500이며, 보다 바람직하게는 200 내지 1200이고, 더욱 바람직하게는 200 내지 1000이다. 이와 같은 범위이면, 레이저광 조사에 의해, 보다 양호한 변형부를 형성할 수 있는 자외선 흡수층을 형성할 수 있다.
상기 자외선 흡수제의 최대 흡수 파장은, 바람직하게는 300㎚ 내지 450㎚이며, 보다 바람직하게는 320㎚ 내지 400㎚이고, 더욱 바람직하게는 330㎚ 내지 380㎚이다. 자외선 흡수제의 최대 흡수 파장과 상기 광중합 개시제의 최대 흡수 파장의 차는, 바람직하게 10㎚ 이상이며, 보다 바람직하게는 25㎚ 이상이다.
상기 자외선 흡수제의 5％ 중량 감소 온도는, 바람직하게는 350℃ 이하이고, 보다 바람직하게는 330℃ 이하이다. 자외선 흡수제의 5％ 중량 감소 온도의 하한은, 예를 들어 100℃이다. 이와 같은 범위이면, 레이저광 조사에 의해, 보다 양호한 변형부를 형성할 수 있는 자외선 흡수층을 형성할 수 있다. 자외선 흡수제의 5％ 중량 감소 온도란, 자외선 흡수제를 승온시켰을 때의 당해 자외선 흡수제의 중량이, 승온 전의 중량에 대하여, 5중량％ 감소한 시점에서의 온도를 의미한다. 5％ 중량 감소 온도는, 시차 열분석 장치를 사용하여, 승온 온도 10℃/분, 공기 분위기 하에서, 유량 25ml/분의 측정 조건에서 측정된다.
상기 자외선 흡수제의 함유 비율은, 자외선 흡수층 중의 베이스 폴리머 100중량부에 대하여, 바람직하게는 1중량부 내지 50중량부이며, 보다 바람직하게는 5중량부 내지 20중량부이다. 이와 같은 범위이면, 활성 에너지선의 조사에 의해 자외선 흡수층 전체의 점착력을 양호하게 저하시킬 때, 자외선 흡수층의 경화가 양호하게 진행되고, 또한, 레이저광 조사에 의해, 양호한 박리성을 나타내는 자외선 흡수층을 형성할 수 있다.
·활성 에너지선 경화형 점착제:
일 실시 형태에 있어서는, 활성 에너지선 경화형 점착제로서, 모제가 되는 베이스 폴리머와, 해당 베이스 폴리머와 결합 가능한 활성 에너지선 반응성 화합물(모노머 또는 올리고머)을 포함하는 활성 에너지선 경화형 점착제(A1)가 사용된다. 다른 실시 형태에 있어서는, 베이스 폴리머로서 활성 에너지선 반응성 폴리머를 포함하는 활성 에너지선 경화형 점착제(A2)가 사용된다. 바람직하게는, 상기 베이스 폴리머는, 광중합 개시제와 반응할 수 있는 관능기를 갖는다. 해당 관능기로서는, 예를 들어 히드록실기, 카르복실기 등을 들 수 있다.
상기 점착제(A1)에 있어서 사용되는 베이스 폴리머로서는, 예를 들어 천연 고무, 폴리이소부틸렌 고무, 스티렌·부타디엔 고무, 스티렌·이소프렌·스티렌 블록 공중합체 고무, 재생 고무, 부틸 고무, 폴리이소부틸렌 고무, 니트릴 고무(NBR) 등의 고무계 폴리머; 실리콘계 폴리머; 아크릴계 폴리머 등을 들 수 있다. 이들 폴리머는, 단독으로 또는 2종 이상 조합하여 사용해도 된다. 그 중에서도 바람직하게는, 아크릴계 폴리머이다.
아크릴계 폴리머로서는, (메트)아크릴산알킬에스테르, (메트)아크릴산시클로알킬에스테르, (메트)아크릴산아릴에스테르 등의 탄화수소기 함유 (메트)아크릴산에스테르의 단독 중합체 또는 공중합체; 해당 탄화수소기 함유 (메트)아크릴산에스테르와 다른 공중합성 모노머의 공중합체 등을 들 수 있다. (메트)아크릴산알킬에스테르로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산의 메틸에스테르, 에틸에스테르, 프로필에스테르, 이소프로필에스테르, 부틸에스테르, 이소부틸에스테르, s-부틸에스테르, t-부틸에스테르, 펜틸에스테르, 이소펜틸에스테르, 헥실에스테르, 헵틸에스테르, 옥틸에스테르, 2-에틸헥실에스테르, 이소옥틸에스테르, 노닐에스테르, 데실에스테르, 이소데실에스테르, 운데실에스테르, 도데실에스테르 즉 라우릴에스테르, 트리데실에스테르, 테트라데실에스테르, 헥사데실에스테르, 옥타데실에스테르, 및 에이코실에스테르를 들 수 있다. (메트)아크릴산시클로알킬에스테르로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산의 시클로펜틸에스테르 및 시클로헥실에스테르를 들 수 있다. (메트)아크릴산아릴에스테르로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산페닐 및 (메트)아크릴산벤질을 들 수 있다. 상기 탄화수소기 함유 (메트)아크릴산에스테르 유래의 구성 단위 함유 비율은, 베이스 폴리머 100중량부에 대하여, 바람직하게는 40중량부 이상이며, 보다 바람직하게는 60중량부 이상이다.
상기 다른 공중합성 모노머로서는, 예를 들어 카르복시기 함유 모노머, 산 무수물 모노머, 히드록시기 함유 모노머, 글리시딜기 함유 모노머, 술폰산기 함유 모노머, 인산기 함유 모노머, 아크릴아미드, 및 아크릴로니트릴 등의 관능기 함유 모노머 등을 들 수 있다. 카르복시기 함유 모노머로서는, 예를 들어 아크릴산, 메타크릴산, 카르복시에틸(메트)아크릴레이트, 카르복시펜틸(메트)아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산, 및 크로톤산을 들 수 있다. 산 무수물 모노머로서는, 예를 들어 무수 말레산 및 무수 이타콘산을 들 수 있다. 히드록시기 함유 모노머로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산2-히드록시에틸, (메트)아크릴산2-히드록시프로필, (메트)아크릴산4-히드록시부틸, (메트)아크릴산6-히드록시헥실, (메트)아크릴산8-히드록시옥틸, (메트)아크릴산10-히드록시데실, (메트)아크릴산12-히드록시라우릴, 및 (4-히드록시메틸시클로헥실)메틸(메트)아크릴레이트를 들 수 있다. 글리시딜기 함유 모노머로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산글리시딜 및 (메트)아크릴산메틸글리시딜을 들 수 있다. 술폰산기 함유 모노머로서는, 예를 들어 스티렌술폰산, 알릴술폰산, 2-(메트)아크릴아미도-2-메틸프로판술폰산, (메트)아크릴아미도프로판술폰산, 술포프로필(메트)아크릴레이트, 및 (메트)아크릴로일옥시나프탈렌술폰산을 들 수 있다. 인산기 함유 모노머로서는, 예를 들어 2-히드록시에틸아크릴로일포스페이트를 들 수 있다. 아크릴아미드로서는, 예를 들어 N-아크릴로일모르폴린을 들 수 있다. 이들은, 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다. 상기 공중합성 모노머 유래의 구성 단위의 함유 비율은, 베이스 폴리머 100중량부에 대하여, 바람직하게는 60중량부 이하이고, 보다 바람직하게는 40중량부 이하이다.
아크릴계 폴리머는, 그 폴리머 골격 중에 가교 구조를 형성하기 위해, 다관능성 모노머 유래의 구성 단위를 포함할 수 있다. 다관능성 모노머로서, 예를 들어 헥산디올디(메트)아크릴레이트, (폴리)에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, (폴리)프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨디(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 에폭시(메트)아크릴레이트(즉, 폴리글리시딜(메트)아크릴레이트), 폴리에스테르(메트)아크릴레이트, 및 우레탄(메트)아크릴레이트를 들 수 있다. 이들은, 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다. 상기 다관능성 모노머 유래의 구성 단위의 함유 비율은, 베이스 폴리머 100중량부에 대하여, 바람직하게는 40중량부 이하이고, 보다 바람직하게는 30중량부 이하이다.
상기 아크릴계 폴리머의 중량 평균 분자량은, 바람직하게는 10만 내지 300만이며, 보다 바람직하게는 20만 내지 200만이다. 중량 평균 분자량은, GPC(용매: THF)에 의해 측정될 수 있다.
상기 점착제(A1)에 사용될 수 있는 상기 활성 에너지선 반응성 화합물로서는, 예를 들어 아크릴로일기, 메타크릴로일기, 비닐기, 알릴기, 아세틸렌기 등의 중합성 탄소-탄소 다중 결합을 갖는 관능기를 갖는 광반응성의 모노머 또는 올리고머를 들 수 있다. 해당 광반응성의 모노머의 구체예로서는, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 테트라메틸올메탄테트라(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨모노히드록시펜타(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 1,4-부탄디올디(메트)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메트)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트 등의 (메트)아크릴산과 다가 알코올의 에스테르화물; 다관능 우레탄(메트)아크릴레이트; 에폭시(메트)아크릴레이트; 올리고에스테르(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 또한, 메타크릴로이소시아네이트, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트(2-이소시아나토에틸메타크릴레이트), m-이소프로페닐-α,α-디메틸벤질이소시아네이트 등의 모노머를 사용해도 된다. 광반응성의 올리고머의 구체예로서는, 상기 모노머의 2 내지 5량체 등을 들 수 있다. 광반응성의 올리고머의 분자량은, 바람직하게는 100 내지 3000이다.
또한, 상기 활성 에너지선 반응성 화합물로서, 에폭시화 부타디엔, 글리시딜메타크릴레이트, 아크릴아미드, 비닐실록산 등의 모노머; 또는 해당 모노머로 구성되는 올리고머를 사용해도 된다.
또한, 상기 활성 에너지선 반응성 화합물로서, 오늄염 등의 유기 염류와, 분자 내에 복수의 복소환을 갖는 화합물의 혼합물을 사용해도 된다. 해당 혼합물은, 활성 에너지선(예를 들어, 자외선, 전자선)의 조사에 의해 유기염이 개열되어 이온을 생성하고, 이것이 개시종이 되어 복소환의 개환 반응을 일으켜 3차원 메쉬 구조를 형성할 수 있다. 상기 유기 염류로서는, 예를 들어 요오도늄염, 포스포늄염, 안티모늄염, 술포늄염, 보레이트염 등을 들 수 있다. 상기 분자 내에 복수의 복소환을 갖는 화합물에 있어서의 복소환으로서는, 옥시란, 옥세탄, 옥솔란, 티이란, 아지리딘 등을 들 수 있다.
상기 점착제(A1)에 있어서, 활성 에너지선 반응성 화합물의 함유 비율은, 베이스 폴리머 100중량부에 대하여, 바람직하게는 0.1중량부 내지 500중량부이며, 보다 바람직하게는 5중량부 내지 300중량부이고, 더욱 바람직하게는 40중량부 내지 150중량부이다.
상기 점착제(A2)에 포함되는 활성 에너지선 반응성 폴리머(베이스 폴리머)로서는, 예를 들어 아크릴로일기, 메타크릴로일기, 비닐기, 알릴기, 아세틸렌기 등의 탄소-탄소 다중 결합을 갖는 관능기를 갖는 폴리머를 들 수 있다. 활성 에너지선 반응성 폴리머의 구체예로서는, 다관능 (메트)아크릴레이트로 구성되는 폴리머; 광 양이온 중합형 폴리머; 폴리비닐신나메이트 등의 신나모일기 함유 폴리머; 디아조화된 아미노노볼락 수지; 폴리아크릴아미드; 등을 들 수 있다.
일 실시 형태에 있어서는, 상기 아크릴계 폴리머의 측쇄, 주쇄 및/또는 주쇄 말단에, 활성 에너지선 중합성의 탄소-탄소 다중 결합이 도입되어 구성된 활성 에너지선 반응성 폴리머가 사용된다. 아크릴계 폴리머에 대한 방사선 중합성의 탄소-탄소 이중 결합의 도입 방법으로서는, 예를 들어 소정의 관능기(제1 관능기)를 갖는 모노머를 포함하는 원료 모노머를 공중합시켜 아크릴계 폴리머를 얻은 후, 제1 관능기와의 사이에서 반응을 발생시켜 결합할 수 있는 소정의 관능기(제2 관능기)와 방사선 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물을, 탄소-탄소 이중 결합의 방사선 중합성을 유지한 채로 아크릴계 폴리머에 대하여 축합 반응 또는 부가 반응시키는 방법을 들 수 있다.
제1 관능기와 제2 관능기의 조합으로서는, 예를 들어 카르복시기와 에폭시기, 에폭시기와 카르복시기, 카르복시기와 아지리딜기, 아지리딜기와 카르복시기, 히드록시기와 이소시아네이트기, 이소시아네이트기와 히드록시기를 들 수 있다. 이들 조합 중, 반응 추적의 용이함의 관점에서는, 히드록시기와 이소시아네이트기의 조합이나, 이소시아네이트기와 히드록시기의 조합이, 바람직하다. 또한, 반응성이 높은 이소시아네이트기를 갖는 폴리머를 제작하는 것은 기술적 난이도가 높은 바, 아크릴계 폴리머의 제작 또는 입수의 용이함의 관점에서는, 아크릴계 폴리머측의 상기 제1 관능기가 히드록시기이고 또한 상기 제2 관능기가 이소시아네이트기인 경우가, 보다 바람직하다. 이 경우, 방사선 중합성 탄소-탄소 이중 결합과 제2 관능기인 이소시아네이트기를 병유하는 이소시아네이트 화합물로서는, 예를 들어 메타크릴로일이소시아네이트, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트, 및 m-이소프로페닐-α,α-디메틸벤질이소시아네이트를 들 수 있다. 또한, 제1 관능기를 갖는 아크릴계 폴리머로서는, 상기 히드록시기 함유 모노머 유래의 구성 단위를 포함하는 것이 바람직하고, 2-히드록시에틸비닐에테르나, 4-히드록시부틸비닐에테르, 디에틸렌글리콜모노비닐에테르 등의 에테르계 화합물 유래의 구성 단위를 포함하는 것도 바람직하다.
상기 점착제(A2)는, 상기 활성 에너지선 반응성 화합물(모노머 또는 올리고머)을 더 포함하고 있어도 된다.
상기 활성 에너지선 경화형 점착제는, 광중합 개시제를 포함할 수 있다.
광중합 개시제로서는, 임의의 적절한 개시제를 사용할 수 있다. 광중합 개시제로서는, 예를 들어 4-(2-히드록시에톡시)페닐(2-히드록시-2-프로필)케톤, α-히드록시-α,α'-디메틸아세토페논, 2-메틸-2-히드록시프로피오페논, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤 등의 α-케톨계 화합물; 메톡시아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2,2-디에톡시아세토페논, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)-페닐]-2-모르폴리노프로판-1 등의 아세토페논계 화합물; 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 아니소인메틸에테르 등의 벤조인에테르계 화합물; 벤질디메틸케탈 등의 케탈계 화합물; 2-나프탈렌술포닐클로라이드 등의 방향족 술포닐클로라이드계 화합물; 1-페논-1,1-프로판디온-2-(o-에톡시카르보닐)옥심 등의 광 활성 옥심계 화합물; 벤조페논, 벤조일벤조산, 3,3'-디메틸-4-메톡시벤조페논 등의 벤조페논계 화합물; 티오크산톤, 2-클로로티오크산톤, 2-메틸티오크산톤, 2,4-디메틸티오크산톤, 이소프로필티오크산톤, 2,4-디클로로티오크산톤, 2,4-디에틸티오크산톤, 2,4-디이소프로필티오크산톤 등의 티오크산톤계 화합물; 캄포퀴논; 할로겐화 케톤; 아실포스핀옥시드; 아실포스포네이트 등을 들 수 있다. 광중합 개시제의 사용량은, 임의의 적절한 양으로 설정될 수 있다.
일 실시 형태에 있어서는, 400㎚ 이하(바람직하게는 380㎚ 이하, 보다 바람직하게는 340㎚ 이하)의 범위에 최대 흡수 파장을 갖는 광중합 개시제가 사용된다. 이와 같은 광중합 개시제를 사용하면, 활성 에너지선을 조사함으로써 자외선 흡수층 전체의 점착력 저하시킬 때, 점착제의 경화 반응이 바람직하게 발생하여, 점착제 잔류가 특히 적은 자외선 흡수층을 형성할 수 있다.
상기 광중합 개시제로서, 시판품을 사용해도 된다. 예를 들어, 400㎚ 이하의 범위에 최대 흡수 파장을 갖는 광중합 개시제로서, BASF사제의 상품명 「이르가큐어 127」, 「이르가큐어 369」, 「이르가큐어 369E」, 「이르가큐어 379」, 「이르가큐어 379EG」, 「이르가큐어 819」, 「이르가큐어 TOP」, 「이르가큐어 784」, 「이르가큐어 OXE01」 등을 들 수 있다.
일 실시 형태에 있어서는, 상기 활성 에너지선 경화형 점착제는, 광 증감제를 포함할 수 있다.
일 실시 형태에 있어서는, 상기 광 증감제는, 상기 광중합 개시제와 병용될 수 있다. 당해 광 증감제는, 스스로가 광을 흡수하여 얻은 에너지를 광중합 개시제에 전달함으로써, 광중합 개시제로부터 라디칼을 발생시킬 수 있기 때문에, 광중합 개시제 자신의 흡수 피크가 없는 장파장측의 광으로 중합을 진행시킬 수 있다. 이 때문에, 광 증감제를 함유시킴으로써, 상기 자외선 흡수제의 흡수 파장과 광중합 개시제로부터 라디칼을 발생시키는 것이 가능한 파장의 차를 크게 하는 것이 가능해진다. 그 결과, 자외선 흡수층의 광중합과 자외선 흡수제에 의한 박리를 서로 영향을 주지 않고 행할 수 있다. 일 실시 형태에 있어서는, 광중합 개시제로서의 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온(예를 들어, BASF사제, 상품명 「이르가큐어 651」)과, 광 증감제가 병용된다. 이와 같은 광 증감제로서는, 가와사키 가세이 고교 가부시키가이샤제의 상품명 「UVS-581」, 9,10-디에톡시안트라센(예를 들어, 가와사키 가세이 고교사제, 상품명 「UVS1101」) 등을 들 수 있다.
상기 광 증감제의 그 밖의 예로서는, 9,10-디부톡시안트라센(예를 들어, 가와사키 가세이 고교사제, 상품명 「UVS-1331」), 2-이소프로필티오크산톤, 벤조페논, 티오크산톤 유도체, 4,4'-비스(디메틸아미노)벤조페논 등을 들 수 있다. 티오크산톤 유도체로서는, 예를 들어 에톡시카르보닐티오크산톤, 이소프로필티오크산톤 등을 들 수 있다.
상기 광 증감제의 함유 비율은, 베이스 폴리머 100중량부에 대하여, 바람직하게는 0.01중량부 내지 2중량부이며, 보다 바람직하게는 0.5중량부 내지 2중량부이다.
바람직하게는, 상기 활성 에너지선 경화형 점착제는, 가교제를 포함한다. 가교제로서는, 예를 들어 이소시아네이트계 가교제, 에폭시계 가교제, 옥사졸린계 가교제, 아지리딘계 가교제, 멜라민계 가교제, 과산화물계 가교제, 요소계 가교제, 금속 알콕시드계 가교제, 금속 킬레이트계 가교제, 금속염계 가교제, 카르보디이미드계 가교제, 아민계 가교제 등을 들 수 있다.
상기 가교제의 함유 비율은, 점착제의 베이스 폴리머 100중량부에 대하여, 바람직하게는 0.5중량부 내지 10중량부이며, 보다 바람직하게는 1중량부 내지 8중량부이다.
일 실시 형태에 있어서는, 이소시아네이트계 가교제가 바람직하게 사용된다. 이소시아네이트계 가교제는, 다종의 관능기와 반응할 수 있는 점에서 바람직하다. 상기 이소시아네이트계 가교제의 구체예로서는, 부틸렌디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트 등의 저급 지방족 폴리이소시아네이트류; 시클로펜틸렌디이소시아네이트, 시클로헥실렌디이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트 등의 지환족 이소시아네이트류; 2,4-톨릴렌디이소시아네이트, 4,4'-디페닐메탄디이소시아네이트, 크실릴렌디이소시아네이트 등의 방향족 이소시아네이트류; 트리메틸올프로판/톨릴렌디이소시아네이트 3량체 부가물(닛본 폴리우레탄 고교사제, 상품명 「코로네이트 L」), 트리메틸올프로판/헥사메틸렌디이소시아네이트 3량체 부가물(닛본 폴리우레탄 고교사제, 상품명 「코로네이트 HL」), 헥사메틸렌디이소시아네이트의 이소시아누레이트체(닛본 폴리우레탄 고교사제, 상품명 「코로네이트 HX」) 등의 이소시아네이트 부가물; 등을 들 수 있다. 바람직하게는, 이소시아네이트기를 3개 이상 갖는 가교제가 사용된다.
활성 에너지선 경화형 점착제는, 필요에 따라서, 임의의 적절한 첨가제를 더 포함할 수 있다. 첨가제로서는, 예를 들어 활성 에너지선 중합 촉진제, 라디칼 포착제, 점착 부여제, 가소제(예를 들어, 트리멜리트산에스테르계 가소제, 피로멜리트산에스테르계 가소제 등), 안료, 염료, 충전제, 노화 방지제, 도전재, 대전 방지제, 자외선 흡수제, 광안정제, 박리 조정제, 연화제, 계면 활성제, 난연제, 산화 방지제 등을 들 수 있다.
·감압 점착제:
감압 점착제로서는, 예를 들어 아크릴계 점착제, 고무계 점착제, 비닐알킬에테르계 점착제, 실리콘계 점착제, 폴리에스테르계 점착제, 폴리아미드계 점착제, 우레탄계 점착제, 스티렌-디엔 블록 공중합체계 점착제 등을 들 수 있다. 그 중에서도 바람직하게는, 아크릴계 점착제 또는 고무계 점착제이며, 보다 바람직하게는 아크릴계 점착제이다. 또한, 상기 점착제는, 단독으로 또는 2종 이상 조합하여 사용해도 된다.
상기 아크릴계 점착제로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산알킬에스테르의 1종 또는 2종 이상을 단량체 성분으로서 사용한 아크릴계 폴리머(호모 폴리머 또는 코폴리머)를 베이스 폴리머로 하는 아크릴계 점착제 등을 들 수 있다. (메트)아크릴산알킬에스테르의 구체예로서는, (메트)아크릴산메틸, (메트)아크릴산에틸, (메트)아크릴산프로필, (메트)아크릴산이소프로필, (메트)아크릴산부틸, (메트)아크릴산이소부틸, (메트)아크릴산s-부틸, (메트)아크릴산t-부틸, (메트)아크릴산펜틸, (메트)아크릴산헥실, (메트)아크릴산헵틸, (메트)아크릴산옥틸, (메트)아크릴산2-에틸헥실, (메트)아크릴산이소옥틸, (메트)아크릴산노닐, (메트)아크릴산이소노닐, (메트)아크릴산데실, (메트)아크릴산이소데실, (메트)아크릴산운데실, (메트)아크릴산도데실, (메트)아크릴산트리데실, (메트)아크릴산테트라데실, (메트)아크릴산펜타데실, (메트)아크릴산헥사데실, (메트)아크릴산헵타데실, (메트)아크릴산옥타데실, (메트)아크릴산노나데실, (메트)아크릴산에이코실 등의 (메트)아크릴산 C1-20 알킬에스테르를 들 수 있다. 그 중에서도, 탄소수가 4 내지 18인 직쇄상 혹은 분지상의 알킬기를 갖는 (메트)아크릴산알킬에스테르가 바람직하게 사용될 수 있다.
상기 아크릴계 폴리머는, 응집력, 내열성, 가교성 등의 개질을 목적으로 하여, 필요에 따라서, 상기 (메트)아크릴산알킬에스테르와 공중합 가능한 다른 단량체 성분에 대응하는 단위를 포함하고 있어도 된다. 이와 같은 단량체 성분으로서, 예를 들어 아크릴산, 메타크릴산, 카르복시에틸아크릴레이트, 카르복시펜틸아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산, 크로톤산 등의 카르복실기 함유 모노머; 무수 말레산, 무수 이코탄산 등의 산 무수물 모노머; (메트)아크릴산히드록시에틸, (메트)아크릴산히드록시프로필, (메트)아크릴산히드록시부틸, (메트)아크릴산히드록시헥실, (메트)아크릴산히드록시옥틸, (메트)아크릴산히드록시데실, (메트)아크릴산히드록시라우릴, (4-히드록시메틸시클로헥실)메틸메타크릴레이트 등의 히드록실기 함유 모노머; 스티렌술폰산, 알릴술폰산, 2-(메트)아크릴아미도-2-메틸프로판술폰산, (메트)아크릴아미도프로판술폰산, 술포프로필(메트)아크릴레이트, (메트)아크릴로일옥시나프탈렌술폰산 등의 술폰산기 함유 모노머; (메트)아크릴아미드, N,N-디메틸(메트)아크릴아미드, N-부틸(메트)아크릴아미드, N-메틸올(메트)아크릴아미드, N-메틸올프로판(메트)아크릴아미드 등의 (N-치환) 아미드계 모노머; (메트)아크릴산아미노에틸, (메트)아크릴산N,N-디메틸아미노에틸, (메트)아크릴산t-부틸아미노에틸 등의 (메트)아크릴산아미노알킬계 모노머; (메트)아크릴산메톡시에틸, (메트)아크릴산에톡시에틸 등의 (메트)아크릴산알콕시알킬계 모노머; N-시클로헥실말레이미드, N-이소프로필말레이미드, N-라우릴말레이미드, N-페닐말레이미드 등의 말레이미드계 모노머; N-메틸이타콘이미드, N-에틸이타콘이미드, N-부틸이타콘이미드, N-옥틸이타콘이미드, N-2-에틸헥실이타콘이미드, N-시클로헥실이타콘이미드, N-라우릴이타콘이미드 등의 이타콘이미드계 모노머; N-(메트)아크릴로일옥시메틸렌숙신이미드, N-(메트)아크루로일-6-옥시헥사메틸렌숙신이미드, N-(메트)아크릴로일-8-옥시옥타메틸렌숙신이미드 등의 숙신이미드계 모노머; 아세트산비닐, 프로피온산비닐, N-비닐피롤리돈, 메틸비닐피롤리돈, 비닐피리딘, 비닐피페리돈, 비닐피리미딘, 비닐피페라진, 비닐피라진, 비닐피롤, 비닐이미다졸, 비닐옥사졸, 비닐모르폴린, N-비닐카르복실산아미드류, 스티렌, α-메틸스티렌, N-비닐카프로락탐 등의 비닐계 모노머; 아크릴로니트릴, 메타크릴로니트릴 등의 시아노아크릴레이트 모노머; (메트)아크릴산글리시딜 등의 에폭시기 함유 아크릴계 모노머; (메트)아크릴산폴리에틸렌글리콜, (메트)아크릴산폴리프로필렌글리콜, (메트)아크릴산메톡시에틸렌글리콜, (메트)아크릴산메톡시폴리프로필렌글리콜 등의 글리콜계 아크릴에스테르 모노머; (메트)아크릴산테트라히드로푸르푸릴, 불소(메트)아크릴레이트, 실리콘(메트)아크릴레이트 등의 복소환, 할로겐 원자, 규소 원자 등을 갖는 아크릴산에스테르계 모노머; 헥산디올디(메트)아크릴레이트, (폴리)에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, (폴리)프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨디(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 에폭시아크릴레이트, 폴리에스테르아크릴레이트, 우레탄아크릴레이트 등의 다관능 모노머; 이소프렌, 부타디엔, 이소부틸렌 등의 올레핀계 모노머; 비닐에테르 등의 비닐에테르계 모노머 등을 들 수 있다. 이들 단량체 성분은, 단독으로, 또는 2종 이상 조합하여 사용해도 된다.
상기 고무계 점착제로서는, 예를 들어 천연 고무; 폴리이소프렌 고무, 스티렌·부타디엔(SB) 고무, 스티렌·이소프렌(SI) 고무, 스티렌·이소프렌·스티렌 블록 공중합체(SIS) 고무, 스티렌·부타디엔·스티렌 블록 공중합체(SBS) 고무, 스티렌·에틸렌·부틸렌·스티렌 블록 공중합체(SEBS) 고무, 스티렌·에틸렌·프로필렌·스티렌 블록 공중합체(SEPS) 고무, 스티렌·에틸렌·프로필렌 블록 공중합체(SEP) 고무, 재생 고무, 부틸 고무, 폴리이소부틸렌, 이들의 변성체 등의 합성 고무; 등을 베이스 폴리머로 하는 고무계 점착제를 들 수 있다.
상기 감압 점착제는, 필요에 따라서, 임의의 적절한 첨가제를 포함할 수 있다. 해당 첨가제로서는, 예를 들어 가교제, 점착 부여제(예를 들어, 로진계 점착 부여제, 테르펜계 점착 부여제, 탄화수소계 점착 부여제 등), 가소제(예를 들어, 트리멜리트산에스테르계 가소제, 피로멜리트산에스테르계 가소제), 안료, 염료, 노화 방지제, 도전재, 대전 방지제, 광안정제, 박리 조정제, 연화제, 계면 활성제, 난연제, 산화 방지제 등을 들 수 있다.
B-3. 피가공체
피가공체로서는, 임의의 적절한 피가공체가 사용될 수 있다. 일 실시 형태에 있어서는, 피가공체로서 전자 부품이 사용된다.
일 실시 형태에 있어서는, 도 1에 도시한 바와 같이, 피가공체(30)는, 다른 경질 기판(31)과, 해당 다른 경질 기판(31)의 적어도 편측에 배치된 부재(32)를 구비한다. 다른 경질 기판으로서는, B-1항에서 설명한 경질 기판이 사용될 수 있다. 또한, 다른 경질 기판으로서, 리지드 배선 회로 기판 등을 사용해도 된다. 상기 부재로서는, 예를 들어 반도체 소자, 광반도체 소자 등의 전자 부품을 들 수 있다. 피가공체의 구체예로서는, 예를 들어 리지드 배선 회로 기판 상의 단자에, 그 단자에 접속하기 위한 복수의 반도체 소자를 나열하여 적재한 것, 유리 캐리어 상에 양면 점착 시트로 반도체 소자를 적재한 것 등을 들 수 있다.
다른 실시 형태에 있어서는, 상기 피가공체로서, 반도체 웨이퍼가 사용된다. 반도체 웨이퍼는, 예를 들어 LED, 수광 소자 등의 광반도체 웨이퍼여도 된다.
상기 피가공체는, 복수 배치되어 있어도 되고, 1개 배치되어 있어도 된다.
복수의 피가공체가 배치되는 경우, 그 간격은, 예를 들어 2㎛ 내지 10㎜이다.
B-4. 기재
상기와 같이, 일 실시 형태에 있어서는, 자외선 흡수층(20)과 피가공체(30) 사이에는, 기재(21)와 점착제층(22)이 더 배치될 수 있다. 일 실시 형태에 있어서, 자외선 흡수층(20)과 기재(21)와 점착제층(22)으로 구성되는 적층체는, 양면 점착 시트 A일 수 있다. 이와 같은 구성으로 함으로써, 후공정에 있어서, 양면 점착 시트 A를 필 박리하는 것이 가능해져, 응집 파괴에 의한 점착제 잔류를 억제할 수 있다. 점착제 잔류를 현저하게 억제할 수 있기 때문에, 기존의 바니시 공법 등에서 과제가 되는 눌어붙은 잔사를 제거하기 위한 세정 공정 부하를 삭감할 수 있다. 또한, 기재를 구비함으로써, 당해 기재가 보호재로서 기능하여, 피가공체의 파손을 방지할 수 있다.
상기 기재는, 임의의 적절한 수지로 구성될 수 있다. 해당 수지로서는, 예를 들어 폴리에틸렌계 수지, 폴리프로필렌계 수지, 폴리부텐계 수지, 폴리메틸펜텐계 수지 등의 폴리올레핀계 수지, 폴리우레탄계 수지, 폴리에스테르계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리에테르케톤계 수지, 폴리스티렌계 수지, 폴리염화비닐계 수지, 폴리염화비닐리덴계 수지, 불소계 수지, 실리콘계 수지, 셀룰로오스계 수지, 아이오노머 수지 등을 들 수 있다. 그 중에서도 바람직하게는 폴리이미드계 수지이다. 폴리이미드계 수지로 구성되는 기재를 사용하면, 상기 효과가 현저해지고, 또한, 유리 기판측으로부터 입사한 레이저광에 의해 피가공체(디바이스)가 파손되는 것을 효율적으로 방지할 수 있어, 유리 기판측으로부터만 선택적으로 박리할 수 있다.
상기 기재의 두께는, 바람직하게는 1㎛ 내지 300㎛이며, 보다 바람직하게는 1㎛ 내지 100㎛이고, 더욱 바람직하게는 1㎛ 내지 50㎛이다.
기재의 파장 355㎚의 광투과율은, 바람직하게는 90％ 이하이고, 보다 바람직하게는 85％ 이하이며, 더욱 바람직하게는 50％ 이하이고, 특히 바람직하게는 15％ 이하이다. 당해 광투과율이 작으면, 피착체 대미지를 저감할 수 있는 점에서 바람직하다. 기재의 파장 355㎚의 광투과율의 하한은, 예를 들어 0％이며, 일 실시 형태에 있어서는, 10％이다.
B-5. 점착제층
점착제층은, 임의의 적절한 점착제를 포함한다. 예를 들어, 상기 감압 점착제를 포함한다.
일 실시 형태에 있어서는, 점착제층에 포함되는 점착제로서, 내열 점착제가 사용된다. 내열 점착제로 구성된 점착제층을 구비함으로써, 레이저광을 조사하였을 때 피가공체(디바이스)에 대한 눌어붙음(점착제 잔류)을 억제할 수 있다. 본 명세서에 있어서, 내열 점착제란, 260℃의 환경 하에서, 소정의 점착력을 갖는 점착제를 의미한다. 내열 점착제는, 260℃의 환경 하에서, 점착제 잔류없이 사용할 수 있는 것이 바람직하다. 바람직하게는, 내열 점착제는, 베이스 폴리머로서, 아크릴계 수지, 실리콘계 수지 등을 포함한다.
C. 가공 공정
가공 공정에 있어서는, 상기와 같이 하여 경질 기판 상에 배치된 피가공체를 가공한다. 본 공정에 있어서의 가공은, 임의의 적절한 가공일 수 있다. 예를 들어, 가열 공정, 백그라인드 공정, 다이싱 공정, 실장(리플로우) 공정, 회로 형성(RDL) 공정 등을 들 수 있다. 도 1에 있어서는, 상판(100)과 하판(200)을 구비하는 프레스기에 의해, 적층 공정에서 형성된 적층체를 프레스하면서(또는 프레스 후), 당해 적층체를 가공(가열)하고 있다.
일 실시 형태에 있어서는 상기 자외선 흡수층이 활성 에너지선 경화형 점착제를 포함하는 경우, 상기 가공 전에, 당해 자외선 흡수층에 활성 에너지선(예를 들어, 자외선)을 조사하여, 당해 자외선 흡수층의 점착력을 높여도 된다.
D. 박리 공정
박리 공정에 있어서는, 자외선 흡수층에 자외선을 조사하여, 경질 기판을 피가공체로부터 박리한다.
일 실시 형태에 있어서는, 도 1에 도시한 바와 같이, 경질 기판(10)을 자외선 흡수층(20)으로부터 박리한 후, 자외선 흡수층(20)이 박리된다. 자외선 흡수층(20)과 기재(21)와 점착제층(22)으로 양면 점착 시트 A가 구성되어 있는 경우, 자외선 흡수층(20)의 박리 후, 당해 양면 점착 시트 A가 박리된다.
다른 실시 형태에 있어서는, 상기 경질 기판과 상기 자외선 흡수층이 일체로, 박리된다.
자외선 조사의 여러 조건은, 자외선 흡수층에 박리성을 발생시킬 수 있는 한, 자외선 흡수층의 구성에 따라서, 임의의 적절 조건으로 할 수 있다. 일 실시 형태에 있어서, UV 레이저광(예를 들어, 파장: 200㎚ 내지 380㎚)이 자외선 흡수층에 조사된다. UV 레이저광을 임의의 적절한 출력(예를 들어, 0.01W 내지 6W, 바람직하게는 0.05W 내지 5W)으로 자외선 흡수층에 조사함으로써, 자외선 흡수제가 분해되어 발생하는 가스, 및/또는 자외선 흡수제가 발열함으로써 점착제층이 분해되어 발생하는 가스에 의해, 자외선 흡수층에 변형이 발생하고, 그 결과, 레이저광이 조사된 부분에 있어서, 박리성이 발현된다. UV 레이저광의 파장은, 바람직하게는 360㎚ 이하이다. 경질 기판이 자외선 흡수층의 한쪽의 면에 직접 배치되고, 피가공체가, 자외선 흡수층의 다른 쪽의 면에 직접 배치되는 경우, UV 레이저광 조사에 의한 박리가 바람직하게 행해진다.
자외선 흡수층이, 활성 에너지선 경화형 점착제를 포함하는 경우, 활성 에너지선을 자외선 흡수층의 전체에 조사하여, 자외선 흡수층의 점착력을 저하시켜도 된다. 일 실시 형태에 있어서는, UV 레이저광을 조사한 후에, 활성 에너지선을 자외선 흡수층의 전체에 조사하여, 자외선 흡수층의 점착력을 저하시켜도 된다. 활성 에너지선으로서는, 예를 들어 감마선, 자외선, 가시광선, 적외선(열선), 라디오파, 알파선, 베타선, 전자선, 플라스마류, 전리선, 입자선 등을 들 수 있다. 바람직하게는, 자외선이다. 자외선의 파장으로서는, 바람직하게는 300㎚ 내지 400㎚이다. 조사량은, 예를 들어 적산 광량 300mJ/㎠ 내지 1500mJ/㎠이다. 이와 같이, 레이저광 조사 전에, 활성 에너지선을 조사하면, 재부착을 방지하여, 경질 기판을 박리할 수 있다.
상기와 같이 하여, 피가공체의 가공이 완료된다. 본 발명에 있어서는, 자외선 흡수층에 대한 자외선 조사에 의해 경질 기판을 박리할 수 있고, 그때의 박리력이 낮기 때문에, 피가공체에 가해지는 부하를 저감할 수 있고, 그 결과, 당해 피가공체의 손상을 방지할 수 있다.
실시예
(적층 공정)
리지드 배선 회로 기판(31)(다른 경질 기판(31)) 상의 단자에, 반도체 소자(32)(부재(32))를 적재하여, 피가공체(30)를 준비하였다.
자외선 흡수층(20)을 포함하는 양면 점착 시트를 사용하여 유리 기판(10)(경질 기판(10))을 반도체 소자(32) 상에 겹쳐서 고정하였다.
양면 점착 시트로서는, PI 기재(21)의 한쪽의 면에 자외선 경화형 점착제를 포함하는 자외선 흡수층(20)을 형성하고, 다른 쪽의 면에 점착제층(22)을 형성한 것을 사용하였다.
(가공 공정)
상기 적층 공정에서 얻어진 적층체를, 프레스기 사이에 끼워, 반도체 소자(32)를 점착제층(22)에 매몰시켜, 홀딩하였다.
프레스기의 상판을 분리하여, 유리 기판(10)(경질 기판(10))을 통해, 자외선(파장: 355㎚ 내지 365㎚, 적산 광량: 1380mJ/㎠)을 자외선 흡수층(20)에 조사하여, 자외선 흡수층을 경화시켜, 자외선 흡수층의 유리 기판(10)(경질 기판(10))에 대한 점착력을 저감시켰다.
프레스기로 압착한 상태에서, 가열하여, 반도체 소자(32)(부재(32))를 리지드 배선 회로 기판(31)(다른 경질 기판(31)) 상의 단자에 고착하였다. 고착 수단으로서는, 땜납 등의 금속 접합, ACF(이방 도전성 필름), ACP(이방 도전성 페이스트) 등을 이용할 수 있다.
(박리 공정)
프레스기의 상판을 분리하고, 유리 기판(10)(경질 기판(10))을 통해, 자외선 레이저광(파장: 355㎚, 조사 에너지: 10J/㎠)을 자외선 흡수층에 조사하여, 유리 기판(10)(경질 기판(10))을 박리하였다.
이어서, 양면 점착 시트를 필 박리하였다. 반도체 소자(32)(부재(32))의 손상은 없었다. 또한, 반도체 소자(32)(부재(32))가, 리지드 배선 회로 기판(31)(다른 경질 기판(31))으로부터, 탈리되는 일은 없었다.
10: 경질 기판
20: 자외선 흡수층
30: 피가공체

Claims (7)

  1. 경질 기판과, 자외선 흡수층과, 피가공체를 이 순으로 적층하는 적층 공정과, 그 후,
    해당 피가공체를 가공하는 가공 공정과, 그 후,
    해당 자외선 흡수층에 자외선을 조사하여, 경질 기판을 피가공체로부터 박리하는 박리 공정을 포함하는, 부재 가공 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 피가공체가, 다른 경질 기판과, 해당 경질 기판의 적어도 편측에 배치된 부재를 포함하는, 부재 가공 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 피가공체가, 반도체 웨이퍼인, 부재 가공 방법.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 경질 기판이, 광투과성을 갖는, 부재 가공 방법.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 자외선 흡수층이, 점착성을 갖는, 부재 가공 방법.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 자외선 흡수층이, 활성 에너지선 경화형 점착제를 포함하는, 부재 가공 방법.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 자외선 흡수층이, 자외선 흡수제를 포함하는, 부재 가공 방법.
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